미래 지향적인 2차원 블랙 인 재료는 탄소 나노 재료를 초월하게 될 것으로 전망된다. 블랙 인의 반도체 에너지 갭은 직접적인 에너지 갭에 속하며 동 특성은 광학 및 광전자 성능이 기타 재료 즉 실리콘 및 황화몰리브덴보다 뚜렷하게 뛰어난 우세를 보유하고 있다. 블랙 인의 직접적인 에너지 갭은 블랙 인 및 광의 직접적인 결합을 강화할 수 있기 때문에 블랙 인은 미래 광전기 부품(예를 들면 광전기 센서)의 대체 재료로 응용될 수 있게 있다. 장위안보(張遠波) 교수 연구팀은 블랙 인 2차원 결정체가 매우 높은 샘플 품질(전자 이동성~1000cm2/Vs)을 보유하고 있다는 점을 발견했다. 이런 높은 샘플 품질은 블랙 인의 미래 응용을 가능하게끔 한다. 이번 연구는 푸단(福旦)대학 장위안보(張遠波) 교수 연구팀, 푸단(福旦)대학 펑둥라이(封東來) 교수 연구팀 및 우화(吳骅) 교수 연구팀이 협력하여 완성하였다. 장위안보(張遠波) 교수는 지난 2011년도에 ‘국가 청년 천인계획(千人計劃)’ 프로그램에 선정되었고 지난 2012년도부터 연구팀을 주도하여 블랙 인 재료 연구를 실행하였다.
무엇은 탄소 나노 재료를 뛰어넘을 것으로 기대되니
2차원 블랙 인 재료