<p><b>磷化鎵</b>（GaP）是鎵的磷化物，是無機化合物，也是半導體材料，其間接能隙為2.26eV（300K）。其多晶的材料為淡橙色。未摻入雜質的單晶晶片會是透明的橙色，但大量摻入雜質的晶片因為吸收自由電子，其顏色會變深。磷化鎵無味，不會溶於水。
</p><p>若要變成N型半導體，需要摻雜硫或是碲，若要製作P型半導體，需要摻雜鋅。
</p><p>磷化鎵常用在光學系統中，其折射率在波長262 nm (UV)時為4.30，波長550 nm (green)時為3.45，波長840 nm(IR)時為3.19。
</p>


<h2><span id=".E7.99.BC.E5.85.89.E4.BA.8C.E6.A5.B5.E9.AB.94"></span><span id="發光二極體">發光二極體</span></h2>
<p>自1960年代起，磷化鎵就會用來做低價的紅色、綠色及橘色發光二極體，亮度低至中等都有。在大電流時其壽命較短，其壽命對溫度也相當敏感，一般會獨立使用，或是配合<span data-orig-title="磷砷化鎵" data-lang-code="en" data-lang-name="英語" data-foreign-title="Gallium arsenide phosphide"><span>磷砷化鎵</span></span>使用。
</p><p>純的磷化鎵會發波長555 nm的綠光，摻雜氮的會發出波長565 nm的黃綠光，摻雜氧化鋅的會發紅光(700 nm)。
</p><p>磷化鎵會被黃光及紅光穿透，因此磷化鎵為基板的磷砷化鎵會比以砷化鎵為基板的要好。
</p><p>在溫度到900 °C時，磷化鎵會分解，並且磷會以氣體方式離開。在LED晶元成長時，溫度會到1500度，為避免前敘情形，需將磷密封在熔化的氧化硼中，並用10-100大氣壓力的不活性氣體加壓。此程序稱為液體密封切克勞斯基法（LEC），是矽晶元製程中柴可拉斯基法的變形。
</p>
<h2><span id=".E7.9B.B8.E9.97.9C.E6.A2.9D.E7.9B.AE"></span><span id="相關條目">相關條目</span></h2>
<h3><span id=".E7.9B.B8.E9.97.9C.E6.9D.90.E6.96.99"></span><span id="相關材料">相關材料</span></h3>
<ul><li>砷化鎵</li>
<li>氮化鎵</li>
<li>磷化銦</li></ul><h3><span id=".E5.90.88.E9.87.91"></span><span id="合金">合金</span></h3>
<ul><li><span data-orig-title="磷化鋁銦鎵" data-lang-code="en" data-lang-name="英語" data-foreign-title="Aluminium gallium indium phosphide"><span>磷化鋁銦鎵</span></span></li>
<li>磷化銦鎵</li>
<li><span data-orig-title="磷砷化銦" data-lang-code="en" data-lang-name="英語" data-foreign-title="Gallium arsenide phosphide"><span>磷砷化銦</span></span></li></ul><h2><span id=".E5.A4.96.E9.83.A8.E9.80.A3.E7.B5.90"></span><span id="外部連結">外部連結</span></h2>
<ul><li>Ioffe NSM data archive （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）</li></ul><h2><span id=".E5.8F.83.E8.80.83.E8.B3.87.E6.96.99"></span><span id="參考資料">參考資料</span></h2>

<!-- 
NewPP limit report
Parsed by mw2362
Cached time: 20230505230303
Cache expiry: 1814400
Reduced expiry: false
Complications: [show‐toc]
CPU time usage: 0.303 seconds
Real time usage: 0.449 seconds
Preprocessor visited node count: 6828/1000000
Post‐expand include size: 156288/2097152 bytes
Template argument size: 28995/2097152 bytes
Highest expansion depth: 24/100
Expensive parser function count: 13/500
Unstrip recursion depth: 0/20
Unstrip post‐expand size: 1079/5000000 bytes
Lua time usage: 0.079/10.000 seconds
Lua memory usage: 4393000/52428800 bytes
Number of Wikibase entities loaded: 1/400
--><!--
Transclusion expansion time report (%,ms,calls,template)
100.00%  349.899      1 -total
 48.09%  168.266      1 Template:Chembox
 22.30%   78.040      2 Template:周期表框架
 21.97%   76.879      1 Template:Chembox_Identifiers
 21.43%   74.983      2 Template:Navbox
 18.32%   64.115      1 Template:镓化合物
 14.74%   51.566     81 Template:Chembox_entry
 13.75%   48.105      2 Template:周期表框架/元素表
 12.05%   42.158      1 Template:Reflist
 11.26%   39.396      9 Template:Chem
-->
**磷化鎵**（GaP）是鎵的磷化物，是無機化合物，也是半導體材料，其間接能隙為 2.26eV（300K）。其多晶的材料為淡橙色。未摻入雜質的單晶晶片會是透明的橙色，但大量摻入雜質的晶片因為吸收自由電子，其顏色會變深。磷化鎵無味，不會溶於水。

若要變成 N 型半導體，需要摻雜硫或是碲，若要製作 P 型半導體，需要摻雜鋅。

磷化鎵常用在光學系統中，其折射率在波長 262 nm (UV) 時為 4.30，波長 550 nm (green) 時為 3.45，波長 840 nm (IR) 時為 3.19。

## 發光二極體

自 1960 年代起，磷化鎵就會用來做低價的紅色、綠色及橘色發光二極體，亮度低至中等都有。在大電流時其壽命較短，其壽命對溫度也相當敏感，一般會獨立使用，或是配合磷砷化鎵使用。

純的磷化鎵會發波長 555 nm 的綠光，摻雜氮的會發出波長 565 nm 的黃綠光，摻雜氧化鋅的會發紅光 (700 nm)。

磷化鎵會被黃光及紅光穿透，因此磷化鎵為基板的磷砷化鎵會比以砷化鎵為基板的要好。

在溫度到 900 °C 時，磷化鎵會分解，並且磷會以氣體方式離開。在 LED 晶元成長時，溫度會到 1500 度，為避免前敘情形，需將磷密封在熔化的氧化硼中，並用 10-100 大氣壓力的不活性氣體加壓。此程序稱為液體密封切克勞斯基法（LEC），是矽晶元製程中柴可拉斯基法的變形。

## 相關條目

### 相關材料

* 砷化鎵
* 氮化鎵
* 磷化銦

### 合金

* 磷化鋁銦鎵
* 磷化銦鎵
* 磷砷化銦

## 外部連結

* Ioffe NSM data archive （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）

## 參考資料
12063-98-8