차세대 메모리 핵심 소재 개발 성공 - 기존 SRAM 메모리 한계를 뛰어넘는 비휘발성, 고속, 고집적 소재 -
□ 미래창조과학부(장관 최양희)는 국내대학 연구진이 차세대 자성 메모리(MRAM)의 속도 및 집적도를 동시에 향상시키는 소재기술개발에 성공하였다고 밝혔다.
□ 박병국 교수(한국과학기술원)와 이경진 교수(고려대) 공동연구팀의 연구 결과는 나노기술 분야의 최고 권위의 학술지인 네이쳐 나노 테크놀러지(Nature Nanotechnology) 7월 11일자에 게재되었다.
o 논문명과 저자 정보는 다음과 같으며 미래소재디스커버리사업의 스핀궤도소재연구단(단장 고려대 김영근)의 지원을 받아 연구를 수행하였다.
- 논문명 : Field-free switching of perpendicular magnetization through spin-orbit torque in antiferromagnet/ferromagnet/oxide structures
- 저자 정보 : ***,***(공동제1저자, 한국과학기술원 박사과정), ***,***,***(한국과학기술원), ***,***,*** (고려대학교), ***(NIST), 정종율 교수(충남대학교), *** 박사(한국과학기술연구원), 이현우 교수(포항공과대학교) 이경진 교수(공동교신저자, 고려대학교), 박병국 교수(공동교신저자, 한국과학기술원) 포함 총 15명
차세대 메모리 핵심소재 개발 성공
차세대 메모리 핵심 소재 개발 연구를 지원한 단체가 어디일까
미래소재디스커버리사업의 스핀궤도소재연구단