RL-SDRAM konkurriert mit neuen Speichertehniken wie Toshibas Fast Cycle DRAM ( FCRAM ) oder dem 1T-SRAM von MoSys .
1	RL-SDRAM	RL-SDRAM	PROPN	NE	Person=3	2	nsubj	_	_
2	konkurriert	konkurrieren	VERB	VVFIN	Mood=Ind|Number=Sing|Person=3|Tense=Pres|VerbForm=Fin	0	root	_	_
3	mit	mit	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	5	case	_	_
4	neuen	neu	ADJ	ADJA	Case=Dat|Degree=Pos|Number=Plur	5	amod	_	_
5	Speichertehniken	unknown	NOUN	NN	Person=3	2	obl	_	_
6	wie	wie	CCONJ	KOKOM	ConjType=Comp	8	case	_	_
7	Toshibas	Toshibas	PROPN	NE	Case=Gen|Number=Sing|Person=3	8	nmod	_	_
8	Fast	Fast	X	FM	Foreign=Yes|Person=3	2	obl	_	_
9	Cycle	Cycle	X	FM	Foreign=Yes|Person=3	8	flat	_	_
10	DRAM	DRAM	X	FM	Foreign=Yes|Person=3	8	flat	_	_
11	(	(	PUNCT	$(	PunctType=Brck	12	punct	_	_
12	FCRAM	FCRAM	PROPN	NE	Person=3	8	appos	_	_
13	)	)	PUNCT	$(	PunctType=Brck	12	punct	_	_
14	oder	oder	CCONJ	KON	_	16	cc	_	_
15	dem	dem	DET	ART	Case=Dat|Gender=Neut|Number=Sing|PronType=Art	16	det	_	_
16	1T-SRAM	1T-SRAM	PROPN	NE	Person=3	12	conj	_	_
17	von	von	ADP	APPR	AdpType=Prep|Case=Dat	18	case	_	_
18	MoSys	MoSys	PROPN	NE	Person=3	16	nmod	_	_
19	.	.	PUNCT	$.	PunctType=Peri	2	punct	_	_
