본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로, 특히 비휘발성 메모리 장치의 코어 바이어스 라인 안정화 회로에 관한 것이다.
The present invention relates to a semiconductor design technology, and more particularly, to a core bias line stabilization circuit of a nonvolatile memory device.