경제적인 고성능 투명 메모리 제작기술 개발 - 환원 그래핀 산화물 기반의 다중 정보 저장이 가능한 투명 메모리 기술 개발 -
□ 재료적 유연성과 광학적 장점을 지닌 그래핀 산화물을 이용한 메모리 소자를 구현하려는 연구가 활발하나 실제 소자 응용을 위해 필요한 신뢰성과 다중 정보저장*을 위한 멀티-레벨 특성** 구현에 대한 고려가 부족한 상황이었다.
* 다중 정보저장 : 하나의 메모리 소자 당 1 비트 이상의 정보를 저장하는 기술
** 멀티 레벨 특성 구현 : 하나의 ReRAM 소자가 2가지 이상의 저항 값을 갖는 특성
□ 연구팀은 환원 그래핀 산화물을 이용, 초기에 소정의 전압이 인가되어야 하는 번거로운 포밍 과정* 없이도 저항 스위칭이 가능한 투명하면서도 다중 정보저장 기능을 갖는 저항변화 메모리**를 구현해 냈다.
* 포밍과정 : 초기 저항변화 물질은 저항 스위칭 특성을 보이지 않기 때문에, 소정의 전압을 인가하여 저항 스위칭이 가능하게 소자를 활성화 시키는 과정
** 저항변화 메모리(ReRAM) : 차세대 비휘발성 메모리의 한 종류로서, 금속/저항변화물질(주로 산화물 또는 질화물)/금속의 간단한 구조로, 저항변화 물질에 특정 전압(또는 전류)을 인가했을 때, 변화하는 저항상태를 이용한 비휘발성 메모리
o 투명 노트북 같은 대용량의 정보저장이 필요한 미래형 전자소자의 핵심기술로 활용될 것으로 기대된다.
경제적인 고성능 투명 메모리 제작기술 개발
투명하면서도 다중 정보저장 기능을 가지며 차세대 비휘발성 메모리의 한 종류인 것은 무엇인가
저항변화 메모리