NMOS logic
এন-টাইপ মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর লজিক গেট এবং অন্যান্য ডিজিটাল সার্কিট বাস্তবায়নের জন্য এন-টাইপ (-) এম. ও. এস. এফ. ই. টি (মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর) ব্যবহার করে। এই এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরগুলি পি-টাইপ ট্রানজিস্টর বডিতে একটি বিপরীত স্তর তৈরি করে কাজ করে। এই বিপরীত স্তর, যাকে এন-চ্যানেল বলা হয়, এন-টাইপ "সোর্স" এবং "ড্রেন" টার্মিনালের মধ্যে ইলেকট্রন পরিচালনা করতে পারে। এন-চ্যানেলটি তৃতীয় টার্মিনালে ভোল্টেজ প্রয়োগ করে তৈরি করা হয়, যাকে গেট বলা হয়। অন্যান্য এম. ও. এস. এফ. ই. টি-র মতো, এন. এম. ও. এস ট্রানজিস্টরগুলির চারটি পদ্ধতি রয়েছেঃ কাট-অফ (বা সাবথ্রেসহোল্ড), ট্রায়োড, স্যাচুরেশন (কখনও কখনও সক্রিয় বলা হয়) এবং বেগ স্যাচুরেশন। বহু বছর ধরে, এন. এম. ও. এস সার্কিটগুলি তুলনামূলক পি. এম. ও. এস এবং সি. এম. ও. এস সার্কিটগুলির তুলনায় অনেক দ্রুত ছিল, যেখানে অনেক ধীর পি-চ্যানেল ট্রানজিস্টর ব্যবহার করতে হত। সি. এম. ও. এস-এর তুলনায় এন. এম. ও. এস তৈরি করাও সহজ ছিল, কারণ পরবর্তীটিকে পি-সাবস্ট্রেটে বিশেষ এন-ওয়েলগুলিতে পি-চ্যানেল ট্রানজিস্টর প্রয়োগ করতে হয়। এন. এম. ও. এস-এর (এবং বেশিরভাগ অন্যান্য লজিক পরিবারের) প্রধান ত্রুটি হল একটি সরাসরি বিদ্যুৎ অবশ্যই একটি লজিক গেটের মধ্য দিয়ে প্রবাহিত হতে হবে, এমনকি যখন আউটপুট স্থির অবস্থায় থাকে (এন. এম. ও. এস-এর ক্ষেত্রে কম)। এর অর্থ হল স্থির শক্তি অপচয়, অর্থাৎ। সার্কিটটি স্যুইচ না করার সময়ও পাওয়ার ড্রেন হয়, যার ফলে উচ্চ বিদ্যুৎ খরচ হয়। উপরন্তু, ডায়োড-ট্রানজিস্টর লজিক, ট্রানজিস্টর-ট্রানজিস্টর লজিক, ইমিটার-কাপল্ড লজিক ইত্যাদির মতো, অসম ইনপুট লজিক স্তরগুলি এন. এম. ও. এস এবং পি. এম. ও. এস সার্কিটগুলিকে সি. এম. ও. এস-এর তুলনায় শব্দের প্রতি বেশি সংবেদনশীল করে তোলে। এই অসুবিধাগুলি হল কেন সি. এম. ও. এস লজিক মাইক্রোপ্রসেসরের মতো বেশিরভাগ উচ্চ-গতির ডিজিটাল সার্কিটে এই ধরনের বেশিরভাগকে প্রতিস্থাপন করেছে যদিও সি. এম. ও. এস মূলত বাইপোলার ট্রানজিস্টর দিয়ে নির্মিত লজিক গেটের তুলনায় খুব ধীর ছিল। এম. ও. এস মানে ধাতু-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী, যা মূলত 1970-এর দশকের আগে ধাতব, সাধারণত অ্যালুমিনিয়ামের গেট সহ এম. ও. এস-ট্রানজিস্টরগুলি মূলত যেভাবে নির্মিত হয়েছিল তা প্রতিফলিত করে। যাইহোক, প্রায় 1970 সাল থেকে, বেশিরভাগ এম. ও. এস সার্কিট পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন দিয়ে তৈরি স্ব-সারিবদ্ধ গেট ব্যবহার করেছে, যা ফেয়ারচাইল্ড সেমিকন্ডাক্টরে ফেডেরিকো ফ্যাগিন দ্বারা প্রথম বিকশিত একটি প্রযুক্তি। এই সিলিকন গেটগুলি এখনও বেশিরভাগ ধরনের এম. ও. এস. এফ. ই. টি ভিত্তিক সমন্বিত বর্তনীতে ব্যবহৃত হয়, যদিও ধাতব গেটগুলি (এ. এল বা সি. ইউ) 2000-এর দশকের গোড়ার দিকে উচ্চ কার্যকারিতা সম্পন্ন মাইক্রোপ্রসেসরের মতো নির্দিষ্ট ধরনের উচ্চ গতির বর্তনীগুলির জন্য পুনরায় আবির্ভূত হতে শুরু করে। এম. ও. এস. এফ. ই. টি হল এন-টাইপ এনহ্যান্সমেন্ট মোড ট্রানজিস্টর, যা লজিক গেট আউটপুট এবং নেগেটিভ সাপ্লাই ভোল্টেজ (সাধারণত গ্রাউন্ড)-এর মধ্যে তথাকথিত "পুল-ডাউন