검사 장치(20)에 있어서는 웨이퍼 W에 형성되어 있는 DUT의 전기 특성의 검사를 프로브 카드(50)를 통해 테스터(30)에 의해 행한다.
In the inspection device 20, the tester 30 conducts the inspection of the electrical characteristics of the DUT formed on the wafer W via the probe card 50.