<p><b>氧化鎵</b>是鎵最穩定的氧化物，化學式為Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，是一種白色的晶體粉末，具有兩性。它是作為製造半導體器件的一部分。
</p>
<h2><span id=".E5.88.B6.E5.A4.87"></span><span id="制备">製備</span></h2>
<p>氧化鎵可以通過在空氣中加熱金屬鎵或在200~250℃熱分解硝酸鎵得到。氧化鎵有五種形態——α, β, γ, δ和ε，其中β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>是最穩定的形態。</p>
<ul><li>β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>可以通過在1000℃加熱硝酸鎵、乙酸鎵、草酸鎵或其它有機衍生物得到。通過氣相沉積法在980℃也能製得β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。</li></ul><dl><dd><dl><dd>2 C + Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> → Ga<sub>2</sub>O + 2 CO</dd>
<dd>Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> + 3 C → 2 Ga + 3 CO</dd>
<dd>2 Ga<sub>2</sub>O + 2 O<sub>2</sub> → 2 Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub></dd>
<dd>4 Ga + 3 O<sub>2</sub> → 2 Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub></dd></dl></dd></dl><ul><li>α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>可以通過在65 kbar與1100℃加熱β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>得到。其水合物可以通過在500℃分解沉澱並老化的氫氧化鎵得到。</li>
<li>γ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>通過在400~500℃迅速加熱氫氧化鎵凝膠得到。多晶體可以通過直接的溶劑熱反應製備。</li>
<li>δ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>由Ga(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>在250˚C熱分解得到。</li>
<li>ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>可以通過550℃短暫加熱δ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 30分鐘得到。</li></ul><h2><span id=".E5.8C.96.E5.AD.A6.E6.80.A7.E8.B4.A8"></span><span id="化学性质">化學性質</span></h2>
<p>氧化鎵可以和鹼金屬氧化物在高溫反應，產生偏鎵酸鹽，如NaGaO<sub>2</sub>；和Mg、Zn、Co、Ni、Cu的氧化物加熱形成尖晶石型晶體，如MgGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>。
它溶於鹼金屬氫氧化物溶液，形成<span>Ga(OH)<span>−<br>4</span></span>羥基配離子。
</p><p>它和氯化氫氣體在氬氣氣氛中反應，生成無水三氯化鎵GaCl<sub>3</sub>：</p>
<dl><dd>Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> + 6 HCl → 2 GaCl<sub>3</sub> + 3 H<sub>2</sub>O</dd></dl><p>和氟氣反應，產生無水氟化鎵；溶於50%氫氟酸，生成氟化鎵的三水合物：</p>
<dl><dd>Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> + 6 HF → 2 GaF<sub>3</sub>·3H<sub>2</sub>O</dd></dl><p>它可以被氫氣還原為氧化亞鎵（一氧化鎵）Ga<sub>2</sub>O，也可以被單質鎵還原：</p>
<dl><dd>Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> + 2 H<sub>2</sub> → Ga<sub>2</sub>O + 2 H<sub>2</sub>O</dd>
<dd>Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> + 4 Ga → 3 Ga<sub>2</sub>O</dd></dl><h2><span id=".E5.8F.82.E8.80.83.E6.96.87.E7.8C.AE"></span><span id="参考文献">參考文獻</span></h2>
**氧化鎵**是鎵最穩定的氧化物，化學式為 Ga2O3，是一種白色的晶體粉末，具有兩性。它是作為製造半導體器件的一部分。

## 製備

氧化鎵可以通過在空氣中加熱金屬鎵或在 200~250℃熱分解硝酸鎵得到。氧化鎵有五種形態 ——α, β, γ, δ 和 ε，其中 β-Ga2O3 是最穩定的形態。

* β-Ga2O3 可以通過在 1000℃加熱硝酸鎵、乙酸鎵、草酸鎵或其它有機衍生物得到。通過氣相沉積法在 980℃也能製得 β-Ga2O3。

　
: : 2 C + Ga2O3 → Ga2O + 2 CO

　
: Ga2O3 + 3 C → 2 Ga + 3 CO

　
: 2 Ga2O + 2 O2 → 2 Ga2O3

　
: 4 Ga + 3 O2 → 2 Ga2O3

* α-Ga2O3 可以通過在 65 kbar 與 1100℃加熱 β-Ga2O3 得到。其水合物可以通過在 500℃分解沉澱並老化的氫氧化鎵得到。
* γ-Ga2O3 通過在 400~500℃迅速加熱氫氧化鎵凝膠得到。多晶體可以通過直接的溶劑熱反應製備。
* δ-Ga2O3 由 Ga (NO3)3 在 250˚C 熱分解得到。
* ε-Ga2O3 可以通過 550℃短暫加熱 δ-Ga2O3 30 分鐘得到。

## 化學性質

氧化鎵可以和鹼金屬氧化物在高溫反應，產生偏鎵酸鹽，如 NaGaO2；和 Mg、Zn、Co、Ni、Cu 的氧化物加熱形成尖晶石型晶體，如 MgGa2O4。
它溶於鹼金屬氫氧化物溶液，形成 Ga(OH)− 
4 羥基配離子。

它和氯化氫氣體在氬氣氣氛中反應，生成無水三氯化鎵 GaCl3：

　
: Ga2O3 + 6 HCl → 2 GaCl3 + 3 H2O

和氟氣反應，產生無水氟化鎵；溶於 50% 氫氟酸，生成氟化鎵的三水合物：

　
: Ga2O3 + 6 HF → 2 GaF3·3H2O

它可以被氫氣還原為氧化亞鎵（一氧化鎵）Ga2O，也可以被單質鎵還原：

　
: Ga2O3 + 2 H2 → Ga2O + 2 H2O

　
: Ga2O3 + 4 Ga → 3 Ga2O

## 參考文獻
12024-21-4