테라헤르츠 고주파수 대역에서 전자를 빠르게 이동시키는 실리콘 소자 기술 세계 최초 제시 - 미개발 잠재 시장인 테라헤르츠 기술 상용화 가능성 제시 -
□ 국내 연구진이 실리콘 반도체의 전자가 테라헤르츠 주파수(1초에 1조번 빠르게 진동하는 고주파수 대역)의 진동을 보이면서 기존 전자이동 속도보다 10~100배 빠르게 이동할 수 있음을 세계 최초로 제시했다.
o 현재 실리콘으로는 전자가 기가헤르츠(1초에 10억번 진동) 주파수로 진동하면서 이동하고, 그 이상은 불가능하다고 여겨져 왔다. 이런 실리콘 반도체의 한계 때문에 현재 전자제품은 기가헤르츠 대역까지만 주파수를 이용할 수 있다. 실리콘의 한계 극복을 위해 화합물 반도체를 개발하고 있지만 비싼 것이 흠이다.
※ 테라헤르츠 (Terahertz, THz) : 1012 Hz 로서 현재 상용 기가헤르츠 (Gigahertz, GHz, 109 Hz) 주파수 대역의 1,000 배에 이르는 초고주파 대역
□ 울산과학기술대학교(UNIST) 김경록 교수 연구팀이 미래창조과학부 (장관 최양희)이 추진하는 ‘미래유망융합기술파이오니어사업’의 지원으로 수행한 이번 연구는 세계적 권위의 국제전기전자공학회(IEEE) 주관 나노테크놀로지 학회(IEEE-NANO)에서 ‘차세대 나노전자소자’ 분야 우수논문(Best Paper)로 국내 연구기관에서 유일하게 선정되어 발표(8.20)될 예정이다.
논문명 : 수십-나노스케일의 최대 게이트 길이에서도 테라헤르츠 발진기 동작이 가능한 실리콘 기술 기반 플라즈마파 트랜지스터 (Deca-Nanoscale Maximum Gate Length of Plasma Wave Transistor for Operating Terahertz Emitter Based on Strained Silicon Platform)
테라헤르츠 고주파수 대역에서 전자를 빠르게 이동시키는 실리콘 소자 기술
어느 대학교 소속팀이 미래창조과학부가 진행한 미래유망융합기술파리오니어 사업의 지원으로 연구를 진행해
울산과학기술대학교