상기 성막 장치에서는 원료 가스 및 반응 가스는 웨이퍼 외에 회전 테이블에도 공급되므로, 회전 테이블에도 성막된다.
In the film forming apparatus, the raw material gas and the reaction gas are supplied to the rotary table as well as the wafer, so that the film is also formed on the rotary table.