펀치 스루(punch-through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
베이스 중성 영역이 없는 상태이다.
컬렉터 역바이어스를 충분히 증가시킨 경우이다.
베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치 스루현상을 일으키는 컬렉터 전압은 높아진다.
회로에 적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다.
펀치 스루(punch-through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
A. 베이스 중성 영역이 없는 상태이다.
B. 컬렉터 역바이어스를 충분히 증가시킨 경우이다.
C. 베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치 스루현상을 일으키는 컬렉터 전압은 높아진다.
D. 회로에 적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다.