VMOS
একটি ভি. এম. ও. এস () (উল্লম্ব ধাতব অক্সাইড অর্ধপরিবাহী বা ভি-গ্রুভ এম. ও. এস) ট্রানজিস্টর হল এক ধরনের ধাতব-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী ক্ষেত্র-প্রভাব ট্রানজিস্টর (এম. ও. এস. এফ. ই. টি)। সাবস্ট্রেট উপাদানের মধ্যে উল্লম্বভাবে কাটা ভি-খাঁজ আকৃতির বর্ণনা দিতেও ভি. এম. ও. এস ব্যবহার করা হয়। এম. ও. এস. এফ. ই. টি-র গেটের "ভি" আকৃতি যন্ত্রটিকে উৎস থেকে যন্ত্রের নিষ্কাশনে বেশি পরিমাণে বিদ্যুৎ সরবরাহ করতে দেয়। হ্রাস অঞ্চলের আকৃতি একটি বৃহত্তর চ্যানেল তৈরি করে, যার ফলে এর মধ্য দিয়ে আরও বেশি বিদ্যুৎ প্রবাহিত হয়। ব্লকিং মোডে কাজ করার সময়, সর্বোচ্চ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রটি এন +/পি + জংশনে ঘটে। খাঁজটির নীচে একটি তীক্ষ্ণ কোণের উপস্থিতি হ্রাস অঞ্চলে চ্যানেলের প্রান্তে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রকে বাড়িয়ে তোলে, এইভাবে ডিভাইসের ব্রেকডাউন ভোল্টেজ হ্রাস করে। এই বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রটি গেট অক্সাইডে ইলেকট্রন প্রেরণ করে এবং ফলস্বরূপ, আটকা পড়া ইলেকট্রনগুলি এম. ও. এস. এফ. ই. টি-র প্রান্তিক ভোল্টেজকে স্থানান্তরিত করে। এই কারণে, ভি-গ্রুভ স্থাপত্য আর বাণিজ্যিক যন্ত্রগুলিতে ব্যবহৃত হয় না। ভি আকৃতির শীর্ষে সর্বাধিক বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রকে হ্রাস করার জন্য ইউ. এম. ও. এস (বা ট্রেঞ্চ-গেট এম. ও. এস)-এর মতো আরও উপযুক্ত জ্যামিতি চালু না হওয়া পর্যন্ত যন্ত্রটির ব্যবহার একটি পাওয়ার ডিভাইস ছিল এবং এইভাবে ভি. এম. ও. এস-এর তুলনায় সর্বোচ্চ ভোল্টেজের দিকে পরিচালিত করে। প্রথম এম. ও. এস. এফ. ই. টি (ভি-গ্রুভ ছাড়া) 1959 সালে বেল ল্যাবে মোহাম্মদ আটাল্লা এবং দাওন কাহং দ্বারা উদ্ভাবিত হয়েছিল। ভি-গ্রুভ নির্মাণের পথপ্রদর্শক ছিলেন জুন-ইচি নিশিজাওয়া 1969 সালে, প্রাথমিকভাবে স্ট্যাটিক ইন্ডাকশন ট্রানজিস্টর (এসআইটি)-এর জন্য, যা এক ধরনের জংশন ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর (জেএফইটি)। ভি. এম. ও. এস 1969 সালে হিটাচি দ্বারা উদ্ভাবিত হয়েছিল, যখন তারা জাপানে প্রথম উল্লম্ব শক্তি এম. ও. এস. এফ. ই. টি চালু করেছিল। টি. জে. রজার্স স্ট্যানফোর্ড বিশ্ববিদ্যালয়ের ছাত্র থাকাকালীন 1973 সালে একটি ভি. এম. ও. এস-এর জন্য মার্কিন পেটেন্ট দায়ের করেন। সিলিকোনিক্স 1975 সালে বাণিজ্যিকভাবে একটি ভি. এম. ও. এস চালু করে। ভি. এম. ও. এস পরে উল্লম্ব ডি. এম. ও. এস (ভি. ডি. এম. ও. এস) নামে পরিচিত হয়ে ওঠে। 1978 সালে আমেরিকান মাইক্রোসিস্টেমস (এ. এম. আই) এস2811 প্রকাশ করে। এটি ছিল প্রথম ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ যা বিশেষভাবে ডিজিটাল সিগন্যাল প্রসেসর (ডিএসপি) হিসাবে ডিজাইন করা হয়েছিল এবং ভি. এম. ও. এস ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছিল, এমন একটি প্রযুক্তি যা আগে ব্যাপকভাবে উত্পাদিত হয়নি। রেফারেন্স ট্রানজিস্টর প্রকার MOSFET-এর জাপানি উদ্ভাবন