Dawon Kahng
Dawon Kahng (korejski: hangul: 강대원  ; 4. maja 1931. – 13. maja 1992.) bio je korejsko-američki inženjer elektrotehnike i pronalazač, poznat po svom radu u elektronici čvrstog stanja. Najpoznatiji je po izumu MOSFET -a (metal–oksid–poluprovodnički tranzistor sa efektom polja, ili MOS tranzistor), zajedno sa svojim kolegom Mohamedom Atallom, 1959. godine. Kahng i Atala razvili su i PMOS i NMOS procese za proizvodnju MOSFET poluprovodničkih uređaja. MOSFET je najrasprostranjeniji tip tranzistora i osnovni element u najsavremenijoj elektronskoj opremi. Kahng i Atalla su kasnije predložili koncept MOS integrisanog kola, i uradili su pionirski rad na Šotkijevim diodama i tranzistorima sa nanoslojnom bazom početkom 1960-ih. Kahng je potom izumio MOSFET sa plutajućim vratima (FGMOS) sa Simonom Min Szeom 1967. godine. Kahng i Sze su predložili da se FGMOS može koristiti kao memorijske ćelije s plutajućim vratima za nepromjenjivu memoriju (NVM) i reprogramabilnu memoriju samo za čitanje (ROM), koja je postala osnova za EPROM (programabilni ROM koji se može izbrisati), EEPROM (električno izbrisiv programabilni ROM ). ROM) i tehnologije fleš memorije. Kahng je uvršten u Nacionalnu kuću slavnih pronalazača 2009. Dawon Kahng je rođen 4. maja 1931. u Keijōu, Chosen (danas Seul, Južna Koreja ). Studirao je fiziku na nacionalnom univerzitetu u Seulu u Južnoj Koreji, a emigrirao je u Sjedinjene Države 1955. godine kako bi pohađao Državni univerzitet Ohajo, je 1959. godine dobio doktorat iz elektrotehnike. Bio je istraživač u Bell Telephone Laboratories u Murray Hillu, New Jersey, i izumio je MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect tranzistor), koji je osnovni element u većini današnje elektronske opreme, sa Atallom 1959. godine. Proizveli su i PMOS i NMOS uređaje sa 20 µm procesom.