SiC 및 GaN을 사용한 전력 반도체는 고전류 및 고전압을 견딜 수 있지만 고온이 발생하면서 접합부에 타격이 가해진다.
Power semiconductors using SiC and GaN can withstand high currents and high voltages, but the hot temperatures cause damage to the junctions.