Hệ thống lắng đọng lớp nguyên tử (ALD). ALD là một quá trình lắng đọng màng mỏng cho phép phân giải độ dày lớp nguyên tử, sự phù hợp tuyệt vời của các bề mặt có tỷ lệ khung hình cao và các lớp không có lỗ kim. Điều này đạt được bằng cách hình thành tuần tự các lớp nguyên tử trong một phản ứng tự giới hạn. ALD thường được sử dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn cho màng điện môi k cao trong xử lý CMOS, thiết bị bộ nhớ, MEMS và cảm biến. Hệ thống ALD được sử dụng để phát triển các lớp phủ bảo vệ và chức năng trong pin nhiên liệu và các ứng dụng khác đòi hỏi khả năng chống ăn mòn hoặc mài mòn. Chúng cũng được sử dụng để phủ lên các cấu trúc có tỷ lệ khung hình cao như dây nano và ống nano để phát triển thiết bị thế hệ tiếp theo.