차세대 메모리 핵심 소재 개발 성공 - 기존 SRAM 메모리 한계를 뛰어넘는 비휘발성, 고속, 고집적 소재 -
연구결과 개요
3. 기대효과
ㅇ 현재 논리소자의 성능 향상을 위해 SRAM 캐시메모리의 용량이 증가하고 있으나 이는 휘발성 소자의 사용 증가로 인한 누설전류의 증가를 야기하고 이로 인해 칩의 전력소모에 매우 큰 영향을 미치게 된다. 만약 이를 SOT-MRAM으로 대체 할 경우 비휘발성 특성 때문에 용량이 증가하더라도 SRAM과 달리 누설전류가 없어 저전력/고집적이 가능해진다.
ㅇ 또한 기존 논리소자 위에 3D 적증이 가능해지기 때문에 현재 사용되는 반도체 구조보다 훨씬 더 작은 면적의 칩 구현이 가능해지며, 특히 SOT-MRAM은 웨어러블, 모바일, 바이오센서 및 IoT와 같은 저전력 동작을 요구하는 전자기기의 발전에 기여를 할 것으로 판단된다.
ㅇ 국내 반도체 산업은 DRAM, Flash 등 메모리 반도체에서 지속적으로 세계시장을 선도해 오고 있다. 그러나 최근 중국의 대규모 메모리 반도체 투자에 따른 위협이 가시화되고 있다. 이번 연구결과로 원천기술 선점과 특허확보를 통해, 메모리 산업의 주도권 강화와 더불어 비메모리 논리소자 부분의 시장을 확장하는 데 일조할 수 있을 것으로 판단된다.
차세대 메모리 핵심소재 개발 성공
휘발성 소자 위에 3D 적증을 할 수 있어 작은 면적의 칩 구현이 가능한 메모리 소재는 무엇이야
SOT-MRAM