상술된 단계들을 통해, 상기 산화물 반도체막(605)에서 수소의 농도가 감소될 수 있고 상기 섬형 산화물 반도체막이 고순도화된다.
Through the above-described steps, the concentration of hydrogen in the oxide semiconductor film 605 may be reduced and the island-shaped oxide semiconductor film is highly purified.