<p><b>原矽酸氧釓</b>是一種無機化合物，化學式為Gd<sub>2</sub>OSiO<sub>4</sub>。它可由K<sub>3</sub>GdCl<sub>6</sub>和四氯化矽或無定形二氧化矽在氧氣流中加熱至950~1100 °C反應得到。它也可在氧化釓和二氧化矽的固相高溫反應中生成。摻雜其它鑭系元素（如Ce<sup>3+</sup>、Yb<sup>3+</sup>）的Gd<sub>2</sub>OSiO<sub>4</sub>晶體在光學方面已有較多研究。</p>
<h2><span id=".E5.8F.82.E8.80.83.E6.96.87.E7.8C.AE"></span><span id="参考文献">參考文獻</span></h2>

<h2><span id=".E6.8B.93.E5.B1.95.E9.98.85.E8.AF.BB"></span><span id="拓展阅读">拓展閱讀</span></h2>
<ul><li>張涵. 淺析摻雜矽酸釓晶體的研究現狀 （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）. 科技信息, 2014 (8): 76-76.</li></ul><!-- 
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**原矽酸氧釓**是一種無機化合物，化學式為 Gd2OSiO4。它可由 K3GdCl6 和四氯化矽或無定形二氧化矽在氧氣流中加熱至 950~1100 °C 反應得到。它也可在氧化釓和二氧化矽的固相高溫反應中生成。摻雜其它鑭系元素（如 Ce3+、Yb3+）的 Gd2OSiO4 晶體在光學方面已有較多研究。

## 參考文獻

## 拓展閱讀

* 張涵。淺析摻雜矽酸釓晶體的研究現狀 （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）. 科技信息，2014 (8): 76-76.
12207-95-3