Convergent beam electron diffraction
ಕನ್ವರ್ಜೆಂಟ್ ಬೀಮ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವಿವರ್ತನೆಯು (ಸಿಬಿಇಡಿ) ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವಿವರ್ತನೆಯ ತಂತ್ರವಾಗಿದ್ದು, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಒಮ್ಮುಖ ಅಥವಾ ವಿಭಿನ್ನ ಕಿರಣವನ್ನು (ಶಂಕುವಿನಾಕಾರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣ) ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಿಬಿಇಡಿಯನ್ನು ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ 1939ರಲ್ಲಿ ಕೊಸೆಲ್ ಮತ್ತು ಮೊಲೆನ್ಸ್ಟೆಡ್ ಪರಿಚಯಿಸಿದರು. 1970 ರ ದಶಕದಲ್ಲಿ ಫೀಲ್ಡ್ ಎಮಿಷನ್ ಗನ್ (ಎಫ್ಇಜಿ), ಸ್ಕ್ಯಾನಿಂಗ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಮಿಷನ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ (ಎಸ್ಟಿಇಎಂ), ಎನರ್ಜಿ ಫಿಲ್ಟರಿಂಗ್ ಸಾಧನಗಳು ಮತ್ತು ಮುಂತಾದವುಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯು ಸಣ್ಣ ಪ್ರೋಬ್ ವ್ಯಾಸಗಳು ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ಒಮ್ಮುಖ ಕೋನಗಳನ್ನು ಸಾಧ್ಯವಾಗಿಸಿತು ಮತ್ತು ಇವೆಲ್ಲವೂ ಸಿಬಿಇಡಿಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಜನಪ್ರಿಯಗೊಳಿಸಿದವು. ಎಪ್ಪತ್ತರ ದಶಕದಲ್ಲಿ, ಗುಡ್ಮ್ಯಾನ್ ಮತ್ತು ಲೆಹಂಪ್ಫುಹ್ ಮತ್ತು ಬಕ್ಸ್ಟನ್ನಿಂದ ಬಿಂದು ಗುಂಪು ಮತ್ತು ಬಾಹ್ಯಾಕಾಶ ಗುಂಪಿನ ಸಮ್ಮಿತಿಗಳನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಲು ಸಿಬಿಇಡಿಯನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು ಮತ್ತು 1985ರಿಂದ ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿ, ಸಿಬಿಇಡಿಯನ್ನು ತನಾಕಾ ಮತ್ತು ಇತರರು ಬಳಸಿದರು. ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ರಚನೆಯನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು. ಅನ್ವಯಗಳು ಸಿ. ಬಿ. ಇ. ಡಿ. ಯನ್ನು ಬಳಸುವ ಮೂಲಕ, ಈ ಕೆಳಗಿನ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದುಃ ಸ್ಫಟಿಕ ಜಾಲರಿಯ ನಿಯತಾಂಕಗಳು, ಸ್ಟ್ಯಾಕಿಂಗ್ ದೋಷಗಳು, ಸ್ಥಳಾಂತರಗಳು, ಗ್ರೇನ್ ಬೌಂಡರಿಗಳು, ಮೂರು ಆಯಾಮದ ವಿರೂಪಗಳು, ಜಾಲರಿ ಸ್ಥಳಾಂತರಗಳು, ಸ್ಫಟಿಕ ಸಮ್ಮಿತಿ ಮಾಹಿತಿಯಂತಹ ಮಾದರಿ ದಪ್ಪದ ಒತ್ತಡ ವಿತರಣಾ ದೋಷಗಳು-ಸಿ. ಬಿ. ಇ. ಡಿ. ಡಿಸ್ಕ್ಗಳಲ್ಲಿ ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುವ ಸಮ್ಮಿತಿಗಳನ್ನು ನೋಡುವ ಮೂಲಕ, ಪಾಯಿಂಟ್ ಗ್ರೂಪ್ ಮತ್ತು ಸ್ಪೇಸ್ ಗ್ರೂಪ್ ನಿರ್ಣಯವನ್ನು ನಡೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಿ. ಬಿ. ಇ. ಡಿ. ಡಿಸ್ಕ್ಗಳ ನಿಯತಾಂಕ ಸ್ಥಾನಗಳು ಬ್ರಾಗ್ ಶಿಖರಗಳ ಸ್ಥಾನಗಳಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಸರಿಸುಮಾರು ಈ ಸಂಬಂಧದಿಂದ ನೀಡಲ್ಪಡುತ್ತವೆಃ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ಸಮತಲಗಳ ನಡುವಿನ ಅಂತರ ಎಲ್ಲಿದೆ, ಬ್ರಾಗ್ ಕೋನ, ಇದು ಒಂದು ಪೂರ್ಣಾಂಕವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇದು ಶೋಧಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ತರಂಗಾಂತರವಾಗಿದೆ. ಕಿರಣದ ಒಮ್ಮುಖದ ಅರೆ-ಕೋನವು C2 ದ್ಯುತಿರಂಧ್ರದಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ. ಪ್ರೋಬಿಂಗ್ ಬೀಮ್ ಕನ್ವರ್ಜೆನ್ಸ್ ಅರೆ-ಕೋನವು, ಮಿಲಿರಾಡಿಯನ್ಗಳ ಕ್ರಮವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು 0.1° ನಿಂದ 1° ವರೆಗೆ ಇರುತ್ತದೆ. ಸಣ್ಣ ಕನ್ವರ್ಜೆನ್ಸ್ ಅರೆ-ಕೋನಕ್ಕೆ, ಸಿಬಿಇಡಿ ಡಿಸ್ಕ್ಗಳು ಪರಸ್ಪರ ಅತಿಕ್ರಮಿಸುವುದಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ದೊಡ್ಡ ಅರೆ-ಕನ್ವರ್ಜೆನ್ಸ್ ಕೋನಗಳಿಗೆ, ಡಿಸ್ಕ್ಗಳು ಅತಿಕ್ರಮಿಸುತ್ತವೆ. ಸಿಬಿಇಡಿ ಡಿಸ್ಕ್ನ ವ್ಯಾಸವನ್ನು ಬೀಮ್ ಕನ್ವರ್ಜೆನ್ಸ್ ಅರೆ-ಕೋನದಿಂದ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆಃ ಡಿಫೋಕಸ್ಃ ಪ್ರೋಬಿಂಗ್ ಬೀಮ್ನ ಕ್ರಾಸ್ಒವರ್ ಮತ್ತು ಮಾದರಿಯ ಸ್ಥಾನದ ನಡುವಿನ ಅಂತರವನ್ನು ಡಿಫೋಕಸ್ ದೂರ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮಾದರಿಯನ್ನು ಅಕ್ಷದ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಚಲಿಸಬಹುದು. ಡಿಫೋಕಸ್ ದೂರದಲ್ಲಿ, ನೇರ ಸ್ಥಳ ಮತ್ತು ಪರಸ್ಪರ ಸ್ಥಳ ಮಾಹಿತಿ ಎರಡೂ ಸಿಬಿಇಡಿ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ ಗೋಚರಿಸುತ್ತವೆ. ಸಂಬಂಧಿತ ತಂತ್ರಗಳು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ (ಸಿ) ಟಿಇಎಂ-ಸಿಬಿಇಡಿಃ ಸಿಟಿಇಎಂ-ಸಿಬಿಇಡಿಯಲ್ಲಿ ವಿವಿಧ ಆಕಾರದ ಕಂಡೆನ್ಸರ್ ದ್ಯುತಿರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ಇಡೀ ಬ್ರಿಲ್ಲೋಯಿನ್ ವಲಯದಲ್ಲಿ ತೀವ್ರತೆಯ ವಿತರಣೆಯನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಲಾರ್ಜ್ ಆಂಗಲ್ (ಎಲ್ಎ) ಸಿಬಿಇಡಿಃ (ಎಲ್ಎ) ಸಿಬಿಇಡಿಯನ್ನು 1° ನಿಂದ 10° ವರೆಗಿನ ದೊಡ್ಡ ಆಪಾದಿತ ಕೋನದೊಂದಿಗೆ ನಡೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎಲ್. ಎ. ಸಿ. ಬಿ. ಇ. ಡಿ. ಯು ಬ್ರ್ಯಾಗ್ ಕೋನದಿಂದ ನಿರ್ಧರಿಸಲಾದ ಡಿಸ್ಕ್ಗಿಂತ ದೊಡ್ಡ ವ್ಯಾಸವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಅತಿಕ್ರಮಿಸದ ಡಿಸ್ಕ್ಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗಿಸುತ್ತದೆ. ಲ್ಯಾಕ್ಬೆಡ್ನೊಂದಿಗೆ, ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ನಲ್ಲಿ ಒಂದು ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಆಯ್ದ ಒಂದು ಸಿಬಿಇಡಿ ಡಿಸ್ಕ್ ಅನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದು. ಲ್ಯಾಕ್ಬೆಡ್ II ರಲ್ಲಿ, ಮಧ್ಯಂತರ ಮಸೂರದ ಕೇಂದ್ರೀಕರಿಸುವ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ಸ್ವಲ್ಪ ಬದಲಾವಣೆಯೊಂದಿಗೆ, ಪ್ರಕಾಶಮಾನವಾದ ಕ್ಷೇತ್ರ ಮಾದರಿಗಳು ಮತ್ತು ಡಾರ್ಕ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಪಡೆಯಬಹುದು, ಪ್ರತಿದೀಪಕ ಪರದೆಯ ಮೇಲೆ ಪರಸ್ಪರ ಅತಿಕ್ರಮಿಸದೆ. ಎಲ್. ಎ. ಸಿ. ಬಿ. ಇ. ಡಿ. ಯ ಒಂದು ಅನನುಕೂಲವೆಂದರೆ ಇದಕ್ಕೆ ದೊಡ್ಡದಾದ, ಸಮತಟ್ಟಾದ ಮಾದರಿಯ ಅಗತ್ಯವಿದೆ. 4ಡಿ-ಸ್ಟೆಮ್ಃ 4ಡಿ-ಸ್ಟೆಮ್ನಲ್ಲಿ ಒಮ್ಮುಖ ಶೋಧಕ ಕಿರಣವನ್ನು 2ಡಿ ಶ್ರೇಣಿಯಲ್ಲಿ ಮಾದರಿಯ ಮೇಲೆ ರಾಸ್ಟರ್-ಸ್ಕ್ಯಾನ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ರಚನೆಯ ಪ್ರತಿಯೊಂದು ಸ್ಥಾನದಲ್ಲೂ, 2ಡಿ ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಪಡೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಹೀಗಾಗಿ 4ಡಿ ದತ್ತಾಂಶ ಗುಂಪನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸ್ವಾಧೀನಪಡಿಸಿಕೊಂಡ ನಂತರ, ಪಿಟಿಚೋಗ್ರಫಿಯಂತಹ ವಿವಿಧ ಹಂತದ ತಂತ್ರಗಳನ್ನು ಬಳಸುವ ಮೂಲಕ, ಪ್ರಸರಣ ಕಾರ್ಯ ಮತ್ತು ಪ್ರೇರಿತ ಹಂತದ ಬದಲಾವಣೆಯನ್ನು ಮರುಪಡೆಯಬಹುದು. ಕೆಲವು ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ, 4D-STEM ಅನ್ನು STEM-CBED ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಬೀಮ್ ರಾಕಿಂಗ್ (ಬಿಆರ್)-ಸಿಬಿಇಡಿಃ ಈ ತಂತ್ರದೊಂದಿಗೆ, ಮಾದರಿಯ ಮೇಲೆ ಇರಿಸಲಾಗಿರುವ ರಾಕಿಂಗ್ ಸುರುಳಿಯೊಂದಿಗೆ ಇನ್ಸಿಡೆಂಟ್ ಕಿರಣವನ್ನು ರಾಕಿಂಗ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ, ವರ್ಚುವಲ್ ಕನ್ವರ್ಜೆಂಟ್ ಕಿರಣವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮಾದರಿಯ ಮೇಲಿನ ಕಿರಣದ ವ್ಯಾಸವು ಕೆಲವು ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ಗಳಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಈ ವಿಧಾನವು ಬಲವಾದ ಒಮ್ಮುಖ ಕಿರಣಗಳಿಗೆ ಒಳಗಾಗುವ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಸಿಬಿಇಡಿಯನ್ನು ಸಾಧ್ಯವಾಗಿಸಿದೆ. ಇದಲ್ಲದೆ, ಪ್ರಕಾಶಮಾನವಾದ ಮಾದರಿ ಪ್ರದೇಶದ ದೊಡ್ಡ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಕಿರಣದ ಕಡಿಮೆ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಪ್ರವಾಹವು ಮಾದರಿ ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ಅತ್ಯಲ್ಪವಾಗಿಸುತ್ತದೆ. ಬಿಆರ್-ಲ್ಯಾಕ್ಬೆಡ್ಃ ಈ ತಂತ್ರದಲ್ಲಿ, ಮಾದರಿಯ ಮೇಲಿರುವ ರಾಕಿಂಗ್ ಸುರುಳಿಯ ಜೊತೆಗೆ, ಪ್ರೊಜೆಕ್ಟರ್ ಮಸೂರದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ರಾಕಿಂಗ್ ಸುರುಳಿಯನ್ನು ಇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ಆದ್ಯತೆಯ ಕಿರಣವನ್ನು ಎಸ್ಟಿಇಎಂ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ಗೆ ತರಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರತಿ ಬಾರಿ ಆಪಾದಿತ ಕಿರಣವನ್ನು ಅಲುಗಾಡಿಸಿದಾಗ, ಎರಡನೇ ಸುರುಳಿಯನ್ನು ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಓಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಕಿರಣವು ಯಾವಾಗಲೂ ಎಸ್ಟಿಇಎಂ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ನ ಮೇಲೆ ಬೀಳುತ್ತದೆ. ಸಿಗ್ನಲ್ ಪ್ರೊಸೆಸಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಬಿಆರ್-ಸಿಬಿಇಡಿಃ ಬಿಆರ್-ಸಿಬಿಇಡಿಯಲ್ಲಿ ಕಾಂಟ್ರಾಸ್ಟ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಸಲುವಾಗಿ, ಸಿಬಿಇಡಿ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಆವರ್ತನ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅನ್ನು ಫಿಲ್ಟರ್ ಮಾಡುವ ಬ್ಯಾಂಡ್-ಪಾಸ್ ಫಿಲ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಈ ಎರಡು ತಂತ್ರಗಳ ಸಂಯೋಜನೆಯು ಮಾದರಿಗಳಲ್ಲಿ ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುವ ಸಮ್ಮಿತಿಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಸಿಬಿ-ಲೀಡ್ (ಲೋ ಎನರ್ಜಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಡಿಫ್ರ್ಯಾಕ್ಷನ್): ರಾಕಿಂಗ್ ವಕ್ರಾಕೃತಿಗಳನ್ನು ಒಮ್ಮುಖ ಶೋಧಕವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಒಂದೇ ಶಕ್ತಿಯಲ್ಲಿ ವಿಶ್ಲೇಷಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ವಿಧಾನದ ಪ್ರಯೋಜನಗಳೆಂದರೆಃ LEED ವಿವರ್ತನ ತಾಣಗಳನ್ನು CBLEED ಡಿಸ್ಕ್ಗಳಾಗಿ ಮ್ಯಾಪಿಂಗ್ ಮಾಡುವುದು, ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾದರಿಗಳು ಮಾದರಿಯ ಸ್ಥಳೀಯ ಪ್ರದೇಶದಿಂದ ಹುಟ್ಟಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ, ಇದು ಸ್ಥಳೀಯ ರಚನಾತ್ಮಕ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಹೊರತೆಗೆಯಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ, ಮೇಲ್ಮೈಗಳಿಂದ ಮ್ಯಾಪಿಂಗ್ ಮಾಡುವುದು, ಸಣ್ಣ ಪರಮಾಣು ಸ್ಥಳಾಂತರಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವುದು ಇತ್ಯಾದಿ. ಮುದ್ರಣಕಲೆಯು ನಿರ್ಗಮನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ತರಂಗದ ಹಂತವನ್ನು ಚೇತರಿಸಿಕೊಳ್ಳುವ ಒಂದು ತಂತ್ರವಾಗಿದೆ. ಪುನರಾವರ್ತಿತ ಹಂತದ ಮರುಪಡೆಯುವಿಕೆ ಅಲ್ಗಾರಿದಮ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ಪುನರ್ನಿರ್ಮಾಣವನ್ನು ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಹಂತ ಮತ್ತು ವೈಶಾಲ್ಯದ ಮಾಹಿತಿಯೊಂದಿಗೆ ನೈಜ-ಬಾಹ್ಯಾಕಾಶ ಚಿತ್ರವನ್ನು ಹಿಂದಿರುಗಿಸುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪಿಟಿಚೋಗ್ರಫಿಯನ್ನು ಬಳಸುವ ಮೂಲಕ, 2018 ರಲ್ಲಿ, 0.39 Å ಪರಮಾಣು ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಹೊಂದಿರುವ ಎಂಒಎಸ್ 2 ಚಿತ್ರಗಳನ್ನು ಜಿಯಾಂಗ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ವರದಿ ಮಾಡಿದ್ದಾರೆ. ಇದು ಅತ್ಯಧಿಕ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಕದ ಹೊಸ ವಿಶ್ವ ದಾಖಲೆಯನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿತು. ಮೈಕ್ರೊಡಿಫ್ರಾಕ್ಷನ್, ನ್ಯಾನೊಡಿಫ್ರಾಕ್ಷನ್ಃ ಸಾಹಿತ್ಯದಲ್ಲಿ, ಒಮ್ಮುಖ ಕಿರಣದಿಂದ ಪಡೆದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಲು ಹಲವಾರು ಪದಗಳನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅಂತಹ ಪದಗಳೆಂದರೆ ಸಿಬಿಇಡಿ, ಮೈಕ್ರೋಡಿಫ್ರಾಕ್ಷನ್, ನ್ಯಾನೊಡಿಫ್ರಾಕ್ಷನ್ ಇತ್ಯಾದಿ. ಸಿಬಿಇಡಿ ತಂತ್ರವನ್ನು ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಇಂಟರ್ಪ್ಲಾನರ್ ಅಂತರದಂತಹ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಬಹಳ ಸಣ್ಣ ಪ್ರದೇಶಗಳಿಂದ ಪಡೆಯಲು ಬಳಸಿದಾಗ, ಮೈಕ್ರೋಡಿಫ್ರಾಕ್ಷನ್ ಎಂಬ ಪದವನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮತ್ತೊಂದೆಡೆ, ನ್ಯಾನೊಡಿಫ್ರಾಕ್ಷನ್ ಎಂಬ ಪದವನ್ನು ಬಹಳ ಸಣ್ಣ ಶೋಧಕಗಳನ್ನು (<1 ಎನ್ಎಂ ಅಥವಾ ಅದಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ವ್ಯಾಸ) ಬಳಸಿದಾಗ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಿಬಿಇಡಿಯ ಪ್ರಯೋಜನಗಳು ಮತ್ತು ಅನಾನುಕೂಲಗಳು ಪ್ರೋಬಿಂಗ್ ಒಮ್ಮುಖ ಕಿರಣದ ವ್ಯಾಸವು ಸಮಾನಾಂತರ ಕಿರಣಕ್ಕಿಂತ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಸಿಬಿಇಡಿ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿನ ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಬಹಳ ಸಣ್ಣ ಪ್ರದೇಶಗಳಿಂದ ಪಡೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ಇತರ ವಿಧಾನಗಳು ತಲುಪಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಸಮಾನಾಂತರ ಕಿರಣದ ಬೆಳಕನ್ನು ಬಳಸುವ ಆಯ್ದ ಪ್ರದೇಶ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವಿವರ್ತನೆಯಲ್ಲಿ (ಎಸ್. ಎ. ಇ. ಡಿ.), 100 ಕೆ. ವಿ. ಯಲ್ಲಿ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬಹುದಾದ ಚಿಕ್ಕ ಪ್ರದೇಶವು 0.5 ಮೈಕ್ರೋ ಮೀಟರ್ ಆಗಿದ್ದರೆ, ಸಿ. ಬಿ. ಇ. ಡಿ. ಯಲ್ಲಿ 100 ಎನ್. ಎಂ. ಗಿಂತ ಚಿಕ್ಕ ಪ್ರದೇಶಗಳಿಗೆ ಹೋಗಲು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ. ಅಲ್ಲದೆ, ಸಿ. ಬಿ. ಇ. ಡಿ ಮಾದರಿಯು ಪಡೆಯುವ ಮಾಹಿತಿಯ ಪ್ರಮಾಣವು ಎಸ್. ಇ. ಇ. ಡಿ ಮಾದರಿಯು ಪಡೆಯುವ ಮಾಹಿತಿಗಿಂತ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಸಿಬಿಇಡಿ ತನ್ನದೇ ಆದ ಅನಾನುಕೂಲತೆಗಳನ್ನು ಸಹ ಹೊಂದಿದೆ. ಕೇಂದ್ರೀಕೃತ ಶೋಧಕವು ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡಬಹುದು, ಇದು ಸ್ಥಳೀಯ ಒತ್ತಡಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು. ಆದರೆ ಇದು ಹಿಂದೆ ಹೆಚ್ಚು ಸಮಸ್ಯೆಯಾಗಿತ್ತು, ಮತ್ತು ಈಗ, ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ವಾತ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳೊಂದಿಗೆ, ಮಾದರಿಯ ಸ್ವಚ್ಛ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ನಿಮಿಷಗಳಿಂದ ಗಂಟೆಗಳವರೆಗೆ ತನಿಖೆ ಮಾಡಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ. ಮತ್ತೊಂದು ಅನನುಕೂಲವೆಂದರೆ ಒಮ್ಮುಖ ಕಿರಣವು ಮಾದರಿಯ ಆಯ್ದ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಬಿಸಿ ಮಾಡಬಹುದು ಅಥವಾ ಹಾನಿಗೊಳಿಸಬಹುದು. 1939ರಿಂದ, ಸಿಬಿಇಡಿಯನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ದಪ್ಪ ಪದಾರ್ಥಗಳನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ. ಇತ್ತೀಚೆಗೆ, ಗ್ರ್ಯಾಫೀನ್ ಮತ್ತು ಇತರ 2ಡಿ ಮೊನೊಲೇಯರ್ ಸ್ಫಟಿಕಗಳು ಮತ್ತು ವ್ಯಾನ್ ಡೆರ್ ವಾಲ್ಸ್ ರಚನೆಗಳನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಸಿಬಿಇಡಿಯನ್ನು 2ಡಿ ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಮೇಲೆ ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗಿದೆ. 2ಡಿ ಸ್ಫಟಿಕಗಳಿಗೆ, ಸಿಬಿಇಡಿ ಮಾದರಿಗಳ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ಸರಳೀಕರಿಸಲಾಗಿದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಸಿಬಿಇಡಿ ಡಿಸ್ಕ್ನಲ್ಲಿನ ತೀವ್ರತೆಯ ವಿತರಣೆಯು ಸ್ಫಟಿಕದಲ್ಲಿನ ಪರಮಾಣು ಜೋಡಣೆಗೆ ನೇರವಾಗಿ ಸಂಬಂಧಿಸಿದೆ. ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ನಲ್ಲಿನ ವಿರೂಪಗಳನ್ನು ಮರುಪಡೆಯಲಾಗಿದೆ, ದ್ವಿ ಪದರದ ಸ್ಫಟಿಕದ ಅಂತರವನ್ನು ಪುನರ್ನಿರ್ಮಿಸಲಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಹೀಗೆ, ಸಿಬಿಇಡಿ ಬಳಸಿ. ಸಾಂದ್ರೀಕೃತ ವಸ್ತುವಿನ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ ಮಾಪನ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯ ತಂತ್ರಗಳು ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರ ವಿವರ್ತನ