경제적인 고성능 투명 메모리 제작기술 개발 - 환원 그래핀 산화물 기반의 다중 정보 저장이 가능한 투명 메모리 기술 개발 -
연구결과 개요
1. 연구배경
o 투명 트랜지스터와 다이오드로 구성되는 투명 전자 기기의 활용 가능성으로 인하여 투명 소자의 중요성이 대두되고 있다. 그러나 보이지 않는 전자 기기에서 필수불가결한 요소인, 비휘발성 투명 메모리 소자 연구는 현재 비휘발성 메모리 시장의 주류를 이루는 실리콘의 불투명한 광학특성으로 인하여 어려움을 겪고 있다. 다양한 종류의 메모리 소자 중에서도 ReRAM은 높은 집적도와 빠른 구동 능력으로 인하여 금속산화물 또는 질화물, 유기물과 탄소 기반 물질 등을 이용하여 많은 연구가 이어지고 있다.
o ReRAM은 높은 집적률과 빠른 작동 속도, 우수한 전기적 특성으로 인하여 많은 주목을 받고 있다. 금속산화물, 질화물, 유기물, 탄소 기반 물질과 같은 다양한 소재가 저항 변화 물질로 적용되어 ReRAM 연구가 진행되고있다. 이 중, Carbon Nanotubes, Graphene, Graphene-Oxide 등의 탄소기반 물질은 우수한 전기적, 광학적, 기계적 특성을 보이며 많은 연구가 수행되고 있다.
o 기존의 Graphene Oxide 연구에서는 103의 On/Off Current Ratio와 유연- 투명 소자의 연구 결과가 보고되었다. 하지만 기존 연구들은 소자의 구현에만 중점을 두고 있기 때문에 메모리 소자로서의 내구성, 정보 저장유지 능력 또는 멀티-레벨 등의 특성에 관한 연구는 미흡한 실정이다. 더욱이, 초기 포밍 과정에서 발생하는 소자의 열화 현상으로부터 기인한 소자의 내구성의 한계로 지적되고 있다.
경제적인 고성능 투명 메모리 제작기술 개발
투명 전자 기기의 활용 가능성 때문에 중요성을 인정받게 된 건 뭐야
투명 소자