Jõu-bipolaartransistor
Jõu-bipolaartransistor (inglise keeles power BJT) on bipolaartransistori spetsiaalne versioon, mis on optimeeritud suure võimsuse (kuni mitusada amprit ja kuni umbes 1000 V) lülitamiseks, kusjuures komponendi suurus on kõigest umbes üks kuupsentimeeter. Erinevalt tavalisest bipolaartransistorist on jõutransistoril vertikaalne struktuur, nii et vool saab jaotuda ühtlaselt suurele alale. Jõu-bipolaarne transistor on nagu ka jõu-MOSFET standardne tööstuslik komponent, mida kasutatakse võimsusvõimendina ja lülitina ning see toimib umbes nagu vooluga juhitav toiteallikas. Seda asendatakse üha enam IGBT-ga, mis on bipolaartransistori ja MOSFETi kombinatsioon.