Programmable ROM
একটি প্রোগ্রামেবল রিড-অনলি মেমোরি (পি. আর. ও. এম) হল ডিজিটাল মেমরির একটি রূপ যেখানে যন্ত্রটি তৈরির পরে একবার বিষয়বস্তু পরিবর্তন করা যেতে পারে। ডেটা তখন স্থায়ী হয় এবং পরিবর্তন করা যায় না। এটি এক ধরনের রিড-অনলি মেমোরি (রম)। পি. আর. এম.-গুলি ডিজিটাল ইলেকট্রনিক ডিভাইসে স্থায়ী তথ্য সংরক্ষণ করতে ব্যবহৃত হয়, সাধারণত নিম্ন স্তরের প্রোগ্রাম যেমন ফার্মওয়্যার বা মাইক্রোকোড। একটি স্ট্যান্ডার্ড রম থেকে মূল পার্থক্য হল যে তথ্যগুলি তৈরির সময় একটি রম-এ লেখা হয়, যখন একটি পি. আর. ও. এম-এর সাহায্যে তথ্যগুলি তৈরির পরে সেগুলিতে প্রোগ্রাম করা হয়। সুতরাং, রমগুলি শুধুমাত্র ভাল-যাচাইকৃত তথ্য সহ বড় উৎপাদন চালানোর জন্য ব্যবহার করা হয়। যেখানে প্রয়োজনীয় ভলিউম একটি ফ্যাক্টরি-প্রোগ্রামযুক্ত রমকে সাশ্রয়ী করে না, বা এমন একটি সিস্টেমের বিকাশের সময় যেখানে পি. আর. এম ব্যবহার করা যেতে পারে যা শেষ পর্যন্ত একটি গণ উত্পাদিত সংস্করণে রমগুলিতে রূপান্তরিত হতে পারে। পিআরওএমগুলি ফাঁকা তৈরি করা হয় এবং প্রযুক্তির উপর নির্ভর করে ওয়েফার, চূড়ান্ত পরীক্ষা বা সিস্টেমে প্রোগ্রাম করা যেতে পারে। ফাঁকা PROM চিপগুলি PROM প্রোগ্রামার নামে একটি ডিভাইসে প্লাগ করে প্রোগ্রাম করা হয়। কোম্পানিগুলি স্টকে ফাঁকা পি. আর. ও. এম-এর সরবরাহ রাখতে পারে এবং বড় পরিমাণের প্রতিশ্রুতি এড়াতে শেষ মুহূর্তে সেগুলি প্রোগ্রাম করতে পারে। এই ধরনের স্মৃতিগুলি প্রায়শই মাইক্রোকন্ট্রোলার, ভিডিও গেম কনসোল, মোবাইল ফোন, রেডিও-ফ্রিকোয়েন্সি আইডেন্টিফিকেশন (আরএফআইডি) ট্যাগ, ইমপ্লান্টেবল মেডিকেল ডিভাইস, হাই-ডেফিনিশন মাল্টিমিডিয়া ইন্টারফেস (এইচডিএমআই) এবং অন্যান্য অনেক ভোক্তা এবং স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্স পণ্যগুলিতে ব্যবহৃত হয়। নিউইয়র্কের গার্ডেন সিটিতে আমেরিকান বশ আরমা কর্পোরেশনের আরমা বিভাগের জন্য কাজ করা ওয়েন সিং চাউ 1956 সালে পিআরওএম আবিষ্কার করেছিলেন। মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রের বিমান বাহিনীর অনুরোধে অ্যাটলাস ই/এফ আই. সি. বি. এম-এর বায়ুবাহিত ডিজিটাল কম্পিউটারে লক্ষ্যবস্তু ধ্রুবক সংরক্ষণের আরও নমনীয় এবং নিরাপদ উপায় নিয়ে আসার জন্য এই আবিষ্কারটি কল্পনা করা হয়েছিল। পেটেন্ট এবং সংশ্লিষ্ট প্রযুক্তিটি বেশ কয়েক বছর ধরে