P형 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?
4가인 Ge이나 Si에 3가인 Ga, In 등을 넣어 만든다.
다수 캐리어가 정공인 불순물 반도체이다.
불순물 첨가에 의해 새로운 에너지 준위인 억셉터 준위가 생긴다.
불순물을 다량으로 도핑할수록 전기적인 저항이 증가한다.
P형 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?
A. 4가인 Ge이나 Si에 3가인 Ga, In 등을 넣어 만든다.
B. 다수 캐리어가 정공인 불순물 반도체이다.
C. 불순물 첨가에 의해 새로운 에너지 준위인 억셉터 준위가 생긴다.
D. 불순물을 다량으로 도핑할수록 전기적인 저항이 증가한다.