차세대 메모리 핵심 소재 개발 성공 - 기존 SRAM 메모리 한계를 뛰어넘는 비휘발성, 고속, 고집적 소재 -
연구결과 개요
1. 연구배경
ㅇ 따라서 비휘발성이면서 고속동작 및 저전력이 가능한 메모리소자의 개발이 필요하다. 전자의 스핀과 궤도간의 상호작용을 이용하는 스핀궤도토크(Spin orbit torque, SOT) 기반 자성메모리(MRAM)의 경우 상기 언급된 특성을 모두 만족시키기 때문에 차세대 메모리로의 연구 가치가 높다고 평가된다.
ㅇ SOT 기반 소자는 스핀홀 또는 라쉬바 현상에 의해 발생하는 스핀 전류로 강자성체의 자화방향을 제어한다. SOT 소자에서는 일반적으로 스핀홀 각도가 큰 중금속 소재가 주로 연구되고 있다. 하지만 이 경우 외부 자기장 인가가 필수인데, 이는 고집적 소자 개발에 있어서 치명적인 약점으로 작용하기 때문에 이를 극복하기 위한 해결방안이 필요하다.
차세대 메모리 핵심소재 개발 성공
비휘발성이면서 고속동작 및 저전력이 가능하여 차세대 메모리 연구 가치가 높다고 평가되는건 뭐지
자성메모리