금속산화물반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)에 대한 설명으로 틀린 것은?
게이트의 전압이 임계 전압 이상으로 커지면 채널이 형성되기 시작하여 점차 채널 폭이 감소한다.
공핍형(depletion, D)과 증가형(enhancement, E) 2가지 형태가 있다.
정(+)의 게이트 소스 간에 전압이 가해지면 MOSFET는 증가형으로 동작한다.
공핍형 MOSFET는 게이트 전압이 0(V)일 때에도 채널이 존재한다.
금속산화물반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)에 대한 설명으로 틀린 것은?
A. 게이트의 전압이 임계 전압 이상으로 커지면 채널이 형성되기 시작하여 점차 채널 폭이 감소한다.
B. 공핍형(depletion, D)과 증가형(enhancement, E) 2가지 형태가 있다.
C. 정(+)의 게이트 소스 간에 전압이 가해지면 MOSFET는 증가형으로 동작한다.
D. 공핍형 MOSFET는 게이트 전압이 0(V)일 때에도 채널이 존재한다.