নেটওয়ার্ক" (পি. ডি. এন)-এ সাজানো থাকে। একটি টান আপ (অর্থাৎ। একটি "লোড" যা একটি প্রতিরোধক হিসাবে মনে করা যেতে পারে, নীচে দেখুন) ধনাত্মক সরবরাহ ভোল্টেজ এবং প্রতিটি লজিক গেট আউটপুটের মধ্যে স্থাপন করা হয়। লজিক্যাল ইনভার্টার সহ যে কোনও লজিক গেট, সমান্তরাল এবং/অথবা সিরিজ সার্কিটের একটি নেটওয়ার্ক ডিজাইন করে প্রয়োগ করা যেতে পারে, যাতে বুলিয়ান ইনপুট মানগুলির একটি নির্দিষ্ট সংমিশ্রণের জন্য পছন্দসই আউটপুট শূন্য (বা মিথ্যা) হয়, পি. ডি. এন সক্রিয় থাকবে, যার অর্থ কমপক্ষে একটি ট্রানজিস্টর নেতিবাচক সরবরাহ এবং আউটপুটের মধ্যে একটি বর্তমান পথের অনুমতি দিচ্ছে। এর ফলে লোডের উপর ভোল্টেজ হ্রাস পায় এবং এইভাবে আউটপুটে কম ভোল্টেজ হয়, যা শূন্যের প্রতিনিধিত্ব করে। উদাহরণস্বরূপ, এখানে পরিকল্পিত এন. এম. ও. এস-এ প্রয়োগ করা একটি এন. ও. আর গেট রয়েছে। যদি ইনপুট এ বা ইনপুট বি উচ্চ হয় (যুক্তি 1, = সত্য), সংশ্লিষ্ট এম. ও. এস ট্রানজিস্টর আউটপুট এবং নেতিবাচক সরবরাহের মধ্যে খুব কম প্রতিরোধ হিসাবে কাজ করে, আউটপুটকে কম হতে বাধ্য করে (যুক্তি 0, = মিথ্যা)। যখন এ এবং বি উভয়ই উচ্চ হয়, তখন উভয় ট্রানজিস্টর পরিবাহী হয়, যা মাটিতে আরও কম প্রতিরোধের পথ তৈরি করে। যখন উভয় ট্রানজিস্টর বন্ধ থাকে তখনই আউটপুট বেশি হয়, যা কেবল তখনই ঘটে যখন এ এবং বি উভয়ই কম থাকে, এইভাবে একটি এন. ও. আর গেটের সত্য সারণীকে সন্তুষ্ট করেঃ একটি এম. ও. এস. এফ. ই. টি প্রতিরোধক হিসাবে কাজ করতে পারে, তাই পুরো সার্কিটটি শুধুমাত্র এন-চ্যানেল এম. ও. এস. এফ. ই. টি দিয়ে তৈরি করা যেতে পারে। এন. এম. ও. এস সার্কিটগুলি নিম্ন থেকে উচ্চে পরিবর্তনে ধীর। উচ্চ থেকে নিম্ন স্তরে রূপান্তরিত হওয়ার সময়, ট্রানজিস্টরগুলি কম প্রতিরোধ ক্ষমতা প্রদান করে এবং আউটপুটের ক্যাপাসিটিভ চার্জ খুব দ্রুত নিষ্কাশিত হয় (খুব কম প্রতিরোধকের মাধ্যমে একটি ক্যাপাসিটর নিষ্কাশনের মতো)। তবে আউটপুট এবং পজিটিভ সাপ্লাই রেলের মধ্যে প্রতিরোধ অনেক বেশি, তাই নিম্ন থেকে উচ্চ রূপান্তরটি বেশি সময় নেয় (একটি উচ্চ মানের প্রতিরোধকের মাধ্যমে একটি ক্যাপাসিটর চার্জ করার মতো)। কম মূল্যের প্রতিরোধক ব্যবহার করলে প্রক্রিয়াটি ত্বরান্বিত হবে তবে স্ট্যাটিক পাওয়ার ডিসিপেশনও বৃদ্ধি পাবে। যাইহোক, গেটগুলিকে দ্রুততর করার একটি ভাল (এবং সবচেয়ে সাধারণ) উপায় হল বর্ধন-মোড ট্রানজিস্টরগুলির পরিবর্তে হ্রাস-মোড ট্রানজিস্টরগুলিকে লোড হিসাবে ব্যবহার করা। একে ডিপ্লিশন-লোড এন. এম. ও. এস লজিক বলা হয়। এইচ. এম. ও. এস (হাই ডেনসিটি, শর্ট চ্যানেল এম. ও. এস), এইচ. এম. ও. এস-2, এইচ. এম. ও. এস-3 ইত্যাদি প্রক্রিয়া সহ পি. এম. ও. এস লজিক ডিপ্লিশন-লোড এন. এম. ও. এস লজিক দেখুন। ডিপ্লিশন-লোড এন. এম. ও. এস লজিক সার্কিটের জন্য উচ্চ কার্যকারিতা উৎপাদন প্রক্রিয়াগুলির একটি পরিবার যা 1970-এর দশকের শেষের দিকে ইন্টেল দ্বারা বিকশিত হয়েছিল এবং বহু বছর ধরে ব্যবহৃত হয়েছিল। বেশ কয়েকটি সি. এম. ও. এস উৎপাদন প্রক্রিয়া যেমন সি. এইচ. এম. ও. এস, সি. এইচ. এম. ও. এস-2, সি. এইচ. এম. ও. এস-3 ইত্যাদি সরাসরি এই এন. এম. ও. এস প্রক্রিয়া থেকে উদ্ভূত হয়েছে। তথ্যসূত্র বাহ্যিক যোগসূত্র যুক্তিবিদ্যার পরিবার এম. ও. এস. এফ. ই. টি-র আরব উদ্ভাবন মিশরীয় উদ্ভাবন দক্ষিণ কোরিয়ার আবিষ্কার