CMOS
পরিপূরক ধাতু-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী (সি. এম. ও. এস, উচ্চারিত "সমুদ্র-শসা",) হল এক ধরনের ধাতু-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী ক্ষেত্র-প্রভাব ট্রানজিস্টর (এম. ও. এস. এফ. ই. টি) জালিয়াতি প্রক্রিয়া যা লজিক ফাংশনের জন্য পি-টাইপ এবং এন-টাইপ এম. ও. এস. এফ. ই. টি-এর পরিপূরক এবং প্রতিসম জোড়া ব্যবহার করে। সি. এম. ও. এস প্রযুক্তি মাইক্রোপ্রসেসর, মাইক্রোকন্ট্রোলার, মেমোরি চিপ (সি. এম. ও. এস বি. আই. ও. এস সহ) এবং অন্যান্য ডিজিটাল লজিক সার্কিট সহ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (আই. সি) চিপ নির্মাণের জন্য ব্যবহৃত হয়। সি. এম. ও. এস প্রযুক্তি এনালগ সার্কিট যেমন ইমেজ সেন্সর (সি. এম. ও. এস সেন্সর), ডেটা কনভার্টার, আর. এফ সার্কিট (আর. এফ সি. এম. ও. এস) এবং বিভিন্ন ধরনের যোগাযোগের জন্য অত্যন্ত সমন্বিত ট্রান্সসিভারের জন্যও ব্যবহৃত হয়। সি. এম. ও. এস প্রক্রিয়াটি মূলত ফেয়ারচাইল্ড সেমিকন্ডাক্টরে ফ্রাঙ্ক ওয়ানলাস দ্বারা ধারণা করা হয়েছিল এবং 1963 সালে আন্তর্জাতিক সলিড-স্টেট সার্কিট কনফারেন্সে ওয়ানলাস এবং চিহ-তাং সাহ দ্বারা উপস্থাপিত হয়েছিল। ওয়ানলাস পরে সিএমওএস সার্কিট্রির জন্য মার্কিন পেটেন্ট দায়ের করে এবং 1967 সালে এটি মঞ্জুর করা হয়. 1960-এর দশকের শেষের দিকে "সিওএস-এমওএস" ট্রেডমার্কের সাথে প্রযুক্তিটি বাণিজ্যিকীকরণ করে, অন্যান্য নির্মাতাদের অন্য নাম খুঁজে পেতে বাধ্য করে, যার ফলে 1970-এর দশকের গোড়ার দিকে "সিএমওএস" প্রযুক্তির মানক নাম হয়ে ওঠে। সি. এম. ও. এস 1980-এর দশকে খুব বড় আকারের ইন্টিগ্রেশন (ভি. এল. এস. আই) চিপগুলির জন্য প্রভাবশালী এম. ও. এস. এফ. ই. টি ফ্যাব্রিকেশন প্রক্রিয়া হিসাবে এন. এম. ও. এস যুক্তিকে ছাড়িয়ে যায়, যা পূর্ববর্তী ট্রানজিস্টর-ট্রানজিস্টর লজিক (টি. টি. এল) প্রযুক্তিকেও প্রতিস্থাপন করে। তারপর থেকে ভি. এল. এস. আই চিপগুলিতে এম. ও. এস. এফ. ই. টি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির জন্য সি. এম. ও. এস আদর্শ মনগড়া প্রক্রিয়া হিসাবে রয়ে গেছে। সি. এম. ও. এস প্রযুক্তি ব্যবহার করে বেশিরভাগ ডিজিটাল, এনালগ এবং মিশ্র-সিগন্যাল আই. সি সহ 99 শতাংশ আই. সি চিপ তৈরি করা হয়েছিল। সি. এম. ও. এস যন্ত্রের দুটি গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্য হল উচ্চ শব্দ প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং কম স্থির বিদ্যুৎ খরচ। যেহেতু এম. ও. এস. এফ. ই. টি জুটির একটি ট্রানজিস্টর সর্বদা বন্ধ থাকে, তাই চালু এবং বন্ধ অবস্থার মধ্যে স্যুইচ করার সময় সিরিজ সংমিশ্রণটি কেবলমাত্র ক্ষণিকের জন্য উল্লেখযোগ্য শক্তি আকর্ষণ করে। ফলস্বরূপ, সি. এম. ও. এস যন্ত্রগুলি এন. এম. ও. এস লজিক বা ট্রানজিস্টর-ট্রানজিস্টর লজিক (টি. টি. এল)-এর মতো অন্যান্য ধরনের যুক্তির মতো ততটা বর্জ্য তাপ উৎপাদন করে না, যার অবস্থা পরিবর্তন না করলেও সাধারণত কিছু স্থায়ী বিদ্যুৎ থাকে। এই বৈশিষ্ট্যগুলি সি. এম. ও. এস-কে একটি চিপে উচ্চ ঘনত্বের লজিক ফাংশনগুলিকে সংহত করার অনুমতি দেয়। মূলত এই কারণেই সি. এম. ও. এস ভি. এল. এস. আই চিপগুলিতে প্রয়োগ করা সর্বাধিক ব্যবহৃত প্রযুক্তিতে পরিণত হয়েছিল। "মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর" শব্দটি এম. ও. এস ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টরগুলির ভৌত কাঠামোর একটি রেফারেন্স, যার একটি ধাতব গেট বিদ্যুদ্বাহক একটি অক্সাইড নিরোধক উপরে স্থাপন করা হয়, যা আবার একটি অর্ধপরিবাহী উপাদানের উপরে থাকে। একসময় অ্যালুমিনিয়াম ব্যবহার করা হত কিন্তু এখন উপাদানটি হল পলিসিলিকন। অন্যান্য ধাতব গেটগুলি সি. এম. ও. এস প্রক্রিয়ায় উচ্চ-κ ডাইলেক্ট্রিক উপকরণের আবির্ভাবের সাথে প্রত্যাবর্তন করেছে, যেমনটি আই. বি. এম এবং ইন্টেল 45 ন্যানোমিটার নোড এবং ছোট আকারের জন্য ঘোষণা করেছে। 1953 সালে জর্জ সিক্লি প্রথম পরিপূরক প্রতিসাম্যের নীতি প্রবর্তন করেন, যিনি তারপর বেশ কয়েকটি পরিপূরক দ্বিমেরু বর্তনী নিয়ে আলোচনা করেন। আরসিএ-র পল ওয়েইমার 1962 সালে সি. এম. ও. এস-এর ঘনিষ্ঠ আত্মীয় থিন-ফিল্ম ট্রানজিস্টর (টি. এফ. টি) পরিপূরক সার্কিট আবিষ্কার করেন। তিনি পরিপূরক ফ্লিপ-ফ্লপ এবং ইনভার্টার সার্কিট উদ্ভাবন করেছিলেন, তবে আরও জটিল পরিপূরক যুক্তিতে কোনও কাজ করেননি। তিনিই প্রথম ব্যক্তি যিনি একই স্তরের উপর একটি বর্তনীতে পি-চ্যানেল এবং এন-চ্যানেল টিএফটি স্থাপন করতে সক্ষম হন। তিন বছর আগে, জন টি ওয়ালমার্ক এবং সানফোর্ড এম মার্কাস পরিপূরক মেমরি সার্কিট সহ জেএফইটি ব্যবহার করে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট