EGaIn 금속 표면에 형성되는 갈륨 산화막은 EGaIn 커패시터의 EDLC 거동 특성 메커니즘에서 중요한 역할을 한다.
The gallium oxide membrane formed on the EGaIn metal surface plays an important role in the EDLC behavior characteristic mechanism of the EGaIn capacitor.