DRAMi kondensaator
DRAMi kondensaator (ingl. k. > DRAM capacitor) on dünaamilise muutmälu üks põhi osiseid transistori kõrval. Mälu ühe infobiti kahele loogilisele olekule vastavad laetud ja laadimata kondensaator. DRAMis kasutatav kondensaator on enamasti plaatkondensaatori tüüpi. Rahvusvaheline pooljuhttööstuse teekaart (ingl. k. > ITRS- [1]) on juba aastaid toonud välja järgmiste põlvkondade DRAMi kondensaatorite parameetrite nõutavad väärtused . Neid väärtusi võetakse kui eesmärke DRAMi arendustöös. Kuivõrd Moore seaduse (ingl. k. > [2]) järgi üldine trend elektroonikatööstuses on üha vähenevad seadiste mõõtmed, vajatakse ka DRAM kondensaatorite puhul üha uusi lahendusi mõõtmete vähendamiseks ilma, et olulised parameetrid halveneksid. Olulisemad parameetrid on (sulgudes ITRS nõuded aastaks 2017): (a) suur mahtuvustihedus (≥ 25 fF/mälurakk) (b) kõrge dielektriline läbitavus (≥ 60) (c) väikesed mäluraku mõõtmed (≤ 0,0024 µm2/mälurakk) (d) suhteliselt madal valmistamisprotsessi temperatuur (≤ 650 ˚C) (e) väikesed lekkevoolud (≤ 107,9 nA/cm2) (f) väike kondensaatori dielektrikkihi paksus (≤ 7 nm) (g) väike CET (ingl. k. > Capacitance effective thickness) (≤ 0,45 nm)