Krishna Saraswat
कृष्ण सारस्वत संयुक्त राज्य अमेरिका में स्टैनफोर्ड इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग विभाग में प्रोफेसर हैं। वह इंजीनियरिंग में एक आई. एस. आई. उच्च उद्धृत शोधकर्ता हैं, जिन्होंने उन्हें इंजीनियरिंग अनुसंधान में दुनिया भर में शीर्ष 250 में रखा है, और "सिलिकॉन प्रक्रिया प्रौद्योगिकी में मौलिक योगदान" के लिए आई. ई. ई. ई. के एंड्रयू एस. ग्रोव पुरस्कार के प्राप्तकर्ता हैं। शिक्षा और पदों के लिए सारस्वत ने बी. ई. की उपाधि प्राप्त की। 1968 में बिड़ला प्रौद्योगिकी और विज्ञान संस्थान, पिलानी (बीआईटीएस) से इलेक्ट्रॉनिक्स में डिग्री और उनके एम. एस. स्टैनफोर्ड विश्वविद्यालय से इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग में (1968) और पीएचडी (1974)। सारस्वत एक शोधकर्ता के रूप में स्टैनफोर्ड में रहे और उन्हें 1983 में इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग का प्रोफेसर नियुक्त किया गया। उन्हें जनवरी 2004 से बिड़ला प्रौद्योगिकी और विज्ञान संस्थान, पिलानी, भारत में एक सहायक प्रोफेसर और 2007 की गर्मियों के दौरान आई. आई. टी. बॉम्बे, भारत में एक अतिथि प्रोफेसर की मानद नियुक्ति भी मिली है। वे स्कूल ऑफ इंजीनियरिंग में स्टैनफोर्ड के रिकी/नील्सन प्रोफेसर हैं, और सामग्री विज्ञान और इंजीनियरिंग के शिष्टाचार प्रोफेसर हैं। करियर सारस्वत ने सिलिकॉन के सी. वी. डी. के मॉडलिंग, पॉलीसिलिकॉन में चालन, सिलिसाइड्स में प्रसार, संपर्क प्रतिरोध, इंटरकनेक्ट देरी और सिलिकॉन में ऑक्सीकरण प्रभावों पर काम किया है। उन्होंने एल्यूमीनियम/टाइटेनियम स्तरित इंटरकनेक्ट्स के लिए प्रौद्योगिकियों का बीड़ा उठाया, जो एक उद्योग मानक बन गया, साथ ही साथ टंगस्टन, डब्ल्यू. एस. आई. 2 और सी. जी. ई. जैसी वैकल्पिक सामग्रियों के साथ एम. ओ. एस. फाटकों का सी. वी. डी.। सारस्वत ने स्नातक विद्यालय में माइक्रोवेव ट्रांजिस्टर पर काम किया और उनका शोध प्रबंध उच्च वोल्टेज वाले एम. ओ. एस. उपकरणों और परिपथों पर था। 1980 के दशक के अंत में उन्होंने एकल वेफर निर्माण पर ध्यान केंद्रित किया और इसके लिए उपकरण और सिमुलेटर विकसित किए। टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स के साथ संयुक्त रूप से 1993 में एकल वेफर निर्माण के लिए एक सूक्ष्म कारखाने का प्रदर्शन किया गया था। 1990 के दशक के मध्य से, सारस्वत ने एम. ओ. एस. प्रौद्योगिकी को उप-10 एन. एम. व्यवस्था तक बढ़ाने के लिए प्रौद्योगिकी पर काम किया है और विषम उपकरणों की कई परतों के साथ 3-डी आई. सी. की कई नई अवधारणाओं का बीड़ा उठाया है। उनका वर्तमान शोध नई सामग्रियों, विशेष रूप से सिजी, जर्मेनियम और III-V यौगिकों पर केंद्रित है, ताकि सिलिकॉन को नैनोइलेक्ट्रॉनिक्स स्केल के रूप में प्रतिस्थापित किया जा सके। जुलाई 2019 तक, कृष्ण सारस्वत को लगभग 15 पेटेंट दिए गए हैं। पुरस्कार और सम्मान 2013; 1989-आई. ई. ई. ई. के निर्वाचित अध्येता ('89) और जीवन अध्येता (' 13) 2012-सेमीकंडक्टर उद्योग संघ (एस. आई. ए.) वर्ष का विश्वविद्यालय शोधकर्ता पुरस्कार 2012-वर्ष का पूर्व छात्र पुरस्कार बिड़ला प्रौद्योगिकी और विज्ञान संस्थान, पिलानी