MOSFET와의 설명으로 틀린 것은?
게이트-소스간에 전압 VGS을 인가하면 드레인과 소스사이에 채널이 형성된다.
드레인-소스간에 역방향 전압 VDS을 인가하면 드레인 전류 ID가 흐른다.
VGS을 증가시키면 채널의 폭이 두꺼워져 드레인 전류 ID가 증가한다.
BJT에 비해 전력소모가 많은 트랜지스터이다.
MOSFET와의 설명으로 틀린 것은?
A. 게이트-소스간에 전압 VGS을 인가하면 드레인과 소스사이에 채널이 형성된다.
B. 드레인-소스간에 역방향 전압 VDS을 인가하면 드레인 전류 ID가 흐른다.
C. VGS을 증가시키면 채널의 폭이 두꺼워져 드레인 전류 ID가 증가한다.
D. BJT에 비해 전력소모가 많은 트랜지스터이다.