Piezophototronics
পাইজো-ফোটোনিক প্রভাব হল অ-কেন্দ্রীয় প্রতিসম অর্ধপরিবাহী উপকরণগুলিতে পাইজোইলেক্ট্রিক, সেমিকন্ডাক্টর এবং ফোটোনিক বৈশিষ্ট্যগুলির একটি ত্রিমুখী সংযোগ প্রভাব, যা পাইজোইলেক্ট্রিক সম্ভাব্যতা (পাইজোপোটেনশিয়াল) ব্যবহার করে তৈরি করা হয় যা পাইজোইলেক্ট্রিসিটির সাথে একটি সেমিকন্ডাক্টরে একটি স্ট্রেন প্রয়োগ করে বাহক উৎপাদন, পরিবহন, বিচ্ছেদ এবং/অথবা ধাতব-সেমিকন্ডাক্টর জংশন বা পিএন জংশনে পুনঃসংযোগ নিয়ন্ত্রণ করার জন্য তৈরি করা হয় যাতে ফটোডিটেক্টর, সৌর কোষ এবং আলো-নির্গমনকারী ডায়োডের মতো অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলির কার্যকারিতা উন্নত করা যায়। জর্জিয়া ইনস্টিটিউট অফ টেকনোলজির অধ্যাপক ঝং লিন ওয়াং 2010 সালে এই প্রভাবের মৌলিক নীতিটি প্রস্তাব করেছিলেন। প্রক্রিয়া যখন একটি পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর এবং একটি এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর একটি জংশন গঠন করে, তখন পি-টাইপ পাশের গর্ত এবং এন-টাইপ পাশের ইলেকট্রনগুলি স্থানীয় বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের ভারসাম্য বজায় রাখার জন্য ইন্টারফেস এলাকার চারপাশে পুনরায় বিতরণ করে, যার ফলে একটি চার্জ হ্রাস স্তর তৈরি হয়। জংশন অঞ্চলে ইলেকট্রন এবং গর্তগুলির বিস্তার এবং পুনঃসংযোগ যন্ত্রের অপ্টোইলেক্ট্রনিক বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে ঘনিষ্ঠভাবে সম্পর্কিত, যা স্থানীয় বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের বিতরণ দ্বারা ব্যাপকভাবে প্রভাবিত হয়। ইন্টারফেসে পাইজো-চার্জের অস্তিত্ব তিনটি প্রভাব প্রবর্তন করেঃ প্রবর্তিত স্থানীয় সম্ভাবনার কারণে স্থানীয় বৈদ্যুতিন ব্যান্ড কাঠামোর একটি পরিবর্তন, পাইজোইলেক্ট্রিক সেমিকন্ডাক্টরে বিদ্যমান মেরুকরণের জন্য জংশন অঞ্চলের উপর বৈদ্যুতিন ব্যান্ড কাঠামোর একটি ঢাল এবং স্থানীয় পাইজো-চার্জের ভারসাম্য বজায় রাখার জন্য স্থানীয় চার্জ বাহকগুলির পুনঃবণ্টনের কারণে চার্জ হ্রাস স্তরের পরিবর্তন। সংযোগস্থলে ধনাত্মক পাইজোইলেক্ট্রিক চার্জ শক্তির ব্যান্ডকে কমিয়ে দেয় এবং ঋণাত্মক পাইজোইলেক্ট্রিক চার্জ সংযোগস্থল অঞ্চলের কাছাকাছি এন-টাইপ অর্ধপরিবাহী অঞ্চলে শক্তির ব্যান্ডকে বাড়িয়ে তোলে। পাইজোপোটেনশিয়াল দ্বারা স্থানীয় ব্যান্ডে একটি পরিবর্তন চার্জ ট্র্যাপ করার জন্য কার্যকর হতে পারে যাতে ইলেক্ট্রন-হোল পুনঃসংযোগের হার ব্যাপকভাবে বাড়ানো যায়, যা একটি আলো-নির্গমনকারী ডায়োডের দক্ষতা উন্নত করার জন্য অত্যন্ত উপকারী। উপরন্তু, বাঁকানো ব্যান্ডটি জংশনের দিকে অগ্রসর বাহকদের গতিশীলতাকে পরিবর্তন করে। পাইজো-ফটোট্রনিক্সের উপকরণগুলির তিনটি মৌলিক বৈশিষ্ট্য থাকা উচিতঃ পাইজোইলেক্ট্রিসিটি, সেমিকন্ডাক্টর সম্পত্তি এবং ফোটন উত্তেজনা সম্পত্তি। সাধারণ উপকরণগুলি হল ওয়ার্টজাইট কাঠামো, যেমন জেডএনও, জিএএন এবং আইএনএন। পাইজোইলেক্ট্রিসিটি, ফটোএক্সাইটেশন এবং সেমিকন্ডাক্টর বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে ত্রিমুখী সংযোগ, যা পাইজোট্রনিক্স (পাইজোইলেক্ট্রিসিটি-সেমিকন্ডাক্টর কাপলিং), পাইজোফোটনিক্স (পাইজোইলেক্ট্রিক-ফোটন এক্সাইটেশন কাপলিং), অপ্টোইলেক্ট্রনিক্স এবং পাইজো-ফটোট্রনিক্স পাইজোইলেক্ট্রিসিটি-সেমিকন্ডাক্টর-ফটোএক্সাইটেশন) এর ভিত্তি। এই সংযোগের মূল অংশ পাইজোইলেক্ট্রিক উপকরণ দ্বারা তৈরি পাইজোপোটেনশিয়ালের উপর নির্ভর করে। পরীক্ষামূলক উপলব্ধি গ্রাফিন এবং ট্রানজিশন মেটাল ডাইচালকোজেনাইডস (টিএমডি)-এর উপর ভিত্তি করে ভ্যান ডার ওয়ালস হেটেরোস্ট্রাকচার পাইজোফোট্রনিক প্রভাবের উপলব্ধির জন্য আশাব্যঞ্জক। এটি দেখানো হয়েছে যে গ্রাফিন/এম. ও. এস. 2 জংশনের ফটো-প্রতিক্রিয়া টি. এম. ডি ডি ডিভাইসে পাইজোফোট্রনিক প্রভাব প্রকাশকারী প্রসার্য চাপের মাধ্যমে সুর করা যেতে পারে। তথ্যসূত্র ঘনীভূত পদার্থ পদার্থবিজ্ঞান বৈদ্যুতিক ঘটনা শক্তি সংগ্রহ