হিসাবে বাস্তবায়িত বিভিন্ন জটিল লজিক ফাংশন প্রকাশ করেছিলেন। ফ্রাঙ্ক ওয়ানলাস আরসিএ-তে ওয়েইমারের কাজের সঙ্গে পরিচিত ছিলেন। এম. ও. এস. এফ. ই. টি (মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর বা এম. ও. এস ট্রানজিস্টর) 1959 সালে বেল ল্যাবে মোহাম্মদ এম. আটাল্লা এবং ডাওন কাহং দ্বারা উদ্ভাবিত হয়েছিল। মূলত দুই ধরনের এম. ও. এস. এফ. ই. টি গঠন প্রক্রিয়া ছিল, পি. এম. ও. এস (পি-টাইপ এম. ও. এস) এবং এন. এম. ও. এস (এন-টাইপ এম. ও. এস)। উভয় প্রকারই আতাল্লা এবং কাহং দ্বারা বিকশিত হয়েছিল যখন তারা মূলত এম. ও. এস. এফ. ই. টি উদ্ভাবন করেছিল, 1960 সালে 20 মাইক্রোমিটার এবং তারপরে 10 মাইক্রোমিটার গেট দৈর্ঘ্যের পি. এম. ও. এস এবং এন. এম. ও. এস উভয় ডিভাইসই তৈরি করেছিল। যদিও এম. ও. এস. এফ. ই. টি প্রাথমিকভাবে বাইপোলার ট্রানজিস্টরের পক্ষে বেল ল্যাবস দ্বারা উপেক্ষা ও উপেক্ষা করা হয়েছিল, এম. ও. এস. এফ. ই. টি আবিষ্কার ফেয়ারচাইল্ড সেমিকন্ডাক্টরের প্রতি উল্লেখযোগ্য আগ্রহ তৈরি করেছিল। আটাল্লার কাজের উপর ভিত্তি করে, চিহ-তাং সাহ 1960 সালের শেষের দিকে তার এম. ও. এস-নিয়ন্ত্রিত ফিল্ড-এফেক্ট টেট্রোড দিয়ে ফেয়ারচাইল্ডের কাছে এম. ও. এস প্রযুক্তি চালু করেন। ফেয়ারচাইল্ড-এ চিহ-তাং সাহ এবং ফ্রাঙ্ক ওয়ানলাস পি. এম. ও. এস এবং এন. এম. ও. এস উভয় প্রক্রিয়াকে একত্রিত করে একটি নতুন ধরনের এম. ও. এস. এফ. ই. টি লজিক তৈরি করেছিলেন, যাকে পরিপূরক এম. ও. এস (সি. এম. ও. এস) বলা হয়। 1963 সালের ফেব্রুয়ারিতে তাঁরা একটি গবেষণাপত্রে এই আবিষ্কারটি প্রকাশ করেন। ওয়ানলাস দ্বারা দায়ের করা গবেষণা পত্র এবং পেটেন্ট উভয় ক্ষেত্রেই, নিষ্কাশন যোগাযোগ এবং উৎস যোগাযোগের মধ্যে অবস্থিত সিলিকন ডাই অক্সাইডের একটি স্তর উৎপাদনের জন্য একটি সিলিকন স্তরের তাপীয় জারণের ভিত্তিতে সি. এম. ও. এস যন্ত্রগুলির গঠনের রূপরেখা তৈরি করা হয়েছিল। সি. এম. ও. এস 1960-এর দশকের শেষের দিকে আর. সি. এ দ্বারা বাণিজ্যিকীকরণ করা হয়েছিল। আরসিএ 1965 সালে একটি এয়ার ফোর্স কম্পিউটারের জন্য সি. এম. ও. এস সার্কিট এবং তারপর 1968 সালে একটি 288-বিট সি. এম. ও. এস এস. এস. আর. এ. এম মেমরি চিপ তৈরি করে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (আই. সি)-এর নকশার জন্য সি. এম. ও. এস গ্রহণ করে। আরসিএ 1968 সালে তার 4000-সিরিজের ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের জন্য সি. এম. ও. এস ব্যবহার করে, পরবর্তী কয়েক বছরে ধীরে ধীরে 10 মাইক্রোমিটার প্রক্রিয়ায় স্কেল করার আগে 20 মাইক্রোমিটার সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন প্রক্রিয়া দিয়ে শুরু করে। সি. এম. ও. এস প্রযুক্তি প্রাথমিকভাবে মার্কিন সেমিকন্ডাক্টর শিল্প দ্বারা এন. এম. ও. এস-এর পক্ষে উপেক্ষা করা হয়েছিল, যা সেই সময়ে আরও শক্তিশালী ছিল। যাইহোক, কম বিদ্যুৎ ব্যবহারের কারণে জাপানি সেমিকন্ডাক্টর নির্মাতারা সি. এম. ও. এস দ্রুত গ্রহণ করে এবং আরও উন্নত করে, যার ফলে জাপানি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের উত্থান ঘটে। তোশিবা 1969 সালে সি 2 এম. ও. এস (ক্লকড সি. এম. ও. এস) তৈরি করে, যা সাধারণ সি. এম. ও. এস-এর তুলনায় কম বিদ্যুৎ খরচ এবং দ্রুত অপারেটিং গতি সহ একটি সার্কিট প্রযুক্তি। তোশিবা তার সি 2 এমওএস প্রযুক্তি ব্যবহার করে শার্পের এলসি মিনি এলইডি পকেট ক্যালকুলেটরের জন্য একটি বড় আকারের ইন্টিগ্রেশন (এলএসআই) চিপ তৈরি করে, যা 1971 সালে বিকশিত হয় এবং 1972 সালে মুক্তি পায়। সুওয়া সেইকোশা (বর্তমানে সেইকো এপসন) 1969 সালে একটি সেইকো কোয়ার্টজ ঘড়ির জন্য একটি সিএমওএস আইসি চিপ তৈরি করতে শুরু করে এবং 1971 সালে সেইকো অ্যানালগ কোয়ার্টজ 38এসকিউডব্লিউ ঘড়ির প্রবর্তনের সাথে সাথে ব্যাপক উৎপাদন শুরু করে। প্রথম ব্যাপকভাবে উৎপাদিত সি. এম. ও. এস ভোক্তা ইলেকট্রনিক পণ্য ছিল হ্যামিল্টন পালসার "রিস্ট কম্পিউটার" ডিজিটাল ঘড়ি, যা 1970 সালে মুক্তি পায়। কম বিদ্যুৎ ব্যবহারের কারণে, সি. এম. ও. এস লজিক 1970-এর দশক থেকে ক্যালকুলেটর এবং ঘড়ির জন্য ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়ে আসছে। 1970-এর দশকের গোড়ার দিকে প্রাচীনতম মাইক্রোপ্রসেসরগুলি ছিল পি. এম. ও. এস প্রসেসর, যা প্রাথমিকভাবে প্রাথমিক মাইক্রোপ্রসেসর শিল্পে আধিপত্য বিস্তার করেছিল। 1970-এর দশকের শেষের দিকে, এন. এম. ও. এস মাইক্রোপ্রসেসর পি. এম. ও. এস প্রসেসরকে ছাড়িয়ে যায়। 