상기 스위칭 소자(170) 및 데이터 라인(113)이 형성된 상기 하부 절연 기판(110) 상에는 제1 패시베이션층(130)이 형성된다.
A first passivation layer 130 is formed on the lower insulating substrate 110 on which the switching element 170 and the data line 113 are formed.