증가형 n－ 채널 MOSFET 의 문턱 전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
기판의 도핑 농도가 클수록 문턱 전압은 증가한 다 .
채널 폭이 좁아질 수록 문턱 전압은 감소한 다 .
채널길이가 짧아 질 수록 문턱 전압은 감소한 다 .
드레인 －소스 전압이 증가할 수 록 문턱 전압은 감소한 다 .
증가형 n－ 채널 MOSFET 의 문턱 전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
A. 기판의 도핑 농도가 클수록 문턱 전압은 증가한 다 .
B. 채널 폭이 좁아질 수록 문턱 전압은 감소한 다 .
C. 채널길이가 짧아 질 수록 문턱 전압은 감소한 다 .
D. 드레인 －소스 전압이 증가할 수 록 문턱 전압은 감소한 다 .