1975 সালে ইন্টারসিল 6100 এবং আরসিএ সিডিপি 1801-এর সঙ্গে সিএমওএস মাইক্রোপ্রসেসর চালু করা হয়। তবে, সি. এম. ও. এস প্রসেসরগুলি 1980-এর দশক পর্যন্ত প্রভাবশালী হয়ে ওঠেনি। সি. এম. ও. এস প্রাথমিকভাবে এন. এম. ও. এস যুক্তির তুলনায় ধীর ছিল, এইভাবে 1970-এর দশকে কম্পিউটারের জন্য এন. এম. ও. এস আরও ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছিল। ইন্টেল 5101 (1কেবি এসআরএএম) সিএমওএস মেমোরি চিপের (1974) অ্যাক্সেস সময় ছিল 800এনএস, যেখানে সেই সময়ের দ্রুততম এন. এম. ও. এস চিপ, ইন্টেল 2147 (4কেবি এসআরএএম) এইচ. এম. ও. এস মেমোরি চিপের (1976) অ্যাক্সেস সময় ছিল 55/70 এনএস। 1978 সালে, তোশিয়াকি মাসুহারার নেতৃত্বে একটি হিটাচি গবেষণা দল এইচএম 6147 (4কেবি এসআরএএম) মেমরি চিপ সহ টুইন-ওয়েল হাই-সিএমওএস প্রক্রিয়া চালু করে, যা 3 মাইক্রোমিটার প্রক্রিয়া দিয়ে তৈরি। হিটাচি এইচ. এম. 6147 চিপ ইন্টেল 2147 এইচ. এম. ও. এস চিপের পারফরম্যান্সের (55/70 এনএস অ্যাক্সেস) সাথে মেলে ধরতে সক্ষম হয়েছিল, যেখানে এইচ. এম. 6147 2147 (110এমএ) এর তুলনায় উল্লেখযোগ্যভাবে কম শক্তি (15এমএ) খরচ করেছিল। তুলনামূলক কর্মক্ষমতা এবং অনেক কম বিদ্যুৎ ব্যবহারের সাথে, টুইন-ওয়েল সিএমওএস প্রক্রিয়া অবশেষে 1980-এর দশকে কম্পিউটারের জন্য সবচেয়ে সাধারণ অর্ধপরিবাহী উত্পাদন প্রক্রিয়া হিসাবে এন. এম. ও. এস-কে ছাড়িয়ে যায়। 1980-এর দশকে সি. এম. ও. এস মাইক্রোপ্রসেসরগুলি এন. এম. ও. এস মাইক্রোপ্রসেসরগুলিকে ছাড়িয়ে যায়। 1989 সালে বৃহস্পতির কক্ষপথে পাঠানো নাসার গ্যালিলিও মহাকাশযানটি কম বিদ্যুৎ ব্যবহারের কারণে আরসিএ 1802 সিএমওএস মাইক্রোপ্রসেসর ব্যবহার করেছিল। ইন্টেল 1983 সালে সি. এম. ও. এস সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরির জন্য একটি 1.5 মাইক্রোমিটার প্রক্রিয়া চালু করে। 1980-এর দশকের মাঝামাঝি সময়ে, আইবিএম-এর বিজন দাভারি উচ্চ-কার্যকারিতা, কম-ভোল্টেজ, গভীর সাব-মাইক্রন সিএমওএস প্রযুক্তি তৈরি করেছিলেন, যা দ্রুত কম্পিউটারের পাশাপাশি বহনযোগ্য কম্পিউটার এবং ব্যাটারি চালিত হ্যান্ডহেল্ড ইলেকট্রনিক্সের বিকাশকে সক্ষম করেছিল। 1988 সালে, দাভারি একটি আইবিএম দলের নেতৃত্ব দেন যারা একটি উচ্চ-কার্যকারিতা 250 ন্যানোমিটার সিএমওএস প্রক্রিয়া প্রদর্শন করে। ফুজিৎসু 1987 সালে একটি 700এনএম সিএমওএস প্রক্রিয়া বাণিজ্যিকীকরণ করে এবং তারপর হিটাচি, মিত্সুবিশি ইলেকট্রিক, এনইসি এবং তোশিবা 1989 সালে 500এনএম সিএমওএস বাণিজ্যিকীকরণ করে। 1993 সালে, সনি একটি 350এনএম সিএমওএস প্রক্রিয়া বাণিজ্যিকীকরণ করে, যখন হিটাচি এবং এনইসি 250এনএম সিএমওএস বাণিজ্যিকীকরণ করে। হিটাচি 1995 সালে একটি 160এনএম সিএমওএস প্রক্রিয়া চালু করে, তারপর মিত্সুবিশি 1996 সালে 150এনএম সিএমওএস চালু করে, এবং তারপর 1999 সালে স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স 140এনএম চালু করে। 2000 সালে, মাইক্রন টেকনোলজির গুরতেজ সিং সান্ধু এবং ট্রুং টি. দোয়ান পারমাণবিক স্তর জমা হাই-কে ডাইলেক্ট্রিক ফিল্ম আবিষ্কার করেন, যা একটি সাশ্রয়ী 90 এনএম সিএমওএস প্রক্রিয়া বিকাশের দিকে পরিচালিত করে। তোশিবা এবং সনি 2002 সালে একটি 65 এনএম সিএমওএস প্রক্রিয়া তৈরি করে এবং তারপর টিএসএমসি 2004 সালে 45 এনএম সিএমওএস লজিকের বিকাশ শুরু করে। মাইক্রন টেকনোলজিতে গুরতেজ সিং সান্ধু দ্বারা পিচ ডাবল প্যাটার্নের বিকাশ 2000-এর দশকে 30এনএম শ্রেণীর সি. এম. ও. এস-এর বিকাশ ঘটায়। সি. এম. ও. এস বেশিরভাগ আধুনিক এল. এস. আই এবং ভি. এল. এস. আই ডিভাইসে ব্যবহৃত হয়। 2010 সালের হিসাবে, প্রতি বছর ওয়াট প্রতি সেরা পারফরম্যান্স সহ সিপিইউগুলি 1976 সাল থেকে সিএমওএস স্ট্যাটিক লজিক। 2019 সালের হিসাবে, প্ল্যানার সিএমওএস প্রযুক্তি এখনও অর্ধপরিবাহী যন্ত্র তৈরির সবচেয়ে সাধারণ রূপ, তবে ধীরে ধীরে নন-প্ল্যানার ফিনফেট প্রযুক্তি দ্বারা প্রতিস্থাপিত হচ্ছে, যা 20এনএম-এর চেয়ে ছোট অর্ধপরিবাহী নোড তৈরি করতে সক্ষম। প্রযুক্তিগত বিবরণ "সিএমওএস" বলতে ডিজিটাল সার্কিট ডিজাইনের একটি নির্দিষ্ট শৈলী এবং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটগুলিতে (চিপস) সেই সার্কিটটি বাস্তবায়নের জন্য ব্যবহৃত প্রক্রিয়াগুলির পরিবার উভয়কেই বোঝায়। সি. এম. ও. এস সার্কিট্রি প্রতিরোধী লোড সহ লজিক পরিবারের তুলনায় কম শক্তি অপচয় করে। যেহেতু এই সুবিধা বৃদ্ধি পেয়েছে এবং আরও গুরুত্বপূর্ণ হয়ে উঠেছে, সি. এম. ও. এস প্রক্রিয়া এবং রূপগুলি আধিপত্য বিস্তার করেছে, এইভাবে আধুনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট উৎপাদনের বিশাল সংখ্যাগরিষ্ঠ সি. এম. ও. এস প্রক্রিয়াগুলিতে রয়েছে। সি. এম. ও. এস লজিক এন. এম. ও. এস লজিকের প্রায় এক-সপ্তম শক্তি এবং বাইপোলার ট্রানজিস্টর-ট্রানজিস্টর লজিকের (টি. টি. এল) প্রায় <আই. ডি1>% শক্তি খরচ করে। সিএমওএস সার্কিটগুলি লজিক গেট এবং অন্যান্য ডিজিটাল সার্কিট বাস্তবায়নের জন্য পি-টাইপ এবং এন-টাইপ মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর (এমওএসএফইটি) এর সংমিশ্রণ ব্যবহার করে। যদিও সি. এম. ও. এস যুক্তি প্রদর্শনের জন্য পৃথক যন্ত্রের সাহায্যে প্রয়োগ করা যেতে পারে, বাণিজ্যিক সি. এম. ও. এস পণ্যগুলি প্রায়শই 10 থেকে 400 মিমি2-এর মধ্যে সিলিকন আয়তক্ষেত্রাকার অংশে উভয় ধরনের কোটি কোটি ট্রানজিস্টর দ্বারা গঠিত সমন্বিত সার্কিট। সি. এম. ও. এস সর্বদা সমস্ত বর্ধন-মোড এম. ও. এস. এফ. ই. টি ব্যবহার করে (অন্য কথায়, একটি শূন্য গেট-টু-সোর্স ভোল্টেজ ট্রানজিস্টরকে বন্ধ করে দেয়)। ইনভার্সন সি. এম. ও. এস সার্কিটগুলি এমনভাবে তৈরি করা হয় যে সমস্ত পি-টাইপ মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর (পি. এম. ও. এস) ট্রানজিস্টরগুলিতে অবশ্যই ভোল্টেজ উৎস থেকে বা অন্য কোনও পি. এম. ও. এস ট্রানজিস্টর থেকে ইনপুট থাকতে হবে। একইভাবে, সমস্ত এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরের অবশ্যই স্থল থেকে বা অন্য এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টর থেকে একটি ইনপুট থাকতে হবে। একটি পি. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরের গঠন কম গেট ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হলে তার উৎস এবং নিষ্কাশন যোগাযোগের মধ্যে কম প্রতিরোধ তৈরি করে এবং উচ্চ গেট ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হলে উচ্চ প্রতিরোধ তৈরি করে। অন্যদিকে, একটি এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরের গঠন কম গেট ভোল্টেজ প্রয়োগ করার সময় উৎস এবং নিষ্কাশনের মধ্যে উচ্চ প্রতিরোধ তৈরি করে এবং উচ্চ গেট ভোল্টেজ প্রয়োগ করার সময় কম প্রতিরোধ তৈরি করে। সি. এম. ও. এস প্রতিটি এন. এম. ও. এস. এফ. ই. টি-কে পি. এম. ও. এস. এফ. ই. টি-র সাথে পরিপূরক করে এবং উভয় গেট এবং উভয় ড্রেনকে একসাথে সংযুক্ত করে বর্তমান হ্রাস সম্পন্ন করে। গেটগুলিতে একটি উচ্চ ভোল্টেজ এন. এম. ও. এস. এফ. ই. টি পরিচালনা করবে এবং পি. এম. ও. এস. এফ. ই. টি পরিচালনা করবে না, অন্যদিকে গেটগুলিতে কম ভোল্টেজ বিপরীত কারণ ঘটায়। এই ব্যবস্থাটি বিদ্যুতের ব্যবহার এবং তাপ উৎপাদনকে ব্যাপকভাবে হ্রাস করে। যাইহোক, পরিবর্তনের সময়, পি. এম. ও. এস এবং এন. এম. ও. এস এম. এস. এফ. ই. টি উভয়ই এক অবস্থা থেকে অন্য অবস্থায় গেট ভোল্টেজ রূপান্তর হিসাবে সংক্ষিপ্তভাবে পরিচালনা করে। এটি বিদ্যুতের ব্যবহারে একটি সংক্ষিপ্ত স্পাইককে প্ররোচিত করে এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে একটি গুরুতর সমস্যা হয়ে ওঠে। সংলগ্ন চিত্রটি দেখায় যে যখন একটি ইনপুট একটি পি. এম. ও. এস ট্রানজিস্টর (চিত্রের শীর্ষে) এবং একটি এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টর (চিত্রের নীচে) উভয়ের সাথে সংযুক্ত থাকে তখন কী ঘটে। ভিডিডি হল বিদ্যুৎ সরবরাহের সাথে সংযুক্ত কিছু ধনাত্মক ভোল্টেজ এবং ভিএসএস হল স্থল। এ হল ইনপুট এবং কিউ হল আউটপুট। যখন এ-এর ভোল্টেজ কম হয় (অর্থাৎ। ভি. এস. এস-এর কাছাকাছি), এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরের চ্যানেলটি উচ্চ প্রতিরোধের অবস্থায় রয়েছে, যা কিউ থেকে ভি. এস. এস-কে বিচ্ছিন্ন করে দেয়। পি. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরের চ্যানেলটি কম প্রতিরোধের অবস্থায় রয়েছে, যা ভি. ডি. ডি-কে কিউ. কিউ-এর সাথে সংযুক্ত করে, তাই ভি. ডি. ডি-কে নিবন্ধিত করে। অন্যদিকে, যখন এ-এর ভোল্টেজ বেশি হয় (অর্থাৎ। ভি. ডি. ডি)-এর কাছাকাছি, পি. এম. ও. এস ট্রানজিস্টর উচ্চ প্রতিরোধের অবস্থায় রয়েছে, যা কিউ থেকে ভি. ডি. ডি সংযোগ বিচ্ছিন্ন করে। এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টর কম প্রতিরোধের অবস্থায় রয়েছে, যা ভি. এস. এস-কে কিউ-এর সাথে সংযুক্ত করে। এখন, Q রেজিস্টার করে Vss। সংক্ষেপে, পি. এম. ও. এস এবং এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরের আউটপুটগুলি এমনভাবে পরিপূরক হয় যে, যখন ইনপুট কম হয়, আউটপুট বেশি হয় এবং যখন ইনপুট বেশি হয়, আউটপুট কম হয়। ইনপুট যাই হোক না কেন, আউটপুট কখনই ভাসমান থাকে না (তারের ধারণক্ষমতা এবং বৈদ্যুতিক নিষ্কাশন/মাটির অভাবের কারণে চার্জ কখনই সংরক্ষণ করা হয় না)। ইনপুট এবং আউটপুটের এই আচরণের কারণে, সি. এম. ও. এস সার্কিটের আউটপুট ইনপুটের বিপরীত হয়। ট্রানজিস্টরের প্রতিরোধগুলি কখনই শূন্য বা অনন্তের ঠিক সমান হয় না, তাই কিউ কখনই ঠিক ভিএসএস বা ভিডিডি-র সমান হবে না, তবে কিউ সর্বদা এ-এর ভিডিডি-র তুলনায় ভিএসএস-এর কাছাকাছি থাকবে (বা এর