Gate capacitance
Gate capacitance (tarjimasi:darvoza sigʻimi) - dala effektli tranzistorning eshik terminalining sigʻimi . U tranzistor eshigining mutlaq sigʻimi yoki integral sxema texnologiyasining birlik maydoniga sigʻimi yoki texnologiyadagi minimal uzunlikdagi tranzistorlarning birlik kengligidagi sigʻim sifatida ifodalanishi mumkin. MOSFETlarning taxminan Dennard miqyosidagi avlodlarida birlik maydoniga sigʻim qurilma oʻlchamlariga teskari ortdi. Darvoza maydoni qurilma oʻlchamlari kvadratiga tushganligi sababli, tranzistorning eshik sigʻimi qurilma oʻlchamlariga toʻgʻridan-toʻgʻri mutanosib ravishda kamaydi. Dennard shkalasi bilan eshik kengligi birligi uchun sigʻim taxminan doimiy boʻlib qoldi; bu oʻlchov darvoza-manba va darvoza-drenaj oʻzaro sigʻimlarini oʻz ichiga olishi mumkin. Boshqa masshtablar kam uchraydi; kuchlanishlar va eshik oksidi qalinligi har doim ham qurilma oʻlchamlari kabi tez kamaymagan, shuning uchun birlik maydonidagi eshik sigʻimi tez oʻsmagan va tranzistor kengligidagi sigʻim baʼzan avlodlar davomida kamaydi. Kremniy-dioksid bilan izolyatsiyalangan eshik uchun ichki eshik sigʻimi (yaʼni, chekka maydonlarni va boshqa tafsilotlarni hisobga olmagan holda) birlik maydoni uchun ingichka oksidli sigʻimdan hisoblash mumkin: C G = A G C o x {\displaystyle C_{\mathrm {G} }=A_{\mathrm {G} }C_{\mathrm {ox} }} qayerda A G {\displaystyle A_{\mathrm {G} }} darvoza maydoni va birlik maydoni uchun ingichka oksidi sigʻimi C o x = ϵ S i O 2 ϵ 0 t o x {\displaystyle C_{\mathrm {ox} }={\frac {\epsilon _{\mathrm {SiO_{2}} }\epsilon _{0}}{t_{\mathrm {ox} }}}} , bilan ϵ S i O 2 = 3.9 {\displaystyle \epsilon _{\mathrm {SiO_{2}} }=3.9} silikon dioksidning nisbiy oʻtkazuvchanligi, ϵ 0 = 8.854 × 10 − 12   F / m {\displaystyle \epsilon _{0}=8.854\times 10^{-12}\ \mathrm {F/m} } vakuum oʻtkazuvchanligi va t o x {\displaystyle t_{\mathrm {ox} }} oksidning qalinligi.