Stable phosphorus radicals
ಸ್ಥಿರವಾದ ಮತ್ತು ನಿರಂತರವಾದ ರಂಜಕ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳು ರಂಜಕ-ಕೇಂದ್ರಿತ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳಾಗಿದ್ದು, ಅವು ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾಗಿರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಕನಿಷ್ಠ ಅಲ್ಪಾವಧಿಯವರೆಗೆ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರಬಹುದು. ಮುಖ್ಯ ಗುಂಪಿನ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳು ಆಗಾಗ್ಗೆ ಬಹಳ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕವಾಗಿರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಅನಿಯಂತ್ರಿತ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳಿಗೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತವೆ, ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಡೈಮೆರೈಸೇಶನ್ ಮತ್ತು ಪಾಲಿಮರೀಕರಣ. ಈ ರಂಜಕ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳನ್ನು ಸ್ಥಿರಗೊಳಿಸುವ ಸಾಮಾನ್ಯ ಕಾರ್ಯತಂತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಪೈ ವ್ಯವಸ್ಥೆ ಅಥವಾ ಹತ್ತಿರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋನೆಗೇಟಿವ್ ಪರಮಾಣುಗಳ ಮೇಲೆ ಜೋಡಿಯಿಲ್ಲದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ನ ಸ್ಥಳಾಂತರ ಮತ್ತು ಬೃಹತ್ ಲಿಗಂಡ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಚಲನಶೀಲ ಸ್ಥಿರೀಕರಣ ಸೇರಿವೆ. ಸ್ಥಿರವಾದ ಮತ್ತು ನಿರಂತರವಾದ ರಂಜಕ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳನ್ನು ಮೂರು ವರ್ಗಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಬಹುದುಃ ತಟಸ್ಥ, ಕ್ಯಾಟಯಾನಿಕ್ ಮತ್ತು ಅಯಾನಿಕ್ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳು. ಈ ಪ್ರತಿಯೊಂದು ವರ್ಗವು ವಿವಿಧ ಉಪ-ವರ್ಗಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದ್ದು, ತಟಸ್ಥ ರಂಜಕ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ. ಇತರ ಸ್ಪಿನ್ ಸಕ್ರಿಯ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಸ್ಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ದೊಡ್ಡ ಹೈಪರ್ಫೈನ್ ಜೋಡಣೆಗಳೊಂದಿಗೆ ರಂಜಕವು ಒಂದು ಐಸೋಟೋಪ್ 31ಪಿ (ಐ = 1/2) ಆಗಿ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿದೆ, ಇದು ಫಾಸ್ಫರಸ್ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳನ್ನು ಸ್ಪಿನ್-ಲೇಬಲಿಂಗ್ ಪ್ರಯೋಗಗಳಿಗೆ ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಆಕರ್ಷಕವಾಗಿಸುತ್ತದೆ. ನ್ಯೂಟ್ರಲ್ ಫಾಸ್ಪರಸ್ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳು ನ್ಯೂಟ್ರಲ್ ಫಾಸ್ಪರಸ್ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳು ಫಾಸ್ಪರಸ್ನಲ್ಲಿ ವಿವಿಧ ಸ್ಪಿನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಗಳೊಂದಿಗೆ ದೊಡ್ಡ ಶ್ರೇಣಿಯ ರೂಪಾಂತರಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿವೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಅವುಗಳನ್ನು ಅನುಕ್ರಮವಾಗಿ ಒಂದು ಅಥವಾ ಎರಡು ರಾಡಿಕಲ್ ರಂಜಕ ಕೇಂದ್ರಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಪ್ರಭೇದಗಳಿಗೆ ಮೊನೊ-ಮತ್ತು ಬೈ/ಡಿ-ರಾಡಿಕಲ್ಸ್ (ಬೈಸ್ಟ್ರಾಡಿಕಲ್ಸ್ ಮತ್ತು ಬೈರಾಡಿಕಲಾಯ್ಡ್ಗಳು ಎಂದೂ ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ) ಎಂದು ವರ್ಗೀಕರಿಸಬಹುದು. ಮೊನೊರಾಡಿಕಲ್ಸ್ 1966ರಲ್ಲಿ, ಮುಲ್ಲರ್ ಮತ್ತು ಇತರರು. ರಂಜಕ-ಹೊಂದಿರುವ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳ ಅಸ್ತಿತ್ವಕ್ಕೆ ಪುರಾವೆಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುವ ಮೊದಲ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪ್ಯಾರಾಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ರೆಸೋನೆನ್ಸ್ (ಇ. ಪಿ. ಆರ್/ಇ. ಎಸ್. ಆರ್) ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರಾವನ್ನು ಅವರು ಪ್ರಕಟಿಸಿದರು. ಅಂದಿನಿಂದ ವಿವಿಧ ರಂಜಕ ಮೊನೊರಾಡಿಕಲ್ಸ್ಗಳನ್ನು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾದವುಗಳಲ್ಲಿ ಫಾಸ್ಫಿನಿಲ್ (ಆರ್2ಪಿ), ಫಾಸ್ಫೋನಿಲ್ (ಆರ್2ಪಿಓ) ಮತ್ತು ಫಾಸ್ಫೋರನಿಲ್ (ಆರ್4ಪಿ) ರಾಡಿಕಲ್ಗಳು ಸೇರಿವೆ. ತಟಸ್ಥ ರಂಜಕ ಮೊಂಡೊರಾಡಿಕಲ್ಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಸಂಶ್ಲೇಷಿತ ಸಂಶ್ಲೇಷಿತ ವಿಧಾನಗಳಲ್ಲಿ ತ್ರಿವಳಿ ರಂಜಕ ಕ್ಲೋರೈಡ್ಗಳ ಫೋಟೊಲಿಟಿಕ್ ಕಡಿತ, ಪಿ-ಪಿ ಹೋಮೋಲಿಟಿಕ್ ಸೀಳು, ಫಾಸ್ಫೈನ್ಗಳ ಏಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಮತ್ತು ಪಿ-ಎಸ್ ಅಥವಾ ಪಿ-ಸೆ ಬಂಧಗಳ ಸೀಳು ಸೇರಿವೆ. ಮೊದಲ ನಿರಂತರವಾದ ಎರಡು-ಸಮನ್ವಯದ ರಂಜಕ-ಕೇಂದ್ರಿತ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳಾದ [(Me3Si) 2N] 2P· ಮತ್ತು [(Me3Si) 2CH] 2P·ಗಳನ್ನು 1976ರಲ್ಲಿ ಲ್ಯಾಪರ್ಟ್ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ವರದಿ ಮಾಡಿದರು. