MOSFET의 설명으로 거리가 먼 것은?
전력소모가 많은 트랜지스터이다.
VDS을 증가시키면 채널의 폭이 두꺼워져 드레인 lD가 증가한다.
드레인-소스간에 역방향 전압 VDS을 공급하면 드레인 전류 Ie가 흐른다.
게이트-소스간에 순방향 전입 VDS을 공급하면 드레인과 소스 사이에 채널이 형성된다.
MOSFET의 설명으로 거리가 먼 것은?
A. 전력소모가 많은 트랜지스터이다.
B. VDS을 증가시키면 채널의 폭이 두꺼워져 드레인 lD가 증가한다.
C. 드레인-소스간에 역방향 전압 VDS을 공급하면 드레인 전류 Ie가 흐른다.
D. 게이트-소스간에 순방향 전입 VDS을 공급하면 드레인과 소스 사이에 채널이 형성된다.