이때 절연막과 반도체 기판과의 열팽창 계수의 차이에 의한 잔류 응력은 무시하였으며 시뮬레이션에 사용된 실리콘의 특성을 Table 1에 나타내었다.
At this time, the residual stress due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the insulating film and the semiconductor substrate was ignored, and the characteristics of silicon used in the simulation are shown in Table 1.