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್-ಸಮೃದ್ಧ ಒಲಿಫಿನ್ನ ಉಪಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಟೊಲುಯಿನ್ನಲ್ಲಿ ಅನುಗುಣವಾದ ಮೂರು-ಸಮನ್ವಯದ ರಂಜಕ ಕ್ಲೋರೈಡ್ಗಳ ಫೋಟೋಲಿಸಿಸ್ ಮೂಲಕ ಅವುಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. 2000 ರಲ್ಲಿ, ಈ ಪ್ರಭೇದವನ್ನು ಡೈಮರ್ನ ಕರಗುವಿಕೆ, ಕರಗುವಿಕೆ ಅಥವಾ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯಿಂದ ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಬಹುದು ಎಂದು ಪವರ್ ಗುಂಪು ಕಂಡುಹಿಡಿದಿದೆ. 2001ರಲ್ಲಿ, ಗ್ರುಟ್ಜ್ಮಾಚೆರ್ ಮತ್ತು ಇತರರು. ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ ಟೆಟ್ರಾಕಿಸ್ (ಡೈಮೆಥೈಲಾಮಿನೊ) ಎಥಿಲೀನ್ (ಟಿಡಿಇ) ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಅಸಿಟೋನಿಟ್ರೈಲ್ ದ್ರಾವಣದಲ್ಲಿ ಫಾಸ್ಫೋನಿಯಂ ಉಪ್ಪು [ಮೆಸ್ * ಮೆಸ್-ಪಿಎಂಇಎಸ್ *] + (ಒ3ಎಸ್ಸಿಎಫ್3)-ಕಡಿಮೆಯಾಗುವುದರಿಂದ ಮೊದಲ ಸ್ಥಿರವಾದ ಡೈಫಾಸ್ಫಾನಿಲ್ ರಾಡಿಕಲ್ [ಮೆಸ್ * ಮೆಸ್-ಪಿಎಂಇಎಸ್ *] (ಮೆಸ್ = 1,3,5-ಟ್ರೈಮೆಥೈಲ್ಬೆಂಜೀನ್)-ಹಳದಿ ಹರಳುಗಳನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ ಎಂದು ವರದಿಯಾಗಿದೆ. ಮೊನೊಮರ್ ಕೆಲವು ದಿನಗಳವರೆಗೆ ಘನ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ-30 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ಗಿಂತ ಕೆಳಗಿರುತ್ತದೆ. ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ ಪ್ರಭೇದಗಳು ದ್ರಾವಣದಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಘನ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ 30 ನಿಮಿಷಗಳ ಅರ್ಧಾಯುಷ್ಯದೊಂದಿಗೆ 3 x 10−2 ಮಿ. ನಲ್ಲಿ ಕೊಳೆಯುತ್ತವೆ. ಮೊದಲ ರಚನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ನಿರೂಪಿತವಾದ ರಂಜಕ ರಾಡಿಕಲ್ [Me3SiNP (μ3-NtBu) 3 {μ3-Li (thf)} 3X]] ಅನ್ನು ಆರ್ಮ್ಸ್ಟ್ರಾಂಗ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಿದರು. 2004ರಲ್ಲಿ ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್ಗಳಾದ ಬ್ರೋಮೈಡ್ ಅಥವಾ ಅಯೋಡಿನ್ನೊಂದಿಗೆ ಆರಂಭಿಕ ವಸ್ತುವಿನ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದ ಮೂಲಕ ಟೊಲುಯೆನ್ ಮತ್ತು ಟಿಎಚ್ಎಫ್ನ ಮಿಶ್ರಣದಲ್ಲಿ 297 ಕೆ. ನಲ್ಲಿ ಇದು ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದಿಂದ ನಿರೂಪಿಸಬಹುದಾದ ನೀಲಿ ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ. ಆಲ್ಕೈಲ್-ಇಮಿಡೋ ಗುಂಪುಗಳ ಸ್ಟೆರಿಕ್ ಸಮೂಹವು ಈ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳ ಸ್ಥಿರೀಕರಣದಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಪಾತ್ರ ವಹಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ಗುರುತಿಸಲಾಗಿದೆ. 2006ರಲ್ಲಿ, ಇಟೊ ಮತ್ತು ಇತರರು. ವಾಯು ಸಹಿಷ್ಣು ಮತ್ತು ಉಷ್ಣವಾಗಿ ಸ್ಥಿರವಾದ 1,3-ಡೈಫಾಸ್ಫೇಕ್ಲೋಬುಟೆನೈಲ್ ರಾಡಿಕಲ್ ಅನ್ನು ಸಿದ್ಧಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಸ್ಟೆರಿಕಲಿ ಬಲವಾದ ಫಾಸ್ಫೋಲ್ಕೈನ್ (ಮೆಸ್ * ಸಿ ಷ್ಣ ಪಿ) ಅನ್ನು ಟಿಎಚ್ಎಫ್ನಲ್ಲಿ ಟಿ-ಬುಲಿಯ 0,5 ಈಕ್ವಿವ್ ನೊಂದಿಗೆ ಸಂಸ್ಕರಿಸಿ 1,3 ಡೈಫಾಸ್ಫಾಲ್ಕಿಲ್ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಅಯೋಡಿನ್ ದ್ರಾವಣದಿಂದ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಿ ಕೆಂಪು ಉತ್ಪನ್ನವನ್ನು ರೂಪಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಪ್ರಭೇದವು ಸಮತಟ್ಟಾದ ನಾಲ್ಕು-ಸದಸ್ಯರ ಡೈಫಾಸ್ಫಾಸೈಕ್ಲೋಬ್ಯುಟೇನ್ (C2P2) ಉಂಗುರವಾಗಿದ್ದು, ಮೆಸ್ * C2P2 ಸಮತಲದೊಂದಿಗೆ ತಿರುಚು ಕೋನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಲೋಹವು ರಾಡಿಕಲ್ಗಳನ್ನು ಸ್ಥಿರಗೊಳಿಸಿತು 2007ರಲ್ಲಿ, ಕಮ್ಮಿನ್ಸ್ ಮತ್ತು ಇತರರು. ಲ್ಯಾಪ್ಪರ್ಟ್, ಪವರ್ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳ "ಜ್ಯಾಕ್-ಇನ್-ದಿ-ಬಾಕ್ಸ್" ಡೈಫಾಸ್ಫೈನ್ಗಳಿಗೆ ಹೋಲುವ ನೈಟ್ರೈಡೋವನೆಡಿಯಮ್ ಟ್ರೈಸನಿಲೈಡ್ ಮೆಟಾಲೋ-ಲಿಗಂಡ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ರಂಜಕದ ರಾಡಿಕಲ್ ಅನ್ನು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲಾಯಿತು. ಇದನ್ನು ಮೂಲಭೂತ ಪೂರ್ವಗಾಮಿ ಸಿ. ಎಲ್. ಪಿ. [ಎನ್. ವಿ. {ಎನ್. (ಎನ್. ಪಿ.) ಆರ್]] 3] 2 ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆಯಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ನಂತರ ಅದರ ಒಂದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಅನ್ನು ಟಿ. ಐ. [ಎನ್. (ಟಿಬಿಯು) ಆರ್] 3 ಅಥವಾ ಪೊಟ್ಯಾಸಿಯಮ್ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ನೊಂದಿಗೆ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಿ 77 ಪ್ರತಿಶತ ಇಳುವರಿಯಲ್ಲಿ ಗಾಢ ಕಂದು ಬಣ್ಣದ ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇ. ಪಿ. ಆರ್ ದತ್ತಾಂಶವು ಎರಡು 51ವಿ ಮತ್ತು ಒಂದು 31ಪಿ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಸ್ಗಳಾದ್ಯಂತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಿನ್ ಅನ್ನು ಸ್ಥಳಾಂತರಿಸುವುದನ್ನು ತೋರಿಸಿದೆ. ಇದು ಗಣನೆಯೊಂದಿಗೆ ಸ್ಥಿರವಾಗಿದ್ದು, ವರದಿಯಾದ ಅನುರಣನ ರಚನೆಗಳನ್ನು ಬೆಂಬಲಿಸುತ್ತದೆ. ಪರಿವರ್ತನಾ ಲೋಹಗಳು ಒಂದು-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರಕ್ಕೆ ಒಳಗಾಗಲು ಸುಲಭವಾಗಿರುವುದರಿಂದ ವನಾಡಿಯಮ್ ಪರಮಾಣುಗಳಾದ್ಯಂತ ಈ ಸ್ಥಳಾಂತರವನ್ನು ಈ ಪ್ರಭೇದದ ಸ್ಥಿರೀಕರಣದ ಮೂಲವೆಂದು ಗುರುತಿಸಲಾಗಿದೆ. ಕಮಿನ್ಸ್ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರಗಳನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ಪಿ-ಪಾತ್ರವನ್ನು ಸರಿಹೊಂದಿಸಬಹುದು ಎಂದು ಪ್ರತಿಪಾದಿಸಿದರು. ಟಂಗ್ಸ್ಟನ್ ಮತ್ತು ಆಸ್ಮಿಯಂ ಹೊಂದಿರುವ ಲಿಗಂಡ್ ಅನ್ನು ಕ್ರಮವಾಗಿ ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಶೀರ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ಮತ್ತು ಷ್ನೇಯ್ಡರ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ಸ್ಥಿರಗೊಳಿಸಿದ ಇತರ ಲೋಹಗಳ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳನ್ನು ವರದಿ ಮಾಡಿದ್ದಾರೆ. ರಚನೆ ಮತ್ತು ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಹಿಂದೆ ಹೇಳಿದಂತೆ, ಬೃಹತ್ ಲಿಗಂಡ್ಗಳ ಮೂಲಕ ಚಲನಶೀಲ ಸ್ಥಿರೀಕರಣವು ನಿರಂತರವಾದ ರಂಜಕ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಕಾರ್ಯತಂತ್ರವಾಗಿದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ನ ಸ್ಥಳಾಂತರವು ರಂಜಕ ರಾಡಿಕಲ್ ಪ್ರಭೇದಗಳ ಮೇಲೆ ಸ್ಥಿರಗೊಳಿಸುವ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಸಹ ತೋರಿಸಿದೆ. ಇದಕ್ಕೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ ಇದು ಹೆಚ್ಚು ಸ್ಥಳಾಂತರಗೊಂಡ ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಸಾಂದ್ರತೆಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು 31ಪಿ ಸ್ಥಳೀಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ತಿರುಗುವಿಕೆಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಕಡಿಮೆ ಜೋಡಣೆಯ ಸ್ಥಿರಾಂಕಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಕಾರಣಕ್ಕಾಗಿ ರಂಜಕ ಪರಮಾಣುವಿನ ಮೇಲೆ ತಿರುಗುವ ಸ್ಥಳೀಕರಣವು ವಿವಿಧ ರಂಜಕ ರಾಡಿಕಲ್ ಪ್ರಭೇದಗಳಿಗೆ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇಟೋನಂತಹ ಆವರ್ತಕ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳು ಉಂಗುರಗಳಾದ್ಯಂತ ಸ್ಥಳಾಂತರವನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಎಕ್ಸ್-ರೇ, ಇಪಿಆರ್ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ ಮತ್ತು ಅಬ್ ಇನಿಷಿಯೋ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳು ತಿರುಗುವಿಕೆಯ 80-90% ಅನ್ನು ಸಿ2ಪಿ2 ವರ್ತುಲದಲ್ಲಿರುವ ಕಾರ್ಬನ್ಗಳ ಮೇಲೆ ಮತ್ತು ಉಳಿದವುಗಳನ್ನು ರಂಜಕದ ಪರಮಾಣುಗಳ ಮೇಲೆ ಸ್ಥಳಾಂತರಿಸಲಾಗಿದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಹಿಡಿದಿದೆ. ಇದರ ಹೊರತಾಗಿಯೂ, ಎ. ಪಿ. 