Intel® Optane™ Teknolojilerine Sahip Veri Merkezi Depolaması
Veri Merkezinde Bellek ve Depolama Yeniden Tanımlanıyor
Intel’in yeni inovatif teknolojileri, bellek ve depolama hiyerarşisini yeniden şekillendiriyor.
Yüksek performanslı geçici bellek olan DRAM ile daha düşük performanslı ancak uygun maliyetli NAND arasındaki boşluk, veri merkezinde dönüşümü engeller
NAND tabanlı olmayan ve kalıcı bir depolama ortamı sunan yeni Intel® Optane™ teknolojisi, maliyet/kapasite boşluğunu yeni bir katman ile giderir
Intel® Optane™ DC sürekli bellek, Intel® Optane™ DC SSD’ler ve Intel® QLC 3D NAND SSD’ler yeni veri katmanını mümkün kılar
Intel® QLC 3D NAND SSD’ler ve Intel® Optane™ teknolojisi birlikte kullanıldığında, birçok iş yüküne uygun esnekliği sunar
Intel’in 3D NAND “cetvel” biçimli sürücüsü, verimli bir termal tasarıma, yüksek kapasiteye ve daha kolay yönetilebilirlik özelliklerine sahiptir
Veri Merkezinde Yüksek Risk
Şirketlerin sahip olduğu yığınla veri, sistem mimarilerini yeniden değerlendiren ve yeniden tasarlayanlar için değerli görüşler elde etme ve inovasyon yapma fırsatları sunuyor. Ancak mimarilerini yenilemeyen şirketler, kendilerini bu veri çığının altında kalmamak için mücadele ederken bulabiliyor.
Sorun yalnızca ham verilerin depolanmasından ibaret değil. Rekabet gücünü korumaları için şirketlerin iş görüşleri, araştırma, yapay zeka (AI) ve diğer kullanımlara yönelik olarak tüm bu verilere hızlı ve uygun maliyetli bir şekilde erişmeleri ve bunları işlemeleri gerekiyor. Hem belleğin hem de depolamanın bu düzeyde bir işleme sürecini mümkün kılması gerekirken, şirketler yüksek maliyetler ile sınırlı kapasiteler ve kısıtlı performans arasında denge kurmakta zorlanıyor.
Farklı iş yüklerinin farklı türlerde bellek ve depolama gerektirmesi, durumu daha da iç karartıcı hale getiriyor. Dahası, maliyet ile performans arasında mümkün olan en iyi dengenin kurulması için birden çok teknolojinin bir arada kullanılması gerekebiliyor.
Intel, şirketlerin veri merkezi mimarilerini yeniden tasarlamalarını mümkün kılan yeni bellek ve depolama teknolojileriyle bu zorluklara çözümler sunuyor.
Bellek/Depolama Hiyerarşisindeki Boşluklar
Bellek ve depolama çözümleri, geçmişten bu yana yoğunluk, performans ve maliyet kısıtlamalarıyla karşı karşıya kalmıştır. Perakende sektöründen kamuya, sağlıktan finansa kadar her sektörden her türlü kuruluş bu sınırlamayı yaşamıştır. Örneğin, bulut hizmeti sağlayıcılar (CSP’ler) veri yüklerinin artmasıyla birlikte hizmet seviyesi anlaşmalarının (SLA’lar) gerekliliklerini karşılama konusunda zorluk çekebilirler. Finansal hizmetler veren şirketler, yüksek hacimli işlemleri hızlı bir şekilde işleme konusunda kapasite ve performans sınırlamalarıyla karşılaşabilirler. Kurumsal şirketler, yüksek maliyetler ve sınırlı dinamik RAM (DRAM) kapasitesi nedeniyle müşteri, envanter, sosyal medya ve Nesnelerin İnterneti (IoT) verilerinden kaynaklanan bellek içi analiz ihtiyaçlarına ayak uyduramazlar.
