<p><b>乙醯丙酮銦</b>是銦的乙醯丙酮配合物，化學式為In(C<sub>5</sub>H<sub>7</sub>O<sub>2</sub>)<sub>3</sub>，或簡寫為In(acac)<sub>3</sub>。
</p>
<h2><span id=".E7.94.A8.E9.80.94"></span><span id="用途">用途</span></h2>
<p>乙醯丙酮銦和乙醯丙酮亞錫可以用常壓化學氣相沉積法製備氧化銦錫薄膜。得到的薄膜是透明的和導電的，厚度約為200 nm。銅銦鎵二硒化物（CIGS）也可以乙醯丙酮銦為原料製備出來。用In(acac)<sub>3</sub>和硫化氫反應，通過原子層化學氣相沉積（ALCVD），可以合成薄膜CIGS太陽能電池。</p>
<h2><span id=".E5.8F.82.E8.80.83.E6.96.87.E7.8C.AE"></span><span id="参考文献">參考文獻</span></h2>
**乙醯丙酮銦**是銦的乙醯丙酮配合物，化學式為 In (C5H7O2)3，或簡寫為 In (acac)3。

## 用途

乙醯丙酮銦和乙醯丙酮亞錫可以用常壓化學氣相沉積法製備氧化銦錫薄膜。得到的薄膜是透明的和導電的，厚度約為 200 nm。銅銦鎵二硒化物（CIGS）也可以乙醯丙酮銦為原料製備出來。用 In (acac)3 和硫化氫反應，通過原子層化學氣相沉積（ALCVD），可以合成薄膜 CIGS 太陽能電池。

## 參考文獻
14405-45-9