기판 처리 방법은 실리콘 기판 표면으로부터 탄소를 제거하는 공정과, 상기 탄소가 제거된 실리콘 기판 표면을 평탄화하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 
A substrate processing method includes the step of removing carbon from a silicon substrate surface and planarizing the silicon substrate surface from which carbon has been removed.  