3진법 이해하는 초절전형 반도체 소자․회로 개발- 착용형 스마트기기, 지능형 로봇, 슈퍼 컴퓨터 적용 기대 -
2. 연구내용
ㅇ 이 연구에서는 2차원 반도체인 흑린과 이황화레늄을 수직으로 쌓아 부성미분저항 특성을 보이는 전자소자를 새롭게 제작하고, 이 소자를 이용하여 3개의 논리상태(‘0’,‘1’,‘2’)를 갖는 3진 인버터 회로를구현하였다.
ㅇ 흑린과 이황화레늄의 이종접합 구조 특성은 라만분광법(Raman spectroscopy)과 켈빈프로브현미경(Kelvin probe force microscopy)을 이용하여 분석하였다. 
ㅇ 특히 제작된 2차원 반도체 기반의 부성미분저항 특성소자는 상온에서 약 4.2 이상의 높은 피크-밸리 전류비를 보였다.
ㅇ 또한 연구팀은 부성미분저항 특성소자의 전류를 정확하게 분석할 수 있는 이론적 모델을 개발하고 이를 이용하여 부성미분저항 특성소자의 동작메커니즘을 상온과 저온에서 자세하게 분석하였다. 
ㅇ 초절전형 전자소자로의 응용 가능성을 확인하기 위해, 흑린과 이황화레늄의 이종접합구조 기반 부성미분저항 특성소자와 내재되어 있는 흑린기반의 트랜지스터를 집적하여 2개의 소자로 3개의 논리상태를 갖는 3진 인버터 회로를 구현하였다. 참고로 기존 인버터 회로는 2개의 논리상태를 표현할 수 있으며 2개의 소자로 구성되어 있다.
3진법 이해하는 초절전형 반도체 소자회로 개발
어떤 특징을 보이는 전자소자를 새롭게 만들어서 3진 인버터 회로를 구현했어
부성미분저항