제안된 폴리 결정 실리콘의 결정립계 모형을 통해 제조된 폴리 결정 실리콘 광검출기의 전기적 특성을 해석할 수 있었다.
The electrical properties of the fabricated polycrystalline silicon photodetector might be analyzed through the proposed polycrystalline silicon grain boundary model.