게이트 캐핑 패턴(GP)은 후술하는 제1 층간 절연막(110)에 대하여 식각 선택성이 있는 물질을 포함할 수 있다.
The gate capping pattern GP may include a material having an etching selectivity with respect to the first interlayer insulating layer 110 to be described below.