Ion plating
আয়ন প্লেটিং (আই. পি) হল একটি ভৌত বাষ্প জমা (পি. ভি. ডি) প্রক্রিয়া যাকে কখনও কখনও আয়ন অ্যাসিস্টেড ডিপোজিশন (আই. এ. ডি) বা আয়ন বাষ্প জমা (আই. ভি. ডি) বলা হয় এবং এটি ভ্যাকুয়াম ডিপোজিশনের একটি পরিবর্তিত সংস্করণ। আয়ন প্লেটিং সাবস্ট্রেটের সমবর্তী বা পর্যায়ক্রমিক বোমাবর্ষণ ব্যবহার করে এবং আয়ন নামক পারমাণবিক আকারের শক্তিশালী কণা দ্বারা ফিল্ম জমা করে। জমা হওয়ার আগে বোম্বার্ডমেন্ট ব্যবহার করা হয় স্তরের পৃষ্ঠ পরিষ্কার করার জন্য। জমা দেওয়ার সময় বোমাবর্ষণটি জমা হওয়া ফিল্মের বৈশিষ্ট্যগুলি সংশোধন ও নিয়ন্ত্রণ করতে ব্যবহৃত হয়। এটি গুরুত্বপূর্ণ যে একটি পারমাণবিকভাবে পরিষ্কার ইন্টারফেস বজায় রাখার জন্য প্রক্রিয়াটির পরিষ্কার এবং জমা অংশগুলির মধ্যে বোমাবর্ষণ অব্যাহত থাকবে। যদি এই ইন্টারফেসটি সঠিকভাবে পরিষ্কার না করা হয়, তবে এর ফলে একটি দুর্বল আবরণ বা দুর্বল আঠালো হতে পারে। এগুলি ভ্যাকুয়াম জমা করা আবরণগুলির জন্য বিভিন্ন প্রক্রিয়া যেখানে এগুলি জারা প্রতিরোধের মতো বিভিন্ন প্রয়োগের জন্য ব্যবহৃত হয় এবং উপাদানটিতে পরিধান করা হয়। প্রক্রিয়া আয়ন প্রলেপ দেওয়ার ক্ষেত্রে, বোম্বার্ডিং প্রজাতির শক্তি, প্রবাহ এবং ভরের পাশাপাশি বোম্বার্ডিং কণাগুলির অনুপাত এবং জমা হওয়া কণাগুলি গুরুত্বপূর্ণ প্রক্রিয়াকরণ পরিবর্তনশীল। জমা হওয়া উপাদান বাষ্পীভবন, স্পাটারিং (বায়াস স্পাটারিং), চাপ বাষ্পীভবনের মাধ্যমে বা রাসায়নিক বাষ্প অগ্রদূত রাসায়নিক বাষ্প জমা (সিভিডি) এর পচন দ্বারা বাষ্পীভূত হতে পারে। বোমাবর্ষণের জন্য ব্যবহৃত শক্তিশালী কণাগুলি সাধারণত একটি নিষ্ক্রিয় বা প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসের আয়ন, বা কিছু ক্ষেত্রে, ঘনীভূত ফিল্ম উপাদানের আয়ন ("ফিল্ম আয়ন") হয়। আয়ন প্লেটিং একটি প্লাজমা পরিবেশে করা যেতে পারে যেখানে বোমাবর্ষণের জন্য আয়নগুলি প্লাজমা থেকে বের করা হয় বা এটি একটি ভ্যাকুয়াম পরিবেশে করা যেতে পারে যেখানে বোমাবর্ষণের জন্য আয়নগুলি একটি পৃথক আয়ন বন্দুকের মধ্যে গঠিত হয়। পরবর্তী আয়ন ধাতুপট্টাবৃত বিন্যাসকে প্রায়শই আয়ন বিম অ্যাসিস্টেড ডিপোজিশন (আইবিএডি) বলা