IGBT 의 설명으로 틀린 것은?
GTO 사이리스터처럼 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
오프상태에서 SCR 사이리스터처럼 양방향 전압저지 능력을 갖는다.
게이트와 에미터간 입력 임피던스가 매우 높아 BJT 보다 구동하기 쉽다.
BJT처럼 온드롭(no-drop)이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하여 MOSFET 보다 큰 전류를 흘릴 수 있다.
IGBT 의 설명으로 틀린 것은?
A. GTO 사이리스터처럼 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
B. 오프상태에서 SCR 사이리스터처럼 양방향 전압저지 능력을 갖는다.
C. 게이트와 에미터간 입력 임피던스가 매우 높아 BJT 보다 구동하기 쉽다.
D. BJT처럼 온드롭(no-drop)이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하여 MOSFET 보다 큰 전류를 흘릴 수 있다.