이 경우, 이하 설명될 갭 영역들은 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 패턴들(G1, G2) 각각의 양 측에 형성될 수 있다.
In this case, the gap regions to be described below may be formed at both sides of each of the first and second gate electrode patterns G1 and G2, respectively.