처리 직후 C면의 경우, 4H-SiC는 68.4°에서 49.3°로 감소하였고, 6H-SiC는 70.2°에서 49.5°로 감소하였다.
Immediately after treatment, in the case of the C side, 4H-SiC decreased from 68.4° to 49.3°, and 6H-SiC decreased from 70.2° to 49.5°.