상기 제1 게이트 전극(GE1)은 상기 제3 트랜지스터(T3)의 제3 드레인 전극(DE3) 및 상기 제4 트랜지스터(T4)의 제4 드레인 전극(DE4)과 연결될 수 있다.
The first gate electrode GE1 may be connected to a third drain electrode DE3 of the third transistor T3 and a fourth drain electrode DE4 of the fourth transistor T4.