Kuuma elektroni injektsioon
Kuumade elektronide injektsioon (inglise keeles hot carrier injection, hot electron injection) on nähtus tahkiseelektroonikas, kus laengukandja (elektron või auk) saab piisavalt suure kineetilise energia, et triivida voolukanalis ja liikuda ületada potentsiaalibarjääri. Väljend „kuum“ ei tähenda antud kontekstis mitte seda, et mikrokiip peaks selle nähtuse jaoks soe olema, vaid viitab laengukandjate tiheduse modelleerimiseks kasutatavat efektiivset temperatuuri. Kuna langukandjad võivad jääda paisu MOS transistori dielektrikusse lõksu, siis muudetakse selle efekti läbi jäädavalt transistori omadusi. Kuuma elektroni injektsioon on ka üks mehhanismidest, mis rikub tahkiseelektroonika pooljuhtide omadusi. Et elektron muutuks „kuumaks“ ja siseneks pooljuhi juhtivustsooni, peab elektron saavutama ligikaudu 3,2 eV suuruse kineetilise energia. Aukude puhul valentstsooni kompensatsiooni tõttu peab neil olema kineetiline energia 4,6 eV. Väljend „kuum elektron“ tuleneb laengukandjate tiheduse modelleerimisel (näiteks Fermi-Diraci funktsiooni abil) kasutatavast efektiivsest temperatuurist ja ei tähenda seda, et elektroonilise seadme enda füüsiline temperatuur oleks kõrge. Kuumi elektrone sisaldava kiibi enda temperatuur võib sealjuures olla madal, kuid mainida tasuks, et mida soojem on seade, seda rohkem võib statistiliselt sealt leida kuumi elektrone. Nähtust kasutatakse välkmälude tehnoloogias.