터널 절연막, 데이터 저장막 및 블로킹 절연막 중 적어도 하나를 포함하는 메모리 막이 채널막을 둘러싸도록 형성된다.
A memory layer including at least one of a tunnel insulating layer, a data storage layer, and a blocking insulating layer is formed to surround the channel layer.