Hafnium compounds
ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಹಾಫ್ನಿಯಂ (ಎಚ್ಎಫ್) ಅಂಶವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸಂಯುಕ್ತಗಳಾಗಿವೆ. ಲ್ಯಾಂಥನೈಡ್ ಸಂಕೋಚನದಿಂದಾಗಿ, ಹಾಫ್ನಿಯಂನ ಅಯಾನಿಕ್ ತ್ರಿಜ್ಯವು (IV) (0.78 ಆಂಗ್ಸ್ಟ್ರಾಮ್) ಜಿರ್ಕೋನಿಯಮ್ (IV) (0.79 ಆಂಗ್ಸ್ಟ್ರಾಮ್ಗಳು) ನಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತದೆ. ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಹಾಫ್ನಿಯಂ (IV) ಮತ್ತು ಜಿರ್ಕೋನಿಯಂ (IV) ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಒಂದೇ ರೀತಿಯ ರಾಸಾಯನಿಕ ಮತ್ತು ಭೌತಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ಹಾಫ್ನಿಯಮ್ ಮತ್ತು ಜಿರ್ಕೋನಿಯಮ್ ಪ್ರಕೃತಿಯಲ್ಲಿ ಒಟ್ಟಿಗೆ ಸಂಭವಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಅವುಗಳ ಅಯಾನಿಕ್ ತ್ರಿಜ್ಯಗಳ ಹೋಲಿಕೆಯು ಅವುಗಳ ರಾಸಾಯನಿಕ ವಿಭಜನೆಯನ್ನು ಕಷ್ಟಕರವಾಗಿಸುತ್ತದೆ. ಹಾಫ್ನಿಯಂ + 4 ರ ಉತ್ಕರ್ಷಣ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಅಜೈವಿಕ ಸಂಯುಕ್ತಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್ಗಳು ಅದರೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸಿ ಹಾಫ್ನಿಯಮ್ ಟೆಟ್ರಾಲೈಡ್ಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ, ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಆಮ್ಲಜನಕ, ಸಾರಜನಕ, ಇಂಗಾಲ, ಬೋರಾನ್, ಗಂಧಕ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸುತ್ತದೆ. ಕಡಿಮೆ ಉತ್ಕರ್ಷಣ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿರುವ ಹಾಫ್ನಿಯಮ್ನ ಕೆಲವು ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ತಿಳಿದಿವೆ. ಹ್ಯಾಲಿಡ್ಸ್ ಹಾಫ್ನಿಯಂ (IV) ಫ್ಲೋರೈಡ್ (HfF4) ಬಿಳಿ ಸ್ಫಟಿಕದ ಪುಡಿಯಾಗಿದೆ. ಇದು ಬಾಹ್ಯಾಕಾಶ ಗುಂಪು C2/c (No.15) ನೊಂದಿಗೆ ಮೊನೊಕ್ಲಿನಿಕ್ ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಮತ್ತು ಜಾಲರಿ ಸ್ಥಿರಾಂಕಗಳು a = 1.17 nm, b = 0.986 nm ಮತ್ತು c = 0.764 nm. ಹಾಫ್ನಿಯಂ (IV) ಕ್ಲೋರೈಡ್ (HfCl4) ಸಹ ಬಿಳಿ ಸ್ಫಟಿಕದ ಪುಡಿಯಾಗಿದ್ದು, ಮೊನೊಕ್ಲಿನಿಕ್ ರಚನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಇದನ್ನು ಅನೇಕ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸಬಹುದುಃ 450° ಸೆಂಟಿಗ್ರೇಡ್ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಇಂಗಾಲದ ಟೆಟ್ರಾಕ್ಲೋರೈಡ್ ಮತ್ತು ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಆಕ್ಸೈಡ್ನ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ; ಕ್ಲೋರಿನ್ ಅನಿಲ ಅಥವಾ ಸಲ್ಫರ್ ಮೊನೊಕ್ಲೋರೈಡ್ ಬಳಸಿ 600° ಸೆಂಟಿಗ್ರೇಡ್ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ HfO2 ಮತ್ತು ಇಂಗಾಲದ ಮಿಶ್ರಣದ HfCl4 + 