इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन
इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन (e-beam lithography) एक ऐसी पक्रिया है जिसमें इलेक्ट्रानों के किरण पुंज को रैसिस्ट से लिपे सतह पर एक सांचे (पैटर्न) के अनुसार क्रमवीक्षित (स्कैन) किया जाता है। इसका प्रमुख लाभ यह है कि इसकी सहायता से दृष्य प्रकाश के विवर्तन सीमा को लांघना सम्भव हो पाता है। जिससे नैनोमीटर स्तर तक के गुणादि (फीचर) देखे जा सकते हैं, अन्यथा यह सम्भव नहीं होता | प्रकाशिक अश्मलेखन में प्रयुक्त होने वाली मास्क के निर्माण में, कम मात्रा में अर्धचालक युक्तिओं के उत्पादन में तथा अनुसंधान और विकास में इसका प्रचुर मात्रा में उपयोग होने लगा है।