상기 게이트 전극과 상기 소스 영역 사이의 거리 및 상기 게이트 전극과 상기 드레인 영역 사이의 거리는 각각 1㎛ 이상이다.
A distance between the gate electrode and the source region and a distance between the gate electrode and the drain region are each 1 μm or more.