절연 물질로 이루어진 게이트 하드 마스크 패턴이 셀 및 격리 게이트 전극들(CG, IG)의 각각의 상에 배치될 수 있다.
A gate hardmask pattern formed of an insulating material may be disposed on each of the cell and isolation gate electrodes CG and IG.