차세대 메모리 핵심 소재 개발 성공 - 기존 SRAM 메모리 한계를 뛰어넘는 비휘발성, 고속, 고집적 소재 -
연구결과 개요
1. 연구배경
ㅇ 현재 사용 되는 반도체 구조에서는 논리소자와 메모리소자가 공간적으로 단절되어 있기 때문에 소자 간의 긴 신호지연이 불가피하다. 또한 비휘발성 메모리인 SRAM의 사용은 정보유지를 위한 지속적인 전력공급으로 인해 높은 전력소모의 문제점을 야기한다. 이와 더불어 현재 사용되는 컴퓨터 CPU 및 스마트폰 AP는 SRAM 소자의 개수와 그 성능이 비례하기 때문에 소자 성능 향상을 위해서는 지속적으로 메모리 면적의 증가가 요구되고 있다. 이러한 문제는 소자 고집적화에 큰 걸림돌이 되고 있다.
ㅇ 논리소자에 메모리 기능을 탑재한 로직메모리(logic-in-memory) 소자는 위에서 언급된 문제점을 해결하는 하나의 대안이 될 수 있다. 이 소자를 구현하기 위해서는 기본적으로 비휘발성이면서 고속 동작이 가능한 메모리 소자가 필요하다. 예를 들어 현재 널리 사용 되는 Flash 메모리는 비휘발성이긴 하나 동작속도가 느려 빠른 정보 처리가 필요한 논리소자의 장점을 상쇄하기 때문에 대안이 될 수 없다.
차세대 메모리 핵심소재 개발 성공
정보유지를 위한 지속적인 전력공급으로 인한 높은 전력소모의 문제점이 있는 비휘발성 메모리는 뭐야
SRAM