Diese Schicht wird aus einer gasförmigem Siliziumverbindung ( Trichlorsilan ) auf den Träger-Wafer abgeschieden .
1	Diese	dies	DET	PDAT	Case=Nom|Gender=Fem|Number=Sing|PronType=Dem	2	det	_	_
2	Schicht	Schicht	NOUN	NN	Gender=Fem|Number=Sing|Person=3	14	nsubj:pass	_	_
3	wird	werden	AUX	VAFIN	Mood=Ind|Number=Sing|Person=3|Tense=Pres|VerbForm=Fin	14	aux:pass	_	_
4	aus	aus	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	7	case	_	_
5	einer	einer	DET	ART	Case=Dat|Gender=Fem|Number=Sing|PronType=Art	7	det	_	_
6	gasförmigem	gasförmig	ADJ	ADJA	Case=Dat|Degree=Pos|Number=Sing	7	amod	_	_
7	Siliziumverbindung	Verbindung	NOUN	NN	Gender=Fem|Number=Sing|Person=3	14	obl	_	_
8	(	(	PUNCT	$(	PunctType=Brck	9	punct	_	_
9	Trichlorsilan	unknown	NOUN	NN	Person=3	7	appos	_	_
10	)	)	PUNCT	$(	PunctType=Brck	9	punct	_	_
11	auf	auf	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Acc	13	case	_	_
12	den	den	DET	ART	Case=Acc|Gender=Masc|Number=Sing|PronType=Art	13	det	_	_
13	Träger-Wafer	Wafer	NOUN	NN	Gender=Masc|Number=Sing|Person=3	14	obl	_	_
14	abgeschieden	abscheiden	VERB	VVPP	Aspect=Perf|VerbForm=Part	0	root	_	_
15	.	.	PUNCT	$.	PunctType=Peri	14	punct	_	_