গোপনীয়তার আদেশের অধীনে রাখা হয়েছিল যখন অ্যাটলাস ই/এফ মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রের আইসিবিএম বাহিনীর প্রধান কার্যকরী ক্ষেপণাস্ত্র ছিল। বার্ন শব্দটি, একটি পি. আর. ও. এম প্রোগ্রামিং প্রক্রিয়ার উল্লেখ করে, মূল পেটেন্টেও রয়েছে, কারণ মূল প্রয়োগগুলির মধ্যে একটি ছিল আক্ষরিক অর্থে একটি সার্কিট বিচ্ছিন্নতা তৈরি করতে বর্তমান ওভারলোডের সাথে ডায়োডের অভ্যন্তরীণ গোঁফ পোড়ানো। প্রথম পিআরওএম প্রোগ্রামিং মেশিনগুলিও চাউ-এর নির্দেশনায় আরমা ইঞ্জিনিয়ারদের দ্বারা তৈরি করা হয়েছিল এবং আরমার গার্ডেন সিটি ল্যাব এবং এয়ার ফোর্স স্ট্র্যাটেজিক এয়ার কমান্ড (এস. এ. সি) সদর দফতরে অবস্থিত ছিল। ওয়ান টাইম প্রোগ্রামেবল মেমোরি ওটিপি (ওয়ান টাইম প্রোগ্রামেবল) মেমোরি হল একটি বিশেষ ধরনের অ-উদ্বায়ী মেমোরি (এনভিএম) যা ডেটাকে শুধুমাত্র একবার মেমরিতে লেখার অনুমতি দেয়। একবার মেমোরি প্রোগ্রাম হয়ে গেলে, এটি শক্তি হারানোর পরে তার মান ধরে রাখে (অর্থাৎ, অ-উদ্বায়ী)। ওটিপি মেমোরি এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয় যেখানে নির্ভরযোগ্য এবং পুনরাবৃত্তিযোগ্য ডেটা পড়ার প্রয়োজন হয়। উদাহরণগুলির মধ্যে রয়েছে বুট কোড, এনক্রিপশন কী এবং এনালগ, সেন্সর বা ডিসপ্লে সার্কিট্রির জন্য কনফিগারেশন প্যারামিটার। ওটিপি এনভিএম অন্যান্য ধরনের এনভিএম যেমন ইফিউজ বা ইইপ্রোমের তুলনায় কম শক্তি, ছোট এলাকার পদচিহ্ন মেমরি কাঠামো প্রদান করে চিহ্নিত করা হয়। যেমন ওটিপি মেমরি মাইক্রোপ্রসেসর এবং ডিসপ্লে ড্রাইভার থেকে পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট আইসি (পিএমআইসি) পর্যন্ত পণ্যগুলিতে প্রয়োগ খুঁজে পায়। বাণিজ্যিকভাবে উপলব্ধ সেমিকন্ডাক্টর অ্যান্টিফিউজ-ভিত্তিক ওটিপি মেমরি অ্যারে কমপক্ষে 1969 সাল থেকে রয়েছে, প্রাথমিক অ্যান্টিফিউজ বিট কোষগুলি পরিবাহী রেখা অতিক্রম করার মধ্যে একটি ক্যাপাসিটর ফুঁকানোর উপর নির্ভরশীল। টেক্সাস ইন্সট্রুমেন্টস 1979 সালে একটি এম. ও. এস গেট অক্সাইড ব্রেকডাউন অ্যান্টিফিউজ তৈরি করে। 