Coherent microwave scattering
ಸುಸಂಬದ್ಧ ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಚದುರುವಿಕೆಯು ಶಾಸ್ತ್ರೀಯ ಮೈಕ್ರೋಪ್ಲಾಸ್ಮಾಗಳ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ರೋಗನಿರ್ಣಯದ ತಂತ್ರವಾಗಿದೆ. ಈ ತಂತ್ರದಲ್ಲಿ, ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಬೇಕಾದ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾವನ್ನು ಪ್ಲಾಸ್ಮಾದ ವಿಶಿಷ್ಟ ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ಆಯಾಮಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ದೀರ್ಘ-ತರಂಗಾಂತರದ ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಕ್ಷೇತ್ರದೊಂದಿಗೆ ವಿಕಿರಣಗೊಳಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಾಕಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಚರ್ಮದ-ಆಳವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾಗಳಿಗೆ, ಗುರಿಯನ್ನು ನಿಯತಕಾಲಿಕವಾಗಿ ಏಕರೂಪದ ಶೈಲಿಯಲ್ಲಿ ಧ್ರುವೀಕರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಚದುರಿದ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಅಳೆಯಬಹುದು ಮತ್ತು ವಿಶ್ಲೇಷಿಸಬಹುದು. ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ಹೊರಸೂಸುವ ವಿಕಿರಣವು ಅಯಾನುಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕೊಡುಗೆಗಳಿಂದ ಪ್ರಧಾನವಾಗಿ ನಿರ್ಧರಿಸಲ್ಪಡುವ ಸಣ್ಣ-ದ್ವಿಧ್ರುವವನ್ನು ಹೋಲುತ್ತದೆ. ಚದುರುವಿಕೆಯನ್ನು ಅದಕ್ಕೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ರಚನಾತ್ಮಕ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕತ್ವ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಒಟ್ಟು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಂಖ್ಯೆಗಳು, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಸಾಂದ್ರತೆಗಳು (ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಪರಿಮಾಣವು ತಿಳಿದಿದ್ದರೆ), ಕಾಂತೀಯ-ಪ್ರೇರಿತ ವಿಧ್ರುವೀಕರಣದ ಮೂಲಕ ಸ್ಥಳೀಯ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳು ಮತ್ತು ಚದುರಿದ ಹಂತದ ಮೂಲಕ ಆವೇಗದ ವರ್ಗಾವಣೆಗೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಘರ್ಷಣೆ ಆವರ್ತನಗಳಂತಹ ಅಳತೆ ಮಾಡಿದ ವಿಕಿರಣದಿಂದ ವಿವಿಧ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದು. ತಂತ್ರದ ಗಮನಾರ್ಹ ಪ್ರಯೋಜನಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆ, ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸ್ಕ್ಯಾಟರಿಂಗ್ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಮಾಪನಾಂಕ ನಿರ್ಣಯದ ಸುಲಭತೆ, ಉತ್ತಮ ತಾತ್ಕಾಲಿಕ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್, ಕಡಿಮೆ ಶಾಟ್ ಶಬ್ದ, ಒಳನುಗ್ಗಿಸದ ಪ್ರೋಬಿಂಗ್, ರೆಸೋನೆನ್ಸ್-ವರ್ಧಿತ ಮಲ್ಟಿಪೋಟಾನ್ ಅಯಾನೀಕರಣ (ಆರ್ಇಎಂಪಿಐ), ಸಿಂಗಲ್-ಶಾಟ್ ಸ್ವಾಧೀನತೆ ಮತ್ತು ನಿರಂತರ ಸ್ಕ್ಯಾನಿಂಗ್ನಿಂದಾಗಿ ಟೈಮ್-ಗೇಟಿಂಗ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಸೇರಿವೆ. ಪ್ರಿನ್ಸ್ಟನ್ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾನಿಲಯದಲ್ಲಿ ಮಿಖಾಯಿಲ್ ಸ್ನೈಡರ್ ಮತ್ತು ರಿಚರ್ಡ್ ಮೈಲ್ಸ್ ಅವರು ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ರೂಪಿಸಿದ, ಸುಸಂಬದ್ಧ ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಚದುರುವಿಕೆಯು ದ್ಯುತಿ ಅಯಾನೀಕರಣ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್-ನಷ್ಟದ ದರ ಮಾಪನಗಳಿಂದ ಹಿಡಿದು ಪ್ರಭೇದಗಳ ಪತ್ತೆ, ಅನಿಲ ಮಿಶ್ರಣ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣ, ಆಣ್ವಿಕ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪ್ರೊಪಲ್ಷನ್ ಸಾಧನದ ಗುಣಲಕ್ಷಣ, ಚದುರಿದ ಹಂತದ ಮೂಲಕ ಆವೇಗದ ವರ್ಗಾವಣೆಗಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಘರ್ಷಣೆ ಆವರ್ತನಗಳ ನಿಲುಗಡೆ ಮಾಪನ ಮತ್ತು ಕಾಂತೀಯ-ಪ್ರೇರಿತ ವಿಧ್ರುವೀಕರಣದ ಮೂಲಕ ಸ್ಥಳೀಯ ವಾಹಕ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳ ನಿಲುಗಡೆ ಮಾಪನದ ಅನ್ವಯಗಳಲ್ಲಿ ಮೌಲ್ಯಯುತ ತಂತ್ರವಾಗಿದೆ. ಚದುರುವಿಕೆಯ ನಿಯಮಗಳು ಆಯಸ್ಕಾಂತೀಯ ವಿಧ್ರುವೀಕರಣದ ಅನುಪಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ರೇಖೀಯ-ಧ್ರುವೀಕೃತ ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಚದುರುವಿಕೆಯ ಸರಳವಾದ ಸಾಕಾರಕ್ಕಾಗಿ, ಚದುರುವಿಕೆಯ ನಡುವಿನ ಪರಸ್ಪರ ಸಂಬಂಧದಿಂದಾಗಿ ಮೂರು ನಿಯಮಗಳು ಉದ್ಭವಿಸಬಹುದು. ಥಾಮ್ಸನ್ ಆಡಳಿತವು ಮುಕ್ತ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಇನ್ಸಿಡೆಂಟ್ ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಕ್ಷೇತ್ರದೊಂದಿಗೆ ಹಂತ ಹಂತವಾಗಿ ಆಂದೋಲನಗೊಳ್ಳುವುದನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಸ್ವತಂತ್ರ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ನ ಒಟ್ಟು ಚದುರುವಿಕೆಯ ಅಡ್ಡ-ವಿಭಾಗವು ನಂತರ ಶಾಸ್ತ್ರೀಯ ಥಾಮ್ಸನ್ ಅಡ್ಡ ವಿಭಾಗದೊಂದಿಗೆ ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ತರಂಗಾಂತರ λ ನಿಂದ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಎರಡನೆಯದಾಗಿ, ಸ್ನೈಡರ್-ಮೈಲ್ಸ್ ಸ್ಕ್ಯಾಟರಿಂಗ್ (ಎಸ್. ಎಂ., ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಘರ್ಷಣೆ ಸ್ಕ್ಯಾಟರಿಂಗ್ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ) ವಿಕಿರಣ ಕ್ಷೇತ್ರಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ 90 ಡಿಗ್ರಿಗಳಷ್ಟು ಸ್ಥಳಾಂತರಗೊಂಡ ಸ್ಥಳಾಂತರದ ಆಂದೋಲನಗಳೊಂದಿಗೆ ಘರ್ಷಣೆ-ಪ್ರಾಬಲ್ಯದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲನೆಯನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಒಟ್ಟು ಚದುರುವಿಕೆಯ ಅಡ್ಡ-ವಿಭಾಗವು ಅದಕ್ಕೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ω2 ಅವಲಂಬನೆಯನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ-ಇದು ಅಂತರಕಣಗಳ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳ ಮೂಲಕ ಸಾಧ್ಯವಾದ ಒಂದು ವಿಶಿಷ್ಟವಾದ ಆಡಳಿತವಾಗಿದೆ. ಅಂತಿಮವಾಗಿ, ಪುನಃಸ್ಥಾಪನೆ-ಬಲ-ಪ್ರಾಬಲ್ಯದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲನೆಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿರುವ ಮತ್ತು ಅದರ ಗಾತ್ರದ ಧ್ರುವೀಕರಣದ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಪ್ರತಿರೂಪದೊಂದಿಗೆ ω4 ಅವಲಂಬನೆಯನ್ನು ಹಂಚಿಕೊಳ್ಳುವ ರೇಲೇ ಸ್ಕ್ಯಾಟರಿಂಗ್ ಆಡಳಿತವನ್ನು ಗಮನಿಸಬಹುದು. ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ "ಚದುರುವಿಕೆಯ ಕಣ" ವು ಸಂಪೂರ್ಣ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ವಸ್ತುವನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಅಂತೆಯೇ, ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ವಿಸ್ತರಣೆಯು ಮೈ ಚದುರುವಿಕೆಯ ಕಡೆಗೆ ಪರಿವರ್ತನೆಯನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡಬಹುದು. ರೇಲೇ ಆಡಳಿತವು ವಿಕಿರಣದ ಇನ್ನೂ ವಿಶಾಲವಾದ ಸಣ್ಣ-ದ್ವಿಧ್ರುವಿ ಅಂದಾಜಿನ ಬದಲು ಇಲ್ಲಿ ಸಣ್ಣ ಕಣ ω4 ಚದುರುವಿಕೆಯನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ಗಮನಿಸಿ. ಉಲ್ಲೇಖಗಳ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