광암 대조율은 10 V에서 20에 불과했으며, 이는 ITO/GaN 접점 인터페이스의 낮은 쇼트키 장벽 높이에 의해 야기된 암흑 상태에서 높은 누설 전류의 수준에 기인했다.
The photo-to-dark contrast ratio was only 20 at 10 V, which was attributed to the high level of leakage current under a dark-state caused by a low Schottky barrier height at the ITO/GaN contact interface.