বিপরীতে যদি এ ভিএসএস-এর কাছাকাছি থাকে)। এই পরিবর্ধন ছাড়া, লজিক গেটের সংখ্যার একটি খুব কম সীমা থাকবে যা সিরিজে একসাথে চেইন করা যেতে পারে এবং কোটি কোটি ট্রানজিস্টর সহ সিএমওএস লজিক অসম্ভব হবে। সি. এম. ও. এস-এর জন্য বিদ্যুৎ সরবরাহ পিনগুলিকে প্রস্তুতকারকের উপর নির্ভর করে ভি. ডি. ডি এবং ভি. এস. এস, বা ভিসিসি এবং গ্রাউন্ড (জি. এন. ডি) বলা হয়। ভি. ডি. ডি এবং ভি. এস. এস প্রচলিত এম. ও. এস সার্কিট থেকে বহন করা হয় এবং নিষ্কাশন এবং উৎস সরবরাহের জন্য দাঁড়ায়। এগুলি সরাসরি সি. এম. ও. এস-এর ক্ষেত্রে প্রযোজ্য নয়, কারণ উভয় সরবরাহই প্রকৃতপক্ষে উৎস সরবরাহ। ভি. সি. সি এবং গ্রাউন্ড টি. টি. এল লজিক থেকে নেওয়া হয়েছে এবং সি. এম. ও. এস-এর 54সি/74সি লাইন প্রবর্তনের সাথে সাথে নামকরণটি বজায় রাখা হয়েছে। দ্বৈততা একটি সিএমওএস বর্তনীর একটি গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্য হল এর পিএমওএস ট্রানজিস্টর এবং এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরের মধ্যে বিদ্যমান দ্বৈততা। একটি সি. এম. ও. এস সার্কিট তৈরি করা হয় যাতে আউটপুট থেকে বিদ্যুতের উৎস বা মাটিতে সর্বদা একটি পথ বিদ্যমান থাকে। এটি সম্পন্ন করার জন্য, ভোল্টেজ উৎসের সমস্ত পথের সেট অবশ্যই স্থলভাগের সমস্ত পথের সেটের পরিপূরক হতে হবে। একটিকে অন্যটির না হিসাবে সংজ্ঞায়িত করে এটি সহজেই সম্পন্ন করা যেতে পারে। ডি মরগানের আইন ভিত্তিক যুক্তির কারণে, সমান্তরালে পি. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরগুলির সিরিজে সংশ্লিষ্ট এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টর থাকে এবং সিরিজের পি. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরগুলির সমান্তরালে সংশ্লিষ্ট এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টর থাকে। লজিক আরও জটিল লজিক ফাংশন যেমন AND এবং OR গেটগুলির সাথে যুক্তগুলির জন্য যুক্তির প্রতিনিধিত্ব করার জন্য গেটগুলির মধ্যে পথগুলি পরিচালনা করা প্রয়োজন। যখন একটি পথ সিরিজে দুটি ট্রানজিস্টর নিয়ে গঠিত হয়, তখন উভয় ট্রানজিস্টরের অবশ্যই সংশ্লিষ্ট সরবরাহ ভোল্টেজের প্রতি কম প্রতিরোধ থাকতে হবে, যা একটি AND মডেলিং করে। যখন একটি পথ সমান্তরালে দুটি ট্রানজিস্টর নিয়ে গঠিত হয়, তখন সরবরাহ ভোল্টেজকে আউটপুটের সাথে সংযুক্ত করার জন্য এক বা উভয় ট্রানজিস্টরের অবশ্যই কম প্রতিরোধ থাকতে হবে, একটি OR মডেলিং। ডানদিকে দেখানো হয়েছে CMOS যুক্তিতে একটি NAND গেটের একটি সার্কিট চিত্র। যদি এ এবং বি উভয় ইনপুটই বেশি হয়, তবে উভয় এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টর (চিত্রের নীচের অর্ধেক) পরিচালনা করবে, পি. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরগুলির (উপরের অর্ধেক) কোনওটিই পরিচালনা করবে না এবং আউটপুট এবং ভি. এস. এস (গ্রাউন্ড)-এর মধ্যে একটি পরিবাহী পথ স্থাপন করা হবে, যার ফলে আউটপুট কম হবে। যদি এ এবং বি উভয় ইনপুট কম হয়, তবে এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরগুলির কোনওটিই পরিচালনা করবে না, এবং উভয় পি. এম. ও. এস ট্রানজিস্টর পরিচালনা করবে, আউটপুট এবং ভি. ডি. ডি (ভোল্টেজ উৎস)-এর মধ্যে একটি পরিবাহী পথ স্থাপন করবে, যার ফলে আউটপুট উচ্চ হবে। যদি এ বা বি ইনপুটগুলির মধ্যে একটি কম হয়, তবে এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরগুলির মধ্যে একটি পরিচালনা করবে না, পি. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরগুলির মধ্যে একটি করবে এবং আউটপুট এবং ভি. ডি. ডি (ভোল্টেজ উৎস)-এর মধ্যে একটি পরিবাহী পথ স্থাপন করা হবে, যা আউটপুটকে উচ্চতর করে তুলবে। যেহেতু দুটি ইনপুটের একমাত্র কনফিগারেশন যার ফলস্বরূপ কম আউটপুট হয় যখন উভয়ই বেশি হয়, এই সার্কিটটি একটি ন্যান্ড (নট অ্যান্ড) লজিক গেট প্রয়োগ করে। এন. এম. ও. এস যুক্তির তুলনায় সি. এম. ও. এস-এর একটি সুবিধা হল যে নিম্ন-থেকে-উচ্চ এবং উচ্চ-থেকে-নিম্ন আউটপুট ট্রানজিশন উভয়ই দ্রুত হয় কারণ (পি. এম. ও. এস) পুল-আপ ট্রানজিস্টরগুলি চালু করার সময় কম প্রতিরোধ ক্ষমতা থাকে, এন. এম. ও. এস যুক্তিতে লোড প্রতিরোধকগুলির বিপরীতে। উপরন্তু, আউটপুট সংকেত নিম্ন এবং উচ্চ রেলের মধ্যে সম্পূর্ণ ভোল্টেজকে দোলায়। এই শক্তিশালী, আরও প্রায় প্রতিসম প্রতিক্রিয়া সি. এম. ও. এস-কে শব্দের প্রতি আরও প্রতিরোধী করে তোলে। সি. এম. ও. এস সার্কিটে বিলম্ব গণনা করার একটি পদ্ধতির জন্য যৌক্তিক প্রচেষ্টা দেখুন। উদাহরণস্বরূপঃ শারীরিক বিন্যাসে ন্যান্ড গেট এই উদাহরণটি একটি ন্যান্ড লজিক ডিভাইসকে দেখায় যা একটি শারীরিক উপস্থাপনা হিসাবে আঁকা হয় কারণ এটি তৈরি করা হবে। ভৌত বিন্যাসের দৃষ্টিভঙ্গি হল স্তরগুলির একটি স্ট্যাকের "পাখির চোখের দৃশ্য"। সার্কিটটি একটি পি-টাইপ স্তরের উপর নির্মিত। পলিসিলিকন, ডিফিউশন এবং এন-ওয়েলকে "বেস স্তর" হিসাবে উল্লেখ করা হয় এবং প্রকৃতপক্ষে পি-টাইপ স্তরের পরিখাতে ঢোকানো হয়। (নীচের ডানদিকের প্রক্রিয়া চিত্রের 1 থেকে 6 ধাপ দেখুন) যোগাযোগগুলি মূল স্তর এবং ধাতুর প্রথম স্তরের (ধাতু 1) মধ্যে একটি অন্তরক স্তরে প্রবেশ করে একটি সংযোগ তৈরি করে। এন. এ. এন. ডি-তে ইনপুটগুলি (সবুজ রঙে চিত্রিত) পলিসিলিকনে থাকে। ট্রানজিস্টরগুলি (যন্ত্রগুলি) পলিসিলিকন এবং বিচ্ছুরণের ছেদ দ্বারা গঠিত হয়; এন যন্ত্রের জন্য এন বিচ্ছুরণ এবং পি যন্ত্রের জন্য পি বিচ্ছুরণ (যথাক্রমে স্যামন এবং হলুদ রঙে চিত্রিত)। আউটপুট ("আউট") ধাতুতে একসঙ্গে সংযুক্ত থাকে (সায়ান রঙে চিত্রিত)। ধাতু এবং পলিসিলিকনের মধ্যে সংযোগ বা বিচ্ছুরণ যোগাযোগের মাধ্যমে তৈরি করা হয় (কালো বর্গ হিসাবে চিত্রিত)। ভৌত বিন্যাসের উদাহরণটি পূর্ববর্তী উদাহরণে দেওয়া ন্যান্ড লজিক সার্কিটের সাথে মেলে। এন যন্ত্রটি পি-টাইপ সাবস্ট্রেটে তৈরি করা হয় এবং পি যন্ত্রটি এন-টাইপ ওয়েলে (এন-ওয়েল) তৈরি করা হয়। একটি পি-টাইপ সাবস্ট্রেট "ট্যাপ" ভিএসএস-এর সাথে সংযুক্ত থাকে এবং একটি এন-টাইপ এন-ওয়েল ট্যাপ ভিডিডি-র সাথে সংযুক্ত থাকে যাতে ল্যাচআপ প্রতিরোধ করা যায়। শক্তিঃ এন. এম. ও. এস লজিক সার্কিটের তুলনায় সি. এম. ও. এস লজিক কম শক্তি অপচয় করে কারণ সি. এম. ও. এস শুধুমাত্র পরিবর্তন করার সময় শক্তি অপচয় করে ("ডাইনামিক পাওয়ার")। একটি আধুনিক 90 ন্যানোমিটার প্রক্রিয়ায় একটি সাধারণ এ. এস. আই. সি-তে, আউটপুট পরিবর্তন করতে 120 পিকোসেকেন্ড সময় লাগতে পারে এবং প্রতি দশ ন্যানোসেকেন্ডে একবার ঘটে। এন. এম. ও. এস লজিক যখনই ট্রানজিস্টর চালু থাকে তখন শক্তি অপচয় করে, কারণ লোড রেজিস্টার এবং এন-টাইপ নেটওয়ার্কের মাধ্যমে ভি. ডি. ডি থেকে ভি. এস. এস পর্যন্ত একটি বিদ্যুৎ পথ রয়েছে। স্ট্যাটিক সি. এম. ও. এস গেটগুলি খুব শক্তি দক্ষ কারণ তারা নিষ্ক্রিয় অবস্থায় প্রায় শূন্য শক্তি অপচয় করে। আগে, চিপ ডিজাইন করার সময় সি. এম. ও. এস যন্ত্রের বিদ্যুৎ খরচ প্রধান উদ্বেগের বিষয় ছিল না। গতি এবং আয়তনের মতো বিষয়গুলি নকশার পরামিতিগুলিতে আধিপত্য বিস্তার করেছিল। সি. এম. ও. এস প্রযুক্তি সাব-মাইক্রন স্তরের নিচে চলে যাওয়ার সাথে সাথে চিপের প্রতি ইউনিট এলাকা বিদ্যুৎ খরচ ব্যাপকভাবে বৃদ্ধি পেয়েছে। বিস্তৃতভাবে শ্রেণীবদ্ধ করলে, সি. এম. ও. এস সার্কিটে বিদ্যুৎ অপচয় দুটি উপাদানের কারণে ঘটে, স্থির এবং গতিশীলঃ স্থির অপচয় এন. এম. ও. এস এবং পি. এম. ও. এস ট্রানজিস্টর উভয়েরই একটি গেট-সোর্স থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ (ভি. টি. এইচ) থাকে, যার নিচে ডিভাইসের মাধ্যমে বিদ্যুৎ (যাকে সাব থ্রেশহোল্ড কারেন্ট বলা হয়) দ্রুত হ্রাস পায়। ঐতিহাসিকভাবে, সি. এম. ও. এস ডিজাইনগুলি তাদের প্রান্তিক ভোল্টেজের তুলনায় অনেক বড় সরবরাহ ভোল্টেজে পরিচালিত হত (ভি. ডি. ডি 5 ভি হতে পারে, এবং এন. এম. ও. এস এবং পি. এম. ও. এস উভয়ের জন্য ভি. টি 700 এম. ভি হতে পারে)। কিছু সি. এম. ও. এস সার্কিটে ব্যবহৃত একটি বিশেষ ধরনের ট্রানজিস্টর হল নেটিভ ট্রানজিস্টর, যার প্রায় শূন্য প্রান্তিক ভোল্টেজ রয়েছে। সিওও2 একটি ভাল নিরোধক, তবে খুব কম পুরুত্বের স্তরে ইলেকট্রনগুলি খুব পাতলা নিরোধক জুড়ে টানেল করতে পারে; অক্সাইড পুরুত্বের সাথে সম্ভাব্যতা দ্রুত হ্রাস পায়। 20 Å বা তার চেয়ে পাতলা গেট অক্সাইড সহ 130 এনএম প্রযুক্তির নিচে ট্রানজিস্টরগুলির জন্য টানেলিং কারেন্ট খুব গুরুত্বপূর্ণ হয়ে ওঠে। বিচ্ছুরণ অঞ্চল এবং কূপগুলির মধ্যে বিপরীত পক্ষপাত গঠনের কারণে ছোট বিপরীত ফুটো স্রোত তৈরি হয় (যেমন, পি-টাইপ বিচ্ছুরণ বনাম এন-কূপ), কূপ এবং স্তর (যেমন, এন-কূপ বনাম পি-সাবস্ট্রেট)। আধুনিক প্রক্রিয়ায় উপ-প্রান্তিক এবং টানেলিং স্রোতের তুলনায় ডায়োড ফুটো খুব কম হয়, তাই বিদ্যুৎ গণনার সময় এগুলি অবহেলিত হতে পারে। যদি অনুপাতগুলি মেলে না, তবে পি. এম. ও. এস এবং এন. এম. ও. এস-এর বিভিন্ন স্রোত থাকতে পারে; এটি ভারসাম্যহীনতার দিকে নিয়ে যেতে পারে এবং এইভাবে অনুপযুক্ত স্রোতের কারণে সি. এম. ও. এস গরম হয়ে যায় এবং অপ্রয়োজনীয়ভাবে বিদ্যুৎ অপচয় করে। উপরন্তু, সাম্প্রতিক গবেষণায় দেখা গেছে যে বার্ধক্যজনিত প্রভাবের কারণে ফুটো শক্তি হ্রাস পায় কারণ ডিভাইসগুলি ধীর হয়ে যায়। নকশার গতি বাড়ানোর জন্য, নির্মাতারা কম ভোল্টেজ থ্রেশহোল্ডযুক্ত নির্মাণগুলিতে স্যুইচ করেছেন তবে এর কারণে 200 এমভি এর ভিথ সহ একটি আধুনিক এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরের