기판이 가열되는 상태에서 산화물 반도체막을 형성함으로써, 형성된 산화물 반도체막에 포함된 불순물들의 농도는 저감될 수 있다.
By forming the oxide semiconductor film in a state in which the substrate is heated, the concentration of impurities contained in the formed oxide semiconductor film may be reduced.