이 지문을 바탕으로 집적 회로(IC)용 반도체 재료를 준비하는 데 사용되는 공정의 글머리 기호 목록을 제공하세요.
IC용 반도체 재료를 준비하는 데 사용되는 공정에는 여러 가지가 있습니다. 한 가지 공정은 실리콘 표면에 이산화 규소를 형성하는 열 산화라고 합니다. 이는 게이트 절연체 및 전계 산화물로 사용됩니다. 다른 공정은 포토마스크와 포토리소그래피라고 합니다. 이 공정은 집적 회로에서 회로에 패턴을 만드는 과정입니다. 자외선은 포토레지스트 층과 함께 사용되어 회로의 패턴을 생성하는 화학적 변화를 일으킵니다.

에칭은 다음으로 필요한 공정입니다. 이전 단계에서 포토레지스트 층으로 덮이지 않은 실리콘 부분을 이제 에칭할 수 있습니다. 오늘날 일반적으로 사용되는 주요 공정은 플라즈마 에칭이라고 합니다. 플라즈마 에칭은 일반적으로 플라즈마를 생성하기 위해 저압 챔버에서 펌핑된 에칭 가스를 사용합니다. 일반적인 에칭 가스는 클로로플루오로카본 또는 더 일반적으로 알려진 프레온입니다. 음극과 양극 사이의 높은 무선 주파수 전압이 챔버에서 플라즈마를 생성합니다. 실리콘 웨이퍼는 음극에 위치하여 플라즈마에서 방출되는 양전하를 띤 이온에 부딪히게 됩니다. 그 결과 실리콘이 이방성으로 에칭됩니다.

마지막 공정을 확산이라고 합니다. 이것은 반도체 재료에 원하는 반도체 특성을 부여하는 공정입니다. 도핑이라고도 합니다. 이 공정은 시스템에 불순한 원자를 도입하여 p-n 접합을 생성합니다. 실리콘 웨이퍼에 불순 원자를 삽입하기 위해 먼저 웨이퍼를 섭씨 1,100도의 챔버에 넣습니다. 원자가 주입되고 결국 실리콘과 함께 확산됩니다. 이 공정이 완료되고 실리콘이 실온에 도달하면 도핑 공정이 완료되고 집적 회로에 사용할 수 있는 반도체 재료가 준비됩니다.
-열 산화
-포토마스크/포토리소그래피
-에칭(주로 플라즈마 에칭)
-확산/도핑
Based on this passage, please provide a bullet-point list of the processes used to prepare semiconducting materials for integrated circuits (ICs).
There is a combination of processes that are used to prepare semiconducting materials for ICs. One process is called thermal oxidation, which forms silicon dioxide on the surface of the silicon. This is used as a gate insulator and field oxide. Other processes are called photomasks and photolithography. This process is what creates the patterns on the circuit in the integrated circuit. Ultraviolet light is used along with a photoresist layer to create a chemical change that generates the patterns for the circuit.

The etching is the next process that is required. The part of the silicon that was not covered by the photoresist layer from the previous step can now be etched. The main process typically used today is called plasma etching. Plasma etching usually involves an etch gas pumped in a low-pressure chamber to create plasma. A common etch gas is chlorofluorocarbon, or more commonly known Freon. A high radio-frequency voltage between the cathode and anode is what creates the plasma in the chamber. The silicon wafer is located on the cathode, which causes it to be hit by the positively charged ions that are released from the plasma. The result is silicon that is etched anisotropically.

The last process is called diffusion. This is the process that gives the semiconducting material its desired semiconducting properties. It is also known as doping. The process introduces an impure atom to the system, which creates the p–n junction. To get the impure atoms embedded in the silicon wafer, the wafer is first put in a 1,100 degree Celsius chamber. The atoms are injected in and eventually diffuse with the silicon. After the process is completed and the silicon has reached room temperature, the doping process is done and the semiconducting material is ready to be used in an integrated circuit.
-Thermal oxidation
-Photomasks/photolithography
-Etching (mainly plasma etching)
-Diffusion/doping