고 에너지 밴드 갭 소재는 실리콘 대비 고주파, 고 전력 고온용 반도체 소자에 대한 적용이 가능한 우수한 소재이다.
The high energy bandgap material is an excellent material that may be applied to semiconductor devices for high frequency, high power, and high temperatures compared to silicon.