IGB(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 특징에 대한 설명으로 잘못된 것은?
역방향 전압 저지 특성을 갖는다.
병렬접속은 할 수 없다.
고속스위칭 성능을 가지고 있다.
Turn-off시 넓은 안전 동작 영역을 가지고 있다.
IGB(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 특징에 대한 설명으로 잘못된 것은?
A. 역방향 전압 저지 특성을 갖는다.
B. 병렬접속은 할 수 없다.
C. 고속스위칭 성능을 가지고 있다.
D. Turn-off시 넓은 안전 동작 영역을 가지고 있다.