2 ಸ್ಥಿರಾಂಕವು ಸಂಯೋಜಿತ ಪಿ = ಸಿ ಡಬಲ್ಸ್ ಬಂಧವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸಾವಯವ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳಿಗೆ ಹೋಲುವ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿಕ್ ಆಸ್ತಿಯನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಈ ಪ್ರಭೇದಕ್ಕೆ ಬಳಸುವ ಅನುರಣನ ರಚನೆಯನ್ನು ಸಮರ್ಥಿಸುತ್ತದೆ. ಲ್ಯಾಪ್ಪರ್ಟ್ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಿದ ಫಾಸ್ಫಿನೈಲ್ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳು ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ 15 ದಿನಗಳ ಕಾಲ ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು 360 ಕೆ ನಲ್ಲಿ ಅಲ್ಪಾವಧಿಯ ತಾಪನದಿಂದ ಯಾವುದೇ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುವುದಿಲ್ಲ ಎಂದು ಕಂಡುಬಂದಿದೆ. ಈ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಪರ್ಯಾಯಗಳ ಸ್ಟೆರಿಕ್ ಬೃಹತ್ ಪ್ರಮಾಣ ಮತ್ತು ಬೀಟಾ-ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಪರಮಾಣುಗಳ ಅನುಪಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ನಿಗದಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರ, ಅನಿಲ-ಹಂತದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವಿವರ್ತನ ಮತ್ತು ಅಬ್ ಇನಿಷಿಯೋ ಆಣ್ವಿಕ ಕಕ್ಷೀಯ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ನಡೆಸಿದ ಈ ಪ್ರಭೇದದ ರಚನಾತ್ಮಕ ಅಧ್ಯಯನವು ಈ ಸ್ಥಿರತೆಯ ಮೂಲವು ಸಿಎಚ್ (ಸಿಎಂಇ3) 2 ಲಿಗಂಡ್ಗಳ ಬೃಹತ್ ಪ್ರಮಾಣವಲ್ಲ, ಆದರೆ ಡೈಮರ್ನ ಪಿ-ಪಿ ಬಂಧದಲ್ಲಿ ಹೋಮೋಲಿಟಿಕ್ ಸೀಳುವಿಕೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಒತ್ತಡದ ಶಕ್ತಿಯ ಬಿಡುಗಡೆಯಾಗಿದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಹಿಡಿದಿದೆ. ಡೈಮರ್ ಒಂದು ಸಿನ್, ಆಂಟಿ ಕಾನ್ಫರ್ಮೇಷನ್ ಅನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಉತ್ತಮ ಪ್ಯಾಕಿಂಗ್ಗೆ ಅವಕಾಶ ನೀಡುತ್ತದೆ ಆದರೆ ಟ್ರೈಮೆಥೈಲ್ಸಿಲ್ ಗುಂಪುಗಳಲ್ಲಿ ಅತಿಯಾದ ಜನಸಂದಣಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ರಾಡಿಕಲ್ ಮೊನೊಮರ್ ಸಿನ್, ಸಿನ್ ಕಾನ್ಫರ್ಮೇಷನ್ ಅನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ. ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳು ಪಿ-ಪಿ ಬಂಧವನ್ನು (ಎಂಡೋಥರ್ಮಿಕ್) ಬೇರ್ಪಡಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ, ಸ್ಟೆರಿಕ್ ಸ್ಟ್ರೈನ್ ಅನ್ನು ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಲು ವಿಶ್ರಾಂತಿ, ಮತ್ತು ಸಿನ್ನನ್ನು ನೀಡಲು ಪಿಸಿ ಬಂಧದ ಸುತ್ತ ತಿರುಗುವಿಕೆ, ಮೊನೊಮರ್ ರಾಡಿಕಲ್ನ ಮೇಲೆ ಸಿನ್ ಕಾನ್ಫರ್ಮೇಷನ್ (ಪ್ರತಿ ಘಟಕಕ್ಕೆ 67.5 ಕೆಜೆ ಎಕ್ಸೋಥರ್ಮಿಕ್) ಒಟ್ಟಾರೆ ಎಕ್ಸೋಥರ್ಮಿಕ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದೆ ಎಂದು ತೋರಿಸಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ಡೈಮರ್ ರಾಡಿಕಲ್ ಮೊನೊಮರ್ ಆಗಿ ಪರಿವರ್ತನೆಗೊಳ್ಳುವುದರಿಂದ ಲಿಗಂಡ್ಗಳ ಮರುಸಂಘಟನೆಯಿಂದ ಒತ್ತಡದ ಶಕ್ತಿಯ ಬಿಡುಗಡೆಯು ಈ ಪ್ರಭೇದದ ಸ್ಥಿರತೆಗೆ ಕಾರಣವೆಂದು ಹೇಳಬಹುದು. ಸಿಎಚ್ (ಸಿಎಮ್ಇ3) 2 ಲಿಗಂಡ್ ಹೊಂದಿರುವ ಇತರ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಲ್ಲಿ ಈ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಗಮನಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇದನ್ನು "ಜ್ಯಾಕ್-ಇನ್-ದಿ-ಬಾಕ್ಸ್" ಮಾದರಿ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಯಿತು. ಇದೇ ರೀತಿಯ ನಮ್ಯತೆ ಮತ್ತು ರಚನಾತ್ಮಕ ಬದಲಾವಣೆಗಳಿಗೆ ಒಳಗಾಗುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಇತರ ಲಿಗಂಡ್ಗಳನ್ನು ಪಿಎನ್ಆರ್2 (ಪಿಎನ್-ಪಿ, ಆಸ್, ಎಸ್ಬಿ) ಮತ್ತು ಇಆರ್ಆರ್ '2 (ಇ = ಸಿ, ಜಿಇ, ಎಸ್ಎನ್; ಆರ್' = ಬೃಹತ್ ಲಿಗ್ಯಾಂಡ್) ಎಂದು ಗುರುತಿಸಲಾಗಿದೆ. 2022ರಲ್ಲಿ, ಸ್ಟ್ರೂಬೆಲ್ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ಲೋಹ-ಸಂಯೋಜಿತ ಫಾಸ್ಫಾನೋಕ್ಸಿಲ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಲ್ಲಿನ ಕೇಂದ್ರಗಳಾದ್ಯಂತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ವಿತರಣೆಯನ್ನು ತನಿಖೆ ಮಾಡಿದರು. ಟಂಗ್ಸ್ಟನ್-ಹೊಂದಿರುವ ರಾಡಿಕಲ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳು ಲೋಹದ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಸ್ಗಳ ಮೇಲೆ ಸಣ್ಣ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಸ್ಪಿನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ ಎಂದು ಈ ಅಧ್ಯಯನವು ತೋರಿಸಿದೆ, ಆದರೆ ಮ್ಯಾಂಗನೀಸ್ ಮತ್ತು ಕಬ್ಬಿಣದ ವಿಷಯದಲ್ಲಿ, ಸ್ಪಿನ್ಗಳು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಲೋಹ-ಕೇಂದ್ರಿತವಾಗಿವೆ. ಬಿರಾಡಿಕಲ್ಸ್ ಎರಡು ಜೋಡಿಯಿಲ್ಲದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಅಣುಗಳಾಗಿವೆ. ಈ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳು ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕಲ್ ಆಗಿ (ಟ್ರಿಪ್ಲೆಟ್), ಆಂಟಿಫೆರೊಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕಲ್ ಆಗಿ (ಓಪನ್-ಶೆಲ್ ಸಿಂಗ್ಲೆಟ್) ಸಂವಹನ ನಡೆಸಬಹುದು ಅಥವಾ ಪರಸ್ಪರ ಸಂವಹನ ನಡೆಸುವುದಿಲ್ಲ (ಎರಡು-ಡಬಲ್). ಬಿರಾಡಿಕಲಾಯ್ಡ್ಗಳು/ಡಿರಾಡಿಕಲಾಯ್ಡ್ಗಳು ಗಮನಾರ್ಹ ರಾಡಿಕಲ್ ಕೇಂದ್ರ ಸಂವಹನವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಬಿರಾಡಿಕಲ್ಗಳ ಒಂದು ವರ್ಗವಾಗಿದೆ. ಮೊದಲ ರಂಜಕ ಬೈರಾಡಿಕಲ್ ಅನ್ನು 2011 ರಲ್ಲಿ ಟಿ. ಬ್ರೀವೀಸ್ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ವರದಿ ಮಾಡಿದರು. ಸೈಕ್ಲೋ-1,3-ಡೈಫಾಸ್ಫಾ (III)-2,4-ಡಯಾಜೇನ್ಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ಏಜೆಂಟ್ ಆಗಿ [(Cp2TiCl} 2] ಬಳಸಿ ಸೈಕ್ಲೋ-1,3-ಡೈಫಾಸ್ಫಾ (III)-2,4-ಡಯಾಜೇನ್ಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಬೈರಾಡಿಕಲಾಯ್ಡ್ [P (μ-NR)] 2 (R = ಹೈಪ್, ಟರ್) ಅನ್ನು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲಾಗಿದೆ. ಬೃಹತ್ ಟರ್ ಮತ್ತು ಹೈಪ್ ಬದಲಿಗಳು ದೊಡ್ಡ ಸ್ಥಿರೀಕರಣ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತವೆ. ಈ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಟೆರ್ನೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚು ಉಚ್ಚರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ 224 ಸಿ ವರೆಗಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ದೀರ್ಘಕಾಲದವರೆಗೆ ಘನ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿನ ಜಡ ವಾತಾವರಣದಲ್ಲಿ ಬೈರಾಡಿಕಲ್ ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಕಂಪ್ಯೂಟೇಶನಲ್ ಅಧ್ಯಯನಗಳು [ಪಿ (ಎಂಯು-ಎನ್ಟಿಇಆರ್)] 2 ರಾಡಿಕಲ್ ಓಪನ್ಶೆಲ್ ಸಿಂಗ್ಲೆಟ್ ಗ್ರೌಂಡ್ ಸ್ಟೇಟ್ ಬೈರಾಡಿಕಲ್ ಪಾತ್ರವನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ನಿರ್ಧರಿಸಿದೆ. ವಿಲ್ಲಿಂಗರ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ನಂತರ ಡೈಫಾಸ್ಫಾಡಿಯಾಜನೆಡಿಯಲ್ನ ಪಿ-ಎನ್ ಬಂಧಕ್ಕೆ ಸಿಒ ಅನ್ನು ಸೇರಿಸುವ ಮೂಲಕ ಸ್ಥಿರವಾದ ಸೈಕ್ಲೋಪೆಂಟೇನ್-1,3-ಡೈಲ್ ಬೈರಾಡಿಕಲ್ ಅನ್ನು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಿದರು. 2017ರಲ್ಲಿ ಡಿ. ರಾಟ್ಸ್ಚಾಫರ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ಎನ್-ಹೆಟೆರೊಸೈಕ್ಲಿಕ್ ವಿನೈಲಿಂಡೀನ್-ಸ್ಥಿರವಾದ ಸಿಂಗ್ಲೆಟ್ ಬೈರಾಡಿಕಲಾಯ್ಡ್ ರಂಜಕ ಸಂಯುಕ್ತ (ಐಪಿಆರ್) ಸಿಪಿ] 2 (ಐಪಿಆರ್ = 1,3-ಬಿಸ್ (2,6-ಡೈಸೊಪ್ರೊಪೈಲ್ಫೆನಿಲ್) ಇಮಿಡಾಜೋಲ್-2-ಐಲಿಡೀನ್) ಅನ್ನು ವರದಿ ಮಾಡಿದರು. ಗಮನಾರ್ಹವಾದ π-e-ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು C2P2 ಉಂಗುರಕ್ಕೆ ವರ್ಗಾಯಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಪ್ರಭೇದವು ತಾಪಮಾನ-ಸ್ವತಂತ್ರ ಎನ್ಎಂಆರ್ ಅನುರಣನಗಳೊಂದಿಗೆ ಡಯಾಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಎಂದು ಕಂಡುಬಂದಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಇದನ್ನು ಕೆಕುಲೆ ಅಲ್ಲದ ಅಣು ಎಂದು ಪರಿಗಣಿಸಬಹುದು. ರಚನೆ ಮತ್ತು ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ವಿಲ್ಲಿಂಗರ್ನ ಪ್ರಭೇದಗಳು ಫಾಸ್ಫಾಲ್ಕೈನ್ನೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗೆ ಒಳಗಾಗಬಹುದು, ಇದು ಪಿಸಿ ಸೇತುವೆಯೊಂದಿಗೆ ಐದು-ಸದಸ್ಯರ ಪಿ2ಎನ್2ಸಿ ಹೆಟೆರೊಸೈಕಲ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು ಹ್ಯಾಲೊಜೆನೇಶನ್ಗೆ ಒಳಗಾಗಬಹುದು ಮತ್ತು ಧಾತುರೂಪದ ಗಂಧಕದೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗೆ ಒಳಗಾಗಬಹುದು. ರಾಡಿಕಲ್ ಪ್ರಭೇದಗಳಾದ್ಯಂತ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳ ಸ್ಪಿನ್ ಸ್ಥಳೀಕರಣವನ್ನು ಸ್ಪಷ್ಟಪಡಿಸಲು ಫಾಸ್ಫರಸ್ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇ. ಪಿ. ಆರ್/ಇ. ಎಸ್. ಆರ್. ನಿಂದ ನಿರೂಪಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಜೋಡಣೆ ಸ್ಥಿರಾಂಕಗಳು ಫಾಸ್ಫರಸ್ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಸ್ಗಳ ಮೇಲೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ಥಳೀಕರಣವನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತವೆ. ಈ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ಬೆಂಬಲಿಸಲು ಈ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಲ್ಲಿನ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ರಾಸಾಯನಿಕ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳನ್ನು ಸಹ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆರ್ಮ್ಸ್ಟ್ರಾಂಗ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ಕ್ಷ-ಕಿರಣ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ನಿರೂಪಿಸುವ ಮೊದಲು, ರಂಜಕ ಕೇಂದ್ರಿತ ರಾಡಿಕಲ್ [(Me3Si) 2CH] 2Pನ ರಚನೆಯನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವಿವರ್ತನೆಯಿಂದ ನಿರ್ಧರಿಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು. ಡೈಫಾಸ್ಫಾನಿಲ್ ರಾಡಿಕಲ್ [Mes * MeP-PMes *] ಅನ್ನು ಡೋಪಿಂಗ್ ಮೂಲಕ Mes * MePPMeMes * ನ ಸ್ಫಟಿಕಗಳಾಗಿ ಸ್ಥಿರಗೊಳಿಸಲಾಗಿತ್ತು. ಆರ್ಮ್ಸ್ಟ್ರಾಂಗ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಿದ ಆಮೂಲಾಗ್ರವು ಘನ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ವಿಕೃತವಾದ ಪಿಎನ್3ಎಲ್ಐ3ಎಕ್ಸ್ ಘನವಾಗಿ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಬಂದಿದೆ. ಟಿಎಚ್ಎಫ್ನಲ್ಲಿ ಕರಗಿದ ನಂತರ, ಈ ಘನ ರಚನೆಯು ಅಡ್ಡಿಪಡಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ಅವರು ಕಂಡುಕೊಂಡರು, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಪ್ರಭೇದಗಳು ದ್ರಾವಕ-ಬೇರ್ಪಟ್ಟ ಅಯಾನು ಜೋಡಿಯನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ. ಫಾಸ್ಪರಸ್ ರಾಡಿಕಲ್ ಕ್ಯಾಟಯಾನುಗಳು ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆ ಫಾಸ್ಪರಸ್ ರಾಡಿಕಲ್ ಕ್ಯಾಟಯಾನುಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಡೈಫಾಸ್ಫಿನಿಡೀನ್ಗಳು ಮತ್ತು ಫಾಸ್ಪಾಲ್ಕೀನ್ಗಳ ಒಂದು-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಉತ್ಕರ್ಷಣೆಯಿಂದ ಪಡೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. 2010ರಲ್ಲಿ, ಬರ್ಟ್ರಾಂಡ್ ಗುಂಪು ಕಾರ್ಬೀನ್-ಸ್ಥಿರವಾದ ಡೈಫಾಸ್ಫಿನಿಡೀನ್ಗಳು ಜಡ ವಾತಾವರಣದಲ್ಲಿ ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ ಪಿಎಚ್3ಸಿ + ಬಿ (ಸಿ6ಎಫ್5) 4-ನೊಂದಿಗೆ ಟೋಲುಯಿನ್ನಲ್ಲಿ ಒಂದು-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣಕ್ಕೆ ಒಳಗಾಗಬಹುದು ಎಂದು ಕಂಡುಹಿಡಿದಿದೆ, ಇದು ರಾಡಿಕಲ್ ಕ್ಯಾಟಯಾನುಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ (ಡಿಪ್ಪ್ = 2,6-ಡೈಸೊಪ್ರೊಪೈಲ್ಫೆನಿಲ್). ಬರ್ಟ್ರಾಂಡ್ ಗುಂಪು [(ಸಿಎಎಸಿ) ಪಿ2] +, [(ಎನ್ಎಚ್ಸಿ) ಪಿ2] + ಮತ್ತು [(ಎನ್ಎಚ್ಸಿ) ಪಿ2] + + ನ ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ವರದಿ ಮಾಡಿದೆ. [(ಸಿಎಎಸಿ) ಪಿ2] + ಗಾಗಿ ಇ. ಪಿ. ಆರ್. ಸಂಕೇತವು ಮೂರು ಕ್ವಿಂಟಂಟ್ಗಳಾಗಿದ್ದು, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ 2 ಪಿ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಸ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಜೋಡಣೆ ಮತ್ತು 2 ಎನ್ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಸ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಣ್ಣ ಜೋಡಣೆ ಆಗುತ್ತದೆ. ಎನ್. ಬಿ. ಓ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯು ಎರಡು ರಂಜಕ ಪರಮಾಣುಗಳು (ತಲಾ <ಐ. ಡಿ. 2>) ಮತ್ತು ಸಾರಜನಕ ಪರಮಾಣುಗಳ (ತಲಾ <ಐ. ಡಿ. 1>) ನಡುವೆ ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಸ್ಥಳಾಂತರವನ್ನು ತೋರಿಸಿದೆ. ಇದಕ್ಕೆ ವ್ಯತಿರಿಕ್ತವಾಗಿ, [(NHC) P2] + ಸಂಕೀರ್ಣವು ಇತರ ಅಂಶಗಳ ಕಡಿಮೆ ಕೊಡುಗೆಯೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ರಂಜಕದ (0.33e ಮತ್ತು 0.44e) ಮೇಲೆ ಸ್ಥಳಾಂತರವನ್ನು ತೋರಿಸಿದೆ. ಬರ್ಟ್ರಾಂಡ್ ಗುಂಪು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಿದ ಇತರ ಡಿರಾಡಿಕಲ್ಸ್ ಪ್ರಭೇದಗಳ ಏಕ ರಂಜಕ ಪರಮಾಣುಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿತ್ತು. ಇವುಗಳಲ್ಲಿ [(ಟಿ. ಎಂ. ಪಿ.) ಪಿ (ಸಿ. ಎ. ಎ. ಸಿ.)] + ಅನ್ನು ರಂಜಕದ ಮೇಲೆ (ಶೇಕಡಾ 67) ಮತ್ತು [ಬಿಸ್ (ಕಾರ್ಬೀನ್)-ಪಿ. ಎನ್. + ಅನ್ನು ರಂಜಕದ ಮೇಲೆ (<ಐ. ಡಿ. 3>), ಕೇಂದ್ರ ಸಾರಜನಕದ ಪರಮಾಣು (<ಐ. ಡಿ. 1>), ಮತ್ತು ಸಿ. ಎ. ಎ. ಸಿ. ಯ ಎನ್ ಪರಮಾಣು (<ಐ. ಡಿ. 