Dopeerimine
Dopeerimine ehk dopeering (inglise keeles doping) tähendab pooljuhttehnoloogias võõraatomite sisestamist sihtmaterjalisse (alusmaterjalisse), näiteks integraallülituse kihti. Selle protsessi käigus sisestatav kogus on sihtmaterjaliga võrreldes väga väike (vahemikus 0,1 kuni 100 ppm). Võõraatomid muudavad spetsiifiliselt sihtmaterjali omadusi, s.t elektronide käitumist ja seega ka elektrijuhtivust. Isegi väike lisandisisaldus võib põhjustada väga suure elektrijuhtivuse muutuse. Dopeerimise mõistet kasutatakse selles tähenduses ka teistes materjaliteaduse valdkondades, nt tugevalt lahjendatud tahkete lahuste puhul (lasertehnoloogiat rakendades) või soolade dopeerimisel. Nendel juhtudel kasutatakse sageli spesiaalset tähistusviisi. Näiteks La2O3:Eu (euroopiumiga dopeeritud lantaanoksiid) iseloomustab koostist La2−xEuxO3 (tüüpiliselt x < 0,1). Veel näiteid: Al2O3:Cr (kroomiga dopeeritud alumiiniumoksiid = kroomalumiiniumoksiid) või In2O3:Sn (tinaga dopeeritud indiumoksiid = indiumtinaoksiid, lühend ITO). ). Siiski on ka teistsuguseid tähistusi, milles dopant (dopeeriv lisand) asetatakse esikohale, näiteks on neodüümiga dopeeritud ütriumalumiiniumgranaadi tähis sageli YAG:Nd asemel Nd:YAG. On mitmesuguseid dopeerimismeetodeid, näiteks difusioon, elektroforees, resublimatsioon või ioonimplantatsioon (suure energiaga osakestega pommitamine vaakumis) jt.