이와 같이, 본 발명의 패턴 형성 방법에서는, 레지스트 중간층막과 레지스트 상층막 사이에 BARC를 형성할 수 있다.
As described above, in the pattern formation method of the present disclosure, a BARC can be formed between the resist intermediate layer film and the resist upper layer film.