Depletion and enhancement modes
ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টরগুলিতে (এফইটি), ডিপ্লিশন মোড এবং এনহ্যান্সমেন্ট মোড দুটি প্রধান ট্রানজিস্টর প্রকার, যা ট্রানজিস্টর শূন্য গেট-সোর্স ভোল্টেজে অন অবস্থায় বা অফ অবস্থায় রয়েছে কিনা তার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ। এনহ্যান্সমেন্ট-মোড এম. ও. এস. এফ. ই. টি (ধাতু-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী এফ. ই. টি) হল বেশিরভাগ সমন্বিত বর্তনীতে প্রচলিত পরিবর্তনশীল উপাদান। শূন্য গেট-সোর্স ভোল্টেজে এই যন্ত্রগুলি বন্ধ থাকে। উৎস ভোল্টেজের চেয়ে বেশি গেট ভোল্টেজ টেনে এন. এম. ও. এস চালু করা যেতে পারে, উৎস ভোল্টেজের চেয়ে কম গেট ভোল্টেজ টেনে পি. এম. ও. এস চালু করা যেতে পারে। বেশিরভাগ বর্তনীতে, এর অর্থ হল একটি বর্ধিতকরণ-মোড এম. ও. এস. এফ. ই. টি-র গেট ভোল্টেজকে তার নিষ্কাশন ভোল্টেজের দিকে টেনে এটিকে চালু করা। একটি ডিপ্লিশন-মোড এম. ও. এস. এফ. ই. টি-তে, ডিভাইসটি সাধারণত শূন্য গেট-সোর্স ভোল্টেজে চালু থাকে। এই ধরনের যন্ত্রগুলি লজিক সার্কিটগুলিতে লোড "প্রতিরোধক" হিসাবে ব্যবহৃত হয় (উদাহরণস্বরূপ, ডিপ্লিশন-লোড এন. এম. ও. এস লজিক)। এন-টাইপ ডিপ্লিশন-লোড ডিভাইসের জন্য, প্রান্তিক ভোল্টেজ প্রায় −3 ভি হতে পারে, তাই গেট 3 ভি নেতিবাচক টান দিয়ে এটি বন্ধ করা যেতে পারে (তুলনামূলকভাবে, ড্রেনটি এন. এম. ও. এস-এর উৎসের চেয়ে বেশি ধনাত্মক)। পি. এম. ও. এস-এ মেরুকরণগুলি বিপরীত হয়। প্রান্তিক ভোল্টেজের চিহ্ন দ্বারা মোডটি নির্ধারণ করা যেতে পারে (যে বিন্দুতে চ্যানেলে একটি বিপরীত স্তর তৈরি হয় সেখানে উৎস ভোল্টেজের সাথে সম্পর্কিত গেট ভোল্টেজ): একটি এন-টাইপ এফ. ই. টি-র জন্য, বর্ধন-মোড ডিভাইসগুলির ধনাত্মক সীমা থাকে এবং হ্রাস-মোড ডিভাইসগুলির ঋণাত্মক সীমা থাকে; একটি পি-টাইপ এফ. ই. টি-র জন্য, বর্ধন-মোডের ঋণাত্মক এবং হ্রাস-মোডের ধনাত্মক থাকে। জংশন ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টরগুলি (জে. এফ. ই. টি) হ্রাস-মোড, কারণ গেটটি যদি উৎস থেকে ড্রেইন ভোল্টেজের দিকে সামান্য বেশি নেওয়া হয় তবে গেট জংশনটি অগ্রগামী পক্ষপাত করবে। এই ধরনের যন্ত্রগুলি গ্যালিয়াম আর্সেনাইড এবং জার্মেনিয়াম চিপগুলিতে ব্যবহৃত হয়, যেখানে অক্সাইড নিরোধক তৈরি করা কঠিন। বিকল্প পরিভাষা কিছু সূত্র এই নিবন্ধে "ডিপ্লিশন মোড" এবং "এনহ্যান্সমেন্ট মোড" হিসাবে বর্ণিত ডিভাইসের প্রকারের জন্য "ডিপ্লিশন টাইপ" এবং "এনহ্যান্সমেন্ট টাইপ" বলে এবং "মোড" পদগুলি প্রয়োগ করে যার জন্য গেট-সোর্স ভোল্টেজ শূন্য থেকে আলাদা। গেট ভোল্টেজকে ড্রেন ভোল্টেজের দিকে নিয়ে