হয়। প্লাজমায় একটি প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাস বা বাষ্প ব্যবহার করে, যৌগিক পদার্থের ফিল্ম জমা করা যেতে পারে। আয়ন ধাতুপট্টাবৃতকরণ সরঞ্জাম, আনুষঙ্গিক ধাতব আবরণ, উচ্চ ঘনত্ব সহ অপটিক্যাল আবরণ এবং জটিল পৃষ্ঠগুলিতে সামঞ্জস্যপূর্ণ আবরণের উপর যৌগিক উপকরণের শক্ত আবরণ জমা করতে ব্যবহৃত হয়। অন্যান্য পদ্ধতির তুলনায় পৃষ্ঠের আচ্ছাদন ভালো (ভৌত বাষ্প জমা, স্পাটার জমা)। বোমাবর্ষণকারী প্রজাতির পৃষ্ঠে আরও বেশি শক্তি পাওয়া যায়, যার ফলে আরও সম্পূর্ণ বন্ধন তৈরি হয়। আয়ন বোমাবর্ষণের স্তরের সাথে নমনীয়তা। বোমাবাজি প্রজাতির পৃষ্ঠে প্লাজমা এবং শক্তি সরবরাহ করার সময় উন্নত রাসায়নিক প্রতিক্রিয়া। উপাদানের স্থায়িত্ব কমপক্ষে 8 গুণ বেশি উন্নত হয়। অন্যান্য কৌশলের তুলনায় বিবেচনা করার জন্য বর্ধিত চলক। ধাতুপট্টাবৃতকরণের অভিন্নতা সবসময় সামঞ্জস্যপূর্ণ নয় স্তরের চাপের জন্য অত্যধিক উত্তাপ এই প্রক্রিয়াটি ব্যয়বহুল এবং সময়সাপেক্ষ আয়ন ধাতুপট্টাবৃতকরণের পটভূমি তথ্য আয়ন ধাতুপট্টাবৃতকরণ প্রক্রিয়াটি 1964 সালে স্যান্ডিয়া ন্যাশনাল ল্যাবরেটরিজের ডোনাল্ড এম ম্যাটক্স প্রযুক্তিগত সাহিত্যে প্রথম বর্ণনা করেছিলেন। এই নিবন্ধে বর্ণিত হিসাবে, এটি প্রাথমিকভাবে ফিল্ম আনুগত্য বৃদ্ধি এবং পৃষ্ঠের কভারেজ উন্নত করতে ব্যবহৃত হয়েছিল। ইতিহাস এই প্রক্রিয়াটি প্রথম 1960-এর দশকে ব্যবহার করা হয়েছিল এবং নির্দিষ্ট পরিষ্কারের কৌশল এবং ফিল্ম বৃদ্ধির প্রতিক্রিয়াশীল এবং আধা প্রতিক্রিয়াশীল জমা কৌশল ব্যবহার করে সারা সময় ধরে অব্যাহত ছিল। 1950-এর দশক থেকে বৈজ্ঞানিক পৃষ্ঠগুলি পরিষ্কার করার জন্য স্পাটার ক্লিনিং ব্যবহার করা হচ্ছে। 1970-এর দশকে, উচ্চ-হারের ডিসি ম্যাগনেট্রন স্পাটারিং দেখিয়েছে যে বোমাবর্ষণ চলচ্চিত্রগুলিকে ঘন করে তোলে এবং উপকরণগুলির কঠোরতা সাহায্য করে। আমরা আরও এগিয়ে যাওয়ার সাথে সাথে 1983 সালে আমরা জানতে পারি যে বোমাবর্ষণ সন্নিবেশিত গ্যাস আয়নগুলির সমবর্তী বোমাবর্ষণ হিসাবে ব্যবহৃত হয়েছিল। উদ্ধৃতি আরও পড়া আবরণ কৌশলের আরও তথ্য আবরণ কৌশলের তালিকা বাহ্যিক সংযোগ রাসায়নিক প্রক্রিয়া পাতলা ফিল্ম জমা