Paul Richman
ಪಾಲ್ ರಿಚ್ಮನ್ (ಜನನ ನವೆಂಬರ್ 17,1942) ಒಬ್ಬ ಅಮೇರಿಕನ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರಜ್ಞ ಮತ್ತು ಲೇಖಕ. ಶಿಕ್ಷಣ 1963ರಲ್ಲಿ, ರಿಚ್ಮನ್ ಎಂ. ಐ. ಟಿ. ಯಲ್ಲಿ ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಿದರು. ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕಲ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ನಲ್ಲಿ ಬ್ಯಾಚುಲರ್ ಆಫ್ ಸೈನ್ಸ್ ಪದವಿ ಪಡೆದರು. 1964ರಲ್ಲಿ ಅವರು ಕೊಲಂಬಿಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದಿಂದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕಲ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ನಲ್ಲಿ ಮಾಸ್ಟರ್ ಆಫ್ ಸೈನ್ಸ್ ಪದವಿಯನ್ನು ಪಡೆದರು. 1971ರಲ್ಲಿ, ರಿಚ್ಮನ್ ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಮೈಕ್ರೋಸಿಸ್ಟಮ್ಸ್ ಕಾರ್ಪ್ (ಎಸ್. ಎಂ. ಎಸ್. ಸಿ) ಅನ್ನು ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ಸಂಸ್ಥೆಯಾಗಿ ಸಹ-ಸ್ಥಾಪಿಸಿದರು. ಎಸ್ಎಂಎಸ್ಸಿಯನ್ನು ಸಹ-ಸ್ಥಾಪಿಸುವ ಮೊದಲು, ಅವರು ಜನರಲ್ ಟೆಲಿಫೋನ್ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ನಲ್ಲಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರಜ್ಞರಾಗಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡಿದರು. 1987 ರಲ್ಲಿ, ಅವರು ತಮ್ಮ ಕುಟುಂಬದೊಂದಿಗೆ ಜಪಾನ್ಗೆ ತೆರಳಿದರು ಮತ್ತು ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಮೈಕ್ರೋಸಿಸ್ಟಮ್ಸ್ ಜಪಾನ್ ಎಂಬ ಸಹಯೋಗವನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿದರು. 1971ರಿಂದ 1999ರ ನಡುವೆ ಅವರು ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಮೈಕ್ರೋಸಿಸ್ಟಮ್ಸ್ನ ಮುಖ್ಯ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಾಹಕ ಅಧಿಕಾರಿ, ಅಧ್ಯಕ್ಷ ಮತ್ತು ಅಧ್ಯಕ್ಷರಾಗಿ ಸೇವೆ ಸಲ್ಲಿಸಿದರು. ಅವರ ಅಧಿಕಾರಾವಧಿಯಲ್ಲಿ, ಎಸ್ಎಂಎಸ್ಸಿ ಲಾಂಗ್ ಐಲ್ಯಾಂಡ್ನ ಅತಿದೊಡ್ಡ ಚಿಪ್ ತಯಾರಕವಾಯಿತು ಮತ್ತು ಇಂಟೆಲ್ ಕಾರ್ಪ್ ಕಂಪನಿಯಲ್ಲಿ ಪಾಲನ್ನು ಸ್ವಾಧೀನಪಡಿಸಿಕೊಂಡಿತು. ನ್ಯೂಸ್ಡೇ ಅವರನ್ನು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಚಿಪ್ ಉದ್ಯಮದ ಪ್ರವರ್ತಕ ಎಂದು ಕರೆದಿದೆ. ಅವರು ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ವೇಗವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವಾಗ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಹತ್ತಿರಕ್ಕೆ ಚಲಿಸುವ ಮೂಲಕ ಚಿಪ್ಗಳ ಗಾತ್ರವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ವಿಧಾನವನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿದರು ಮತ್ತು ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಸಾಧನಗಳು ತ್ವರಿತವಾಗಿ ಮತ್ತು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ. ಶಿಕ್ಷಣತಜ್ಞರಾಗಿ, ರಿಚ್ಮನ್ 1974 ಮತ್ತು 1975ರ ನಡುವೆ ನ್ಯೂಯಾರ್ಕ್ ಸಿಟಿ ಯೂನಿವರ್ಸಿಟಿಯಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕಲ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ನ ಸಂದರ್ಶಕ ಪ್ರಾಧ್ಯಾಪಕರಾಗಿ ಮತ್ತು 1975 ಮತ್ತು 1987ರ ನಡುವೆ ಸ್ಟೋನಿ ಬ್ರೂಕ್ನಲ್ಲಿರುವ ಸ್ಟೇಟ್ ಯೂನಿವರ್ಸಿಟಿ ಆಫ್ ನ್ಯೂಯಾರ್ಕ್ನಲ್ಲಿ ಸೇವೆ ಸಲ್ಲಿಸಿದರು. 1998 ರಿಂದ 2002 ರವರೆಗೆ, ಅವರು ಮ್ಯಾಸಚೂಸೆಟ್ಸ್ ಇನ್ಸ್ಟಿಟ್ಯೂಟ್ ಆಫ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿಯ ವಿಸಿಟಿಂಗ್ ಕಮಿಟಿಯಾದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕಲ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಸೈನ್ಸ್ನಲ್ಲಿ ಸೇವೆ ಸಲ್ಲಿಸಿದರು. ಲೋಹ-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ (ಎಂ. ಓ. ಎಸ್.) ನಲ್ಲಿ ಕ್ಷೇತ್ರ-ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ, ಸ್ಥಳೀಯವಾಗಿ-ಆಮ್ಲಜನಕಯುಕ್ತ ರಚನೆಗಳ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಪ್ರವರ್ತಿಸಿದ ಕೋಪ್ಲಾಮೋಸ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಮೂಲ ಸ್ವಾಮ್ಯವನ್ನು ರಿಚ್ಮನ್ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು ಮತ್ತು ಹೊಂದಿದ್ದರು. ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್. ಅವರು ಮೈಕ್ರೋಚಿಪ್ಗಳ ಮೇಲೆ ಎರಡು ಆರಂಭಿಕ, ಮೂಲ ಪುಸ್ತಕಗಳ ಲೇಖಕರಾಗಿದ್ದರು, ಅವುಗಳನ್ನು ತರುವಾಯ ಜಪಾನೀಸ್, ಸ್ಪ್ಯಾನಿಷ್, ಫ್ರೆಂಚ್ ಮತ್ತು ರಷ್ಯನ್ ಭಾಷೆಗಳಿಗೆ ಅನುವಾದಿಸಲಾಯಿತು. ಅವರ ಪುಸ್ತಕಗಳನ್ನು ಜಪಾನೀಸ್, ಸ್ಪ್ಯಾನಿಷ್, ರಷ್ಯನ್ ಮತ್ತು ಫ್ರೆಂಚ್ ಭಾಷೆಗಳಿಗೆ ಅನುವಾದಿಸಲಾಗಿದೆ. ಪ್ರಶಸ್ತಿಗಳು 1978: ಮೈಕ್ರೋಚಿಪ್ಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ಅವರು ನೀಡಿದ ಕೊಡುಗೆಗಳಿಗಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ (ನಿಯತಕಾಲಿಕೆ) ವಾರ್ಷಿಕ ಸಾಧನೆ ಪ್ರಶಸ್ತಿ. 1982: ಇನ್ಸ್ಟಿಟ್ಯೂಟ್ ಆಫ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕಲ್ ಅಂಡ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಎಂಜಿನಿಯರ್ಸ್, ಐ. ಇ. ಇ. ಇ. ಯ ಫೆಲೋ ಆಗಿ ಆಯ್ಕೆಯಾದರು. 1998: ಐ. ಇ. ಇ. ಇ. ಯ ಹೆರಾಲ್ಡ್ ಎ. ವೀಲರ್ ಪ್ರಶಸ್ತಿ. 2000: ಐ. ಇ. ಇ. ಇ. ಯ ಮೂರನೇ ಸಹಸ್ರಮಾನದ ಪದಕ. 2012: ಲಾಂಗ್ ಐಲ್ಯಾಂಡ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿ ಹಾಲ್ ಆಫ್ ಫೇಮ್ಗೆ ಆಯ್ಕೆಯಾದರು. ಪೇಟೆಂಟ್ಗಳ ಪೂರಕ ವರ್ಧನೆಯ ಪ್ರಕಾರ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು. ಲೋಹ-ಆಕ್ಸೈಡ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ವಿಧಾನ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ನಲ್ಲಿ ವಿವಿಧ ಮೇಲ್ಮೈ ಚಾರ್ಜ್ ಸಾಂದ್ರತೆಗಳ ಆಯ್ದ ಪ್ರದೇಶಗಳನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸುವ ವಿಧಾನ. ಅಯಾನ್ ಅಳವಡಿಕೆಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಎಂಓಎಸ್ ಸಾಧನಗಳ ವಿದ್ಯುತ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಮಾರ್ಪಡಿಸುವ ವಿಧಾನ. ಆಯ್ದ ಮಾರ್ಪಡಿಸಿದ ನಿರೋಧನ ಪದರದೊಂದಿಗೆ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ರಚನೆ. ಅರೆವಾಹಕ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಾಗಿ ಹರ್ಮೆಟಿಕ್ ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಡ್ಯುಯಲ್-ಇನ್-ಲೈನ್ ಪ್ಯಾಕೇಜ್. ಸಾಲಿಡ್ ಸ್ಟೇಟ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಸಾಧನ. ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್-ಗೇಟ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಹೈ ರೆಸಿಸ್ಟಿವಿಟಿ ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ. ಮೆಸಾ-ರೀತಿಯ ಸಂಪರ್ಕ ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ಪ್ರದೇಶಗಳು ಮತ್ತು ಆಯ್ದ ಆಳವಾದ ಜಂಕ್ಷನ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಎಂಓಎಸ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ರಚನೆ. ಬೈಪೋಲಾರ್ ಎಂಓಎಸ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್. ಆಯ್ದ ಪ್ರತಿರೋಧ ಪ್ರದೇಶಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ನೊಂದಿಗೆ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್. ಹೈ ಡೆನ್ಸಿಟಿ ರಿಫ್ರ್ಯಾಕ್ಟರಿ ಮೆಟಲ್ ಗೇಟ್ ಎಂಓಎಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ವಿಧಾನವು ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ಆಯ್ದ ಪ್ರಸರಣ ಮತ್ತು ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಮುಖವಾಡವಾಗಿ ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಎಂಓಎಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್. ಲೋಹ-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರದ ಸಂಯೋಜಿತ ಸಾಧನವನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ವಿಧಾನ, ಕಡಿಮೆ ಬಾಹ್ಯ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯೊಂದಿಗೆ ನಿಯಂತ್ರಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡ್, ಮತ್ತು ಪಡೆದ ಸಾಧನ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸ್ಟ್ರಕ್ಚರ್ ಮತ್ತು ಅದರ ತಯಾರಿಕೆಯ ವಿಧಾನ. ಉಲ್ಲೇಖಗಳು 1942 ಜನನಗಳು ಅಮೇರಿಕನ್ ಬರಹಗಾರರು ಲಿವಿಂಗ್ ಪೀಪಲ್