2>) ಗಳ ಮೇಲೆ ಹರಡಿದ ಸ್ಪಿನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ ಸ್ಥಳೀಕರಿಸಲಾಗಿದೆ. ಕೆಸಿ8ನೊಂದಿಗಿನ ಈ ನಂತರದ ಕ್ಯಾಟಯಾನ್ನೊಂದಿಗಿನ ಚಿಕಿತ್ಸೆಯು ಅದನ್ನು ಅದರ ತಟಸ್ಥ analogue.In 2003, ಜೆಫ್ರೋಯ್ ಮತ್ತು ಇತರರಿಗೆ ಹಿಂದಿರುಗಿಸುತ್ತದೆ. [Cp2Fe] PF6 ನೊಂದಿಗೆ ಫಾಸ್ಫಾಲ್ಕೀನ್ಗಳ ಒಂದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದ ಮೂಲಕ ಸಂಶ್ಲೇಷಿತ ಮೆಸ್ * P •-(C (NMe2) 2) +. ಮೆಸ್ * ಪಿ *-(ಸಿ (ಎನ್ಎಂಇ2) 2) + ದ್ರಾವಣವು ಜಡ ವಾತಾವರಣದಲ್ಲಿ ಕೆಲವು ವಾರಗಳವರೆಗೆ ಮತ್ತು ದ್ರಾವಣದಲ್ಲಿ ಕೆಲವು ದಿನಗಳವರೆಗೆ ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಇಪಿಆರ್ನಲ್ಲಿನ ಹೈಪರ್ಫೈನ್ ಜೋಡಣೆಗಳು ಫಾಸ್ಫರಸ್ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಸ್ಗಳಿಗೆ (ಪಿ ಆರ್ಬಿಟಲ್ನಲ್ಲಿ 0.75e) ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಬಲವಾದ ಸ್ಥಳೀಕರಣವನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತವೆ. 2015 ರಲ್ಲಿ, ವಾಂಗ್ ಗುಂಪು ದುರ್ಬಲವಾಗಿ ಸಂಯೋಜಿಸುವ ಅಯಾನು Ag [Al (ORF) 4]-ನ ಆಕ್ಸಿಡೆಂಟ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಈ ಪ್ರಭೇದದ ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆಯನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಯಿತು. ಇ. ಪಿ. ಆರ್. ನಿಂದ ಕಂಡುಬಂದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಿನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ರಂಜಕ 3p ಮತ್ತು 3s ಕಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿ (ಅನುಕ್ರಮವಾಗಿ 68.2% ಮತ್ತು 2.46%) ಇರುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಡಿ. ಎಫ್. ಟಿ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳು ಬೆಂಬಲಿಸಿವೆ, ಅಲ್ಲಿ <ಐ. ಡಿ. 1> ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ರಂಜಕದ ಪರಮಾಣುವಿನ ಮೇಲೆ ನೆಲೆಗೊಂಡಿದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಬಂದಿದೆ. ಷುಲ್ಜ್ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಿದ ಆವರ್ತಕ ಬೈರಾಡಿಕಲ್ ಕ್ಯಾಟಯಾನುಗಳನ್ನು ಸ್ಥಿರಗೊಳಿಸಲು ದುರ್ಬಲವಾಗಿ ಸಮನ್ವಯಗೊಳಿಸುವ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಸಹ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು, ಅಲ್ಲಿ [P (μ-NTer) 2P] + ನ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ರಂಜಕದ ಪರಮಾಣುಗಳ ಮೇಲೆ (0.46e ಪ್ರತಿಯೊಂದೂ) ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾಗಿ ವಾಸಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಬಂದಿದೆ. [P (μ-NTer) 2As] + ನ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ತಿರುಗುವಿಕೆಯು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಆಸ್ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಸ್ಗಳ ಮೇಲೆ ನೆಲೆಗೊಂಡಿದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಬಂದಿದೆ (ಪಿ ಪರಮಾಣುವಿನ ಮೇಲೆ 29.4% ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ 70.6% ಮೇಲೆ). ಅನೇಕ ಇತರ ಆವರ್ತಕ ರಾಡಿಕಲ್ ಕ್ಯಾಟಯಾನುಗಳು ವರದಿಯಾಗಿವೆ. ರಂಜಕದ ಕೇಂದ್ರದಲ್ಲಿ ಕೆಳಮಟ್ಟದಲ್ಲಿರುವ HOMO ಯಿಂದಾಗಿ ಡೈಫೋಸ್ಫೀನ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ರಾಡಿಕಲ್ ಕ್ಯಾಟಯಾನುಗಳನ್ನು ರಚಿಸುವುದು ಕಷ್ಟವಾಗುತ್ತದೆ. ಘಾಡ್ವಾಲ್ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ಎತ್ತರದ HOMO ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ HOMO-LUMO ಅಂತರದೊಂದಿಗೆ NHC-ಪಡೆದ ಡಿವಿನಿಲ್ಡಿಫೋಸ್ಫೆನ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಡೈಫೋಸ್ಫೆನ್ ರಾಡಿಕಲ್ ಕ್ಯಾಟಯಾನ್ [{(NHC) C (Ph)} P] 2 + ಅನ್ನು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಯಿತು. ಈ ಪ್ರಭೇದದ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಸಿಪಿ2ಸಿ-ಘಟಕದಾದ್ಯಂತ ಸ್ಪಿನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಸ್ಥಳಾಂತರ ಎಂದು ಗುರುತಿಸಲಾಗಿದೆ. ಸ್ಪಿನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಪ್ರತಿ ಪಿ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಸ್ಗಳಲ್ಲಿ 11-14% ಮತ್ತು ಪ್ರತಿ ಸಿ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಸ್ಗಳಲ್ಲಿ 17-21% ಎಂದು ಕಂಡುಬಂದಿದೆ. ರಚನೆ ಮತ್ತು ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಫಾಸ್ಫರಸ್ ರಾಡಿಕಲ್ ಕ್ಯಾಟಯಾನುಗಳ ಸ್ಥಿರತೆಯ ಒಂದು ವಿಶಿಷ್ಟ ಮೂಲವೆಂದರೆ ಡೈಮೆರೈಸೇಶನ್ ಅನ್ನು ತಡೆಯುವ ರಾಡಿಕಲ್ ಕ್ಯಾಟಯಾನುಗಳ ನಡುವಿನ ಸ್ಥಾಯೀವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ವಿಕರ್ಷಣ. ದುರ್ಬಲವಾಗಿ ಸಂಯೋಜಿಸುವ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಬೈರಾಡಿಕಲ್ ಕ್ಯಾಟಯಾನುಗಳನ್ನು ಸ್ಥಿರಗೊಳಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗಿದೆ. ಫಾಸ್ಫರಸ್ ರಾಡಿಕಲ್ ಅಯಾನುಗಳ ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆ ರಾಡಿಕಲ್ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸುವ ಅತ್ಯಂತ ಸಾಮಾನ್ಯ ವಿಧಾನವೆಂದರೆ ಕಡಿಮೆಗೊಳಿಸುವ ಏಜೆಂಟ್ಗಳ ಬಳಕೆಯಾಗಿದೆ. 