이황화몰리브덴의 성장 및 소자 제작기술 개발 ACS Nano지 발표,“초박막 전자소재의 제작과 후처리가 필요 없는 소자 제작기술 개발”
연구결과 개요
1. 연구배경
최근 원자 수준의 얇은 막에 대한 연구가 다양한 전자소자로의 적용가능성 때문에 각광받고 있다. 원자 수준의 얇은 막 중에 이황화몰리브덴(MoS2)은 층상의 원자 구조를 가지고 있어서 그래핀(graphene)처럼 테이프를 이용한 물리적 박리법(mechanical exfoliation)으로도 손쉽게 시료를 얻을 수 있다. 그래핀은 전기전도성이 뛰어나지만 에너지 밴드갭(bandgap)의 부재로 인해 반도체 특성을 얻기 힘든데 반해, 이황화몰리브덴은 자체적인 에너지 밴드 갭이 있기 때문에 반도체 특성을 뚜렷이 보이는 것이 큰 특징이다.
기존에는 물리적 박리법을 이용하여 얻은 이황화몰리브덴 시료를 기반으로 1 마이크로 미터 이하 수준의 전자빔(E-beam lithography)을 이용해 소자를 제작하는 연구가 대부분이었다. 최근 일부 연구진이 화학기상증착법(CVD)을 이용한 대면적 이황화몰리브덴을 만들기 시작했다. 하지만 본 연구진은 이황화몰리브덴의 대면적 성장과 함께 얻어낸 이황화몰리브덴의 직접적인 화학적 조성을 분석해냈다. 나아가 산업적 응용 가능성을 위해 개별적인 소자제작을 위한 후처리를 생략할 수 있는 직접적인 패터닝(patternable) 기술을 개발했다.
이황화몰리브덴의 성장 및 소자 제작기술 개발
원자 수준의 얇은 막 중에 층상의 원자 구조를 가지고 있는 광물은 무엇이야
이황화몰리브덴