Yarı iletken üretiminde Ni-Pt Alaşımlı Püskürtme Hedefinin Uygulanması - Haberler - Haohai Metal Materials Co., Ltd (Haohai Titanyum)
Yarı iletken üretiminde Ni-Pt Alaşımlı Püskürtme Hedefinin Uygulanması
Haohai Metal Malzeme Co, Ltd (Haohai Titanyum) | Updated: Oct 19, 2017
Şu anda, nikel-platinyum silisid filmi hazırlamanın asıl yöntemi, önce yarı iletken alt tabakanın silikon bölgesinde bir iyon yerleştirme tabakası oluşturmak ve daha sonra bunun üzerine bir silikon epitaksiyel tabaka tabakası hazırlamak ve bunu takiben silikon epitaxial tabaka NiPt film tabakası ve nihayet nikel platin silicid film oluşturmak için tavlama işlemi vasıtasıyla.
Nikel Platin Silikat Filmler, Yarı İletken İmalatında Uygulamalar:
1. Schottky Diod Üretiminde Uygulama: Alaşım Püskürtme Hedefleri Yarı iletken cihazlarda nikel-platinyum silisid filmlerinin tipik bir uygulaması Schottky diyotlarıdır. Schottky diyot teknolojisinin geliştirilmesiyle, metal silisit - silikon teması, yüzey kusurlarını ve kirlenmeyi önlemek için, yüzey durumunun etkisini azaltmak için, cihazın pozitif özelliklerini iyileştirmek için, geleneksel metal - silikon temasın yerini almıştır. Basınca, ters enerji etkisi, yüksek sıcaklık, anti-statik, yanma yeteneği. Nikel-platin silisid, bir taraftan bir bariyer metal olarak nikel-platin alaşımı, yüksek sıcaklık kararlılığına sahip ideal Schottky bariyer temas malzemesidir; Öte yandan, Alaşım Püskürtme Hedefi, alaşım kompozisyonu oranı ile bariyer yüksekliği Ayarı elde etmek için değişir. Yöntem, N-tipi silikon yarı iletken alt tabaka üzerinde nikel-platinyum alaşım tabakasının manyetron püskürtme yoluyla püskürtülmesi ve vakum tavlama işlemi, NiPtSi-Si engel tabakasını oluşturmak için 30 dakika boyunca 460-480 ° C aralığında gerçekleştirilir. Genellikle metaller arası difüzyonu engelleyerek NiV, TiW ve diğer difüzyon bariyerini püskürterek cihazın anti-yorgunluk performansını geliştirir.
2. Yarı iletken entegre devrelerde uygulamalar: Nikel-platin silisidler, VLSI mikroelektronik cihazlarında kaynak, drain, gate ve metal elektrot temasında yaygın olarak kullanılmaktadır. Şu anda Ni-5% Pt (mol fraksiyonu), 65nm teknolojisi, 45 nm teknolojisine uygulanan Ni-10% Pt (mol fraksiyonu) için başarıyla uygulanmıştır. Yarı iletken cihazın çizgi genişliğinin daha da azaltılması ile, NiPtSi kontakt filmini hazırlamak için nikel-platinyum alaşımındaki Pt içeriğini daha da iyileştirmek mümkündür. Alaşım Püskürtme Hedef Ana nedeni, alaşımdaki Pt içeriğinin artmasının filmin yüksek sıcaklık stabilitesini artırabilmesi ve arayüzün iyileştirilmesiyle Görünüşü, kusurların işgali azaltmasıdır. Karşılık gelen silikon cihazın yüzeyi üzerindeki nikel-platinyum alaşım film tabakasının kalınlığı genellikle sadece yaklaşık 10 nm'dir ve nikel-platin silisid oluşturmak için kullanılan yöntem bir veya daha fazla adımdır. Sıcaklık, 30 ila 60 saniye boyunca 400 ila 600 ° C aralığında.
Son yıllarda araştırmacılar, nikel platin silisidin, IBM patentli iki aşamalı imalat NiPtSi ince filminin genel direncini azaltmak için: nikel-platinyum alaşımı film çökelmesinin yüksek Pt içeriğinin çökeltilmesinin ilk adımı olan Alaşım Püskürtme Hedef ikinci aşamalı çökelti Pt içeriği Alttaki nikel-platin alaşımı filmi Pt saf nikel filmi bile içermemektedir. Düşük Pt içeriğinin yüzeyinde nikel-platin silisid filminin oluşması, yeni teknoloji düğümünde nikel-platin silisidin genel direncini azaltmaya yardımcı olur, böylece nikel-platin alaşımı püskürtme farklı Pt içeriğini kullanmak mümkündür Hedef Bir gradyan yapısına sahip nikel platin silisit temas filmi hazırlandı.
Bir çift: ABD'de Müşteriye Hazır Zirkonyum Püskürtme Hedefleri 200 Parça
Sonraki: Mutlu Noeller ve Mutlu Yıllar 2018
ABD'de Müşteriye Hazır Zirkonyum Püskürtme Hedefleri 200 ...