Phonon drag
ফোনন ড্র্যাগ হল স্ফটিক জালের সাথে মিথস্ক্রিয়ার কারণে পরিবহন ইলেকট্রন বা ভ্যালেন্স হোলের কার্যকর ভরের বৃদ্ধি যেখানে ইলেক্ট্রন চলাচল করে। একটি ইলেক্ট্রন যখন জালকের মধ্যে পরমাণুগুলিকে অতিক্রম করে যায় তখন তার আধান নিকটবর্তী জালটিকে বিকৃত বা মেরুকরণ করে। এই প্রভাবটি ইলেক্ট্রন (বা গর্ত, যেমনটি হতে পারে) গতিশীলতার হ্রাস ঘটায়, যার ফলে পরিবাহিতা হ্রাস পায়। যাইহোক, ফোনন ড্র্যাগের সাথে সিবেক সহগের মাত্রা বাড়ার সাথে সাথে এটি সরাসরি শক্তি রূপান্তর প্রয়োগের জন্য তাপবিদ্যুৎ উপাদানের ক্ষেত্রে উপকারী হতে পারে। এই প্রভাবের মাত্রা সাধারণত শুধুমাত্র নিম্ন তাপমাত্রায় (<200 কেলভিন) প্রশংসনীয়। ফোননগুলি সর্বদা স্থানীয় তাপীয় ভারসাম্যে থাকে না; তারা তাপীয় গ্রেডিয়েন্টের বিরুদ্ধে চলে। তারা ইলেকট্রন (বা অন্যান্য বাহক) এবং স্ফটিকের অসম্পূর্ণতার সাথে মিথস্ক্রিয়া করে গতিবেগ হারায়। যদি ফোনন-ইলেকট্রন মিথস্ক্রিয়া প্রধান হয়, তবে ফোননগুলি ইলেকট্রনগুলিকে উপাদানটির এক প্রান্তে ঠেলে দেবে, প্রক্রিয়াটিতে গতিবেগ হারাবে। এটি ইতিমধ্যে বিদ্যমান তাপবিদ্যুৎ ক্ষেত্রে অবদান রাখে। এই অবদান তাপমাত্রা অঞ্চলে সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ যেখানে ফোনন-ইলেকট্রন বিচ্ছুরণ প্রধান। এটি ঘটে যেখানে θD হল ডেবাই তাপমাত্রা। নিম্ন তাপমাত্রায় টানার জন্য কম ফোনন পাওয়া যায় এবং উচ্চ তাপমাত্রায় তারা ফোনন-ইলেক্ট্রন বিচ্ছুরণের পরিবর্তে ফোনন-ফোনন বিচ্ছুরণে গতি হারাতে থাকে। একটি চৌম্বক ক্ষেত্রের অধীনে সীবেক সহগ বনাম তাপমাত্রা ফাংশনের এই অঞ্চলটি অত্যন্ত পরিবর্তনশীল। তথ্যসূত্র কিটেল, চার্লস (1996) ইন্ট্রোডাকশন টু সলিড স্টেট ফিজিক্স, 7ম সংস্করণ, জন উইলি অ্যান্ড সন্স, ইনক। ইলেক্ট্রন