Kõrge-k-dielektrik
Kõrge-k-dielektrik (ingl high-κ dielectric) kirjeldab materjale, mille suhteline dielektriline läbitavus ε r {\displaystyle {\varepsilon }_{\mathrm {r} }} on suurem kui ränidioksiidil (εr = 3,9). (Terminiosa ’kõrge-k’ on ingliskeelse high-κ ebatäpne tõlge; suhtelist dielektrilist läbitavust tähistatakse siin kreeka tähega κ {\displaystyle \kappa } (kapa), mis aga on asendatud ladina tähega k.) Kõrge-k-dielektrikuid kasutatakse väljatransistoride paisuelektroodi materjalina ränidioksiidi asemel, et veelgi vähendada transistoride ja teiste mikroelementide mõõtmeid. Suurem üleminek kõrge-k-materjalidele algas 2007. aastal, kui Intel teatas nende materjalide kasutuselevõtust.