미소전자기계기구 구현을 위한 대표 공정 중 하나인 실리콘 산화공정에 대한 설명으로 적절하지 않은 것은?
산화막은 실리콘 표면의 아래쪽으로도 성장한다.
생성된 산화물 두께는 소비되는 실리콘 두께보다 크다.
증착 기술로 얻어진 산화물보다 순도가 낮다.
수증기 분위기에서 산화시키는 기술을 습식산화라고 하며, 건식 산화보다 성장 속도가 빠르다.
미소전자기계기구 구현을 위한 대표 공정 중 하나인 실리콘 산화공정에 대한 설명으로 적절하지 않은 것은?
A. 산화막은 실리콘 표면의 아래쪽으로도 성장한다.
B. 생성된 산화물 두께는 소비되는 실리콘 두께보다 크다.
C. 증착 기술로 얻어진 산화물보다 순도가 낮다.
D. 수증기 분위기에서 산화시키는 기술을 습식산화라고 하며, 건식 산화보다 성장 속도가 빠르다.