Laiapinnalise grafeeni valmistamine keemilise aurufaassadestuse meetodil
Keemilise aurufaassadestuse (inglise keeles Chemical Vapor Deposition, CVD) meetod on laialdaselt kasutuses õhukeste tahkiskilede sadestamiseks kasvatusalustele. Tavaliselt transporditakse lähteaine(d) jätkuva voona alustele inertsete kandegaaside abil. Alusel või selle vahetus läheduses toimuvad lähteaine(te)ga või lähteaine(te) toimel keemilised reaktsioonid. Näiteks lagundatakse lähteaine kasvatusaluse juures kaheks komponendiks, millest üks sadeneb alusele ja teine, gaasiline komponent, viiakse süsteemist välja. Grafeenis nähakse suurt potentsiaali tuleviku nanoelektroonikas tänu selle laengukandjate suurele liikuvusele. Grafeenil on lisaks heale elektrijuhtivusele veel teisigi väärtuslikke omadusi, nagu näiteks rekordiline soojusjuhtivus, suur mehaaniline tugevus ja läbipaistvus. Seetõttu püütakse grafeeni kasutusele võtta väga erinevates rakendustes – lisaks väljatransistoritele on sellest valmistatud läbipaistvaid ja painduvaid elektroode, ülitundlikke sensoreid ning grafeeni on kasutatud ka komposiitmaterjalides.