산화 실리콘막 또는 산화질화 실리콘막과 같은 상기 절연막은 배리어 특성을 가진 상기 절연막과 상기 산화물 반도체막 사이에 형성된다.
The insulating film, such as a silicon oxide film or a silicon oxynitride film, is formed between the insulating film having a barrier property and the oxide semiconductor film.