যাওয়া চ্যানেলের পরিবহনকে "উন্নত" করে, তাই এটি পরিচালনার বর্ধিতকরণ মোডকে সংজ্ঞায়িত করে, যখন গেটটিকে ড্রেন থেকে দূরে সরিয়ে চ্যানেলকে হ্রাস করে, তাই এটি হ্রাস মোডকে সংজ্ঞায়িত করে। এনহ্যান্সমেন্ট-লোড এবং ডিপ্লিশন-লোড লজিক পরিবার ডিপ্লিশন-লোড এন. এম. ও. এস লজিক সেই লজিক পরিবারকে বোঝায় যা 1970-এর দশকের শেষার্ধে সিলিকন ভি. এল. এস. আই-তে প্রভাবশালী হয়ে ওঠে; প্রক্রিয়াটি এনহ্যান্সমেন্ট-মোড এবং ডিপ্লিশন-মোড ট্রানজিস্টর উভয়কেই সমর্থন করে এবং সাধারণ লজিক সার্কিটগুলি পুল-ডাউন সুইচ এবং ডিপ্লিশন-মোড ডিভাইসগুলিকে লোড বা পুল-আপ হিসাবে ব্যবহার করে। পুরানো প্রক্রিয়াগুলিতে নির্মিত লজিক পরিবারগুলি যা ডিপ্লিশন-মোড ট্রানজিস্টরগুলিকে সমর্থন করে না তাদের পূর্ববর্তীভাবে এনহ্যান্সমেন্ট-লোড লজিক বা স্যাচুরেটেড-লোড লজিক হিসাবে উল্লেখ করা হয়, কারণ এনহ্যান্সমেন্ট-মোড ট্রানজিস্টরগুলি সাধারণত গেটের সাথে ভিডিডি সরবরাহের সাথে সংযুক্ত থাকে এবং স্যাচুরেশন অঞ্চলে পরিচালিত হয় (কখনও কখনও গেটগুলি উচ্চতর ভিজিজি ভোল্টেজের পক্ষপাতী হয় এবং রৈখিক অঞ্চলে পরিচালিত হয়, একটি ভাল পাওয়ার-বিলম্ব পণ্যের (পিডিপি) জন্য, তবে লোডগুলি তখন আরও বেশি এলাকা নেয়)। বিকল্পভাবে, স্ট্যাটিক লজিক গেটের পরিবর্তে, ডাইনামিক লজিক যেমন ফোর-ফেজ লজিক কখনও কখনও এমন প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যবহৃত হত যেখানে ডিপ্লিশন-মোড ট্রানজিস্টর উপলব্ধ ছিল না। উদাহরণস্বরূপ, 1971 সালের ইন্টেল 4004-এ এনহ্যান্সমেন্ট-লোড সিলিকন-গেট পিএমওএস লজিক ব্যবহার করা হয় এবং 1976 সালের জিলগ জেড80-এ ডিপ্লিশন-লোড সিলিকন-গেট এন. এম. ও. এস ব্যবহার করা হয়। 1960 সালে বেল ল্যাবে মিশরীয় প্রকৌশলী মোহাম্মদ এম আতালা এবং কোরিয়ান প্রকৌশলী দাওন কাহং দ্বারা প্রদর্শিত প্রথম এম. ও. এস. এফ. ই. টি (ধাতু-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী ক্ষেত্র-প্রভাব ট্রানজিস্টর) ছিল একটি বর্ধিতকরণ-মোড সিলিকন অর্ধপরিবাহী যন্ত্র। 1963 সালে, আর. সি. এ গবেষণাগারে স্টিভ আর. হফস্টাইন এবং ফ্রেড পি. হেইম্যান উভয়ই হ্রাস-এবং বর্ধন-মোড এম. ও. এস. এফ. ই. টি বর্ণনা করেছিলেন। 1966 সালে, ওয়েস্টিংহাউস ইলেকট্রিকের টি. পি. ব্রডি এবং এইচ. ই. কুনিগ ফ্যাব্রিকেটেড এনহান্সমেন্ট-এবং ডিপ্লিশন-মোড ইন্ডিয়াম আর্সেনাইড (আইএনএ) এমওএস থিন-ফিল্ম ট্রানজিস্টর (টিএফটি) তৈরি করেন। 2022 সালে, প্রথম দ্বৈত-মোড জৈব ট্রানজিস্টর যা হ্রাস মোড এবং বর্ধন মোড উভয় ক্ষেত্রেই আচরণ করে, ক্যালিফোর্নিয়া-সান্তা বারবারা বিশ্ববিদ্যালয়ের একটি দল দ্বারা রিপোর্ট করা হয়েছিল। রেফারেন্স ট্রানজিস্টর প্রকার MOSFET