Madal-k dielektrik
Madal-κ dielektrikud (ingl. k. low-κ dielectric) on materjalid, mille suhteline dielektriline läbitavus on madalam kui ränidioksiidil (κr = 3,9). Suhteline dielektriline läbitavus (sümbol κ või ε) on võrdetegur näitamaks mitu korda suurem on elektrivälja tugevus vaakumis võrreldes väljaga materjalis. Pooljuhtide tootjad vähendavad kiibi jõudluse parandamiseks transistori suurust integraalahelates (ingl. k. integral circuit, IC). Sellega kaasneb suurem kiirus ja rohkem seadmeid mahub väiksemale pindalale. Seda protsessi kirjeldatakse Moore’i seaduse abil, mille kohaselt kiibi jõudlus kahekordistub umbes iga 18 kuu tagant. Elektrisignaali kiirust mõjutavad transistori lülitusaeg ja signaali levimise aeg transistoride vahel (ehk RC viivitus, R - takistus, C - mahtuvus). RC viivitus on lineaarses seoses materjali eritakistuse ja suhtelise dielektrilise läbitavusega. τ R C ∝ ρ κ , {\displaystyle \tau _{RC}\propto \rho \kappa ,} kus τ R C {\displaystyle \tau _{RC}} on RC viivitus, ρ on materjali elektriline eritakistus, κ on materjali suhteline dielektriline läbitavus. Kui tehnoloogia jõudis nanoskaalasse, siis hakkas RC viivitus järjest suuremat mõju avaldama. Edasist jõudluse kasvu soovides on pooljuht-integraalahelate tootjatel võimalik valida materjale, millel on madalam elektriline takistus ja/või mahtuvus. Madal-κ dielektrikute kasutamine on selleks üks võimalik moodus.