전력용 반도체 소자 중 IGBT의 특성이 아닌 것은?
게이트 구동전력이 매우 높다.
게이트와 에미터간 입력 임피던스가 매우 높아 BJT보다 구동하기 쉽다.
소스에 대한 게이트의 전압으로 도통과 차단을 제어한다.
스위칭 속도는 FET와 트랜지스터의 중간정도로 빠른편에 속한다.
전력용 반도체 소자 중 IGBT의 특성이 아닌 것은?
A. 게이트 구동전력이 매우 높다.
B. 게이트와 에미터간 입력 임피던스가 매우 높아 BJT보다 구동하기 쉽다.
C. 소스에 대한 게이트의 전압으로 도통과 차단을 제어한다.
D. 스위칭 속도는 FET와 트랜지스터의 중간정도로 빠른편에 속한다.