Şirketlerin verileri etkili ve verimli bir şekilde yönetmeleri için ihtiyaçlarına ve bütçelerine en uygun altyapı bileşenlerinin hangileri olduğunu belirlemeleri gerekir. Hiyerarşideki her teknolojinin kendine özgü güçlü ve zayıf yanları olduğundan bu kolay bir iş değildir:
DRAM, performans bakımından çok iyi olsa da pahalı ve geçicidir. Ayrıca sınırlı ölçeklenebilirlik sunar.
Flaş depolama (NAND) kalıcıdır ve DRAM kadar pahalı değildir, ancak DRAM’in sunduğu performansı sunmaz.
Dönen sabit disk sürücüler (HDD’ler), en düşük fiyata çok büyük depolama alanı sunar, ancak fiziksel diskler güvenilirlik, fiziksel alan gereklilikleri, soğutma ve güç bakımından toplam sahip olma maliyetiyle (TCO) ilgili sıkıntıları beraberinde getirir.
Bu geleneksel depolama seçenekleri, veri merkezindeki bellek ve depolama sürecinde önemli boşluklar yarattığından uygulamaların performansını sınırlar. Veri miktarlarındaki sürekli artış ve daha çok veriye daha hızlı erişme ihtiyacı, sorunun daha da büyümesine neden olmuştur.
Veri merkezlerini yeniden şekillendirmek isteyen kuruluşlarında için iki bellek ve depolama boşluğu ön plana çıkar:
Yüksek maliyetli, düşük kapasiteli DRAM ve daha uygun maliyetli NAND tabanlı solid-state sürücüler (SSD’ler) arasındaki boşluk.
Daha yavaş NAND SSD’ler ve daha düşük maliyetli, ancak güvenilir HDD’ler arasındaki boşluk.
Kuruluşlar bugüne kadar maliyet, kapasite ve performans arasında denge kurarak bu boşlukları dolduran uygulanabilir seçeneklere ulaşamıyordu. Ancak bu durum artık değişti (bkz. Şekil 1).
Şekil 1. Geleneksel bellek ve depolama süreci; kapasite, maliyet ve performans bakımından büyük boşluklara sahiptir
Intel® Teknolojisiyle Boşluklar Gideriliyor
Intel; yüksek performans, kapasite ve güvenilirlik sunmak üzere tasarlanan çözümlerle veri merkezi belleği ve depolamayla ilgili boşlukları ortadan kaldırıyor. Bu çözümler, geleneksel seçeneklere kıyasla daha düşük gecikme süresi ve daha yüksek işletim değeri sunuyor. Veri merkezinde maliyet ve performans boşluklarını gidermek üzere tasarlanan ve yeni veri katmanları için esneklik sunan üç ürün ailesi bulunuyor:
Intel® Optane™ DC sürekli bellek, yüksek kapasite, uygun fiyat ve kalıcılık sağlayan yeni bir bellek ve depolama teknolojisi sınıfıdır. Kuruluşların daha büyük miktardaki verileri işlemciye yakın tutmalarını sağlayarak, gecikmeleri azaltmak ve performansı artırmak üzere iş yüklerini ve hizmetleri optimize etmelerini mümkün kılar.
Intel® Optane™ DC SSD’ler bellek ve depolama özelliklerini yüksek iş hacmi, düşük gecikme süresi, yüksek hizmet kalitesi ve yüksek dayanıklılık ile bir araya getirir.
Intel® SSD D5-P4320 gibi Intel® QLC 3D NAND SSD’ler, pazardaki en yüksek Peripheral Component Interconnect Express* (PCIe*) veri-hacim yoğunluğunu iyi bir fiyatla sunduğu için, daha az erişilen verileri depolama konusunda HDD’ye çok iyi bir alternatiftir.
Bu inovatif ürünler veri merkezi yapılandırmalarınızı yeniden tasarlayarak, modern iş yükleriyle başa çıkmanızı ve şirketinizin rekabet gücünü korumanızı sağlar. Her ürün; sunduğu performans, kapasite ve maliyet avantajlarına gerçek yaşamdan örnekler verilerek ayrıntılı biçimde aşağıda açıklanmıştır.
