이 경우에, 상기 버퍼층(1200)은 상기 박막 트랜지스터의 층간 절연막보다 탄성이 높은 재질로 형성될 수 있다.
In this case, the buffer layer 1200 may be formed of a material with a higher elasticity than that of the insulating interlayer of the thin film transistor.