Radiazioni emesse da Ir-192
0,5 Mev
0,6 Mev
0,66 Mev
0,47 Mev
Il danno da irradiazione nei fotodiodi p-i-n In/sub 0,53/Ga/sub 0,47/As da parte di neutroni veloci da 1 MeV viene studiato per la prima volta in funzione della fluenza. 
Il degrado delle prestazioni elettriche e ottiche dei diodi aumenta con l'aumentare della fluenza. 
I difetti reticolari indotti negli strati epitassiali In/sub 0,53/Ga/sub 0,47/As e nel substrato InP sono studiati mediante metodi DLTS.
Negli strati epitassiali In/sub 0,53/Ga/sub-0,47/As, i livelli di lacuna e di cattura degli elettroni sono indotti dall'irradiazione. 
Viene quindi discussa l'influenza della sorgente di radiazioni sulla degradazione del dispositivo rispetto agli elettroni da 1 MeV rispetto al numero di atomi knock-on e alla perdita di energia non ionizzante (NIEL). Per esaminare il comportamento di recupero, viene eseguita una ricottura termica isocrona per temperature comprese tra 75 e 300/spl deg/C.
Dopo ricottura termica a 300/spl gradi/C, la corrente luminosa recupera solo al 20% della pre-irradiazione per una fluenza di 1/spl volte/10/sup 13/ n/cm/sup 2/, mentre recupera al 53% per una fluenza di 1/spl volte/10/sup 15/ e/cm/sup 2/.
Si ritiene che il diverso comportamento di recupero sia dovuto a un diverso tipo di danno da radiazioni.