페로브스카이트 나노입자 기반의 박막 구현 - 박막 두께에 따른 강유전성 조절 가능성 확인, 비휘발성 메모리 소자로 적용 기대 -
□ 나아가 연구팀은 만들어진 다층박막을 이용해 비휘발성 저항 변환메모리 소자로서의 구현 가능성을 확인했다.
o 2V 이하의 상대적으로 낮은 전압에서 103 의 ON/OFF 전류비*를 나타내는 등 전형적인 비휘발성 저항 변환 메모리 소자의 특성을 보인 것이다.
* ON/OFF 전류비 : 저항이 낮은 상태(ON)와 높은 상태(OFF)의 비율로 비휘발성 저항 변환 메모리 소자의 성능을 의미한다.
□ 특히 박막의 두께를 조절하면 원하는 강유전성 및 비휘발성 메모리소자 성능을 갖는 전기적 소자로의 적용이 가능하다는 설명이다.
o 연구팀은 페로브스카이트 나노입자 기반의 다층박막은 강유전성 메모리, 에너지 하베스팅 압전 및 열전 소자 등 다양한 전기적 소자로의 적용이 가능할 것으로 내다보고 있다.
페로브스카이트 나노입자 기반 박막 구현
어떤 것이 조절되어야 전원이 차단되어도 정보가 사라지지 않는 메모리소자의 기능을 가질까
박막의 두께