HANA ลุยติดตั้งสายผลิต Q4 หนุนรายได้ธุรกิจ IC Assembly & Test ขยายตัว 20%
HANA ลุยติดตั้งสายการผลิตจำนวนมากช่วง Q4/64 คาดเพิ่มรายได้จากการขายในธุรกิจ IC Assembly & Test ได้ประมาณ 15-20% ในอีก 3 ถึง 4 ปี ข้างหน้า
HANA ลุยติดตั้งสายการผลิตจำนวนมากช่วง Q4/64 คาดเพิ่มรายได้จากการขายในธุรกิจ IC Assembly & Test ได้ประมาณ 15-20% ในอีก 3 ถึง 4 ปี ข้างหน้า
19 ต.ค. 2564

บริษัท ฮานา ไมโครอิเล็กทรอนิกส จำกัด (มหาชน) หรือ HANA เปิดเผยถึงการพัฒนาผลิตภัณฑ์การจัดการพลังงานซิลิคอนและซิลิคอนคาร์ไบด์ของบริษัทเพาเวอร์มาสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์ จำกัด (Power Master Semiconductor Co., Ltd.) หรือ PMS ซึ่งเป็นบริษัทย่อยของบริษัทฯ ตั้งอยู่ในเมืองชองจู สาธารณรัฐเกาหลีว่า โครงการอุปกรณ์การจัดการพลังงานซิลิคอนและซิลิคอนคาร์ไบด์ ได้พัฒนาผลิตภัณฑ์เสร็จสิ้นในไตรมาส 3/2564
โดยเป็นการลงทุนในอุปกรณ์เครื่องจักรการผลิต เพื่อการผลิตจำนวนมาก (mass production) ในอุปกรณ์การจัดการพลังงานซิลิคอนและซิลิคอนคาร์ไบด์ ซึ่งทำการผลิตโดยบริษัท เพาเวอร์มาสเตอร์ เซมิคอนดักเตอร์ จำกัด การลงทุนนี้มีมูลค่าประมาณ 2,000 – 2,160 ล้านบาท
ทั้งนี้ หลังจากติดตั้งอุปกรณ์เครื่องจักรการผลิตแล้ว บริษัท เพาเวอร์มาสเตอร์ เซมิคอนดักเตอร์ จำกัด บริษัทย่อยของบริษัทฯ จะมีศักยภาพในการผลิตอุปกรณ์ซิลิคอนและซิลิคอนคาร์ไบด์เซมิคอนดักเตอร์เพื่อจำหน่ายโดยตรงให้กับลูกค้า หรือส่งไปดำเนินการผลิตต่อที่โรงงานผลิต IC Assembly &amp; Test ของฮานาในประเทศไทย และ/หรือฮานา ในประเทศจีน
สำหรับ IC หรืออุปกรณ์โมดูลพลังงาน ธุรกิจนี้จะต่อยอดการเติบโตของธุรกิจ IC Assembly &amp; Test ที่มีอยู่เดิมของบริษัทฯ เพื่อก้าวเข้าสู่ตลาดรถยนต์พลังงานไฟฟ้า (EV Car) และอุปกรณ์เครื่องชาร์จพลังงาน (EV charger) รวมทั้งอุปกรณ์ไฟฟ้าอื่นๆ ที่เกี่ยวกับการจัดการด้านพลังงาน ที่มีการเติบโตอย่างรวดเร็ว
อย่างไรก็ตาม บริษัทฯคาดว่าจะมีการติดตั้งสายการผลิตจำนวนมาก (mass production) ชุดแรกภายในต้นไตรมาสที่ 4 ปี 2565 โดยผลิตภัณฑ์จะเริ่มออกสู่ตลาดในช่วงปลายปี 2565 หรือต้นปี 2566 ซึ่งผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ประมาณการว่าจะเพิ่มรายได้จากการขายของบริษัทฯ สำหรับธุรกิจ IC Assembly &amp; Test ได้ประมาณ 15-20% ในอีก 3 ถึง 4 ปี ข้างหน้า
ทั้งนี้ ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เป็นวัตถุดิบชนิดใหม่ซึ่งเป็นสารประกอบผลึกสังเคราะห์ที่แข็งมากของซิลิกอนและคาร์บอน มีคุณสมบัติที่มีเสถียรภาพทนไฟข้นสูงสามารถแปลงแรงดันไฟฟ้ากำลังแรงสูงค่าสัมประสิทธิ์ การขยายตัวทางความร้อนต่ำและความต้านทานการสึกหรอที่ดีกว่าทำให้มีการสูญเสียพลังงานน้อยกว่าอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์
โดยซิลิคอนแบบเดิมจึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการนำไปใช้งานในอุปกรณ์อิเล็คทรอนิกส์เพื่อการบริหารจัดการการใชัพลังงานแบบอัจฉริยะ (Smarter Power Designs) สำหรับการใช้งานในวงกว้างตั้งแต่เครื่องใช้ไฟฟ้าระดับไฮเอนด์เครื่องใช้ไฟฟ้าขนาดใหญ่ในครัวเรือน อุปกรณ์โทรคมนาคม อุปกรณ์ Cloud Computing อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้า EV/OBC (เครื่องชาร์จออน บอร์ด)
รวมทั้งในอุตสาหกรรมพลังงานหมุนเวียน (พลังงานแสงอาทิตย์และลม) ซึ่งต้องใช้ความรวดเร็วในการชาร์จพลังงาน เนื่องจากคุณสมบัติทางกายภาพดังกล่าวนี้ทำให้ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) มีความยากในการผลิตและมีต้นทุนที่สูงกว่า
อย่างไรก็ตาม บริษัทฯ จะดำเนินการผลิตซิลิคอนแบบมาตรฐานสำหรับอุปกรณ์ที่ไม่ต้องการประสิทธิภาพสูงดังที่กล่าวข้างต้นอีกด้วย ซึ่งมีต้นทุนในการผลิตที่ต่ำกว่าเนื่องจากตลาดมีความต้องการสูงในอุปกรณ์ซิลิคอนทั้งสองประเภท