페로브스카이트 나노입자 기반의 박막 구현 - 박막 두께에 따른 강유전성 조절 가능성 확인, 비휘발성 메모리 소자로 적용 기대 -
용어 설명
4. 강유전성(Ferroelectric Properties)
○ 자발적인 전기분극(spontaneous polarization)을 가지고 그 자발분극 벡터의 방향이 외부에서 인가되는 전기장에 의해 반전될 수 있는 특성. 일반적으로 강유전성은 큐리 온도(Curie temperature) 이상에서 자발 분극 특성을 잃는다.
5. 비휘발성 저항 변환 메모리 소자(Nonvolatile Resistive Switching Memory Devices)
○ 차세대 비휘발성 메모리 소자의 한 종류. 전이금속 산화물(예: TiO2, Fe3O4) 박막에 충분히 높은 전압을 인가하면 전류가 흐를 수 있는 전도성경로(conductive path)가 생성되어 저항이 낮아지는 현상을 이용한 것이다. 즉, 인가되는 전압에 따라 저항이 변하는 특성을 읽기(read), 쓰기(write) 신호로 이용하는 메모리 소자이다. 
○ 전도성 경로가 생성이 되면 적당한 전압을 인가시켜 쉽게 없애거나 다시 생성할 수 있다. 비휘발성 저항 변환 메모리 소자는 기존의 플래쉬 메모리보다 빠른 구동 속도, 저전압 동작 등의 장점을 가질 뿐만 아니라 우수복사선 혹은 전자파 등에 영향을 받지 않는다.
페로브스카이트 나노입자 기반 박막 구현
플래쉬 메모리와 비교해서 속도가 빠르고 저전압 작동이며 전자파에 영향을 받지 않는 소자는 무엇일까
비휘발성 저항 변환 메모리 소자