P–n junction isolation
পি-এন জংশন বিচ্ছিন্নতা হল একটি পদ্ধতি যা বিপরীত পার্শ্বযুক্ত পি-এন জংশনের সাথে উপাদানগুলিকে ঘিরে একটি সমন্বিত বর্তনীতে (আইসি) ট্রানজিস্টরের মতো বৈদ্যুতিন উপাদানগুলিকে বৈদ্যুতিকভাবে বিচ্ছিন্ন করতে ব্যবহৃত হয়। পরিচিতি একটি আই. সি-তে ট্রানজিস্টর, প্রতিরোধক, ক্যাপাসিটর বা অন্যান্য উপাদানকে অর্ধপরিবাহী উপাদানের সাথে ঘিরে রেখে যা সাবস্ট্রেট ডোপ্যান্টের বিপরীত প্রজাতি ব্যবহার করে ডোপ করা হয় এবং এই পার্শ্ববর্তী উপাদানটিকে এমন একটি ভোল্টেজের সাথে সংযুক্ত করে যা গঠিত পি-এন জংশনকে বিপরীত-পক্ষপাত করে, এমন একটি অঞ্চল তৈরি করা সম্ভব যা উপাদানটির চারপাশে বৈদ্যুতিকভাবে বিচ্ছিন্ন "কূপ" গঠন করে। অপারেশন ধরে নিন যে সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারটি পি-টাইপ উপাদান। এছাড়াও ধরে নিন যে এন-টাইপ উপাদানের একটি বলয় একটি ট্রানজিস্টরের চারপাশে স্থাপন করা হয় এবং ট্রানজিস্টরের নীচে স্থাপন করা হয়। যদি এন-টাইপ রিংয়ের মধ্যে পি-টাইপ উপাদানটি এখন বিদ্যুৎ সরবরাহের ঋণাত্মক টার্মিনালের সাথে সংযুক্ত থাকে এবং এন-টাইপ রিংটি ধনাত্মক টার্মিনালের সাথে সংযুক্ত থাকে, তবে পি-টাইপ অঞ্চলের 'গর্তগুলি' পি-এন জংশন থেকে দূরে টানা হয়, যার ফলে অ-পরিবাহী হ্রাস অঞ্চলের প্রস্থ বৃদ্ধি পায়। একইভাবে, যেহেতু এন-টাইপ অঞ্চলটি ধনাত্মক টার্মিনালের সাথে সংযুক্ত, তাই ইলেকট্রনগুলিও জংশন থেকে দূরে টানা হবে। এটি কার্যকরভাবে সম্ভাব্য বাধা বৃদ্ধি করে এবং চার্জ বাহকদের প্রবাহের বিরুদ্ধে বৈদ্যুতিক প্রতিরোধকে ব্যাপকভাবে বৃদ্ধি করে। এই কারণে জংশন জুড়ে কোনও (বা ন্যূনতম) বৈদ্যুতিক প্রবাহ থাকবে না। পি-এন উপাদানের সংযোগস্থলের মাঝখানে, বিপরীত ভোল্টেজকে দাঁড় করানোর জন্য একটি হ্রাস অঞ্চল তৈরি করা হয়। হ্রাস অঞ্চলের প্রস্থ উচ্চ ভোল্টেজের সাথে আরও বড় হয়। বিপরীত ভোল্টেজ বাড়ার সাথে সাথে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র বৃদ্ধি পায়। যখন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র একটি সংকটময় স্তরের বাইরে বৃদ্ধি পায়, তখন জংশনটি ভেঙে যায় এবং তুষারপাত ভেঙে বিদ্যুৎ প্রবাহিত হতে শুরু করে। অতএব, সার্কিট ভোল্টেজ যাতে ব্রেকডাউন ভোল্টেজ অতিক্রম না করে বা বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতা বন্ধ না হয় সেদিকে খেয়াল রাখতে হবে। "মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স" শিরোনামে একটি নিবন্ধে ইতিহাস, সায়েন্টিফিক আমেরিকানে প্রকাশিত, সেপ্টেম্বর 1977 ভলিউম 23, নম্বর 3, পৃষ্ঠা। রবার্ট নয়েস লিখেছেনঃ "ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট, যেমনটি আমরা 1959 সালে ফেয়ারচাইল্ড সেমিকন্ডাক্টরে কল্পনা করেছিলাম এবং বিকাশ করেছিলাম, ট্রানজিস্টর এবং অন্যান্য সার্কিট উপাদানগুলির পৃথকীকরণ এবং আন্তঃসংযোগ শারীরিকভাবে নয়, বৈদ্যুতিকভাবে সম্পন্ন করে। পৃথকীকরণটি পিএন ডায়োড বা রেক্টিফায়ার প্রবর্তনের মাধ্যমে সম্পন্ন করা হয়, যা কেবলমাত্র একটি দিকে বিদ্যুৎ প্রবাহকে অনুমতি দেয়। এই কৌশলটি স্প্রাগ ইলেকট্রিক কোম্পানিতে কার্ট লেহোভেক দ্বারা পেটেন্ট করা হয়েছিল। "স্প্রাগ ইলেকট্রিক কোম্পানির প্রকৌশলী কার্ট লেহোভেক 1959 সালে পিএন জংশন আইসোলেশনের জন্য আবেদন করেছিলেন এবং 1962 সালে পেটেন্ট মঞ্জুর করা হয়েছিল। তিনি (সেমিকন্ডাক্টর মেমোরি কোষের উপর তাঁর বক্তৃতার সময়) বলেছিলেন যে "আমি এর [পেটেন্ট] থেকে একটি পয়সাও পাইনি"। যাইহোক, আই টি হিস্ট্রি বলেছে যে সম্ভবত ইতিহাসের সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ আবিষ্কারের জন্য তাকে কমপক্ষে এক ডলার (প্রো ফরমা) দেওয়া হয়েছিল, কারণ এটি এলইডি এবং সৌর কোষের উদ্ভাবনেও সহায়ক ছিল, যার উভয়ই লাউ ওয়াই শিং বলেছেন যে লেহোভেকও গবেষণার পথপ্রদর্শক ছিলেন। 1959 সালে রবার্ট নয়েস যখন মনোলিথিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট আবিষ্কার করেন, তখন তাঁর পি-এন জংশন বিচ্ছিন্নতার ধারণাটি হোর্নির প্ল্যানার প্রক্রিয়ার উপর ভিত্তি করে ছিল। 1976 সালে, নয়েস বলেছিলেন যে, 1959 সালের জানুয়ারিতে তিনি লেহোভেকের কাজ সম্পর্কে জানতেন না। আরও দেখুন এলওসিওএস অগভীর পরিখা বিচ্ছিন্নতা রেফারেন্স সেমিকন্ডাক্টর কাঠামো ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চেক উদ্ভাবন