고농도 영역(928) 및 저농도 영역(929)은 상기한 트랜지스터(901)가 갖는 고농도 영역(908)의 경우와 같이, 이온 주입법을 사용하여 형성할 수 있다.
The high concentration region 928 and the low concentration region 929 may be formed using an ion implantation method, as in the case of the high concentration region 908 of the transistor 901 described above.