Intel® Optane™ Teknolojisi Veri Hiyerarşisinde Yeni Bir Katman Oluşturuyor
Şirketlerin yeni teknolojileri benimsemeleri, müşterilerinin ihtiyaçlarını karşılayacak gelişimi göstermeleri ve çözümleri daha önce hiç akla gelmeyen şekillerde yeniden ele almaları gerekiyor. Intel® 3D XPoint™ teknolojisini temel alan ve yeni bir kalıcı depolama seçeneği olan Intel® Optane™ teknolojisi, bellek ve depolama hiyerarşisinde yeni bir katmanla mevcut veri merkezi mimarisini modernize ederek, yüksek performanslı geçici bellek ile daha düşük performanslı, ancak uygun fiyatlı NAND depolama arasındaki boşluğu doldurur. Intel® Optane™ teknolojisi; sunduğu düşük gecikme süresi, yüksek hizmet kalitesi (QoS), yüksek dayanıklılık ve yüksek iş hacmi kombinasyonuyla benzersizdir.
Şekil 2. Intel® Optane™ teknolojisi, DRAM’in performans avantajlarını NAND SSD’lerin kapasite avantajlarıyla buluşturur
Intel® Optane™ teknolojisi, hızlı erişim için CPU’ya yakın durması gereken “çalışan verilerin” işlenmesi için ideal bir çözümdür. Çalışan veriler, ortalama yanıt süreleri yeterince iyi olmadığında gerçek zamanlı analizler, finansal işlemler, uçak rezervasyonları ve öngörülebilir düzeyde hızlı okuma yanıtı süreleri gerektiren diğer kullanım durumlarında çok daha fazla veriye çok daha hızlı erişim elde edilmesini sağlar. Çalışan verilerde, ilk taleplerden itibaren öngörülebilir ve tutarlı performans önem taşır.
Hem Intel® Optane™ DC sürekli bellek hem de Intel® Optane™ DC SSD’ler, Intel® Optane™ teknolojisiyle geliştirilmiştir. Ancak aşağıda açıklandığı gibi her birinin boyutu farklıdır ve her biri veri merkezinde ayrı ayrı veya birlikte kullanılarak şirketler için yeni inovatif bellek ve depolama seçenekleri sunar.
Intel® Optane™ DC Sürekli Bellek ile DRAM’i Genişletebilir veya Yerinden Çıkarabilirsiniz
Intel® Optane™ DC sürekli bellek, DRAM ile Intel® Optane™ DC SSD’ler arasındaki boşluğu doldurarak sektörde ezber bozan bir üründür. Intel® Optane™ DC sürekli bellek, bellek içi veri işleme yöntemini kullanan şirketlere yapay zeka, analiz, yüksek performanslı bilgi işlem (HPC) ve diğer kullanımlara yönelik olarak çok daha yüksek miktarda “sıcak” veriye erişme fırsatı sunar.
Intel® Optane™ DC sürekli bellek, geleneksel DRAM’den farklı olarak yüksek yoğunluk, uygun maliyet ve kararlılığı bir araya getirir. Uygun maliyetli sistem belleği kapasitelerini genişleten (CPU yuvası başına 3 TB’den büyük) şirketler, daha büyük miktarda veriyi işlemciye yakınlaştırarak ve geleneksel kalıcı sistem depolamasındaki verilere erişimin daha yüksek olan gecikme süresini en aza indirerek veri merkezi iş yüklerini daha iyi optimize edebilirler.
Intel® Optane™ DC sürekli bellek, yeni nesil Ölçeklenebilir Intel® Xeon® platformunun piyasaya çıkmasıyla birlikte 2019’da yaygın olarak bulunabilecek.
