에칭 시간에 따라, 수직으로 형성된 Si 나노 와이어의 길 이가 약 0.4 μm/min의 속도로 증가하는 것을 관찰하였다.
It was observed that the length of the vertically formed Si nanowires increased at a rate of about 0.4 μm/min with the etching time.