Surface-extended X-ray absorption fine structure
ಮೇಲ್ಮೈ-ವಿಸ್ತೃತ ಕ್ಷ-ಕಿರಣ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯು (ಸೆಕ್ಸಾಫ್ಸ್) EXAFS ತಂತ್ರಕ್ಕೆ ಸಮಾನವಾದ ಮೇಲ್ಮೈ-ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯಾಗಿದೆ. ಈ ತಂತ್ರವು ಸಿಂಕ್ರೋಟ್ರಾನ್ನಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ-ತೀವ್ರತೆಯ ಕ್ಷ-ಕಿರಣ ಕಿರಣಗಳಿಂದ ಮಾದರಿಯ ಬೆಳಕನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಆಗರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ತೀವ್ರತೆಯನ್ನು ಆಪಾದಿತ ಫೋಟಾನ್ ಶಕ್ತಿಯ ಕಾರ್ಯವಾಗಿ ಪತ್ತೆಹಚ್ಚುವ ಮೂಲಕ ಅವುಗಳ ಫೋಟೋಆಬ್ಸರ್ಪ್ಷನ್ ಅನ್ನು ಮೇಲ್ವಿಚಾರಣೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಮೂಲ ವಿಧಾನವಾದ EXAFSನಲ್ಲಿರುವಂತೆ ಕ್ಷ-ಕಿರಣಗಳ ಸಾಪೇಕ್ಷ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ನೋಡುವ ಬದಲು ಆಗರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ತೀವ್ರತೆಯನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ ದತ್ತಾಂಶದ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನದಿಂದ ಮೇಲ್ಮೈ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ (ಇದು ~ 1-2 nm ನಷ್ಟು ತಪ್ಪಿಸಿಕೊಳ್ಳುವ ಆಳವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ). ಮೇಲ್ಮೈ ಪರಮಾಣುಗಳಿಗೆ ಕೋರ್ ಮಟ್ಟದ ಪ್ರಚೋದನೆಯ ಆರಂಭಕ್ಕಾಗಿ ಫೋಟಾನ್ ಶಕ್ತಿಗಳನ್ನು ವಿಶಿಷ್ಟ ಶಕ್ತಿಯ ಮೂಲಕ ಸಂಯೋಜಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹೀಗೆ ರಚಿಸಲಾದ ಕೋರ್ ಹೋಲ್ಗಳನ್ನು ನಂತರ ಮೇಲಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ನ ವಿಕಿರಣಶೀಲವಲ್ಲದ ಕೊಳೆತ ಮತ್ತು ಮತ್ತೊಂದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗೆ ಶಕ್ತಿಯ ಸಂವಹನದಿಂದ ತುಂಬಿಸಬಹುದು, ಅದು ನಂತರ ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ತಪ್ಪಿಸಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು (ಆಗರ್ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆ). ಆದ್ದರಿಂದ ಈ ಆಗರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳನ್ನು ಒಟ್ಟು ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತೀಕದ ಇಳುವರಿಗೆ ನೇರವಾಗಿ ಪತ್ತೆಹಚ್ಚುವ ಮೂಲಕ ದ್ಯುತಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಮೇಲ್ವಿಚಾರಣೆ ಮಾಡಬಹುದು. ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗುಣಾಂಕ ಮತ್ತು ಘಟನೆಯ ಫೋಟಾನ್ ಶಕ್ತಿಯು ಹೊರಗಿನ ಪ್ರಸರಣ ತರಂಗಗಳೊಂದಿಗೆ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಆಗರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪದಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಆಂದೋಲನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಈ ಆಂದೋಲನಗಳ ಅವಧಿಯು ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರಿಂಗ್ ಪರಮಾಣುವಿನ ಪ್ರಕಾರ ಮತ್ತು ಕೇಂದ್ರ ಪರಮಾಣುವಿನಿಂದ ಅದರ ದೂರವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಹೀಗಾಗಿ, ಈ ತಂತ್ರವು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪದಾರ್ಥಗಳ ಅಂತರ ಮತ್ತು ಅವುಗಳ ಸಮನ್ವಯ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರದ ತನಿಖೆಗೆ ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಈ ತಂತ್ರವು ದೀರ್ಘ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯ ಕ್ರಮದ ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲದ ಕಾರಣ ಪ್ರಯೋಜನವನ್ನು ಪಡೆಯುತ್ತದೆ, ಇದು ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ LEED (ಸುಮಾರು 10 nm) ನಂತಹ ಇತರ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ತಂತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಮಿತಿಯಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ವಿಧಾನವು ಸಂಕೇತದ ಹಿನ್ನೆಲೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ತೆಗೆದುಹಾಕುತ್ತದೆ. ಇದು ಪ್ರಯೋಜನಕಾರಿಯಾಗಿದೆ ಏಕೆಂದರೆ ಇದು ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಫೋಟಾನ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಆ ಪ್ರಭೇದದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಅಂಚಿಗೆ ಹೊಂದಿಸುವ ಮೂಲಕ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿನ ವಿವಿಧ ಪ್ರಭೇದಗಳನ್ನು ಶೋಧಿಸಬಹುದು. ಈ ತಂತ್ರದ ಆರಂಭಿಕ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯಲ್ಲಿ ಜೋಚಿಮ್ ಸ್ಟೊಹ್ರ್ ಪ್ರಮುಖ ಪಾತ್ರ ವಹಿಸಿದರು. ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಸೆಟಪ್ ಸಿಂಕ್ರೋಟ್ರಾನ್ ವಿಕಿರಣ ಮೂಲಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಸೆಕ್ಸಾಫ್ಸ್ ಕೆಲಸವನ್ನು ಸಿಂಕ್ರೋಟ್ರಾನ್ ವಿಕಿರಣವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಇದು 1012 ರಿಂದ 1014 ಫೋಟಾನ್ಗಳು/ಸೆಕೆಂಡ್/ಮ್ರಾಡ್/ಎಂಎ ಹರಿವಿನೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚು ಕೊಲಿಮೇಟೆಡ್, ಪ್ಲೇನ್-ಪೋಲರೈಸ್ಡ್ ಮತ್ತು ನಿಖರವಾಗಿ ಪಲ್ಸ್ಡ್ ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಮೂಲಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಮೂಲಗಳಿಂದ ಪಡೆಯಬಹುದಾದ ಸಿಗ್ನಲ್-ಟು-ಶಬ್ದ ಅನುಪಾತವನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಪ್ರಕಾಶಮಾನವಾದ ಮೂಲ ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಮೂಲವು ಮಾದರಿಯನ್ನು ಬೆಳಗಿಸುತ್ತಿದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಸರಣವನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗುಣಾಂಕವಾಗಿ ಅಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ I ಹರಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಐಒ ಎಕ್ಸ್-ಕಿರಣಗಳ ಘಟನೆಯ ತೀವ್ರತೆಯಾಗಿದೆ. ನಂತರ ಅದನ್ನು ಒಳಬರುವ ಕ್ಷ-ಕಿರಣ ಫೋಟಾನ್ ಶಕ್ತಿಯ ವಿರುದ್ಧ ಯೋಜಿಸಲಾಗಿದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ಗಳು ಸೆಕ್ಸಾಫ್ಸ್ನಲ್ಲಿ, ಹರಡುವ ಕ್ಷ-ಕಿರಣದ ಅಲೆಗಳ ತೀವ್ರತೆಯ ಬದಲಿಗೆ ಆಗರ್ ಇಳುವರಿಯನ್ನು ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಲು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ಮತ್ತು ಹೈ-ವ್ಯಾಕ್ಯೂಮ್ ಚೇಂಬರ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ಆಗರ್ ಅಳತೆಗಳಂತೆಯೇ ಶಕ್ತಿ ವಿಶ್ಲೇಷಕವಾಗಿರಬಹುದು ಅಥವಾ ಒಟ್ಟು