1982 সালে একটি ডুয়াল-গেট-অক্সাইড টু-ট্রানজিস্টর (2টি) এম. ও. এস অ্যান্টিফিউজ চালু করা হয়। প্রাথমিক অক্সাইড ভাঙ্গন প্রযুক্তিগুলি বিভিন্ন স্কেলিং, প্রোগ্রামিং, আকার এবং উত্পাদন সমস্যা প্রদর্শন করেছিল যা এই প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে মেমরি ডিভাইসগুলির ভলিউম উৎপাদনকে বাধা দেয়। ওয়ান-টাইম প্রোগ্রামেবল মেমোরি ডিভাইসের আরেকটি রূপ অতিবেগুনী-অপসারণযোগ্য প্রোগ্রামেবল রিড-অনলি মেমোরি (ইউভি-ইপ্রোম) হিসাবে একই অর্ধপরিবাহী চিপ ব্যবহার করে, তবে সমাপ্ত ডিভাইসটি মুছে ফেলার জন্য প্রয়োজনীয় স্বচ্ছ কোয়ার্টজ উইন্ডো সহ ব্যয়বহুল সিরামিক প্যাকেজের পরিবর্তে একটি অস্বচ্ছ প্যাকেজে রাখা হয়। এই যন্ত্রগুলি ইউভি ইপ্রোম যন্ত্রাংশগুলির মতো একই পদ্ধতিতে প্রোগ্রাম করা হয় তবে এগুলি কম ব্যয়বহুল। এমবেডেড কন্ট্রোলারগুলি ফিল্ড-ইরেজেবল এবং ওয়ান-টাইম উভয় শৈলীতে পাওয়া যেতে পারে, যা ফ্যাক্টরি-প্রোগ্রামযুক্ত মাস্ক রম চিপগুলির ব্যয় এবং সীসা সময় ছাড়াই ভলিউম উত্পাদনে ব্যয় সাশ্রয়ের অনুমতি দেয়। যদিও কয়েক দশক ধরে অ্যান্টিফিউজ-ভিত্তিক পি. আর. ও. এম পাওয়া যায়, 2001 সাল পর্যন্ত এটি স্ট্যান্ডার্ড সি. এম. ও. এস-এ উপলব্ধ ছিল না, যখন কিলোপাস টেকনোলজি ইনকর্পোরেটেড একটি স্ট্যান্ডার্ড সি. এম. ও. এস প্রক্রিয়া ব্যবহার করে 1টি, 2টি এবং 3.5টি অ্যান্টিফিউজ বিট সেল প্রযুক্তির পেটেন্ট করে, যা লজিক সি. এম. ও. এস চিপগুলিতে পি. আর. ও. এম-এর সংহতকরণ সক্ষম করে। প্রথম প্রক্রিয়া নোড অ্যান্টিফিউজটি স্ট্যান্ডার্ড সিএমওএস-এ প্রয়োগ করা যেতে পারে 0.18 ইউএম। যেহেতু গেট অক্সাইড ভাঙ্গন জংশন ভাঙ্গনের চেয়ে কম, তাই অ্যান্টিফিউজ প্রোগ্রামিং উপাদান তৈরি করার জন্য বিশেষ বিস্তার পদক্ষেপের প্রয়োজন ছিল না। 2005 সালে, সিডেন্স একটি বিভক্ত চ্যানেল অ্যান্টিফিউজ ডিভাইস চালু করেছিল। এই বিভক্ত চ্যানেল বিট কোষটি পুরু (আইও) এবং পাতলা (গেট) অক্সাইড যন্ত্রগুলিকে একটি সাধারণ পলিসিলিকন গেটের সাথে একটি ট্রানজিস্টরে (1টি) একত্রিত করে। প্রোগ্রামিং একটি সাধারণ পি. আর. ও. এম সমস্ত বিটের সাথে "1" হিসাবে পড়ে। প্রোগ্রামিংয়ের সময় একটি ফিউজ বিট পোড়ানোর ফলে ফিউজগুলিকে "ফুঁকিয়ে" বিটটিকে "0" হিসাবে পড়া হয়, যা একটি অপরিবর্তনীয় প্রক্রিয়া। কিছু যন্ত্র "পুনঃপ্রোগ্রাম" করা যেতে পারে যদি নতুন তথ্য "1"-কে "0"-এর সাথে প্রতিস্থাপন করে। কিছু সিপিইউ নির্দেশ সেট (যেমন। 