Intrinsic bond orbitals
ಆಂತರಿಕ ಬಂಧ ಕಕ್ಷೆಗಳು (ಐಬಿಒ) ತರಂಗ ಕಾರ್ಯಗಳ ನಿಖರವಾದ ಮತ್ತು ಪ್ರಾಯೋಗಿಕವಲ್ಲದ ಪ್ರಾತಿನಿಧ್ಯಗಳನ್ನು ನೀಡುವ ಸ್ಥಳೀಯ ಆಣ್ವಿಕ ಕಕ್ಷೆಗಳಾಗಿವೆ. ಅವುಗಳನ್ನು ಏಕಾತ್ಮಕ ರೂಪಾಂತರದಿಂದ ಪಡೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕನಿಷ್ಠ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಪರಮಾಣುಗಳ ಮೇಲೆ ಸ್ಥಳೀಕರಿಸಿದ ಕಕ್ಷೆಗಳ ಆರ್ಥೋಗೋನಲ್ ಗುಂಪನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ. ಐಬಿಒಗಳು ನೈಸರ್ಗಿಕವಾಗಿ ಉದ್ಭವಿಸುವ ಲೆವಿಸ್ ರಚನೆಗಳೊಂದಿಗೆ ರಾಸಾಯನಿಕ ಬಂಧದ ಅಂತರ್ಬೋಧೆಯ ಮತ್ತು ಪಕ್ಷಪಾತವಿಲ್ಲದ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನವನ್ನು ಪ್ರಸ್ತುತಪಡಿಸುತ್ತವೆ. ಈ ಕಾರಣಕ್ಕಾಗಿ ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯ ನಿರ್ದೇಶಾಂಕದ (ಐಆರ್ಸಿ) ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಆಣ್ವಿಕ ರಚನೆಗಳು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಹರಿವನ್ನು ಸ್ಪಷ್ಟಪಡಿಸಲು ಐಬಿಒಗಳನ್ನು ಯಶಸ್ವಿಯಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗಿದೆ. ಐಬಿಒಗಳು ಘನವಸ್ತುಗಳ ಅಧ್ಯಯನದಲ್ಲಿ ವಾನಿಯರ್ ಕಾರ್ಯಗಳಾಗಿ ಅನ್ವಯವನ್ನು ಕಂಡುಕೊಂಡಿವೆ. ಐಬಿಒ ವಿಧಾನವು ಸ್ಥಳೀಯ ಆಣ್ವಿಕ ಕಕ್ಷೆಗಳ ರೇಖೀಯ ಸಂಯೋಜನೆಗಳಾಗಿ ವ್ಯಕ್ತಪಡಿಸಲಾದ ಕೊಹ್ನ್-ಶಾಮ್ ಸಾಂದ್ರತೆ ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಸಿದ್ಧಾಂತ (ಡಿಎಫ್ಟಿ) ದಂತಹ ಸ್ವಯಂ-ಸ್ಥಿರವಾದ ಕ್ಷೇತ್ರ (ಎಸ್ಸಿಎಫ್) ವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಲೆಕ್ಕಹಾಕುವ ಆಣ್ವಿಕ ತರಂಗ-ಕಾರ್ಯಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ. ಐ. ಬಿ. ಓ. ಗಳನ್ನು ತಲುಪಲು, ಆಂತರಿಕ ಪರಮಾಣು ಕಕ್ಷೆಗಳನ್ನು (ಐ. ಎ. ಓ. ಗಳು) ಮೊದಲು ಆಣ್ವಿಕ ತರಂಗ ಕ್ರಿಯೆಯ ಪ್ರಾತಿನಿಧ್ಯಗಳಾಗಿ ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದಕ್ಕಾಗಿ ಪ್ರತಿ ಐ. ಎ. ಓ. ಅನ್ನು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಪರಮಾಣುಗೆ ನಿಯೋಜಿಸಬಹುದು. ಇದು ಹೆಚ್ಚು ಸಂಕೀರ್ಣವಾದ ಆಣ್ವಿಕ ತರಂಗ ಕ್ರಿಯೆಗಳ ನಿರ್ಮಾಣಕ್ಕಾಗಿ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ ದೊಡ್ಡ ಮತ್ತು ಹರಡುವ ಆಧಾರ ಸೆಟ್ಗಳಿಗೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ ರಾಸಾಯನಿಕವಾಗಿ ಅಂತರ್ಬೋಧೆಯ ಕಕ್ಷೀಯ ಚಿತ್ರವನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ. ಐ. ಎ. ಓ. ಗಳನ್ನು ಆಣ್ವಿಕ ಪರಿಸರದ ಪರಿಗಣನೆಯಡಿಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಆಧಾರ-ಸೆಟ್ಗಳ ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡಲಾದ ಮುಕ್ತ-ಪರಮಾಣು ಎ. ಓ. ಗಳಿಂದ ನಿರ್ಮಿಸಲಾಗಿದೆ. ಧ್ರುವೀಕೃತ ಎಒಗಳ ಆರ್ಥೋನಾರ್ಮಲೈಸೇಶನ್ ಐಎಒಗಳ ಗುಂಪಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುವ ಮೊದಲು, ಇದು ಮುಕ್ತ-ಪರಮಾಣು ಎಒಗಳನ್ನು ಸಾಧ್ಯವಾದಷ್ಟು ಹೋಲುವ ಧ್ರುವೀಕೃತ ಪರಮಾಣು ಕಕ್ಷೆಗಳನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ. ಹೀಗಾಗಿ, ಪರಮಾಣು ಕೊಡುಗೆಗಳನ್ನು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ನಿಯೋಜಿಸಬಹುದಾದ ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಅಣುವಿಗೆ ಐ. ಎ. ಓ. ಗಳು ಕನಿಷ್ಠ ಆಧಾರವಾಗಿದೆ. ಎಲ್ಲಾ ಐ. ಎ. ಓಗಳ ಮೊತ್ತವು ಆಣ್ವಿಕ ಕಕ್ಷೆಗಳ ಮೇಲೆ ನಿಖರವಾಗಿ ಹರಡುತ್ತದೆ, ಇದು ಅವುಗಳನ್ನು ತರಂಗ ಕ್ರಿಯೆಯ ನಿಖರವಾದ ಪ್ರಾತಿನಿಧ್ಯವನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ. ಐಎಒಗಳು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಪರಮಾಣುವಿನೊಂದಿಗೆ ಸಂಬಂಧ ಹೊಂದಿರುವುದರಿಂದ, ಅವು ಭಾಗಶಃ ಚಾರ್ಜ್ ನಂತಹ ಪರಮಾಣು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು. ಮುಲ್ಲಿಕೆನ್ ಶುಲ್ಕದಂತಹ ಇತರ ಶುಲ್ಕಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಐ. ಎ. ಓ ಶುಲ್ಕಗಳು ನಿಯೋಜಿತ ಆಧಾರದ ಸೆಟ್ನಿಂದ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಕಕ್ಷೀಯ ಚಾರ್ಜ್ ಹರಡುವ ಪರಮಾಣುಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ಷರತ್ತಿನೊಂದಿಗೆ ಐಬಿಒಗಳನ್ನು ಐಎಒಗಳ ಮೇಲೆ ರೇಖೀಯ ಸಂಯೋಜನೆಯಾಗಿ ನಿರ್ಮಿಸಲಾಗಿದೆ. ಆ ಮೂಲಕ ಪ್ರತಿ ಐ. ಬಿ. ಓ. ಅನ್ನು ಪರಮಾಣುಗಳ ಕೊಡುಗೆಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಬಹುದು, ಇದು ಪರಮಾಣುವಿನ ಕಕ್ಷೆಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಉದ್ಯೋಗವಾಗಿದೆ. ಸ್ಥಳೀಕರಣವನ್ನು ಪಿಪೆಕ್-ಮೆಜಿ ಸ್ಥಳೀಕರಣ ಯೋಜನೆಯ ಉತ್ಸಾಹದಲ್ಲಿ ನಡೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಸ್ಥಳೀಕರಣ ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ. ಅಥವಾ ಜೊತೆ. ಘಾತಾಂಕದ ಆಯ್ಕೆಯು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ ಫಲಿತಾಂಶದ ಐಬಿಒಗಳ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುವುದಿಲ್ಲವಾದರೂ, ಆಯ್ಕೆ ಸುಗಂಧ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಲ್ಲಿ ಕಕ್ಷೆಗಳನ್ನು ಸ್ಥಳೀಕರಿಸುತ್ತದೆ. ಐ. ಬಿ. ಓ. ನಿರ್ಮಾಣದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಕ್ಯಾನೊನಿಕಲ್ ಎಂ. ಓ. ಗಳ ಏಕೀಕೃತ ವರ್ಗಾವಣೆಯಿಂದ ನಡೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಐ. ಬಿ. ಓ. ಗಳು ಆಣ್ವಿಕ ತರಂಗ ಕ್ರಿಯೆಯ ನಿಖರವಾದ ಮತ್ತು ಭೌತಿಕವಾಗಿ ನಿಖರವಾದ ಪ್ರಾತಿನಿಧ್ಯವಾಗಿ ಉಳಿಯುವುದನ್ನು ಖಾತ್ರಿಪಡಿಸುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಏಕೀಕೃತ ಆವರ್ತನಗಳ ಕಡೆಗೆ ಸ್ಲೇಟರ್ ನಿರ್ಣಾಯಕ ತರಂಗ ಕ್ರಿಯೆಗಳ ಅಸ್ಥಿರತೆಯಿಂದಾಗಿ. ಆಕ್ರಮಿತ ಎಂ. ಓ. ಗಳ ಗುಂಪಿನೊಂದಿಗೆ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ ಗುಣಾಕಾರದ ಮೇಲೆ ಸ್ಥಳೀಯ ಐ. ಬಿ. ಓ. ಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವ ಏಕೀಕೃತ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ ಅನ್ನು ಆ ಮೂಲಕ ಅಣುವಿನ ಪರಮಾಣುಗಳ ಮೇಲೆ ಐ. ಬಿ. ಓ. ಗಳ ಹರಡುವಿಕೆಯನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ಉತ್ಪನ್ನವು ಸ್ಥಳೀಯ ಐಬಿಒಗಳ ಒಂದು ಗುಂಪಾಗಿದ್ದು, ಆಣ್ವಿಕ ಕಕ್ಷೆಗಳ ರಾಸಾಯನಿಕವಾಗಿ ಅಂತರ್ಬೋಧೆಯ ಆಕಾರಗಳನ್ನು ನಿಕಟವಾಗಿ ಹೋಲುತ್ತದೆ, ಇದು ಬಂಧದ ಪ್ರಕಾರಗಳು, ಪರಮಾಣು ಕೊಡುಗೆಗಳು ಮತ್ತು ಧ್ರುವೀಕರಣದ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ. ರಚನೆ ಮತ್ತು ಬಂಧಗಳಲ್ಲಿ ಅನ್ವಯ ಐಬಿಒಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುವ ತನ್ನ ಮೂಲ ಪ್ರಬಂಧದಲ್ಲಿ, ಕ್ನಿಜಿಯಾ σ ಮತ್ತು π ಬಂಧದಂತಹ ಶಾಸ್ತ್ರೀಯ ಬಂಧದ ಸಂದರ್ಭಗಳನ್ನು ಮಾತ್ರವಲ್ಲದೆ ಆರೊಮ್ಯಾಟಿಕ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ಮತ್ತು ಕ್ಷುಲ್ಲಕವಲ್ಲದ ಬಂಧಗಳನ್ನೂ ವಿವರಿಸುವ ತನ್ನ ವಿಧಾನದ ಬಹುಮುಖತೆಯನ್ನು ತೋರಿಸಿದರು. ಅಕ್ರಿಲಿಕ್ ಆಮ್ಲದಲ್ಲಿನ σ ಮತ್ತು π ಬಂಧಗಳ ವ್ಯತ್ಯಾಸವು ಐಬಿಒ ಜ್ಯಾಮಿತಿಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಸಾಧ್ಯವಿದೆ, ಹಾಗೆಯೇ ಆಮ್ಲಜನಕದ ಏಕೈಕ ಜೋಡಿಗಳಿಗೆ ಅನುಗುಣವಾದ ಐಬಿಒಗಳ ಗುರುತಿಸುವಿಕೆಯೂ ಸಾಧ್ಯವಿದೆ. ಐ. ಬಿ. ಓ ವಿಧಾನವನ್ನು ಪರೀಕ್ಷಿಸಲು ಬೆಂಜೀನ್ ಡೀಲೋಕಲೈಸ್ಡ್ ಆರೊಮ್ಯಾಟಿಕ್ ಸಿಸ್ಟಮ್ನ ಉದಾಹರಣೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸಿದೆ. ಸಿ-ಸಿ ಮತ್ತು ಸಿ-ಎಚ್ σ-ಬಾಂಡ್ಗಳ ಹೊರತಾಗಿ, ಆರು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ π-ವ್ಯವಸ್ಥೆಯನ್ನು ಮೂರು ಡೀಲೋಕಲೈಸ್ಡ್ ಐಬಿಒಗಳಾಗಿ ವ್ಯಕ್ತಪಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಲೂಯಿಸ್ ಅಲ್ಲದ ಬಂಧದ ಪ್ರಾತಿನಿಧ್ಯವನ್ನು ಡೈಬೋರೇನ್ B2H6 ಮೇಲೆ ಪ್ರದರ್ಶಿಸಲಾಯಿತು, ಒಂದು IBO 3-ಕೇಂದ್ರ-2-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬಂಧಕ್ಕೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ B-H-B ಮೇಲೆ ವಿಸ್ತರಿಸಿದೆ. ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಲೋಹದ ಸಂಯುಕ್ತಗಳ ಐಬಿಒ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಮೃದ್ಧ ಚಿನ್ನದ-ಕಾರ್ಬೀನ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ವಿವರಿಸಲು ಬಳಸಲಾಯಿತು, ಇದು ಚಿನ್ನದ ವೇಗವರ್ಧನೆಯಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಮಧ್ಯವರ್ತಿಗಳನ್ನು ಅನುಕರಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳನ್ನು ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ Au-C ಡಬಲ್ ಬಾಂಡ್ನೊಂದಿಗೆ ಚಿತ್ರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆಯಾದರೂ, ಇದು ಕಾರ್ಬೀನ್ನ ಸಿಗ್ಮಾ ದಾನ ಮತ್ತು Auನ π ಬ್ಯಾಕ್ಬಾಂಡಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುತ್ತದೆ, IBO ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ Auಯಲ್ಲಿ ಸ್ಥಳೀಕರಿಸಲಾದ ಆಯಾ ಕಕ್ಷೆಯೊಂದಿಗೆ ಕನಿಷ್ಠ ಪ್ರಮಾಣದ π-ಬ್ಯಾಕ್ಬಾಂಡಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. σ-ದಾನ ಮಾಡುವ ಕಾರ್ಬೀನ್ ಕಕ್ಷೆಯು ಅದೇ ರೀತಿ ಸಿ. ಸ್ಥಿರೀಕರಣದ ಕಡೆಗೆ ಬಲವಾಗಿ ಧ್ರುವೀಕರಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ಹೀಗಾಗಿ ಕಾರ್ಬೀನ್ ಕಾರ್ಬನ್ ಪಿ-ಕಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿ ಆರೊಮ್ಯಾಟಿಕ್ ಕಾರ್ಬೀನ್ ಬದಲಿಗಳನ್ನು ಬಲವಾಗಿ ದಾನ ಮಾಡುವುದರ ಮೂಲಕ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು Au-π-ಬ್ಯಾಕ್ ಡೋನೇಶನ್ಗೆ ಪೈಪೋಟಿ ನೀಡುತ್ತದೆ. ಹೀಗಾಗಿ ಐಬಿಒ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯು ಚಿನ್ನದ-ಕಾರ್ಬೀನ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳ ದ್ವಿ ಬಂಧದ ಸ್ವರೂಪವನ್ನು ನಿರಾಕರಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಯಿತು ಮತ್ತು ಸೈ3ಪಿ-ಔ-ಸಿ (4-ಒಎಂಇ-ಸಿ6ಎಚ್4) 2) (ಸೈ = ಸೈಕ್ಲೋಹೆಕ್ಸಿಲ್) ನ ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನ ರಚನೆಯ ಬಗ್ಗೆ ಆಳವಾದ ಒಳನೋಟವನ್ನು ಒದಗಿಸಿತು. ಚಿನ್ನದ-ವಿನೈಲಿಡೀನ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಿಗೆ π-ಬ್ಯಾಕ್ಬಾಂಡಿಂಗ್ ಪಾತ್ರವನ್ನು ಮತ್ತೊಮ್ಮೆ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಮಾಡಲಾಯಿತು, ಇದು ಮತ್ತೊಂದು ಸಾಮಾನ್ಯ ರೀತಿಯ ಚಿನ್ನದ ವೇಗವರ್ಧಕ ಮಧ್ಯವರ್ತಿಗಳಾಗಿವೆ. ಐಬಿಒ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯು