Advanced silicon etching
উন্নত সিলিকন খোদাই (এ. এস. ই) একটি গভীর প্রতিক্রিয়াশীল-আয়ন খোদাই (ডি. আর. আই. ই) কৌশল যা সিলিকোনে গভীর এবং উচ্চ দিক অনুপাত কাঠামো খোদাই করে। 1994 সালে যুক্তরাজ্যে সারফেস টেকনোলজি সিস্টেমস পিএলসি (এস. টি. এস) দ্বারা এ. এস. ই তৈরি করা হয়েছিল। এস. টি. এস দ্রুত খোদাইয়ের হারের সঙ্গে এই প্রক্রিয়াটির বিকাশ অব্যাহত রেখেছে। এস. টি. এস সুইচড প্রক্রিয়াটি তৈরি এবং প্রথম প্রয়োগ করেছিল, যা মূলত স্টুটগার্টের বশ-এ ডঃ লারমার উদ্ভাবন করেছিলেন। এ. এস. ই একটি আইসোট্রপিক সি ইচে (সাধারণত একটি এস. এফ. 6 প্লাজমা ব্যবহার করে) অর্জিত দ্রুত ইচ হারের সংমিশ্রণে একটি জমা বা প্যাসিভেশন প্রক্রিয়া (সাধারণত একটি সি4এফ8 প্লাজমা ঘনীভবন প্রক্রিয়া ব্যবহার করে) দুটি প্রক্রিয়া ধাপ পর্যায়ক্রমে সমন্বিত করে। এই পদ্ধতিটি দ্রুততম খোদাইয়ের হার অর্জন করে এবং অ্যানিসোট্রপিকভাবে খোদাই করার ক্ষমতা বজায় রাখে, সাধারণত মাইক্রোইলেক্ট্রোমেকানিকাল সিস্টেম (মাইক্রোইলেক্ট্রোমেকানিকাল সিস্টেম (এমইএমএস)) অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে উল্লম্বভাবে। এ. এস. ই এইচ. আর. এম আই. সি. পি নকশার পূর্ববর্তী প্রজন্মের একটি উন্নতি, যা এখন একটি বিচ্ছিন্ন প্লাজমা উৎস (পেটেন্ট মুলতুবি) অন্তর্ভুক্ত করে। বিচ্ছিন্ন উৎসটি উচ্চ-ঘনত্বের প্লাজমা তৈরি করে যা একটি পৃথক প্রক্রিয়া চেম্বারে ছড়িয়ে পড়তে দেওয়া হয়। একটি বিশেষ চেম্বার নকশা ব্যবহার করে, অতিরিক্ত আয়নগুলি (যা প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণকে নেতিবাচকভাবে প্রভাবিত করে) হ্রাস করা হয়, প্রচলিত আইসিপি উত্স থেকে প্রাপ্ত উচ্চ ঘনত্বে ফ্লোরিন মুক্ত-র্যাডিকেলগুলির একটি অভিন্ন বিতরণ ছেড়ে যায়। উচ্চ ফ্লোরিন মুক্ত-র্যাডিকাল ঘনত্ব ইচ হার বৃদ্ধি করে, সাধারণত মূল প্রক্রিয়ার সাথে অর্জিত ইচ হারের তিনগুণ বেশি। উল্লেখগুলি উল্লেখ করুন। আরও পড়ুন সারফেস টেকনোলজি সিস্টেমস সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস ফ্যাব্রিকেশন মাইক্রোটেকনোলজি এচিং (মাইক্রোফ্যাব্রিকেশন)