그래핀 p-n 수직접합 광검출소자 개발 - 투명하고 유연한 그래핀의 장점에 더해 기존 실리콘 소자에 필적하는 광반응 성능 보여 - 
□ 광검출 소자로는 현재 실리콘(Si)이나 인듐갈륨비소(InGaAs)가 널리 이용되나 딱딱하고 불투명해 접을 수 있는 투명한 광전자기기에 사용하기에 한계가 있었다. 
o 때문에 원자단일층으로 얇아 투명도와 유연성이 높은 그래핀을 이용한 광검출소자 연구가 활발하나 아직 기존 소자에 비해 광반응 성능이 크게 떨어진다는 한계가 있었다. 
□ 연구팀은 올 그래핀 p-n 수직접합 터널링 다이오드*를 광검출소자에 적용하고 그 광반응 성능이 파장영역에 따라 기존 실리콘 소자등과 비슷하거나 그 이상(0.4 ~ 1.0 A/W)임을 규명했다.
* 올(All) 그래핀 p-n 수직접합 터널링 다이오드 : 금속 같은 다른 이종의 화합물을 접합시키지 않고 순전히 그래핀으로만 이뤄져 투명도와 유연성이 높은 다이오드. 정공이 전하를 운반하는 p형 그래핀과 전자가 전하를 운반하는 n형 그래핀을 수직으로 접합시킨 형태로 이 사이의 중간층이 일종의 터널링 장벽(tunneling barrier)의 역할을 해 다이오드의 본질인 전류스위칭 특성이 구현된다.
o 화학기상증착법*으로 산화막 위에 성장, 전사시킨 그래핀에 각각 농도를 달리한 정공 또는 전자를 생성시키는 화합물질을 각각 도핑하여 p형 및 n형 그래핀을 제작하고 이를 수직으로 접합해 다이오드를 만들었다.
* 화학기상증착법(chemical vapor deposition) : 진공에서 혼합기체를 열 또는 플라즈마에너지에 의해 분해하여 기판에 흡착시키는 방법으로 대면적 박막소자 제작에 유리하다.
그래핀 p-n 수직접합 광검출소자 개발
실리콘이나 인듐갈륨비소로 주로 이루어지나 접을 수 있는 투명한 광전자기기에 사용하기에 한계가 있는 것은 뭐야
광검출 소자로