반도체 공정에서 산화막 공정의 목적과 거리가 먼 것은?
표면 유전성(surface dielectric) 효과
표면 안정화(surface passivation) 효과
이온주입 및 불순물 확산공정에 대한 마스킹(selective masking) 효과
저온증착(Low Temperature Chemical Vapor Deposition) 효과
반도체 공정에서 산화막 공정의 목적과 거리가 먼 것은?
A. 표면 유전성(surface dielectric) 효과
B. 표면 안정화(surface passivation) 효과
C. 이온주입 및 불순물 확산공정에 대한 마스킹(selective masking) 효과
D. 저온증착(Low Temperature Chemical Vapor Deposition) 효과