অগার ক্রিয়া
অগার ক্রিয়া একটি ভৌত ঘটনা যেখানে কোন পরমাণুর অভ্যন্তরীণ শেলের শূন্যস্থান পূরণ করতে একই পরমাণুর ইলেকট্রনের বিকিরিত শক্তির কারণে পরমাণু থেকে অপর ইলেকট্রনের নিঃসরণ ঘটে থাকে। পরমাণুর কেন্দ্রের নিকটবর্তী একটি ইলেকট্রন পরমাণু থেকে নিঃসৃত হলে, একটি শূন্যস্থান তৈরি হয়, তখন উচ্চশক্তি স্তর থেকে একটি ইলেকট্রন এসে এই শূন্যে পড়তে পারে, উচ্চশক্তির অরবিটের বা কক্ষপথের ইলেকট্রন নিম্নশক্তির অরবিটে আসার ফলে শক্তি নিঃসরণ ঘটে। যদিও প্রায়ই এই নিঃসৃত শক্তি নির্গত ফোটনের আকারে প্রকাশিত হয়, তবে শক্তিকণাটি অন্য ইলেকট্রনেও স্থানান্তরিত হতে পারে, যার ফলে শক্তি আপতিত হওয়া ইলেকট্রনটিই পরমাণু থেকে বেরিয়ে যায়; এই দ্বিতীয় ইলেকট্রন যেটি বেরিয়ে গেল একেই বলা হয় অগার ইলেকট্রন। পরমাণুতে এ প্রভাবটি প্রথম ১৯২২ সালে লিজে মাইটনার আবিষ্কার করেছিলেন; পিয়েরে ভিক্টর অগার অল্পসময়ের ব্যবধানে স্বাধীনভাবে এই প্রভাব আবিষ্কার করেন। বৈজ্ঞানিক সম্প্রদায়ের অধিকাংশ অগারকেই এই আবিষ্কারের জনয় স্বীকৃতি দিয়ে থাকে। অগার ইলেকট্রনের নিঃসরণের ক্ষেত্রে, প্রাথমিক ইলেকট্রনের শূন্যস্থানে স্থানান্তরের শক্তি এবং ইলেকট্রন শেল থেকে নির্গত ইলেকট্রনের আয়নীকরণ শক্তি পরস্পর মিলে যায়। ওই নির্দিষ্ট পরমাণুর এই শক্তির স্তরগুলো পরমাণুর ধরন এবং রাসায়নিক পরিবেশের উপর নির্ভর করে। কোনো নমুনাকে এক্স-রে অথবা দ্রুতগামী ইলেকট্রন দিয়ে ছুঁড়ে অগার ইলেকট্রনকে নির্গত করা এবং অগার ইলেকট্রনের তীব্রতা পরিমাপের দ্বারা অগার ইলেকট্রনের শক্তি বের করা দুই-ই অগার ইলেকট্রন বর্ণালীর অন্তর্ভুক্ত। এই উদ্ভূত বর্ণালীকে ব্যবহার করে নিঃসরণ ঘটা পরমাণুর পরিচয় এবং তাদের পরিবেশ সম্পর্কে কিছু তথ্য নির্ণয় করা যায়। অগার পুনঃসমন্বয় অগার ক্রিয়ার অনুরূপ একটি ক্রিয়া যা অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে ঘটে। একটি ইলেকট্রন এবং একটি ইলেকট্রন হোল (electron hole) পরিবহন ব্যান্ডের একটি ইলেকট্রনকে তাদের শক্তি ত্যাগ করে দিতে পারে যার ফলে এর শক্তি বৃদ্ধি পায়। এর বিপরীত ক্রিয়াকে বলে ইম্প্যাক্ট আয়োনাইজেশন। অগার ক্রিয়া ডিএনএর মতো জৈবিক অণুগুলিকে প্রভাবিত করতে পারে। ডিএনএর উপাদান পরমাণুর K-অরবিটাল আয়নীকরণের পরে, অগার ইলেকট্রনগুলি নিঃসৃত হয়ে ডিএনএর সুগার-ফসফেট মেরুদণ্ডকে ক্ষয় বা ধ্বংস করতে পারে।