IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)에 대한 설명으로 틀린 것은?
MOSFET와 같이 전압제어 소자이다.
GTO 사이리스터와 같이 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
게이트와 에미터 사이의 입력 임피던스가 매우 낮아 BJT 보다 구동하기 쉽다.
BJT처럼 on-drop 이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하며, MOSFET보다 훨씬 큰 전류를 흘릴 수 있다.
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)에 대한 설명으로 틀린 것은?
A. MOSFET와 같이 전압제어 소자이다.
B. GTO 사이리스터와 같이 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
C. 게이트와 에미터 사이의 입력 임피던스가 매우 낮아 BJT 보다 구동하기 쉽다.
D. BJT처럼 on-drop 이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하며, MOSFET보다 훨씬 큰 전류를 흘릴 수 있다.