ಅಥವಾ ಭಾಗಶಃ ದ್ವಿತೀಯಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಇಳುವರಿಯಂತೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗುಣಕವಾಗಿರಬಹುದು. ಶಕ್ತಿ ವಿಶ್ಲೇಷಕವು ಉತ್ತಮ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮಲ್ಟಿಪ್ಲೈಯರ್ ದೊಡ್ಡ ಘನ ಕೋನ ಸ್ವೀಕಾರವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಸಿಗ್ನಲ್-ಟು-ನಾಯ್ಸ್ ಅನುಪಾತವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುವ ಸಮೀಕರಣವು ಅಲ್ಲಿ μA ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗುಣಾಂಕವಾಗಿದೆ; ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಎಣಿಕೆಗಳು/ಸೆಕೆಂಡಿನಲ್ಲಿ ವಿಕಿರಣಶೀಲವಲ್ಲದ ಕೊಡುಗೆಯಾಗಿದೆ; ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಎಣಿಕೆಗಳು/ಸೆಕೆಂಡಿನಲ್ಲಿ IB ಹಿನ್ನೆಲೆ ಕೊಡುಗೆಯಾಗಿದೆ; SEXAFS-ಉತ್ಪಾದಿಸುವ ಅಂಶದಿಂದ μA ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ; ಎಲ್ಲಾ ಅಂಶಗಳಿಂದ ಒಟ್ಟು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆ; ಐಒ ಘಟನೆಯ ತೀವ್ರತೆ; ಎನ್ ಎಂಬುದು ಅಟೆನ್ಯುಯೇಷನ್ ಉದ್ದ; ω/(4π) ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ಗೆ ಘನ ಕೋನ ಸ್ವೀಕಾರವಾಗಿದೆ; εn ಎಂಬುದು ವಿಕಿರಣಶೀಲವಲ್ಲದ ಇಳುವರಿ, ಇದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವಿಕಿರಣಶೀಲವಾಗಿ ಕೊಳೆಯುವುದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ವಾಸ್ತವವಾಗಿ ಆಗರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಆಗಿ ಹೊರಸೂಸುತ್ತದೆ. ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರದ ಮೂಲಭೂತ ಅಂಶಗಳು ಪರಮಾಣುವಿನಿಂದ ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಫೋಟಾನ್ನ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ಕೋರ್ ಮಟ್ಟದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಅನ್ನು ಪ್ರಚೋದಿಸುತ್ತದೆ, ಹೀಗಾಗಿ ಕೋರ್ ಹೋಲ್ ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು ಉತ್ತೇಜಿತ ಪರಮಾಣುವನ್ನು ಕೇಂದ್ರವಾಗಿಟ್ಟುಕೊಂಡು ಗೋಳಾಕಾರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ತರಂಗವನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ. ಅಲೆಯು ಹೊರಕ್ಕೆ ಹರಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನೆರೆಯ ಪರಮಾಣುಗಳಿಂದ ಚದುರಿಹೋಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕೇಂದ್ರ ಅಯಾನೀಕೃತ ಪರಮಾಣುವಿನ ಕಡೆಗೆ ಹಿಂತಿರುಗುತ್ತದೆ. ದ್ಯುತಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಆಂದೋಲನ ಘಟಕವು (1) ನಲ್ಲಿರುವಂತೆ ದ್ವಿಧ್ರುವಿ ನಿರ್ವಾಹಕ ಎಂಎಫ್ಎಸ್ ಮೂಲಕ ಈ ಪ್ರತಿಫಲಿತ ತರಂಗವನ್ನು ಆರಂಭಿಕ ಸ್ಥಿತಿಗೆ ಜೋಡಿಸುವುದರಿಂದ ಹುಟ್ಟುತ್ತದೆ. ಆಂದೋಲನಗಳ ಫೋರಿಯರ್ ರೂಪಾಂತರವು ನೆರೆಯ ಪರಮಾಣುಗಳ ಅಂತರ ಮತ್ತು ಅವುಗಳ ರಾಸಾಯನಿಕ ಪರಿಸರದ ಬಗ್ಗೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ. ಈ ಹಂತದ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಆಗರ್ ಸಂಕೇತದಲ್ಲಿನ ಆಂದೋಲನಗಳಿಗೆ ಕೊಂಡೊಯ್ಯಲಾಗುತ್ತದೆ ಏಕೆಂದರೆ ಆಗರ್ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯಲ್ಲಿನ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಸಮಯವು ಆಸಕ್ತಿಯ ಶಕ್ತಿಯ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿ ಫೋಟೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ನ ಸರಾಸರಿ ಸಮಯದ ಪ್ರಮಾಣದ ಅದೇ ಕ್ರಮದಲ್ಲಿದೆ. ಹೀಗಾಗಿ, ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಅಂಚು ಮತ್ತು ವಿಶಿಷ್ಟವಾದ ಆಗರ್ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಸರಿಯಾದ ಆಯ್ಕೆಯೊಂದಿಗೆ, ಆಪಾದಿತ ಫೋಟಾನ್ ಶಕ್ತಿಯ ಕಾರ್ಯವಾಗಿ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಆಗರ್ ರೇಖೆಯಲ್ಲಿನ ತೀವ್ರತೆಯ ವ್ಯತ್ಯಾಸದ ಮಾಪನವು ಫೋಟೋಆಬ್ಸೋರ್ಪ್ಷನ್ ಅಡ್ಡ ವಿಭಾಗದ ಅಳತೆಯಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಈ ಪ್ರಚೋದನೆಯು ವಿವಿಧ ಕೊಳೆತ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಸಹ ಪ್ರಚೋದಿಸುತ್ತದೆ. ಇವು ವಿಕಿರಣಶೀಲ (ಪ್ರತಿದೀಪಕ) ಅಥವಾ ವಿಕಿರಣರಹಿತ (ಆಗರ್ ಮತ್ತು ಕೋಸ್ಟರ್-ಕ್ರೋನಿಗ್) ಸ್ವರೂಪದ್ದಾಗಿರಬಹುದು. ಆಗರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಕ್ಷ-ಕಿರಣ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯ ನಡುವಿನ ತೀವ್ರತೆಯ ಅನುಪಾತವು ಪರಮಾಣು ಸಂಖ್ಯೆ Z ಅನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಆಗರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಇಳುವರಿ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ Z ನೊಂದಿಗೆ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ. EXAFSನ ಸಿದ್ಧಾಂತವು ದ್ಯುತಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಅಡ್ಡ ವಿಭಾಗವನ್ನು ಫೆರ್ಮಿಯ ಸುವರ್ಣ ನಿಯಮದಿಂದ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ದ್ವಿಧ್ರುವೀಯ ಅಂದಾಜಿನಲ್ಲಿ, ಶಕ್ತಿಯ Eiಯೊಂದಿಗಿನ ಆರಂಭಿಕ ಸ್ಥಿತಿಯು ಪರಮಾಣು ಕೇಂದ್ರ ಮತ್ತು ಫೆರ್ಮಿ ಸಮುದ್ರವನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಘಟನೆಯ ವಿಕಿರಣ ಕ್ಷೇತ್ರವು, ಅಂತಿಮ ಸ್ಥಿತಿಯಾದ f ಶಕ್ತಿಯ Ef (ಫೆರ್ಮಿ ಮಟ್ಟಕ್ಕಿಂತ ದೊಡ್ಡದು), ಕೋರ್ ಹೋಲ್ ಮತ್ತು ಉತ್ತೇಜಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ε ಎಂಬುದು ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಧ್ರುವೀಕರಣ ವಾಹಕವಾಗಿದೆ, e ಎಂಬುದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಾರ್ಜ್, ಮತ್ತು ꯘꯥω ಎಂಬುದು ಕ್ಷ-ಕಿರಣ ಫೋಟಾನ್ ಶಕ್ತಿಯಾಗಿದೆ. ಕೋರ್ ಮಟ್ಟದ ಪ್ರಚೋದನೆಯು ಹತ್ತಿರವಾದಾಗ ಫೋಟೋ ಅಬ್ಸಾರ್ಪ್ಷನ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಗರಿಷ್ಠ ಮಟ್ಟವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಇದರ ನಂತರ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ತರಂಗದ ಆ ಭಾಗದ ಜೋಡಣೆಯಿಂದ ಹುಟ್ಟುವ ಆಂದೋಲನ ಘಟಕವು ಮಾಧ್ಯಮದಿಂದ ಚದುರಿದ ನಂತರ ಕೇಂದ್ರ ಅಯಾನೀಕೃತ ಪರಮಾಣುವಿನ ಕಡೆಗೆ ಹಿಂತಿರುಗುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಅದು ದ್ವಿಧ್ರುವಿ ಆಪರೇಟರ್, ಮಿ ಮೂಲಕ ಆರಂಭಿಕ ಸ್ಥಿತಿಗೆ ಜೋಡಿಯಾಗುತ್ತದೆ. kRj>> 1ಕ್ಕೆ ಏಕ-ಚದುರುವಿಕೆಯನ್ನು ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ-ಪರಮಾಣುವಿನ ಅಂದಾಜನ್ನು ಊಹಿಸಿಕೊಂಡರೆ, ಅಲ್ಲಿ Rj ಎಂಬುದು ಕೇಂದ್ರ ಉತ್ತೇಜಿತ ಪರಮಾಣುವಿನಿಂದ ನೆರೆಹೊರೆಯವರ jth ಶೆಲ್ನವರೆಗಿನ ದೂರವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು k ಎಂಬುದು ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತೀಕ ದ್ರವ್ಯಗಳ ತರಂಗ ವಾಹಕವಾಗಿದೆ, ಅಲ್ಲಿ γωT ಎಂಬುದು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಅಂಚಿನ ಶಕ್ತಿಯಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ವಿನಿಮಯ ಮತ್ತು ಪರಸ್ಪರ ಸಂಬಂಧಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಘನದ ಆಂತರಿಕ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವಾಗಿದೆ, ದ್ಯುತಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಅಡ್ಡ ವಿಭಾಗದ (K-ಶೆಲ್ ಪ್ರಚೋದನೆಗಾಗಿ) ಆಂದೋಲನ ಘಟಕಕ್ಕೆ ಈ ಕೆಳಗಿನ ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿಯನ್ನು ಪಡೆಯಲಾಗುತ್ತದೆಃ ಅಲ್ಲಿ ಭಾಗಶಃ ತರಂಗ ಹಂತದ-ಶಿಫ್ಟ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಭಾಗಶಃ ತರಂಗ ವಿಸ್ತರಣೆಯಲ್ಲಿ ಪರಮಾಣು ಚದುರುವಿಕೆಯ ಅಂಶವನ್ನು δl ಅನ್ನು Pl (x) ನಿಂದ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು lth ಲೆಜೆಂಡ್ರೆ ಬಹುಪದವಾಗಿದೆ, γ ಒಂದು ಕ್ಷೀಣಿಸುವ ಗುಣಾಂಕ, ವಿವರಣೆ. EXAFS-Auger ಅನ್ನು ಸೇರಿಸುವುದು ವಿಶಿಷ್ಟವಾದ WαXY ಆಗರ್ ರೇಖೆಯ ಶಕ್ತಿಯೊಂದಿಗೆ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ಗೆ ಬರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು (ಅಲ್ಲಿ Wα ಅಂಶದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಅಂಚಿನ ಕೋರ್-ಮಟ್ಟವಾಗಿದೆ, ಇದಕ್ಕೆ ಇನ್ಸಿಡೆಂಟ್ ಎಕ್ಸ್-ರೇ ರೇಖೆಯನ್ನು ಟ್ಯೂನ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ) ಎನ್ಬಿ (ꯘꯥω) ಹಿನ್ನೆಲೆ ಸಂಕೇತವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ನಮಗೆ ಆಸಕ್ತಿಯಿರುವ ಆಗರ್ ಸಂಕೇತವಾಗಿದೆ, ಅಲ್ಲಿ WαXY ಆಗರ್ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಮೂಲಕ ಉತ್ತೇಜಿತ ಪರಮಾಣು ಕ್ಷೀಣಿಸುವ ಸಂಭವನೀಯತೆ ಎಲ್ಲಿದೆ, ρα (z) ಎಂಬುದು α ಅಂಶದ ಪರಮಾಣು ಸಾಂದ್ರತೆಯಾಗಿದೆ, λ (WαXY) ಎಂಬುದು WαXY ಆಗರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗೆ ಸರಾಸರಿ ಮುಕ್ತ ಮಾರ್ಗವಾಗಿದೆ, θ ಕೋನವಾಗಿದೆ. ದ್ಯುತಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಸಂಭವನೀಯತೆಯು ಫೋಟಾನ್ ಶಕ್ತಿಯ ಮೇಲೆ ಅವಲಂಬಿತವಾಗಿರುವ ಏಕೈಕ ಪದವಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಶಕ್ತಿಯ ಕಾರ್ಯವಾಗಿ ಅದರಲ್ಲಿನ ಆಂದೋಲನಗಳು ಫೋಟಾನ್ನಲ್ಲಿ ಇದೇ ರೀತಿಯ ಆಂದೋಲನಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ. ಟಿಪ್ಪಣಿಗಳು ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಸ್ಟೋಹರ್, ಜೆ. (1988) "ಸೆಕ್ಸಾಫ್ಸ್ಃ ನೀವು ಯಾವಾಗಲೂ ಸೆಕ್ಸಾಫ್ಸ್ ಬಗ್ಗೆ ತಿಳಿದುಕೊಳ್ಳಲು ಬಯಸಿದ ಎಲ್ಲವೂ ಆದರೆ ಕೇಳಲು ಹೆದರುತ್ತಿದ್ದರು", ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಅಬ್ಸಾರ್ಪ್ಷನ್ನಲ್ಲಿಃ ಪ್ರಿನ್ಸಿಪಲ್ಸ್, ಅಪ್ಲಿಕೇಷನ್ಸ್, ಟೆಕ್ನಿಕ್ಸ್ ಆಫ್ ಎಕ್ಸಾಫ್ಸ್, ಸೆಕ್ಸಾಫ್ಸ್ ಮತ್ತು ಎಕ್ಸ್ಎಎನ್ಇಎಸ್, ಎಡಿಟ್ಸ್. ಡಿ. ಕೋನಿಂಗ್ಸ್ಬರ್ಗರ್ ಮತ್ತು ಆರ್. ಪ್ರಿನ್ಸ್, ವಿಲೇ, 1988 ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ಸೆಕ್ಸಾಫ್ಸ್ ಕ್ಷ-ಕಿರಣ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿಯ ವಿವರಗಳು