NPN bipolar 트랜지스터 증폭기 설명으로 틀린 것은?
에미터와 컬렉터 영역은 베이스 영역보다 불순물 농도가 대단히 낮게 도핑되어 있다.
베이스 영역은 에미터와 컬렉터 영역에 비해서 폭이 매우 얇다.
베이스-에미터 접합은 순방향 바이어스를 걸고 베이스-컬렉터 접합은 역방향 바이어스를 건다.
바이어스를 걸어주면 에미터 영역에 있는 자유전자가 베이스 영역으로 확산하여 베이스의 정공과 재결합하고 나머지는 컬렉터 단자의 강한 전계로 인해서 컬렉터 단자로 흘러간다.
NPN bipolar 트랜지스터 증폭기 설명으로 틀린 것은?
A. 에미터와 컬렉터 영역은 베이스 영역보다 불순물 농도가 대단히 낮게 도핑되어 있다.
B. 베이스 영역은 에미터와 컬렉터 영역에 비해서 폭이 매우 얇다.
C. 베이스-에미터 접합은 순방향 바이어스를 걸고 베이스-컬렉터 접합은 역방향 바이어스를 건다.
D. 바이어스를 걸어주면 에미터 영역에 있는 자유전자가 베이스 영역으로 확산하여 베이스의 정공과 재결합하고 나머지는 컬렉터 단자의 강한 전계로 인해서 컬렉터 단자로 흘러간다.