본 발명의 다른 실시예에서 스위칭 트랜지스터(TFT-S)와 구동 트랜지스터(TFT-D)는 바텀 게이트 구조로 변형되어 실시될 수 있다.
In another embodiment of the present invention, the switching transistor TFT-S and the driving transistor TFT-D may be modified to have a bottom gate structure.