RRAM
Takistusmälu (Resistive Random-Access Memory, RRAM või ReRAM) on arvuti püsimälutüüp, mis on võrreldav flash- ehk välkmäluga, kuid takistusmälu eripäraks on bittide säilitamine kasutades takistust. Takistusmälu põhineb takistuslülitusnähtusel (ik Resistive Switching RS) oksiidides, kus aine takistuslikud omadused muutuvad, objektile rakendatud pinge/voolu lähenedes kindlatele väärtustele, mille määravad oksiidi omadused. Olenevalt takistuslikest omadustest võiks seda mälu eesti keeles nimetada takistusmäluks. Takistusmälu säilitab info ilma pideva toiteta ja on tehnoloogialt võrreldav CBRAM- ja faasimuutmäludega. Erinevalt varasemast ei üritata mäluelemendis säilitada laengut, vaid elektriliselt mõjutades muuta dielektrikust oksiidikihi takistust madala ja kõrge takistuse vahel, saavutamaks mäluraku kõrge või madala oleku. Takistusmälu olemuslikeks eelisteks on väike pinnakasutus suure andmemahutavuse juures, kiire ümberlülitus- ja lugemisaeg (mõni ns) ja pikk kestus (andmete säilitusaeg, u 10 aastat). Takistusmäluraku üks eeliseid on, et selle füüsiline suurus saab olla väga väike. Põhimõtteliselt juba mõnest metalliaatomist koosnev ahel võib omada kΩ suurusjärgus takistust. Võrreldes DRAM kondensaatoriga, mille pindala saab minimaalselt olla 40 000 nm2(omamaks eristatavat mahutavust), võib eelnevalt kirjeldatud mõne metalliaatomiline mälurakk olla ristlõike pindalaga < 1 nm2. Sellest tulenevalt väheneb ka takistusmäluraku energiatarve. Kui võrrelda takistusmälu välkmäluga, siis saab takistusmälu rakku valmistada teoreetiliselt tunduvalt väiksemana, kuna takistusmälu puhul elektronide tunneleerumist füüsikalise piiranguna ei esine. Välkmälu puhul toimub andmete säilitamine sisuliselt elektronide lõksustamisena. Tulenevalt elektronide väikesest massist(võrreldes aatomitega) siis elektronide paigal hoidmiseks on vaja mitmekihilises materjalis säilitada piisavalt kõrge ja lai energeetiline barjäär vältimaks tunneleerumist. Kuna takistuslülitus toimub aatomite paigutuse(struktuurilise) muutusena ja aatomite mass on kümneid või isegi sadu tuhandeid kordi suurem elektronide omast siis puudub vajadus tunneleerumist arvestada, mis omakorda võimaldab tunduvalt suuremat mõõtmete vähendamist. Lisaks eelnevalt mainitule on näidatud, et takistusmälu saab lülitada ka enam kui kahe takistusliku oleku vahel, mis võimaldab kasutusele binaarsüsteemist kõrgemat süsteemi ja tagab suurema andmete pakkimise tiheduse. Takistusmälu-tehnoloogia arendamine ja uurimine toimub paljudes rahvusvahelistes firmades ja ülikoolides, sealhulgas ka Tartu Ülikoolis.