2014 ರಲ್ಲಿ ವಾಂಗ್ ಗುಂಪು ಡಿಎಂಇಯಲ್ಲಿ ಲಿ ಅಥವಾ ಟಿಎಚ್ಎಫ್ನಲ್ಲಿ ಕೆ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ನೇರಳೆ ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವ ಮೂಲಕ ಫಾಸ್ಫರಸ್-ಕೇಂದ್ರಿತ ರಾಡಿಕಲ್ ಅಯಾನುಗಳ ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ವರದಿ ಮಾಡಿದೆ. ಇ. ಪಿ. ಆರ್ ದತ್ತಾಂಶವು ರಂಜಕದ 3p (51.09%) ಮತ್ತು 3s (1.62%) ಕಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿ ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಸ್ಥಳೀಕರಣವನ್ನು ತೋರಿಸಿದೆ. ನಂತರ ಅವರು 18-ಕಿರೀಟ-6ರ ಉಪಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಟಿಎಚ್ಎಫ್ನಲ್ಲಿ ಕೆಸಿ8ನೊಂದಿಗೆ ಡೈಫಾಸ್ಫಾಲ್ಕೀನ್ನ ಕಡಿತದಿಂದ ಡೈಫಾಸ್ಫರಸ್-ಕೇಂದ್ರಿತ ರೇಡಿಯಲ್ ಅಯಾನು ಮತ್ತು ಮೊದಲ ಡೈ-ರಾಡಿಕಲ್ ಡೈ-ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಿದರು. ಎರಡೂ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ರಂಜಕದ ಕೇಂದ್ರಕಗಳ ಮೇಲೆ ಇರುತ್ತದೆ. ಟಾನ್ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ಫಾಸ್ಫರಸ್ ರಾಡಿಕಲ್ ಅಯಾನು ಸಮನ್ವಯಿತ ಸಿಒಐಐ ಮತ್ತು ಎಫ್ಇಐಐ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳ ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆಗೆ ಚಾರ್ಜ್ ವರ್ಗಾವಣೆ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿದರು. ಇಲ್ಲಿ ಡಯಾಜಾಫ್ಲೋರೆನಿಲಿಡಿನ್-ಬದಲಿ ಫಾಸ್ಫಾಲ್ಕೀನ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ವ್ಯಾಲೆಂಟ್ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಲೋಹದ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸಿ ಲೋಹದ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಮನ್ವಯಗೊಂಡ ರಂಜಕದ ರಾಡಿಕಲ್ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಪ್ರಭೇದವು ಹೆಚ್ಚಿನ-ಸ್ಪಿಂ ಟಿಎಂಐಐ ಅಯಾನ್ನೊಂದಿಗೆ ರಂಜಕ ರಾಡಿಕಲ್ನ ದುರ್ಬಲ ಆಂಟಿಫೆರೊಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ತೋರಿಸುವ ಚೌಕಟ್ಟಿನ ನೆಲದ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ. ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಟಿಎಂ ಮತ್ತು ರಂಜಕ ಕೇಂದ್ರಕಗಳ ಮೇಲೆ ನೆಲೆಗೊಂಡಿದೆ. ಈ ಗುಂಪು ರಾಡಿಕಲ್ ಅಯಾನ್ ಲ್ಯಾಂಥನೈಡ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಿತು, ಇದು ಆಂಟಿಫೆರೊಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಸಹ ತೋರಿಸಿತು. ರಂಜಕದ ರಾಡಿಕಲ್ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಸ್ಥಿರಗೊಳಿಸಲು ಯಾಮಾಶಿತ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ಬೋರಿಲ್ ಬದಲಿಗಳ π-ಆಮ್ಲ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಬಳಸಿದರು. ಇಲ್ಲಿ ಡಯಾಜಾಫ್ಲೋರೆನಿಲಿಡೀನ್-ಬದಲಿ ಫಾಸ್ಫಾಲ್ಕೀನ್ ಅನ್ನು [Cp * 2Ln] [BPh4] (Ln = Dy, Tb, ಮತ್ತು Gd) ನೊಂದಿಗೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ 2,2,2-ನ ಅನುಪಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಅಥವಾ ಉಪಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ KC8 ನೊಂದಿಗೆ ಕಡಿತಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಇ. ಪಿ. ಆರ್ ಮತ್ತು ಡಿ. ಎಫ್. ಟಿ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಪಿ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಸ್ಗಳ (67.4%) ಮೇಲೆ ಕೇಂದ್ರೀಕೃತವಾಗಿರುವ ಸ್ಪಿನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತವೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಓದುವಿಕೆ ವಿಮರ್ಶೆಗಳು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಸಂಭಾವ್ಯ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳು ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರ ರಂಜಕ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಸ್ವತಂತ್ರ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳು