GaN 기반 물질들은 높은 압전상수를 가지고 있는데, 높은 압축스트레스로 인하여 MQW 내에 높은 압전전계를 발생하게 된다.
GaN-based materials have high piezoelectric constants, which causes high compression stress to generate a high piezoelectric field within the MQW.