이러한 n형 얇은 막을 산소 분위기에서 열 처리하면 반도체 표면에 산소가 흡착되어 전자를 포획하면서 이온화 된다.
When this n-type thin film is heat-treated in an oxygen atmosphere, oxygen is adsorbed on the semiconductor surface and ionized while trapping electrons.