একটি উল্লেখযোগ্য সাবথ্রেসহোল্ড ফুটো স্রোত রয়েছে। নকশা (যেমন। ডেস্কটপ প্রসেসর) যার মধ্যে রয়েছে বিপুল সংখ্যক সার্কিট যা সক্রিয়ভাবে স্যুইচ করছে না, এই ফুটো স্রোতের কারণে এখনও বিদ্যুৎ খরচ করে। এই ধরনের নকশাগুলির দ্বারা ব্যবহৃত মোট শক্তির একটি উল্লেখযোগ্য অংশ হল ফুটো শক্তি। মাল্টি-থ্রেশহোল্ড সি. এম. ও. এস (এম. টি. সি. এম. ও. এস), যা এখন ফাউন্ড্রি থেকে পাওয়া যায়, ফুটো শক্তি পরিচালনার একটি উপায়। এম. টি. সি. এম. ও. এস-এর ক্ষেত্রে, উচ্চ ভি. থ ট্রানজিস্টর ব্যবহার করা হয় যখন গতি পরিবর্তন করা গুরুত্বপূর্ণ নয়, অন্যদিকে কম ভি. থ ট্রানজিস্টর গতি সংবেদনশীল পথে ব্যবহার করা হয়। আরও প্রযুক্তিগত অগ্রগতি যা এমনকি পাতলা গেট ডাইলেক্ট্রিক ব্যবহার করে তার একটি অতিরিক্ত ফুটো উপাদান রয়েছে কারণ অত্যন্ত পাতলা গেট ডাইলেক্ট্রিকের মধ্য দিয়ে বিদ্যুৎ টানেলিংয়ের কারণে। সিলিকন ডাই অক্সাইডের পরিবর্তে উচ্চ-κ ডাইলেক্ট্রিক ব্যবহার করা যা প্রচলিত গেট ডাইলেক্ট্রিক একই ধরনের ডিভাইসের কার্যকারিতা দেয়, তবে একটি পুরু গেট নিরোধক দিয়ে, এইভাবে এই বিদ্যুৎকে এড়ানো যায়। সি. এম. ও. এস-এর স্কেলিং বজায় রাখার জন্য নতুন উপাদান এবং সিস্টেম ডিজাইন ব্যবহার করে ফুটো শক্তি হ্রাস করা গুরুত্বপূর্ণ। গতিশীল অপচয় লোড ক্যাপাসিট্যান্সের চার্জিং এবং ডিসচার্জিং সিএমওএস সার্কিটগুলি যখনই স্যুইচ করা হয় তখন বিভিন্ন লোড ক্যাপাসিট্যান্স (বেশিরভাগ গেট এবং ওয়্যার ক্যাপাসিট্যান্স, তবে নিষ্কাশন এবং কিছু উত্স ক্যাপাসিট্যান্স) চার্জ করে শক্তি অপচয় করে। সি. এম. ও. এস যুক্তির একটি সম্পূর্ণ চক্রে, চার্জ করার জন্য ভি. ডি. ডি থেকে লোড ক্যাপাসিট্যান্সে বিদ্যুৎ প্রবাহিত হয় এবং তারপর স্রাবের সময় চার্জ করা লোড ক্যাপাসিট্যান্স (সি. এল) থেকে মাটিতে প্রবাহিত হয়। অতএব, একটি সম্পূর্ণ চার্জ/স্রাব চক্রে, মোট কিউ = সিএলভিডিডি এইভাবে ভিডিডি থেকে মাটিতে স্থানান্তরিত হয়। বিদ্যুৎ ব্যবহার করার জন্য লোড ক্যাপাসিট্যান্সের স্যুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি দ্বারা গুণ করুন এবং একটি সি. এম. ও. এস যন্ত্র দ্বারা বৈশিষ্ট্যযুক্ত স্যুইচিং শক্তি অপচয় করার জন্য আবার গড় ভোল্টেজ দ্বারা গুণ করুনঃ যেহেতু বেশিরভাগ গেট প্রতিটি ঘড়ির চক্রে কাজ করে না/স্যুইচ করে না, সেগুলি প্রায়শই একটি ফ্যাক্টরের সাথে থাকে, যাকে ক্রিয়াকলাপ ফ্যাক্টর বলা হয়। এখন, গতিশীল শক্তি অপচয় হিসাবে পুনরায় লেখা যেতে পারে। একটি সিস্টেমে একটি ঘড়ির একটি ক্রিয়াকলাপ ফ্যাক্টর α = 1 থাকে, কারণ এটি প্রতিটি চক্রের উত্থান এবং পতন ঘটায়। বেশিরভাগ তথ্যের একটি ক্রিয়াকলাপ ফ্যাক্টর 0.1। যদি একটি নোডে তার ক্রিয়াকলাপ ফ্যাক্টরের সাথে সঠিক লোড ক্যাপাসিট্যান্স অনুমান করা হয়, তবে সেই নোডে গতিশীল শক্তি অপচয় কার্যকরভাবে গণনা করা যেতে পারে। যেহেতু পি. এম. ও. এস এবং এন. এম. ও. এস উভয়ের জন্য একটি সীমাবদ্ধ উত্থান/পতনের সময় থাকে, উদাহরণস্বরূপ, অফ থেকে অন পর্যন্ত পরিবর্তনের সময়, উভয় ট্রানজিস্টর অল্প সময়ের জন্য চালু থাকবে যেখানে বিদ্যুৎ সরাসরি ভি. ডি. ডি থেকে মাটিতে যাওয়ার পথ খুঁজে পাবে, তাই একটি শর্ট-সার্কিট বিদ্যুৎ তৈরি করবে, যাকে কখনও কখনও ক্রোবার বিদ্যুৎ বলা হয়। ট্রানজিস্টরের উত্থান এবং পতনের সময়ের সাথে সাথে শর্ট সার্কিট পাওয়ার অপচয় বৃদ্ধি পায়। 1990-এর দশকে বিদ্যুত ব্যবহারের এই রূপটি উল্লেখযোগ্য হয়ে ওঠে কারণ চিপের তারগুলি সংকীর্ণ হয়ে যায় এবং দীর্ঘ তারগুলি আরও প্রতিরোধী হয়ে ওঠে। সেই প্রতিরোধী তারের শেষে সি. এম. ও. এস গেটগুলি ধীর ইনপুট রূপান্তর দেখতে পায়। সতর্ক নকশা যা দুর্বলভাবে চালিত দীর্ঘ চর্মসার তারগুলি এড়িয়ে চলে এই প্রভাবকে হ্রাস করে, তবে ক্রোবার শক্তি গতিশীল সিএমওএস শক্তির একটি উল্লেখযোগ্য অংশ হতে পারে। ইনপুট সুরক্ষা সি. এম. ও. এস কাঠামোর অন্তর্নিহিত পরজীবী ট্রানজিস্টরগুলি স্বাভাবিক অপারেটিং সীমার বাইরে ইনপুট সংকেত দ্বারা চালু করা যেতে পারে, যেমন। ইলেকট্রোস্ট্যাটিক ডিসচার্জ বা লাইন প্রতিফলন। ফলস্বরূপ ল্যাচ-আপ সি. এম. ও. এস ডিভাইসের ক্ষতি বা ধ্বংস করতে পারে। এই সংকেতগুলি মোকাবেলা করার জন্য ক্ল্যাম্প ডায়োডগুলি সি. এম. ও. এস সার্কিটগুলিতে অন্তর্ভুক্ত করা হয়। প্রস্তুতকারকের ডেটা শিটগুলি ডায়োডগুলির মধ্য দিয়ে প্রবাহিত হতে পারে এমন সর্বাধিক অনুমোদিত বিদ্যুৎ নির্দিষ্ট করে। এনালগ সিএমওএস ডিজিটাল অ্যাপ্লিকেশন ছাড়াও, সিএমওএস প্রযুক্তি এনালগ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতেও ব্যবহৃত হয়। উদাহরণস্বরূপ, বাজারে সি. এম. ও. এস অপারেশনাল এম্প্লিফায়ার আই. সি পাওয়া যায়। ট্রান্সমিশন গেটগুলি সিগন্যাল রিলের পরিবর্তে এনালগ মাল্টিপ্লেক্সার হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে। সি. এম. ও. এস প্রযুক্তি মিশ্র-সংকেত (এনালগ + ডিজিটাল) প্রয়োগগুলিতে মাইক্রোওয়েভ ফ্রিকোয়েন্সি পর্যন্ত আর. এফ সার্কিটের জন্যও ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। আরএফ সিএমওএস বলতে আরএফ সার্কিট (রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি সার্কিট) বোঝায় যা মিশ্র-সংকেত সিএমওএস ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে। বেতার টেলিযোগাযোগ প্রযুক্তিতে এগুলি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। 