금속화합물을 유도결합플라스마 원자발광분광법으로 분석 시 간섭현상에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
광학적 간섭은 분석하고자 하는 금속과 근접한 파장에 서 발광하는 물질이 존재하거나, 측정파장의 스펙트럼이 넓어질 때, 이온과 원자의 재결합으로 연속 발광할 때 또는 분자띠 발광 시에 발생할 수 있다.
물리적 간섭은 시료의 분무 시 시료의 점도와 표면장력의 변화 등의 매질효과에 의해 발생하며, 이 경우 시료를 희석하거나, 표준물질첨가법을 사용하여 간섭효과를 줄일 수 있다.
이온화로 인한 간섭은 분석대상 원소보다 이온화 전압이 더 높은 원소를 첨가하여 간섭효과를 줄이고, 해리하기 어려운 화합물을 생성하는 경우에는 용매첨가법을 사용한다.
나트륨, 칼슘, 마그네슘 등과 같은 염의 농도가 높은 시료에서, 절대검정곡선법을 적용할 수 없는 경우에는 표준물질첨가법을 사용한다.
금속화합물을 유도결합플라스마 원자발광분광법으로 분석 시 간섭현상에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
A. 광학적 간섭은 분석하고자 하는 금속과 근접한 파장에 서 발광하는 물질이 존재하거나, 측정파장의 스펙트럼이 넓어질 때, 이온과 원자의 재결합으로 연속 발광할 때 또는 분자띠 발광 시에 발생할 수 있다.
B. 물리적 간섭은 시료의 분무 시 시료의 점도와 표면장력의 변화 등의 매질효과에 의해 발생하며, 이 경우 시료를 희석하거나, 표준물질첨가법을 사용하여 간섭효과를 줄일 수 있다.
C. 이온화로 인한 간섭은 분석대상 원소보다 이온화 전압이 더 높은 원소를 첨가하여 간섭효과를 줄이고, 해리하기 어려운 화합물을 생성하는 경우에는 용매첨가법을 사용한다.
D. 나트륨, 칼슘, 마그네슘 등과 같은 염의 농도가 높은 시료에서, 절대검정곡선법을 적용할 수 없는 경우에는 표준물질첨가법을 사용한다.