본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 서브 홀 및 비트 라인 센스 앰프 어레이에 센스 앰프 제어 회로를 포함한다.
The semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention includes sense amplifier control circuits in a sub-hole and a bit line sense amplifier array.