본 발명의 데이터 랜덤화에 의하면, 워드 라인 커플링으로 인해 생기는 메모리 셀들의 문턱 전압들의 변화를 줄이는 것이 가능하다.
According to the data randomization of the present invention, it is possible to reduce changes in threshold voltages of memory cells caused by word line coupling.