Czochralski meetod
Czochralski protsess on meetod, mida kasutatakse pooljuhtide, metallide, soolade ja vääriskivide monokristallide kasvatamiseks. Meetod on peamine viis räni-, oksiid- ja fluoriidkristallide ning ka mitmekompentsete kristallide kasvatamiseks. Seemneks kasutatakse juba olemasolevat monokristalli. Seeme sukeldatakse sulanud lähtematerjaliga täidetud anumasse ning seda hakatakse sealt aeglaselt välja tõmbama, samal ajal seemnekristalli pöörates. Hoolikalt protsessi parameetreid reguleerides on niimoodi võimalik kasvatada silindrilisi monokristalle. Peamiselt rakendatakse seda meetodit elektroonikas kasutatavate monokristalsete ränialuste loomiseks. Nendele on ehitatud 99% tänapäevasest pooljuhtseadmetest ning 95% ränialustest on kasvatatud Czochralski meetodi abil. Nõudmised räni kristallograafilisele kvaliteedile on väga ranged, vaid mõnede elektroonikaseadmete puhul on võimalik töötada kõrge viimistluseta ränialustega. Mida tihedamalt paiknevad alusel elektroonilised komponendid, seda suuremat mõju omavad defektid ränialuses. Seetõttu on monokristalse räni valmistamise tehnoloogia sügavalt läbi uuritud. Protsessi detailne kontrollimine ning tulemuste saavutamine, mis on piisavad tööstuslikuks kasutamiseks, nõuab täpseid tehnilisi teadmisi ja ei ole triviaalne probleem.