상기 반도체 기판에 복수의 반도체 소자를 형성한 후, 개별 반도체 소자를 분리 및 패키징하여 반도체 장치(20)를 형성할 수 있다.
After forming a plurality of semiconductor devices on the semiconductor substrate, individual semiconductor devices may be separated and packaged to form the semiconductor device 20.