메모리 셀들의 문턱 전압들이 제2 그래프(G2)와 같이 변화하면, 읽기 동작 시에 발생하는 에러가 에러 정정 블록(128)에 의해 정정 불가능한 수준이 될 수 있다.
When the threshold voltages of the memory cells change as shown in the second graph G2, an error occurring during a read operation may become uncorrectable by the error correction block 128.