6502) '00' এর অপারেশন কোড দিয়ে একটি বিরতি (বিআরকে) নির্দেশ সংজ্ঞায়িত করে এর সুযোগ নিয়েছিল। যেখানে কোনও ভুল নির্দেশ ছিল, সেখানে এটি একটি বিআরকে-তে "পুনঃপ্রোগ্রাম" করা যেতে পারে যার ফলে সিপিইউ একটি প্যাচে নিয়ন্ত্রণ স্থানান্তর করতে পারে। এটি সঠিক নির্দেশ কার্যকর করবে এবং বি. আর. কে-র পরে নির্দেশে ফিরে আসবে। গেট এবং সাবস্ট্রেটের মধ্যে অক্সাইড ভেঙে ফেলার জন্য পাতলা অক্সাইড ট্রানজিস্টরের গেট এবং সাবস্ট্রেট (2 এনএম পুরু অক্সাইডের জন্য প্রায় 6 ভি, বা 30 এমভি/সেমি) জুড়ে স্বাভাবিক ক্রিয়াকলাপের সময় সম্মুখীন না হওয়া উচ্চ-ভোল্টেজ পালস প্রয়োগ করে বিট কোষটি প্রোগ্রাম করা হয়। ট্রানজিস্টরের গেটের ধনাত্মক ভোল্টেজ গেটের নীচের স্তরটিতে একটি বিপরীতমুখী চ্যানেল তৈরি করে, যার ফলে অক্সাইডের মধ্য দিয়ে একটি টানেলিং বিদ্যুৎ প্রবাহিত হয়। বিদ্যুৎ অক্সাইডে অতিরিক্ত ফাঁদ তৈরি করে, অক্সাইডের মাধ্যমে বিদ্যুৎ বৃদ্ধি করে এবং শেষ পর্যন্ত অক্সাইড গলে যায় এবং গেট থেকে সাবস্ট্রেটে একটি পরিবাহী চ্যানেল তৈরি করে। পরিবাহী চ্যানেল গঠনের জন্য প্রয়োজনীয় বিদ্যুৎ প্রায় 100মিউএ/100এনএম এবং ভাঙ্গন প্রায় 100মিউ বা তারও কম সময়ে ঘটে। আরও দেখুন ইন্টেল এইচইএক্স রেফারেন্স রেফারেন্স 1977 ইন্টেল মেমোরি ডিজাইন হ্যান্ডবুক-archive.org ইন্টেল পিআরওএম ডেটাশিট-intel-vintage.info মার্কিন পেটেন্ট অফিসে মার্কিন "সুইচ ম্যাট্রিক্স" পেটেন্ট #3028659 দেখুন বা গুগল ভিউ কিলোপাস টেকনোলজি পেটেন্ট মার্কিন "একক ট্রানজিস্টর ব্যবহার করে উচ্চ ঘনত্ব অর্ধপরিবাহী মেমরি সেল এবং মেমরি অ্যারে এবং পরিবর্তনশীল গেট অক্সাইড ভাঙ্গন রয়েছে" মার্কিন পেটেন্ট অফিসে পেটেন্ট #6940751 বা গুগল ভিউ সিডেন্স মার্কিন পেটেন্ট অফিসে পেটেন্ট <আইডি6 "স্প্লিট চ্যানেল অ্যান্টিফিউজ অ্যারে আর্কিটেকচার" পেটেন্ট মার্কিন পেটেন্ট অফিসে পেটেন্ট বা গুগল ভিউ মার্কিন "অর্ধপরিবাহী ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরির পদ্ধতি" মার্কিন পেটেন্ট অফিসে পেটেন্ট #3634929 (2008)। "এফ. পি. জি. এ স্থাপত্যের জন্য নতুন অ-উদ্বায়ী স্মৃতি কাঠামো" সুবিধা ও অসুবিধাগুলির জন্য, রামমূর্তি, জিঃ "ডেটা কোয়েস্ট ইনসাইটঃ অ-উদ্বায়ী স্মৃতি আই. পি. বাজার, ওয়ার্ল্ডওয়াইড, <আই. ডি1>", পৃষ্ঠা 10 দেখুন। গার্টনার, 2009 আরও দেখুন EPROM EEPROM বাহ্যিক লিঙ্কগুলি 1970-এর দশকের PROM চিপের ভিতরে তাকিয়ে যা মাইক্রোস্কোপিক ফিউজে ডেটা সঞ্চয় করে-256x4 MMI 5300 PROM অ-উদ্বায়ী মেমরি কম্পিউটার মেমরি 1956 সালে মার্কিন উদ্ভাবন