Şekil 3. Intel® Optane™ DC sürekli bellek modülü
Intel® Optane™ SSD DC P4800X Veri Merkezinde Çalışan Verilerle İlgilenir
Intel® Optane™ SSD DC P4800X sürücüler, NAND tabanlı olmadıkları ve Intel® Optane™ teknolojisiyle geliştirildikleri için standart SSD’lere benzerler. Intel® Optane™ SSD DC P4800X sürücünün kendine özgü mimarisi, NAND tabanlı SSD’lerden daha hızlı ve daha tutarlı performansıyla çığır açar. NAND tabanlı sürücülerin genellikle okuma süreleri hızlı, yazma süreleri yavaştır. Hatta yüksek frekanslı işlemlerin stresi altındayken yazma süreleri daha da yavaşlar. Buna karşın, Intel® Optane™ DC SSD’ler daha hızlı ve çok daha öngörülebilir performans için bayt veya sayfa düzeyinde yazma işlemlerini gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır, daha dengeli bir okuma ve yazma performansı sunar ve kötü girdileri temizlemeyi gerektirmez.
Intel® Optane™ SSD DC P4800X, sürücüye uygulanan yazma iş hacminden bağımsız olarak tutarlı okuma yanıtı sürelerini korur. Şekil 4’teki grafik, Intel® Optane™ DC SSD’nin gecikme süresinin özellikle artan rastgele yazma işlemlerinin baskısı altındayken şimdiki nesil Intel® 3D NAND SSD’ye kıyasla ne kadar düşük olduğunu gösterir. NAND tabanlı SSD’lerden farklı olarak, Intel® Optane™ DC SSD’lerin gecikme süresi tüm yazma türleri için tutarlı bir şekilde düşük kalır.1
Şekil 4. Intel® Optane™ SSD DC P4800X, Intel® 3D NAND SSD’ye kıyasla daha düşük gecikme süresini tutarlı bir şekilde sunar1
Düşük, tutarlı gecikme süresi ve yüksek dayanıklılık kombinasyonu, Intel® Optane™ DC SSD’lerin önbellekleme cihazı olarak NAND tabanlı çözümlerden çok daha verimli çalışmasını sağlar.
Evaluator Group tarafından yapılan bir çalışma, tamamıyla NAND flaş yazma önbellekleme ve depolama çözümünü, önbellekleme katmanında Intel® Optane™ DC SSD’ler ile değiştirmenin etkisini ortaya koydu. IOmark-VM* karşılaştırma testiyle yapılan çalışmada, Ölçeklenebilir Intel® Xeon® işlemcilerle kurulan, önbellekleme katmanı için Intel® Optane™ SSD DC P4800X sürücüler kullanan bir sistem, önceki nesil sistemlerden ve depolama ortamlarından 3 kata kadar daha iyi fiyat/performans düzeyleri sundu.2
Intel® Optane™ SSD DC P4800X, ayrıca NAND tabanlı sürücülerden çok daha yüksek dayanıklılık sunar. Örneğin bu dönemde sevkiyatı yapılan iki sürücü arasındaki karşılaştırmaya göre, Intel® Optane™ SSD DC P4800X günde en fazla 60 sürücü yazarken (DWPD), NAND tabanlı Intel® SSD DC P4600 yalnızca 3 DWPD sonucunu vermiştir.3 Bu nedenle, Intel® Optane™ DC SSD’ler trafiğin yüksek olduğu önbellekleme ortamlarında çok daha dayanıklıdırlar.
Intel® Optane™ DC sürekli bellek, aynı zamanda Şekil 5’te gösterildiği gibi Intel® Optane™ DC SSD’lerle bir arada kullanılarak yepyeni, esnek ve bellek benzeri bir katman oluşturulabilir. Geleneksel olarak daha yavaş olan NAND depolama alanında hapsedilen değerli verilere hızla erişilebilir ve gereken adımlar atılabilir.
