본 연구에서는 중성자 조사된 4H-SiC MOSFET 소자에 열처리 공정을 더하여 전기적 특성을 비교 분석하였다.
In this study, the electrical characteristics were compared and analyzed by adding a heat treatment process to a 4H-SiC MOSFET device irradiated with neutrons.