상기 광전변환층의 n형 반도체에 대한 p형 반도체의 조성비(p/n)는 약 2.0 내지 3.0 일 수 있다.
The composition ratio (p/n) of the p-type semiconductor with respect to the n-type semiconductor of the photoelectric conversion layer may be about 2.0 to 3.0.