1980-এর দশকের শেষের দিকে ইউসিএলএ-তে কাজ করার সময় আসাদ আবিদি আরএফ সিএমওএস তৈরি করেছিলেন। এটি আরএফ সার্কিটগুলির নকশা করার পদ্ধতি পরিবর্তন করে, যার ফলে রেডিও ট্রান্সসিভারগুলিতে সিএমওএস ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটগুলির সাথে পৃথক বাইপোলার ট্রানজিস্টর প্রতিস্থাপিত হয়। এটি পরিশীলিত, কম খরচে এবং বহনযোগ্য শেষ-ব্যবহারকারী টার্মিনালগুলি সক্ষম করে এবং ওয়্যারলেস যোগাযোগ ব্যবস্থার বিস্তৃত পরিসরের জন্য ছোট, কম খরচে, কম শক্তি এবং বহনযোগ্য ইউনিটগুলির জন্ম দেয়। এটি "যে কোনও সময়, যে কোনও জায়গায়" যোগাযোগকে সক্ষম করে এবং বেতার বিপ্লব আনতে সহায়তা করে, যার ফলে বেতার শিল্পের দ্রুত বৃদ্ধি ঘটে। সমস্ত আধুনিক ওয়্যারলেস নেটওয়ার্কিং ডিভাইস এবং মোবাইল ফোনে বেসব্যান্ড প্রসেসর এবং রেডিও ট্রান্সসিভারগুলি আরএফ সিএমওএস ডিভাইস ব্যবহার করে ব্যাপকভাবে উত্পাদিত হয়। স্যাটেলাইট প্রযুক্তি (যেমন জিপিএস), ব্লুটুথ, ওয়াই-ফাই, নিয়ার-ফিল্ড কমিউনিকেশন (এনএফসি), মোবাইল নেটওয়ার্ক (যেমন 3জি এবং 4জি), স্থলজ সম্প্রচার এবং স্বয়ংচালিত রাডার অ্যাপ্লিকেশনের মতো বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে বেতার সংকেত প্রেরণ ও গ্রহণের জন্য আরএফ সিএমওএস সার্কিটগুলি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। বাণিজ্যিক আরএফ সিএমওএস চিপের উদাহরণগুলির মধ্যে রয়েছে ইন্টেলের ডিইসিটি কর্ডলেস ফোন এবং এথেরোস এবং অন্যান্য সংস্থাগুলির তৈরি 802.11 (ওয়াই-ফাই) চিপ। বাণিজ্যিক আর. এফ. সি. এম. ও. এস পণ্যগুলি ব্লুটুথ এবং ওয়্যারলেস ল্যান (ডব্লিউ. এল. এ. এন) নেটওয়ার্কের জন্যও ব্যবহৃত হয়। জিএসএম, ওয়াই-ফাই এবং ব্লুটুথের মতো বেতার মানের জন্য রেডিও ট্রান্সসিভার, 3জি-র মতো মোবাইল নেটওয়ার্কের জন্য ট্রান্সসিভার এবং বেতার সেন্সর নেটওয়ার্কের (ডাব্লুএসএন) দূরবর্তী ইউনিটগুলিতেও আরএফ সিএমওএস ব্যবহার করা হয়। আরএফ সিএমওএস প্রযুক্তি বেতার নেটওয়ার্ক এবং মোবাইল যোগাযোগ যন্ত্র সহ আধুনিক বেতার যোগাযোগের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। আর. এফ. সি. এম. ও. এস প্রযুক্তির বাণিজ্যিকীকরণকারী সংস্থাগুলির মধ্যে একটি ছিল ইনফিনিয়ন। এর বাল্ক সি. এম. ও. এস আর. এফ সুইচগুলি বার্ষিক 1 বিলিয়ন ইউনিট বিক্রি করে, যা মোট 5 বিলিয়ন ইউনিটে পৌঁছেছে। তাপমাত্রার পরিসীমা প্রচলিত সি. এম. ও. এস যন্ত্রগুলি-55 ডিগ্রি সেলসিয়াস থেকে + 125 ডিগ্রি সেলসিয়াসের মধ্যে কাজ করে। 2008 সালের আগস্টের গোড়ার দিকে তাত্ত্বিক ইঙ্গিত ছিল যে সিলিকন সি. এম. ও. এস −233 ডিগ্রি সেলসিয়াস (40 কেলভিন) পর্যন্ত কাজ করবে। তরল নাইট্রোজেন এবং তরল হিলিয়াম কুলিংয়ের সংমিশ্রণে ওভারক্লকড এএমডি ফেনোম II প্রসেসর ব্যবহার করে 40 কেলভিন কাছাকাছি কার্যকরী তাপমাত্রা অর্জন করা হয়েছে। সিলিকন কার্বাইড সি. এম. ও. এস যন্ত্রগুলি এক বছর ধরে 500 ডিগ্রি সেলসিয়াসে পরীক্ষা করা হয়েছে। একক-ইলেকট্রন এম. ও. এস ট্রানজিস্টর অতি ছোট (এল = 20 এন. এম, ডব্লিউ = 20 এন. এম) এম. ও. এস. এফ. ই. টি-গুলি ক্রায়োজেনিক তাপমাত্রায়-269 ডিগ্রি সেলসিয়াস (4 কে) থেকে প্রায়-258 ডিগ্রি সেলসিয়াস (15 কে) পরিসরে পরিচালিত হলে একক-ইলেকট্রন সীমা অর্জন করে। ট্রানজিস্টর একের পর এক ইলেকট্রনগুলির প্রগতিশীল চার্জিংয়ের কারণে কুলম্ব অবরোধ প্রদর্শন করে। চ্যানেলে সীমাবদ্ধ ইলেকট্রনের সংখ্যা শূন্য ইলেকট্রনের দখল থেকে শুরু করে গেট ভোল্টেজ দ্বারা চালিত হয় এবং এটি এক বা একাধিক সেট করা যেতে পারে। আরও পড়ুন বাহ্যিক লিঙ্ক সিএমওএস গেটের বিবরণ এবং ইন্টারেক্টিভ চিত্র ল্যাসি একটি "সাধারণ উদ্দেশ্য" আইসি বিন্যাস সিএডি সরঞ্জাম। এটি একটি বিনামূল্যে ডাউনলোড এবং সি. এম. ও. এস সার্কিটের জন্য বিন্যাস সরঞ্জাম হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে। ইলেকট্রনিক ডিজাইন ডিজিটাল ইলেকট্রনিক্স লজিক পরিবার ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট