Forscher aus Berkeley stellten ebenfalls vor einem Jahr eine FinFET-Technik mit Gatterlängen von 18 nm vor .
1	Forscher	Forscher	NOUN	NN	Gender=Masc|Number=Plur|Person=3	4	nsubj	_	_
2	aus	aus	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	3	case	_	_
3	Berkeley	Berkeley	PROPN	NE	Number=Sing|Person=3	1	nmod	_	_
4	stellten	stellen	VERB	VVFIN	Mood=Ind|Number=Plur|Person=3|Tense=Past|VerbForm=Fin	0	root	_	_
5	ebenfalls	ebenfalls	ADV	ADV	_	4	advmod	_	_
6	vor	vor	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	8	case	_	_
7	einem	einem	DET	ART	Case=Dat|Gender=Neut|Number=Sing|PronType=Art	8	det	_	_
8	Jahr	Jahr	NOUN	NN	Gender=Neut|Number=Sing|Person=3	4	obl	_	_
9	eine	eine	DET	ART	Case=Acc|Gender=Fem|Number=Sing|PronType=Art	10	det	_	_
10	FinFET-Technik	Technik	NOUN	NN	Gender=Fem|Number=Sing|Person=3	4	obj	_	_
11	mit	mit	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	12	case	_	_
12	Gatterlängen	Länge	NOUN	NN	Gender=Fem|Number=Plur|Person=3	10	nmod	_	_
13	von	von	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	15	case	_	_
14	18	18	NUM	CARD	Number=Plur|NumType=Card|Person=3	15	nummod	_	_
15	nm	nm	NOUN	NN	Gender=Masc|Number=Plur|Person=3	12	nmod	_	_
16	vor	vor	ADP	PTKVZ	PartType=Vbp	4	compound:prt	_	_
17	.	.	PUNCT	$.	PunctType=Peri	4	punct	_	_
