Galijum nitrid
Galijum nitrid (GaN) je hemijsko jedinjenje, koje ima molekulsku masu od 86,754 -{Da}-. Koristi se i kao direktno pojasni binarni poluprovodnik u svijetlećim diodama od 1990-ih.

Pošto GaN tranzistori mogu da rade na mnogo višim temperaturama i rade na mnogo većim naponima od tranzistora galijum arsenida (GaAs), oni prave idealna pojačala snage na mikrotalasnim frekvencijama. Pored toga, GaN nudi obećavajuće karakteristike za THz uređaje.

Osobine

Reference

Literatura

Spoljašnje veze 

 

Амонијум једињења
Једињења галијума
Galijum nitrid ( GaN ) je hemijsko jedinjenje , koje ima molekulsku masu od754 -{ Da }- . Koristi se i kao direktno pojasni binarni poluprovodnik u svijetlećim diodama odih . Pošto GaN tranzistori mogu da rade na mnogo višim temperaturama i rade na mnogo većim naponima od tranzistora galijum arsenida ( GaAs ) , oni prave idealna pojačala snage na mikrotalasnim frekvencijama . Pored toga , GaN nudi obećavajuće karakteristike za THz uređaje . Osobine Reference Literatura Spoljašnje veze Амонијум једињења Једињења галијума