상기 게이트 전극(425)은 상기 게이트 절연막(424)을 사이에 제공하여 상기 산화물 반도체막(422)의 단부와 적어도 중첩하도록 형성된다.
The gate electrode 425 is formed to at least overlap an end of the oxide semiconductor film 422 by providing the gate insulating layer 424 therebetween.