Ge 다이오드와 Si 다이오드를 비교한 내용으로 틀린 것은?
진성재료로서 Ge이 Si보다 1[cm2] 당 자유전자의 개수가 적다.
Si 다이오드에 대한 정격전압은 약 1000[V]이고 Ge 다이오드에 대한 정격전압은 약 400[V] 이다.
Si 다이오드는 온도정격은 약 200[℃]이고 Ge 다이오드의 온도정격은 약 100[℃]이다.
Si 다이오드의 문턱전압은 0.7[V]이고 Ge 다이오드인 경우는 0.3[V]이다.
Ge 다이오드와 Si 다이오드를 비교한 내용으로 틀린 것은?
A. 진성재료로서 Ge이 Si보다 1[cm2] 당 자유전자의 개수가 적다.
B. Si 다이오드에 대한 정격전압은 약 1000[V]이고 Ge 다이오드에 대한 정격전압은 약 400[V] 이다.
C. Si 다이오드는 온도정격은 약 200[℃]이고 Ge 다이오드의 온도정격은 약 100[℃]이다.
D. Si 다이오드의 문턱전압은 0.7[V]이고 Ge 다이오드인 경우는 0.3[V]이다.