유도결합플라스마-원자발광분광법에 의한 금속류 분석방법에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
시료를 고주파유도코일에 의하여 형성된 석영 플라스마에 주입하여 1000 ~ 2000 K에서 들뜬 원자가 바닥상태로 이동할 때 방출하는 발광선 및 발광강도를 측정한다.
대부분의 간섭 물질은 산 분해에 의해 제거된다.
물리적 간섭은 특히 시료 중에 산의 농도가 10v/v%이상으로 높거나 용존 고형물질이 1500 mg/L 이상으로 높은 반면, 검정용 표준용액의 산의 농도는 5 %이하로 낮을 때에 발생한다.
간섭효과가 의심되면 대부분의 경우가 시료의 매질로 인해 발생하므로 원자흡수분광광도법 또는 유도결합플라즈마-질량분석법과 같은 대체방법과 비교하는 것도 간섭효과를 막는 방법이 될 수 있다.
유도결합플라스마-원자발광분광법에 의한 금속류 분석방법에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
A. 시료를 고주파유도코일에 의하여 형성된 석영 플라스마에 주입하여 1000 ~ 2000 K에서 들뜬 원자가 바닥상태로 이동할 때 방출하는 발광선 및 발광강도를 측정한다.
B. 대부분의 간섭 물질은 산 분해에 의해 제거된다.
C. 물리적 간섭은 특히 시료 중에 산의 농도가 10v/v%이상으로 높거나 용존 고형물질이 1500 mg/L 이상으로 높은 반면, 검정용 표준용액의 산의 농도는 5 %이하로 낮을 때에 발생한다.
D. 간섭효과가 의심되면 대부분의 경우가 시료의 매질로 인해 발생하므로 원자흡수분광광도법 또는 유도결합플라즈마-질량분석법과 같은 대체방법과 비교하는 것도 간섭효과를 막는 방법이 될 수 있다.