N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳은 것은?
게이트산화막두께가 얇아질수록 트랜지스터의 전류는 증가한다.
드레인 －소스 전압에 따라 전류의 크기가 변하는 현상을 몸 체 효과(bodyeffect)라고 한다.
채널길이가 짧아짐에 따라 채널길이 변조(channellength modulation) 현상은 줄어든다.
게이트－소스 전압이 문턱 전압보다 크고 게이트－드레인 전압이 문턱 전압보다 작을 때 트랜지스터는 선형(linear) 영역에서 동작한다.
N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳은 것은?
A. 게이트산화막두께가 얇아질수록 트랜지스터의 전류는 증가한다.
B. 드레인 －소스 전압에 따라 전류의 크기가 변하는 현상을 몸 체 효과(bodyeffect)라고 한다.
C. 채널길이가 짧아짐에 따라 채널길이 변조(channellength modulation) 현상은 줄어든다.
D. 게이트－소스 전압이 문턱 전압보다 크고 게이트－드레인 전압이 문턱 전압보다 작을 때 트랜지스터는 선형(linear) 영역에서 동작한다.