ಗೋಲ್ಡ್-ಕಾರ್ಬೆನ್ಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಗೋಲ್ಡ್-ವಿನೈಲಿಡೀನ್ಗಳಿಗೆ ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಬಲವಾದ π-ಬ್ಯಾಕ್ಬಾಂಡಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಬಹಿರಂಗಪಡಿಸಿತು. ಆಯಾ ಕಕ್ಷೆಗಳು ಒಂದಕ್ಕೊಂದು ಲಂಬವಾಗಿರುವುದರಿಂದ π-ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳಿಗಾಗಿ Au ನೊಂದಿಗೆ ಸ್ಪರ್ಧಿಸಲು ಆರೊಮ್ಯಾಟಿಕ್ ವಿನೈಲಿಡೀನ್ ಸಬ್ಸ್ಟಿಟ್ಯೂಯೆಂಟ್ಗಳ ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ಅಸಾಮರ್ಥ್ಯ ಇದಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. ಕ್ನಿಜಿಯಾ ಮತ್ತು ಕ್ಲೈನ್ ಇದೇ ರೀತಿ [ಫೆ (ಸಿಒ) 3ಎನ್ಒ]-ನ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಗಾಗಿ ಐಬಿಒ ಅನ್ನು ನೇಮಿಸಿಕೊಂಡರು. ಫೆ ಮತ್ತು ಎನ್ ನಡುವಿನ ಐಬಿಒಗಳ ಸಮ ಧ್ರುವೀಕರಣವು ಕೋವೆಲೆಂಟ್ ಬಾಂಡೆಡ್ ಎನ್ಒ ಲಿಗ್ಯಾಂಡ್ನತ್ತ ನಿರ್ದೇಶಿಸುತ್ತದೆ. ದ್ವಿ ಬಂಧವು ಎರಡು ಡಿ-ಪಿ-ಪಿ-ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳ ಮೂಲಕ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಔಪಚಾರಿಕ ಎಫ್ಇ0 ಕೇಂದ್ರದಲ್ಲಿ ಫಲಿತಾಂಶವನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳಿಂದ ದೃಢೀಕರಿಸಲ್ಪಟ್ಟ ಐಬಿಒ, ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಬಂಧವನ್ನು ಅರ್ಥೈಸಿಕೊಳ್ಳಲು ವೇಗದ ಮತ್ತು ನೇರವಾದ ವಿಧಾನವೆಂದು ಸಾಬೀತಾಯಿತು. ಕಡಿಮೆ ಗಣನೆಯ ವೆಚ್ಚವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು, [ಫೆ (ಸಿಒ) 3ಎನ್ಒ] ಯಿಂದ ವೇಗವರ್ಧಿಸಲ್ಪಟ್ಟ ಕ್ಲೋಕ್-ವಿಲ್ಸನ್ ಮರುಜೋಡಣೆಯನ್ನು ಐಆರ್ಸಿ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಪ್ರತಿ ಸ್ಥಾಯಿ ಬಿಂದುವಿಗೆ ಐಬಿಒಗಳನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸುವ ಮೂಲಕ ತನಿಖೆ ಮಾಡಲಾಯಿತು. ಫೆ-ನೊ π ಬಂಧಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದು ತಲಾಧಾರಕ್ಕೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವರ್ಗಾವಣೆಯ ಮೂಲಕ ವೇಗವರ್ಧನೆಯಲ್ಲಿ ಸಕ್ರಿಯವಾಗಿ ಭಾಗವಹಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಬಂದಿದೆ, [ಫೆ (ಸಿಒ) 3ಎನ್ಒ] ನ ವಿಶಿಷ್ಟ ವೇಗವರ್ಧಕ ಚಟುವಟಿಕೆಯನ್ನು ವಿವರಿಸುತ್ತದೆ-ಐಸೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ [ಫೆ (ಸಿಒ) 4] 2-ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ. ಮೇಲೆ ತಿಳಿಸಿದ ಸಂಯುಕ್ತಗಳ ಹೊರತಾಗಿ, ಗೋಲ್ಡ್-ಡಯಾರಿಲ್ಯಾಲೆನಿಲಿಡೆನ್ಸ್ ಅಥವಾ ಡಿಪ್ಲ್ಯಾಟಿನಮ್ ಡೈಬೊರಾನಿಲ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಂತಹ ವಿವಿಧ ಇತರ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಲೋಹದ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳನ್ನು ತನಿಖೆ ಮಾಡಲು ಐಬಿಒ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಬಂಧದ ವ್ಯಾಪ್ತಿ ಮತ್ತು ಸ್ವರೂಪದ ಬಗ್ಗೆ ಒಳನೋಟವನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಒಂದು ಅಮೂಲ್ಯ ಸಾಧನವೆಂದು ಸಾಬೀತಾಗಿದೆ. ಮುಖ್ಯ ಗುಂಪಿನ ಸಂಯುಕ್ತಗಳಾದ ಐ. ಬಿ. ಓ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ಮುಖ್ಯ ಗುಂಪಿನ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ಕ್ಷುಲ್ಲಕವಲ್ಲದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ರಚನೆಯನ್ನು