Auf dem NEC-Werksgelände in Hiroshima ist eine Fertigungslinie für 300-mm-Wafer im Bau , die ab der ersten Jahreshälte 2002 256-MBit-Speicherchips in 0,13-µm-Technik herstellen soll .
1	Auf	Auf	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	3	case	_	_
2	dem	dem	DET	ART	Case=Dat|Gender=Neut|Number=Sing|PronType=Art	3	det	_	_
3	NEC-Werksgelände	Gelände	NOUN	NN	Gender=Neut|Number=Sing|Person=3	13	nmod	_	_
4	in	in	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	5	case	_	_
5	Hiroshima	Hiroshima	PROPN	NE	Number=Sing|Person=3	3	nmod	_	_
6	ist	sein	AUX	VAFIN	Mood=Ind|Number=Sing|Person=3|Tense=Pres|VerbForm=Fin	13	cop	_	_
7	eine	eine	DET	ART	Case=Nom|Gender=Fem|Number=Sing|PronType=Art	8	det	_	_
8	Fertigungslinie	Linie	NOUN	NN	Gender=Fem|Number=Sing|Person=3	13	nsubj	_	_
9	für	für	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Acc	10	case	_	_
10	300-mm-Wafer	300-mm-Wafer	ADJ	ADJA	_	8	nmod	_	_
11-12	im	_	_	_	_	_	_	_	_
11	in	in	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	13	case	_	_
12	dem	der	DET	ART	Case=Dat|Definite=Def|Gender=Masc,Neut|Number=Sing|PronType=Art	13	det	_	_
13	Bau	Bau	NOUN	NN	Gender=Masc|Number=Sing|Person=3	0	root	_	_
14	,	,	PUNCT	$,	PunctType=Comm	24	punct	_	_
15	die	die	PRON	PRELS	Case=Nom|Gender=Fem|Number=Sing|Person=3|PronType=Rel	24	nsubj	_	_
16	ab	ab	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	19	case	_	_
17	der	der	DET	ART	Case=Dat|Gender=Fem|Number=Sing|PronType=Art	19	det	_	_
18	ersten	erste	ADJ	ADJA	Degree=Pos|Number=Sing	19	amod	_	_
19	Jahreshälte	unknown	NOUN	NN	Person=3	24	obl	_	_
20	2002	2002	NUM	CARD	Number=Plur|NumType=Card|Person=3	19	nmod	_	_
21	256-MBit-Speicherchips	Chip	NOUN	NN	Gender=Masc|Number=Plur|Person=3	24	obj	_	_
22	in	in	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	23	case	_	_
23	0,13-µm-Technik	Technik	NOUN	NN	Gender=Fem|Number=Sing|Person=3	24	obl	_	_
24	herstellen	herstellen	VERB	VVINF	VerbForm=Inf	8	acl	_	_
25	soll	sollen	AUX	VMFIN	Mood=Ind|Number=Sing|Person=3|Tense=Pres|VerbForm=Fin|VerbType=Mod	24	aux	_	_
26	.	.	PUNCT	$.	PunctType=Peri	13	punct	_	_
