저전력 고속 자성메모리용 스핀 신소재 개발 - 차세대 자성메모리의 핵심 소재기술 개발 -
□ 본 연구에서는 새로운 소재구조, 즉 원자 단위의 반강자성* 스핀 배열을 갖는 페리자성 다층막**에서 횡 스핀전류가 소재 표면에서 소실되지 않고, 두꺼운 막 전체에 걸쳐 유지됨을 이론 및 실험으로 규명하였다. 이를 통해 기존 소재에 비해 20배 정도 높은 스핀 전환 효율을 달성하였다.
* 반강자성: 인접한 두 원자가 갖는 스핀들이 서로 반대방향인 특성이다. 이에 반해 강자성은 스핀들이 서로 같은 방향을 갖는 특성으로 일반적인 자성소재는 강자성을 띤다. 
** 페리자성 다층막: 서로 다른 원소로 이루어진 원자층이 반복적으로 교차되도록 쌓은 박막이다. 이 연구에서는 코발트 (Co) 한 층과 터븀 (Tb) 한 층을 교차하여 쌓았다. 이때 Co 스핀과 Tb 스핀은 서로 반대방향으로 반강자성을 띤다. 
ㅇ 이 신소재를 차세대 메모리로 주목받고 있는 스핀토크 기반의 자성메모리에 적용할 경우, 스핀토크 효율을 높이고 초고집적이 가능하여 스핀토크 자성메모리의 시장 확대에 기여할 것으로 기대된다.
□ 또한 자성메모리의 미래기술로 개발 중인 스핀궤도토크 자성메모리에도 적용이 가능한 이 소재는, 고속동작 및 비휘발성 특성으로 SRAM 대비 대기전력을 획기적으로 감소시켜, 저전력을 필수로 요구하는 모바일, 웨어러블, 또는 IoT용 메모리로 활용가능성이 높다.
저전력 고속 자성메모리용 스핀 신소재 개발
어떤 자성메모리를 저전력이고 고속인 자성메모리의 미래기술로 제작 중일까
스핀궤도토크 자성메모리