ಸ್ಪಷ್ಟಪಡಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗಿದೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಆಲ್ಸಿಪಿ ಚಕ್ರದ 3-ಕೇಂದ್ರ-2π-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬಂಧವನ್ನು ತೋರಿಸುವ ಫಾಸ್ಫಾಲುಮಿನಿರೀನ್ಗಳ ಬಂಧವನ್ನು ತನಿಖೆ ಮಾಡಲಾಯಿತು. ಚೆನ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ವರದಿ ಮಾಡಿದ ರಾಡಿಕಲ್ ಕ್ಯಾಟಯಾನ್ ಹೊಂದಿರುವ ರಂಜಕದ ಡಿಸ್ಟಾನಿಕ್ ಸ್ವರೂಪವನ್ನು ದೃಢೀಕರಿಸಲು ಹೆಚ್ಚಿನ ಅನ್ವಯವು ಕಂಡುಬಂದಿದೆ. (ಚಿತ್ರವನ್ನು ನೋಡಿ). ಐಎಒ ಚಾರ್ಜ್ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯು ಚೆಲೇಟೆಡ್ ಪಿ ಮೇಲೆ ಧನಾತ್ಮಕ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ನೀಡಿದರೆ, ಐಬಿಒಗಳು ಇತರ ಪಿ ಪರಮಾಣುವಿನ ಮೇಲೆ ಜೋಡಿಸದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ನ ಸ್ಥಳೀಕರಣವನ್ನು ತೋರಿಸಿದವು, ಇದು ರಾಡಿಕಲ್ ಸೈಟ್ ಮತ್ತು ಚಾರ್ಜ್ನ ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆಯನ್ನು ದೃಢೀಕರಿಸುತ್ತದೆ. ಮತ್ತೊಂದು ಉದಾಹರಣೆಯೆಂದರೆ ಹೆಕ್ಸಾಮೆಥೈಲ್ ಬೆಂಜೀನ್ ಡಿಕೇಶನ್ನಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ರಚನೆಯ ವಿವರಣೆ. ಬೇಸಲ್ C5Me5 ಸಮತಲ ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಭಾಗದ C ನಡುವೆ ಮೂರು π ಬಂಧದ IBO ಗಳು ಕಂಡುಬಂದಿವೆ, ಇದು Cp * ಸಮನ್ವಯ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳನ್ನು ನೆನಪಿಸುತ್ತದೆ. ಮೂರು π ಬಂಧಗಳು ಆ ಮೂಲಕ ತುದಾಕಾರದ C ಕಡೆಗೆ ಧ್ರುವೀಕರಿಸಲ್ಪಡುತ್ತವೆ, ಇದು ಅದರ ಏಕೈಕ ಜೋಡಿಯೊಂದಿಗೆ CH3 + ಕ್ಯಾಷನ್ಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ಐ. ಬಿ. ಓ. ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯು, ಕ್ಲಸ್ಟರ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳಿಗೆ ಐ. ಬಿ. ಓ. ಯ ಅನ್ವಯಗಳು ಜಿರ್ಕೋನಿಯಮ್ ಡೋಪ್ಡ್ ಬೋರಾನ್ ಸಮೂಹಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿವೆ ಎಂದು ತೋರಿಸಿದಂತೆ, ಅಪಿಕಲ್ ಸಿ ಯ ಲೂಯಿಸ್-ಆಸಿಡಿಕ್ ಮತ್ತು ಲೂಯಿಸ್-ಬೇಸಿಕ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಬಹಿರಂಗಪಡಿಸಿತು. ತಟಸ್ಥ ZrB12 ಸಮೂಹದ ಅಸಾಮಾನ್ಯ ಸ್ಥಿರತೆಯು ಹಲವಾರು ಬಹು-ಕೇಂದ್ರ σ ಬಂಧಗಳಿಂದ ಉದ್ಭವಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು IBO ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯು ತೋರಿಸಿದೆ. ಬಿ-ಬಿ σ ಬಂಧದ ಕಕ್ಷೆಗಳು ಕೇಂದ್ರ ಝಡ್ಆರ್ ಪರಮಾಣುವಿನವರೆಗೆ ವಿಸ್ತರಿಸುತ್ತವೆ, ಇದು ಮಲಿಸೆಂಟರ್ ಬಂಧಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಉದಾಹರಣೆಯು ಕ್ಲಸ್ಟರ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಮತ್ತು ಮಲ್ಟಿಸೆಂಟರ್ ಬಂಧವನ್ನು ವಿಶ್ಲೇಷಿಸುವ ವಿಧಾನದ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. ಐಬಿಒಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಆಕ್ರಮಿತ ಕಕ್ಷೆಗಳನ್ನು ವಿವರಿಸುತ್ತವೆಯಾದರೂ, ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿಲ್ಲದ ಕಕ್ಷೆಗಳ ವಿವರಣೆಯು ರಾಸಾಯನಿಕ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳನ್ನು ಅರ್ಥೈಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಮೌಲ್ಯಯುತವಾಗಿದೆ. ಹೈ ವ್ಯಾಲೆಂಟ್ ಫಾರ್ಮಲ್ ನಿ (IV) ಸಂಕೀರ್ಣಗಳ ತನಿಖೆಯೊಂದಿಗೆ ವ್ಯಾಲೆನ್ಸ್ ವರ್ಚುವಲ್ ಐಬಿಒಗಳನ್ನು (ವಿವಿಐಬಿಒಗಳು) ಪರಿಚಯಿಸಲಾಯಿತು. ಸಂಯುಕ್ತದ ಬಂಧ ಮತ್ತು ಆಂಟಿಬಾಂಡಿಂಗ್ ಮ್ಯಾನಿಫೋಲ್ಡ್ ಅನ್ನು ಅನುಕ್ರಮವಾಗಿ ಐಬಿಒಗಳು ಮತ್ತು ವಿವಿಐಬಿಒಗಳನ್ನು ಬಳಸಿ ವಿವರಿಸಲಾಗಿದೆ. ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವ HOMO/LUMOಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಇವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇಡೀ ಅಣುವಿನ ಮೇಲೆ ಹರಡಿರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಅರ್ಥೈಸಲು ಕಷ್ಟವಾಗಬಹುದು, vvIBOಗಳು ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿಲ್ಲದ ಕಕ್ಷೆಗಳೊಂದಿಗೆ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಂವಹನಗಳ ಹೆಚ್ಚು ನೇರ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಕ್ಕೆ ಅವಕಾಶ ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತವೆ. ಐ. ಆರ್. ಸಿ. ಯ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಹರಿವು 2015ರಲ್ಲಿ, ನಿಝಿಯಾ ಮತ್ತು ಕ್ಲೈನ್ ಐಬಿಒನೊಂದಿಗಿನ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಹರಿವಿನ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ಸುರುಳಿಯಾಕಾರದ ಬಾಣದ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಮಾಡುವ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕವಲ್ಲದ ಮತ್ತು ನೇರ-ಮುಂದಕ್ಕೆ ವಿಧಾನವಾಗಿ ಪರಿಚಯಿಸಿದರು. ಐಬಿಒಗಳು ಕೊಹ್ನ್-ಶಾಮ್ ತರಂಗ ಕಾರ್ಯಗಳ ನಿಖರವಾದ ಪ್ರಾತಿನಿಧ್ಯಗಳಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಅವು ಮೊದಲ-ತತ್ವಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಸುರುಳಿಯಾಕಾರದ ಬಾಣಗಳ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳಿಗೆ ಭೌತಿಕ ರಚನೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು. ಐಬಿಒಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ರಾಸಾಯನಿಕ ಬಂಧಗಳು ಮತ್ತು ಏಕಾಂಗಿ ಜೋಡಿಗಳನ್ನು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುತ್ತವೆ, ಈ ವಿಧಾನವು ಧಾತುರೂಪದ ಹಂತಗಳು ಮತ್ತು ಅವುಗಳ ಅನುಕ್ರಮದ ಪರಿಭಾಷೆಯಲ್ಲಿ ಬಂಧದ ಮರುಜೋಡಣೆಗಳನ್ನು ವಿವರಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಆರಂಭಿಕ ಚಾರ್ಜ್ ವಿತರಣೆಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಭಾಗಶಃ ಚಾರ್ಜ್ ವಿತರಣೆಗಳ ಮೂಲ ಸರಾಸರಿ ವರ್ಗ ವ್ಯತ್ಯಾಸಗಳನ್ನು ಲೆಕ್ಕಹಾಕುವ ಮೂಲಕ, ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಸಕ್ರಿಯವಾಗಿ ಭಾಗವಹಿಸುವ ಐಬಿಒಗಳನ್ನು ಐಆರ್ಸಿ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಬದಲಾಗದೆ ಇರುವವುಗಳಿಂದ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಬಹುದು. ನಿಜಿಯಾ ಮತ್ತು ಕ್ಲೈನ್ ತಮ್ಮ ಮೂಲ ವರದಿಯಲ್ಲಿ ಈ ವಿಧಾನದ ಬಹುಮುಖತೆಯನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತಾರೆ, ಮೊದಲು H3CCl ಮತ್ತು Cl-ನ ಸರಳವಾದ SN2-ರೀತಿಯ ಸ್ವಯಂ-ವಿನಿಮಯ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಪ್ರಸ್ತುತಪಡಿಸುತ್ತಾರೆ, ನಂತರ ಪರ್ಯಾಯ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ (SN2) π ಬಂಧಗಳ ಸ್ಥಳಾಂತರ ಮತ್ತು ಕ್ಲೈಸೆನ್ ಮರುಜೋಡಣೆಯಲ್ಲಿ π-ನಿಂದ σ-ಬಂಧ ರೂಪಾಂತರಗಳನ್ನು ಪ್ರಸ್ತುತಪಡಿಸುತ್ತಾರೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಹರಿವನ್ನು ಐಬಿಒಗಳ ವಲಸೆಯನ್ನು ಗಮನಿಸುವುದರ ಮೂಲಕ ಸುಲಭವಾಗಿ ಅನುಸರಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಐಬಿಒಗಳ ಜ್ಯಾಮಿತಿಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಬಾಂಡ್ ಪ್ರಕಾರಗಳನ್ನು ಸುಲಭವಾಗಿ ಗುರುತಿಸಬಹುದು. ಐಆರ್ಸಿ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಐಬಿಒ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯ ಮೌಲ್ಯವು ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಸಂಕೀರ್ಣ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳಿಗೆ ತೋರಿಸುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಕೇವಲ ಒಂದು ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಸ್ಥಿತಿಯೊಂದಿಗೆ ಮತ್ತು ಮಧ್ಯವರ್ತಿಗಳಿಲ್ಲದ ಸೈಕ್ಲೋಪ್ರೊಪೇನೇಶನ್ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ, ಇದನ್ನು ಹೆವೆನ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ವರದಿ ಮಾಡಿದ್ದಾರೆ. ನಿಜಿಯಾ ಮತ್ತು ಕ್ಲೈನ್ ಅವರ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳು ಈ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗೆ ನಿಖರವಾದ ಸುರುಳಿಯಾಕಾರದ ಬಾಣದ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವನ್ನು ಒದಗಿಸಿದವು. ಮುಚ್ಚಿದ ಶೆಲ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ಐಆರ್ಸಿ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಐಬಿಒ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯ ಉದಾಹರಣೆಗಳು ಗೋಲ್ಡ್-ವಿನೈಲಿಡಿನ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಿಂದ ಸಿ-ಎಚ್ ಬಾಂಡ್ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯ ತನಿಖೆಯನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿವೆ. ಈ ವಿಧಾನದ ಮೂಲಕ, ಸಂಯೋಜಿತ ಮತ್ತು ಹಂತವಾರು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳ ನಡುವಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ಗುರುತಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ. ಈ ಹಿಂದೆ ಯೋಚಿಸಲಾದ ಏಕ ಹಂತದ ಸಿ-ಎಚ್ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯು ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಮೂರು ವಿಭಿನ್ನ ಹಂತಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವುದನ್ನು ಬಹಿರಂಗಪಡಿಸಲಾಗಿದೆಃ i) ಹೈಡ್ರೈಡ್ ವರ್ಗಾವಣೆ, ii) ಸಿ-ಸಿ ಬಂಧದ ರಚನೆ ಮತ್ತು iii) ಸಿಗ್ಮಾ ಟು ಪೈ, ಎಯುಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸಲಾದ ಏಕೈಕ ಜೋಡಿಯ ಮರುಜೋಡಣೆ. ಐ. ಆರ್. ಸಿ. ಯ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಐ. ಬಿ. ಓ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯ ಇತರ ವರದಿಗಳು, ಒಂದು ಔ (ಐ)-ವಿನೈಲ್ ಪ್ರಭೇದದ [3,3]-ಸಿಗ್ಮಾಟ್ರೋಪಿಕ್ ಮರುಜೋಡಣೆಗಾಗಿ ಈ ಹಿಂದೆ ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸಲಾದ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನದ ವಿವರಣೆ ಮತ್ತು ದೃಢೀಕರಣ ಅಥವಾ ಪೆರಾಸೈಡ್ಗಳಿಂದ ಆಲ್ಕೀನ್ನ ಎಪಾಕ್ಸಿಡೀಕರಣವನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿವೆ. ಎರಡನೆಯದರಲ್ಲಿ, ಪಠ್ಯಪುಸ್ತಕದ ನಾಲ್ಕು ಸುರುಳಿಯಾಕಾರದ ಬಾಣದ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು ದೈಹಿಕವಾಗಿ ನಿಖರವಾಗಿಲ್ಲ ಎಂದು ಕಂಡುಬಂದಿದೆ. ಬದಲಾಗಿ, ಬದಲಾಗುತ್ತಿರುವ ಏಳು ಐಬಿಒಗಳು