상기 하부 층간 절연막(ILD)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산질화막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
The lower interlayered insulating layer ILD may include at least one of a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, and a silicon oxynitride layer.