저전력 고속 자성메모리용 스핀 신소재 개발 - 차세대 자성메모리의 핵심 소재기술 개발 -
□ 양현수 교수(싱가포르국립대, NUS)와 이경진 교수(고려대) 연구팀이 저전력, 고속 스위칭이 가능한 차세대 자성메모리(Magnetic Random Access Memory, MRAM)의 핵심 소재 구조를 개발했다고 과학기술 정보통신부(장관 유영민, 이하 ‘과기 정통부’)는 밝혔다.
ㅇ 이 연구는 일본 Toyota Technological Institute(TTI)의 Awan 교수 연구팀, 중국 Tongji대  Qiu 교수와 공동 수행한 결과로, 네이쳐 머터리얼즈(Nature Materials)에 12월 3일 온라인 게재되었다.
※ 논문명: Long spin coherence length and bulk-like spin-orbit torque in ferrimagnetic multilayers. 
□ 자성메모리는 외부 전원의 공급이 없는 상태에서 정보를 유지할 수 있으며 고속 동작이 가능한 장점이 있어 차세대 메모리로 세계 반도체 업체들이 경쟁적으로 개발하고 있다.
ㅇ 그러나 MRAM의 시장 파급력을 확대하기 위해서는 두꺼운 자성층의 자화방향을 낮은 전류로 스위칭시키는 신기술이 필요하다.
ㅇ 자성메모리의 동작은 횡(橫, transverse) 스핀전류*를 자성소재에 주입하여 발생하는 스핀토크로 이루어지는데, 기존 자성소재는 횡 스핀 전류가 소재의 표면에서 모두 소실되는 특성으로 인해 두꺼운 자성층을 스위칭시킬 수 없다는 한계가 있었다.
* 스핀전류: 일반적인 전류는 전자가 가지고 있는 전하(charge)의 흐름을 말하는데, 스핀전류는 전자의 또 다른 고유특성인 스핀(spin)이 이동하는 현상이다. 스핀 전류는 전하의 실제적인 이동이 없이 나타날 수 있어 주울열(Joule heating)로 인한 전력손실로부터 자유로울 수 있다.
저전력 고속 자성메모리용 스핀 신소재 개발
자성메모리의 고속 동작 장점을 이용해 세계 반도체 업체들이 무엇을 앞서도록 만들고 있지
차세대 메모리