제 2 축은 제 1 축과 수직하고, Y축에 평행하고, 그리고 메모리 장치(2100)의 밑면의 중심을 지날 수 있다.
The second axis may be perpendicular to the first axis, be parallel to the Y-axis, and pass the center of the lower surface of the memory device 2100.