Ion implantatsiya
Ion implantatsiya usulda kerakli element atomlari toʻlaligicha ionlarga aylantiriladi va ularga elektr maydoni yordamida energiya berilib, asosning yuzasiga tushiriladi. Bu energiyaning hisobiga ionlar asosning ichiga kirib borib joylashadi. Koʻpincha, jarayonning oʻzida kerakli birikmalar hosil boʻladi. Masalan, BaSi va BaSi2 birikmasini olish uchun kremniyning yuzasiga bariy ionlari bilan uriladi. Bunda bariyning koʻp qismi kremniyning yuza osti qatlamlariga joylashib, kerakli birikmalarni hosil qiladi. Ion implantatsiya usulida monokristallarning yuzasi buziladi, koʻp hollarda hosil boʻlayotgan plyonka amorf boʻladi. Ion implantatsiya usulining eng asosiy afzalligi shundan iboratki, bu usul bilan har qanday materialga turli xil atomlarni kiritish mumkin. Bu usulni amalga oshirish uchun maʼlum bir qurilmalardan foydalaniladi.