트랜지스터를 덮는 절연막(419)은 건식법이나 습식법으로 형성되는 무기 절연막, 유기 절연막을 이용할 수 있다.
As the insulating film 419 covering the transistor, an inorganic insulating film or an organic insulating film formed by a dry method or a wet method may be used.