Isoleeritud paisuga väljatransistor
Isoleeritud paisuga väljatransistor (MOSFET) on väljatransistor, milles tüüriva elektriväljaga (paisu ja lätte vahelise pingega) muudetakse laengukandjate kontsentratsiooni kanalis. Transistori paisu isoleerib kanalist õhuke dielektrikukiht, milleks on enamasti olnud ränidioksiid. Tänapäeval toodetavate mikroprotsessorite puhul kasutatakse ränidioksiidi asemel muid materjale, mille omadused lubavad paremat energiasäästu ja töökiirust. Paisu materjalina on metalli asemel kasutatud polükristallilist räni. Uusimates tehnoloogiates on pais aga kas osaliselt või täielikult metalne.