본 논문에서는 산화물 반도체의 효과적인 표면 보호를 위해서 PMMA 보호막을 이용한 용액 공정 기반의 IYO 트랜지스터를 제작하였다.
In this paper, a solution process-based IYO transistor using a PMMA protective film was fabricated for effective surface protection of oxide semiconductors.