2Cl2 ಕ್ಲೋರಿನೇಷನ್ಃ 250° ಸೆಂಟಿಗ್ರೇಡ್ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಕಾರ್ಬೈಡ್ನ HfO2 + 2Cl2 + C → HfCl4 + CO2 ಕ್ಲೋರಿನೇಷನ್. ಹಾಫ್ನಿಯಂ (IV) ಬ್ರೋಮೈಡ್ (HfBr4) ಒಂದು ಬಣ್ಣರಹಿತ, ಡಯಾಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ತೇವಾಂಶ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಘನವಾಗಿದ್ದು, ನಿರ್ವಾತದಲ್ಲಿ ಕೆಳಗಿಳಿಯುತ್ತದೆ. ಇದು ಹ್ಯಾಫ್ನಿಯಮ್ ಟೆಟ್ರಾಕ್ಲೋರೈಡ್ನ ಪಾಲಿಮರಿಕ್ ಸ್ವರೂಪಕ್ಕೆ ವ್ಯತಿರಿಕ್ತವಾಗಿ, ಟೆಟ್ರಾಹೆಡ್ರಲ್ ಎಚ್ಎಫ್ ಕೇಂದ್ರಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಜಿರ್ಕೋನಿಯಮ್ ಟೆಟ್ರಾಬ್ರೋಮೈಡ್ನಂತೆಯೇ ಇರುವ ರಚನೆಯನ್ನು ಅಳವಡಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಹಾಫ್ನಿಯಂ (IV) ಅಯೋಡೈಡ್ (HfI4) ಕೆಂಪು-ಕಿತ್ತಳೆ, ತೇವಾಂಶ ಸೂಕ್ಷ್ಮ, ಉದಾತ್ತ ಘನವಾಗಿದ್ದು, ಹಾಫ್ನಿಯಂನ ಮಿಶ್ರಣವನ್ನು ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಅಯೋಡಿನ್ನೊಂದಿಗೆ ಬಿಸಿಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುತ್ತದೆ. ಇದು ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಲೋಹವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವ ಸ್ಫಟಿಕದ ಪಟ್ಟಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಮಧ್ಯಂತರವಾಗಿದೆ. ಈ ಸಂಯುಕ್ತದಲ್ಲಿ, ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಕೇಂದ್ರಗಳು ಆಕ್ಟಾಹೆಡ್ರಲ್ ಸಮನ್ವಯ ರೇಖಾಗಣಿತವನ್ನು ಅಳವಡಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಬೈನರಿ ಲೋಹದ ಹಾಲೈಡ್ಗಳಂತೆ, ಸಂಯುಕ್ತವು ಪಾಲಿಮರಿಕ್ ಆಗಿದೆ. ಇದು ಎಡ್ಜ್-ಶೇರ್ಡ್ ಬಯೋಕ್ಟಾಹೆಡ್ರಲ್ ಎಚ್ಎಫ್2ಐ8 ಉಪಘಟಕಗಳ ಸರಪಳಿಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಒಂದು ಆಯಾಮದ ಪಾಲಿಮರ್ ಆಗಿದ್ದು, ಇದು ಎಚ್ಎಫ್ಸಿಎಲ್4 ಅಳವಡಿಸಿಕೊಂಡ ವಿಶಿಷ್ಟ ಲಕ್ಷಣವನ್ನು ಹೋಲುತ್ತದೆ. ಬ್ರಿಡ್ಜಿಂಗ್ ಅಲ್ಲದ ಅಯೋಡೈಡ್ ಲಿಗಂಡ್ಗಳು ಬ್ರಿಡ್ಜಿಂಗ್ ಅಯೋಡೈಡ್ ಲಿಗಂಡ್ಗಳಿಗಿಂತ ಎಚ್ಎಫ್ಗೆ ಕಡಿಮೆ ಬಂಧಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ. ಹಾಫ್ನಿಯಂ (IV) ಕ್ಲೋರೈಡ್ ಮತ್ತು ಹಾಫ್ನಿಯಂ (IV) ಅಯೋಡೈಡ್ಗಳು ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಲೋಹದ ಉತ್ಪಾದನೆ ಮತ್ತು ಶುದ್ಧೀಕರಣದಲ್ಲಿ ಕೆಲವು ಅನ್ವಯಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ಅವು ಪಾಲಿಮರಿಕ್ ರಚನೆಗಳೊಂದಿಗೆ ಬಾಷ್ಪಶೀಲ ಘನವಸ್ತುಗಳಾಗಿವೆ. ಈ ಟೆಟ್ರಾಕ್ಲೋರೈಡ್ಗಳು ಹಾಫ್ನೋಸೀನ್ ಡೈಕ್ಲೋರೈಡ್ ಮತ್ತು ಟೆಟ್ರಾಬೆನ್ಜೈಲ್ಹಾಫ್ನಿಯಮ್ನಂತಹ ವಿವಿಧ ಆರ್ಗನೋಹಾಫ್ನಿಯಮ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳಿಗೆ ಪೂರ್ವಗಾಮಿಗಳಾಗಿವೆ. ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಹಾಫ್ನಿಯಂ (III) ಅಯೋಡೈಡ್ನಂತಹ ಕಡಿಮೆ ಹಾಲೈಡ್ಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಟ್ರೈಹಾಲೈಡ್ಗಳು ಸಂಯುಕ್ತಗಳನ್ನು ಬಲವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಅವು ಯಾವುದೇ ಜಲೀಯ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದಿಲ್ಲ. 2, 812 °C ಕರಗುವ ಬಿಂದು ಮತ್ತು ಸರಿಸುಮಾರು 5,100 °C ಕುದಿಯುವ ಬಿಂದುವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಬಿಳಿ ಹಾಫ್ನಿಯಂ (IV) ಆಕ್ಸೈಡ್ (HfO2), ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ ಅಥವಾ ಹಾಫ್ನಿಯಾ ಎಂದೂ ಕರೆಯಲ್ಪಡುತ್ತದೆ, ಇದು ಜಿರ್ಕೋನಿಯಾವನ್ನು ಹೋಲುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಸ್ವಲ್ಪ ಹೆಚ್ಚು ಕ್ಷಾರೀಯವಾಗಿದೆ. ಇದು 5.3 ~ 5.7 eV ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ವಿದ್ಯುತ್ ಅವಾಹಕವಾಗಿದೆ. ಹಾಫ್ನಿಯಂ (IV) ಆಕ್ಸೈಡ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಜಿರ್ಕೋನಿಯಾದ (ZrO2) ಅದೇ ರಚನೆಯನ್ನು ಅಳವಡಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಎಲ್ಲಾ ಹಂತಗಳಲ್ಲಿ ಆರು-ಸಮನ್ವಯದ ಟಿಐ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಟಿಐಒ2ಗಿಂತ ಭಿನ್ನವಾಗಿ, ಜಿರ್ಕೋನಿಯಾ ಮತ್ತು ಹಾಫ್ನಿಯಾ ಏಳು-ಸಮನ್ವಯದ ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತವೆ. ಕ್ಯೂಬಿಕ್ ಫ್ಲೋರೈಟ್ (ಎಫ್ಎಂಎಂ), ಟೆಟ್ರಾಗೋನಲ್ (ಪಿ42/ಎನ್ಎಂಸಿ), ಮೊನೊಕ್ಲಿನಿಕ್ (ಪಿ21/ಸಿ) ಮತ್ತು ಆರ್ಥೋರೋಂಬಿಕ್ (ಪಿಬಿಸಿಎ ಮತ್ತು ಪಿಎನ್ಎಂಎ) ಸೇರಿದಂತೆ ವಿವಿಧ ಸ್ಫಟಿಕದ ಹಂತಗಳನ್ನು ಪ್ರಾಯೋಗಿಕವಾಗಿ ಗಮನಿಸಲಾಗಿದೆ. ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಒತ್ತಡಗಳು ಮತ್ತು ತಾಪಮಾನಗಳಲ್ಲಿ ಹಾಫ್ನಿಯಾವು ಎರಡು ಇತರ ಆರ್ಥೋರೋಂಬಿಕ್ ಮೆಟಾಸ್ಟಬಲ್ ಹಂತಗಳನ್ನು (ಬಾಹ್ಯಾಕಾಶ ಗುಂಪು ಪಿಸಿಎ 21 ಮತ್ತು ಪಿಎಂಎನ್ 21) ಅಳವಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು ಎಂದು ತಿಳಿದಿದೆ, ಇದು ಬಹುಶಃ ಹಾಫ್ನಿಯಾದ ತೆಳುವಾದ ಪದರಗಳಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುವ ಫೆರೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಸಿಟಿಯ ಮೂಲವಾಗಿದೆ. ಪರಮಾಣು ಪದರದ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾದ ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಆಕ್ಸೈಡ್ಗಳ ತೆಳುವಾದ ಪದರಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸ್ಫಟಿಕೀಯವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನಗಳು ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದರಿಂದ ಪ್ರಯೋಜನವಾಗುವುದರಿಂದ, ಸಂಶೋಧಕರು ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಅನ್ನು ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಅಥವಾ ಸಿಲಿಕಾನ್ನೊಂದಿಗೆ ಮಿಶ್ರಲೋಹ ಮಾಡಿದ್ದಾರೆ (ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಸಿಲಿಕೇಟ್ಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತಾರೆ), ಇದು ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಆಕ್ಸೈಡ್ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಇತರ ಸಂಯುಕ್ತಗಳಾದ ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಡೈಬೋರೈಡ್ ಅಲ್ಟ್ರಾ-ಹೈ ಟೆಂಪರೇಚರ್ ಸೆರಾಮಿಕ್ಸ್ ವರ್ಗಕ್ಕೆ ಸೇರಿದೆ, ಇದು ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಮತ್ತು ಬೋರಾನ್ನಿಂದ ಕೂಡಿದ ವಕ್ರೀಕಾರಕ ಸೆರಾಮಿಕ್ನ ಒಂದು ವಿಧವಾಗಿದೆ. ಇದು ಸುಮಾರು 3250 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ ಕರಗುವ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಇದು ಅಸಾಮಾನ್ಯ ಸೆರಾಮಿಕ್ ಆಗಿದ್ದು, ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹಕತೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ಐಸೊಸ್ಟ್ರಕ್ಚರಲ್ ಟೈಟಾನಿಯಂ ಡೈಬೋರೈಡ್ ಮತ್ತು ಜಿರ್ಕೋನಿಯಮ್ ಡೈಬೋರೈಡ್ನೊಂದಿಗೆ ಹಂಚಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಗುಲಾಬಿ-ರೀತಿಯ ರೂಪವಿಜ್ಞಾನದೊಂದಿಗೆ HfB2 ನ ನ್ಯಾನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ಗಳನ್ನು ಆರ್ಗಾನ್ ಹರಿವಿನ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ 700-900 °C ನಲ್ಲಿ HfO2 ಮತ್ತು NaBH4 ಅನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸಿ ಪಡೆಯಲಾಯಿತುಃ HfO2 + 3NaBH4 → HfB2 + 2Na (g, l) + NaBO2 + 6H2 (g) 3,890 °C ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಕರಗುವ ಬಿಂದುವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಅತ್ಯಂತ ವಕ್ರೀಕಾರಕ ಅವಳಿ ಸಂಯುಕ್ತವಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು 3,310 °C ಕರಗುವ ಬಿಂದುವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಎಲ್ಲಾ ತಿಳಿದ ಲೋಹದ ನೈಟ್ರೈಡ್ಗಳಲ್ಲಿ ಹಾಫ್ನಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಅತ್ಯಂತ ವಕ್ರೀಕಾರಕವಾಗಿದೆ. ಇದು ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಅಥವಾ ಅದರ ಕಾರ್ಬೈಡ್ಗಳು ಅತಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನಕ್ಕೆ ಒಳಗಾಗುವ ನಿರ್ಮಾಣ ಸಾಮಗ್ರಿಗಳಾಗಿ ಉಪಯುಕ್ತವಾಗಬಹುದು ಎಂಬ ಪ್ರಸ್ತಾಪಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. ಮಿಶ್ರ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಕಾರ್ಬೈಡ್ () ಪ್ರಸ್ತುತ ತಿಳಿದಿರುವ ಯಾವುದೇ ಸಂಯುಕ್ತಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕರಗುವ ಬಿಂದುವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಇತ್ತೀಚಿನ ಸೂಪರ್ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ಗಳು 4,400 ಕೆ ಕರಗುವ ಬಿಂದುವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಮಿಶ್ರಲೋಹವನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತವೆ. ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಸಿಲಿಕೇಟ್ (ಎಚ್ಎಫ್ಎಸ್ಐಒ 4) ಹಾಫ್ನಿಯಂನ ಸಿಲಿಕೇಟ್ ಆಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಇದು ಟೆಟ್ರಾಗೋನಲ್ ಸ್ಫಟಿಕವಾಗಿದೆ. ಪರಮಾಣು ಪದರದ ಶೇಖರಣೆ, ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ ಅಥವಾ ಎಂ. ಓ. ಸಿ. ವಿ. ಡಿ ಯಿಂದ ಬೆಳೆದ ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಸಿಲಿಕೇಟ್ ಮತ್ತು ಜಿರ್ಕೋನಿಯಂ ಸಿಲಿಕೇಟ್ನ ತೆಳುವಾದ ಪದರಗಳನ್ನು ಆಧುನಿಕ ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ಗೆ ಬದಲಿಯಾಗಿ ಹೈ-ಕೆ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಆಗಿ ಬಳಸಬಹುದು. ಹಾಫ್ನಿಯಂ (IV) ನೈಟ್ರೇಟ್ (Hf (NO3) 4) ಎಂಬುದು ಹಾಫ್ನಿಯಂನ (IV) ನೈಟ್ರೇಟ್ ಆಗಿದೆ. ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಟೆಟ್ರಾಕ್ಲೋರೈಡ್ ಮತ್ತು ಡೈನೈಟ್ರೋಜನ್ ಪೆಂಟಾಕ್ಸೈಡ್ನ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಇದನ್ನು ತಯಾರಿಸಬಹುದು. ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಡೈಸಲ್ಫೈಡ್ ಎಂಬುದು HfS2 ರಾಸಾಯನಿಕ ಸೂತ್ರವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಪದರದ ಡೈಕಾಲ್ಕೋಜೆನೈಡ್ ಆಗಿದೆ. ಈ ವಸ್ತುವಿನ ಕೆಲವು ಪರಮಾಣು ಪದರಗಳನ್ನು ಪ್ರಮಾಣಿತ ಸ್ಕಾಚ್ ಟೇಪ್ ತಂತ್ರವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಹೊರತೆಗೆಯಬಹುದು (ಗ್ರ್ಯಾಫೀನ್ ನೋಡಿ) ಮತ್ತು ಕ್ಷೇತ್ರ-ಪರಿಣಾಮ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಬಳಸಬಹುದು. ದ್ರವ ಹಂತದ ಎಕ್ಸ್ಫೋಲಿಯೇಷನ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಎಚ್ಎಫ್ಎಸ್2ನ ಹೆಚ್ಚಿನ-ಇಳುವರಿ ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ಸಹ ಪ್ರದರ್ಶಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಸ್ಥಿರವಾದ ಕೆಲವು-ಪದರದ ಎಚ್ಎಫ್ಎಸ್2 ಪದರಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಸಲ್ಫೈಡ್ ಮತ್ತು ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಆಕ್ಸೈಡ್ಗಳನ್ನು 500-1300 °C ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ಹಾಫ್ನಿಯಂ ಡೈಸಲ್ಫೈಡ್ ಪುಡಿಯನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಬಹುದು. ಸಹ ನೋಡಿ ಟೈಟಾನಿಯಂ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಜಿರ್ಕೋನಿಯಮ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಲುಟೀಷಿಯಂ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಲ್ಯಾಂಥನೈಡ್ ಸಂಕೋಚನ ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಂಯುಕ್ತಗಳನ್ನು ಅಂಶದಿಂದ ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