Si 결정에서의 전자 이동도는 T=300[K]에서 0.12[m2/Volt-sec] 이다. 상온에서 전자의 확산계수는? (단, 볼쯔만 상수 k=8.63×10-5[eV/K]이다.)
2.1×10-3[m2/sec]
2.5×10-5[m2/sec]
3.1×10-3[m2/sec]
3.5×10-5[m2/sec]
Si 결정에서의 전자 이동도는 T=300[K]에서 0.12[m2/Volt-sec] 이다. 상온에서 전자의 확산계수는? (단, 볼쯔만 상수 k=8.63×10-5[eV/K]이다.)
A. 2.1×10-3[m2/sec]
B. 2.5×10-5[m2/sec]
C. 3.1×10-3[m2/sec]
D. 3.5×10-5[m2/sec]