금속 접합 층(40)과 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 광원 활성 층(20)은 오믹 접촉 저항 특성을 갖고 접합될 수 있다.
The metal bonding layer 40 and the group III-V semiconductor light source active layer 20 may be bonded with ohmic contact resistance characteristics.