Şekil 5. Intel® Optane™ DC sürekli bellek, Intel® Optane™ DC SSD’ler ile bir araya geldiğinde bellek içi analizler için sıcak çalışan verilerin ve ışık kapasiteli verilerin işlenebileceği yepyeni bir katman oluşturulabilir (kırmızı= “sıcak” veri, sarı= “ılık” veri ve mavi= “soğuk” veri)
Intel® Optane™ Teknolojisinin Performansından Faydalanmak için Yazılımları Optimize Edin
Mevcut veri merkezi altyapısına yalnızca Intel® Optane™ DC SSD’leri eklendiğinde önemli performans artışları sağlanabilir. Ancak yazılım optimizasyonlarıyla Intel® Optane™ teknolojisi üzerinde çalışan uygulamalar için daha yüksek performans sonuçları elde etmek mümkündür. Özellikle açık kaynak yazılımlar Intel® Optane™ DC SSD’lerle iyi eşleşir; çünkü geliştiriciler Intel® Optane™ SSD DC P4800X sürücünün sunduğu avantajlardan faydalanmak için uygulamalar üzerinde değişiklikler yapabilirler.
Örneğin, Oracle’dan bir performans mimarı MySQL* yazılımını Intel® Optane™ SSD DC P4800X sürücü için optimize ederek, giriş/çıkış (G/Ç) işlemlerine bağımlı ağır iş yüklerinde 5 kat performans artışı sağladı. Bu Oracle mimarı, ayrıca tek bir Intel® Optane™ DC SSD’den 1 milyon okuma elde etmeyi başardı.4
Başka bir örnekte, Direct I/O*’da yapılan optimizasyonlar Java 10*’da Buffered I/O*’ya kıyasla yüzde 48’e kadar daha yüksek verimlilik sağladı.5 Bu optimizasyonlar, Cassandra* veya Apache HBase* gibi Java tabanlı yapay zeka iş yükleri veya veritabanlarını çalıştıran kuruluşlar için önemli faydalar sunabilir.
Yazılım mimarları, mevcut araçları ve geliştirme kitlerini kullanarak Intel® Optane™ teknolojisinin performansını optimize edebilirler. Başlamak için Intel’in aşağıdaki kaynaklarını kullanın:
Depolama Performansı Geliştirme Kiti (SPDK): https://spdk.io/
Sürekli Bellek Geliştirme Kiti (PMDK): https://pmem.io/pmdk/
Intel® Optane™ DC SSD’lerle bare metal sunuculara erişin: acceleratewithoptane.com
Intel® Memory Drive Teknolojisi ile Belleği Genişletin
Intel® Optane™ DC SSD’ler, Intel® Memory Drive Teknolojisi ile genişletilmiş bellek olarak da yapılandırılabilir. Intel® Memory Drive Teknolojisi, SSD’yi şeffaf bir şekilde bellek alt sistemine entegre ederek, işletim sisteminde veya uygulamalarda herhangi bir değişiklik gerektirmeden DRAM gibi görünmesini sağlayabilir. Intel® Memory Drive Teknolojisi, DRAM’nin bir kısmını kaldırmak için kullanılabilir ve genel bellek maliyetini düşürebilir ya da büyük sistem belleği kapasitelerine ihtiyaç duyulduğunda bellek havuzunun DRAM kapasitelerinin ötesinde büyütülmesini sağlayabilir.
Aslına bakılırsa, Intel® Memory Drive Teknolojisi yazılımı ve Intel® Optane™ SSD DC P4800X eklenerek Apache Spark* performansını 5 kat hızlandırmak mümkündür.4
Intel® QLC 3D NAND SSD’ler ile Kapasite Depolama Boşluğunu Azaltın
NAND teknolojisinin verimliliği artarken fiyatının düşmesiyle birlikte, mekanik sürücülere olan ihtiyaç azalmaya devam ediyor. En son gelişmelerden biri olan Intel® QLC 3D NAND SSD’ler, yalnızca en uzak veri depolama senaryolarında dönen diskleri yerinden edebilirler.