ಕಂಡುಬಂದವು, ಇದು ಏಳು ಸುರುಳಿಯಾಕಾರದ ಬಾಣಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡ ಆದರ್ಶ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವನ್ನು ನೀಡಿತು. ಇತರ ಗಣನೆಯ ವಿಧಾನಗಳೊಂದಿಗೆ ಐಬಿಒ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯ ಸಂಯೋಜನೆಯು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಟಿಐ-ವೇಗವರ್ಧಕ ಪೈರೋಲ್ ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆಗಾಗಿ ನ್ಯಾಚುರಲ್ ಬಾಂಡ್ ಆರ್ಬಿಟಲ್ (ಎನ್ಬಿಒ) ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ ಅಥವಾ ಆರೇನ್ಗೆ ಫಾಸ್ಫಾಲ್ಕೀನ್ನ ಇಂಟ್ರಾಮೋಲಿಕ್ಯುಲರ್ ಸೈಕ್ಲೋಅಡ್ಡಿಷನ್ಗಾಗಿ ನ್ಯಾಚುರಲ್ ಲೋಕಲೈಸ್ಡ್ ಮಾಲಿಕ್ಯುಲರ್ ಆರ್ಬಿಟಲ್ (ಎನ್ಎಲ್ಎಂಒ) ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ ಇದೇ ರೀತಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳ ನಿರ್ದಿಷ್ಟತೆಗಳ ಬಗ್ಗೆ ಒಳನೋಟವುಳ್ಳ ಫಲಿತಾಂಶಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. ಕ್ಲೈನ್ ಮತ್ತು ಕ್ನಿಜಿಯಾ ಓಪನ್-ಶೆಲ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ಪ್ರೋಟಾನ್-ಕಪಲ್ಡ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವರ್ಗಾವಣೆ (ಪಿಸಿಇಟಿ) ಮತ್ತು ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಪರಮಾಣು ವರ್ಗಾವಣೆ (ಎಚ್ಎಟಿ) ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಓಪನ್-ಶೆಲ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಗಾಗಿ ಬಳಸುವ ಐಬಿಒಗಳ ಮೊದಲ ಉದಾಹರಣೆಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿದವು. ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಆದರೆ ಸಂಯೋಜಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಪ್ರೋಟಾನ್ ವರ್ಗಾವಣೆಯಾದ ಪಿಸಿಇಟಿ ಮತ್ತು ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಪರಮಾಣುವಿನ ವರ್ಗಾವಣೆಯಾದ ಎಚ್ಎಟಿ ನಡುವಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ಕಿಣ್ವಕ ಫೆ-ಆಕ್ಸೊ ಸಕ್ರಿಯ ತಾಣಗಳ ಎರಡು ಉತ್ತಮ ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲಾದ ಮಾದರಿ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಿಗೆ ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ. ಐಆರ್ಸಿ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಐಬಿಒಗಳನ್ನು ಅನುಕ್ರಮವಾಗಿ ಆಲ್ಫಾ ಮತ್ತು ಬೀಟಾ ಸ್ಪಿನ್ ಮ್ಯಾನಿಫೋಲ್ಡ್ಗಾಗಿ ಲೆಕ್ಕಹಾಕಲಾಯಿತು. ಆಲ್ಫಾ ಸ್ಪಿನ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ನ ಐಬಿಒ ಪ್ರೋಟಾನ್ನೊಂದಿಗೆ ಒಟ್ಟಿಗೆ ಪ್ರಯಾಣಿಸಿ ಎಚ್ಎಟಿಯ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಹೊಸ ಎಚ್-ಒ ಬಂಧದ ರಚನೆಯಲ್ಲಿ ಭಾಗವಹಿಸುತ್ತದೆಯಾದರೂ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಅನ್ನು ಪಿಸಿಇಟಿಗಾಗಿ ವರ್ಗಾಯಿಸಲಾದ ಪ್ರೋಟಾನ್ನಿಂದ ಬೇರ್ಪಟ್ಟ ಫೆ-ಸೆಂಟರ್ಗೆ ವರ್ಗಾಯಿಸಲಾಯಿತು. ಓಪನ್-ಶೆಲ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳ ಈ ಎರಡು ಉದಾಹರಣೆಗಳಿಗೆ ಐಬಿಒ ವಿಧಾನದ ಯಶಸ್ವಿ ಅನ್ವಯವು ಇದೇ ರೀತಿಯ ಸಮಸ್ಯೆಗಳಿಗೆ ವಿಶಾಲವಾದ ಅನ್ವಯಗಳಿಗೆ ದಾರಿ ಮಾಡಿಕೊಡಲು ಸೂಚಿಸಲಾಗಿದೆ. ಸ್ಥಳೀಯ ಆಣ್ವಿಕ ಕಕ್ಷೆಗಳ ಉಲ್ಲೇಖಗಳನ್ನು ಸಹ ನೋಡಿ ವಿಕಿಪೀಡಿಯ ವಿದ್ಯಾರ್ಥಿ ಕಾರ್ಯಕ್ರಮ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ರಚನೆಯ ವಿಧಾನಗಳು