상기 화소 전극층(150a) 및 센싱 라인층(140a) 상에 포토 레지스트를 적층하고 하프톤 마스크(700)(Half Tone Mask)를 사용하여 광을 조사한다.
A photoresist is laminated on the pixel electrode layer 150a and the sensing line layer 140a and light is irradiated using a half tone mask 700.