Dopant
Dopant je snov, ki jo vnesemo v izredno majhnih količinah (v sledeh) v snov, da bi s tem snovi spremenili električne in optične lastnosti.

V kristalnih snoveh atomi dopanta zavzamejo mesta atomov kristala. Postopek za vnos dopanta v kristalno mrežo imenujemo dopiranje. Najbolj pogosto se dopiranje uporablja pri izdelavi polprevodnikov.

Kadar dodajamo elemente, ki imajo več elektronov v valenčnem pasu kot atomi v kristalni strukturi, imamo dopiranje tipa n (primer: dopiranje silicija s fosforjem). V primeru, da dodajamo elemente, ki imajo manj elektronov v valenčnem pasu kot atomi kristalne struktue, imamo dopiranje tipa p (primer: dopiranje silicija z borom).

Najpogosteje uporabljeni dopanti 
bor, arzen, fosfor in antimon, se najpogosteje uporabljajo kot dopanti pri izdelavi polprevodnikov
 dopanti za silicij in germanij in polprevodnikov 4. skupine elementov
 donorji: atomi 5. skupine kot so antimon, fosfor, arzen
 akceptorji: 3. skupina: bor, aluminij, galij
dopanti za galijev arzenid in polprevodnike elementov iz skupin 3 in 5
 donorji: atomi iz 6. in 4. skupine: žveplo, selen, telur, silicij
 akceptorji: atomi 2. in 4. skupine: magnezij, cink, kadmij, silicij

 Na medicinskem področju se uporablja erbij kot dopant za laserske skalpele v laserski kirurgiji. Z evropijem se dopira plastkav laserjih. S holmijem  in neodimom dopiran itrij aluminijev granat se uporablja v nekaterih laserskih skalpelih.

Sprememba energijskih nivojev 
Vnos dopantov spremeni strukturo energijskih nivojev v polprevodniku.  Pri vnosu donorjev nastane v prepovedanem pasu dodatni energijski nivo, ki je blizu prevodnemu pasu. Elektroni potrebujejo relativno malo energije za preskok v prevodni pas. Pri dodajanju akceptorjev pa nastane dodatni energijski nivo, ki je bliže valenčnemu pasu. Energija za preskok v ta nivo je majhna. Preskok pa pusti za seboj vrzel, ki se obnaša kot pozitivni naboj.

Tehnologija dopiranja 
Dopiranje se izvaja na nekaj načinov. Najbolj pogosti načini so:
 z difuzijo
 z ionsko vsaditvijo (ionska implantacija)
 z nevtronskim dopiranjem

Pri difuziji se izkorišča termično gibanje pri katerem dobimo skupni pretok molekul ali atomov iz področja z višjo koncentracijo v področje z manjšo koncentracijo  molekul ali atomov.
Pri ionski implantaciji se vsadijo ioni neke snovi v drugo snov s pomočjo izvora ionov.
Pri nevtronskem dopiranju (najbolj pogosto pri dopiranju silicija s fosforjem ali galija z arzenom) izkoriščamo spremembo izotopov zaradi obsevanja z nevtroni. Stabilen izotop silicija 30Si obsevamo z nevtroni in dobimo radioaktiven izotop 31Si, ki ima razpolovno dobo samo 2,62 ur  . 
To zapišemo na naslednji način:

.
S to metodo dobimo zelo enekomerno dopirano snov.

Opombe in sklici

Zunanje povezave 
 Opis lastnosti dopanta 
 Definicija dopanta na Encyclopedia of alternative Energy 
  Polprevodniki  
 Tehnike dotiranja 

Fizika kondenzirane snovi
Polprevodniki
Dopant je snov , ki jo vnesemo v izredno majhnih količinah ( v sledeh ) v snov , da bi s tem snovi spremenili električne in optične lastnosti . V kristalnih snoveh atomi dopanta zavzamejo mesta atomov kristala . Postopek za vnos dopanta v kristalno mrežo imenujemo dopiranje . Najbolj pogosto se dopiranje uporablja pri izdelavi polprevodnikov . Kadar dodajamo elemente , ki imajo več elektronov v valenčnem pasu kot atomi v kristalni strukturi , imamo dopiranje tipa n ( primer : dopiranje silicija s fosforjem ) . V primeru , da dodajamo elemente , ki imajo manj elektronov v valenčnem pasu kot atomi kristalne struktue , imamo dopiranje tipa p ( primer : dopiranje silicija z borom ) . Najpogosteje uporabljeni dopanti bor , arzen , fosfor in antimon , se najpogosteje uporabljajo kot dopanti pri izdelavi polprevodnikov dopanti za silicij in germanij in polprevodnikov skupine elementov donorji : atomi skupine kot so antimon , fosfor , arzen akceptorji : skupina : bor , aluminij , galij dopanti za galijev arzenid in polprevodnike elementov iz skupinin 5 donorji : atomi iz in skupine : žveplo , selen , telur , silicij akceptorji : atomi in skupine : magnezij , cink , kadmij , silicij Na medicinskem področju se uporablja erbij kot dopant za laserske skalpele v laserski kirurgiji . Z evropijem se dopira plastkav laserjih . S holmijem in neodimom dopiran itrij aluminijev granat se uporablja v nekaterih laserskih skalpelih . Sprememba energijskih nivojev Vnos dopantov spremeni strukturo energijskih nivojev v polprevodniku . Pri vnosu donorjev nastane v prepovedanem pasu dodatni energijski nivo , ki je blizu prevodnemu pasu . Elektroni potrebujejo relativno malo energije za preskok v prevodni pas . Pri dodajanju akceptorjev pa nastane dodatni energijski nivo , ki je bliže valenčnemu pasu . Energija za preskok v ta nivo je majhna . Preskok pa pusti za seboj vrzel , ki se obnaša kot pozitivni naboj . Tehnologija dopiranja Dopiranje se izvaja na nekaj načinov . Najbolj pogosti načini so : z difuzijo z ionsko vsaditvijo ( ionska implantacija ) z nevtronskim dopiranjem Pri difuziji se izkorišča termično gibanje pri katerem dobimo skupni pretok molekul ali atomov iz področja z višjo koncentracijo v področje z manjšo koncentracijo molekul ali atomov . Pri ionski implantaciji se vsadijo ioni neke snovi v drugo snov s pomočjo izvora ionov . Pri nevtronskem dopiranju ( najbolj pogosto pri dopiranju silicija s fosforjem ali galija z arzenom ) izkoriščamo spremembo izotopov zaradi obsevanja z nevtroni . Stabilen izotop silicijai obsevamo z nevtroni in dobimo radioaktiven izotopi , ki ima razpolovno dobo samo62 ur \ . To zapišemo na naslednji način : . S to metodo dobimo zelo enekomerno dopirano snov . Opombe in sklici Zunanje povezave Opis lastnosti dopanta Definicija dopanta na Encyclopedia of alternative Energy Polprevodniki Tehnike dotiranja Fizika kondenzirane snovi Polprevodniki