상위 노드는 본 발명의 각 실시 예에 따른 AMF, SMF, I-UPF, UPF, DN 중 적어도 하나일 수 있다.
The higher node may be at least one of the AMF, the SMF, the I-UPF, the UPF, and the DN according to each embodiment of the present invention.