Intel® QLC 3D NAND SSD’ler daha yüksek yoğunluklarda flaş güvenilirliği ve uygun fiyat sunmak üzere tasarlanmıştır. Bu avantajları sayesinde bu sürücüler, tipik olarak daha yavaş, daha az güvenilir, daha çok güç tüketen, daha çok soğutma gerektiren ve flaş sürücülere kıyasla daha büyük veri ayak izi taşıyan geleneksel HDD’lerin değiştirilmesinin önündeki engelleri kaldırabilirler.
Şekil 6. HDD’lerden Intel® QLC 3D NAND SSD’lere geçen şirketler, daha küçük bir veri merkezi ayak iziyle güç, soğutma ve hizmet bakımından önemli tasarruflar elde edebilirler6 7
Intel® QLC 3D NAND SSD’ler, Intel® Optane™ teknolojisiyle birlikte kullanıldıklarında sık erişilen verilerin hızını yükseltebilir ve çok büyük kapasiteli depolama için flaş teknolojisinin HDD’den üstün olan fiyat ve kapasite avantajlarından faydalanmayı mümkün kılabilir. Bu sayede kuruluşlar, Intel® Optane™ DC SSD’ler ile HDD’ler arasındaki depolama maliyeti/kapasitesi boşluğunu doldurabilirler. Ayrıca, Intel® QLC 3D NAND SSD’ler uygun fiyatla yüksek güvenilirlik sundukları için birçok kuruluş HDD’leri bu sürücülerle değiştirebilir.
Verileri Intel’in Yeni İnovatif Boyutlardaki Cihazlarıyla Konsolide Edin
Intel, depolama maliyeti/kapasitesi arasındaki boşluğu yeni inovatif boyutlardaki ürünlerle kapatıyor. 2018 yılında Uluslararası Tasarım Ödülleri’nde Intel’e Altın Ödülü kazandıran 3D NAND “cetvel” biçimli SSD’si, yoğunluk, yönetilebilirlik ve hizmet verebilirlik özelliklerini iyileştirirken, aynı zamanda sunucu mimarisinde devrim yaratan etkili bir termal tasarıma sahiptir.
Sürücünün EDSFF standardına dayalı benzersiz şekli ve özellikleri sayesinde, Supermicro gibi tedarikçiler 32 TB kapasiteli 32 adet Intel “cetvel” sürücüyü her biri tek bir 1U sunucuya olmak üzere yerleştirerek sunucu başına bir petabayta kadar veri sağlamıştır.8
Veri Merkezi Depolamasını Yeniden Tasarlayın
Intel® teknolojileri, modern şirketlerin bellek ve depolama alanındaki boşluklarını Intel® Optane™ DC sürekli bellekten Intel® Optane™ SSD DC P4800X sürücüye, Intel® QLC 3D NAND SSD’lerden yüksek kapasiteli “cetvel” biçimli sürücülere kadar çok çeşitli seçeneklerle gidererek, bu şirketlerin analiz, yapay zeka, HPC ve diğer iş yükleri için çok büyük miktarda veriyi hızla ve esnek bir şekilde depolamalarını, işlemelerini ve yönetmelerini mümkün kılar.
Intel depolama teknolojileri ve ürünleri, bir arada kullanıldığında veri merkezi mimarlarına performans, kapasite, güvenilirlik ve uygun maliyet ihtiyaçları ile şirketlerinin iş uygulamaları ve iş yükleri arasında denge kurma esnekliği sunar. Intel® Optane™ teknolojisi ve Intel® QLC 3D NAND teknolojisi ile bellek ve depolamayı yeniden tasarlamanın zamanı geldi.
Veri merkezinizi Intel depolama teknolojileriyle yeniden tasarlayın. Başlamak için intel.com/content/www/tr/tr/storage adresini ziyaret edin.
Kaynak – Intel testleri: Yanıt Hızı Süresi, FIO 3.1 kullanılarak yapılan 4K rastgele yazma iş yükü esnasında kuyruk derinliği 1 olmak üzere ortalama okuma gecikme süresini ifade eder. Yukarıdaki Dipnot 1’de yer alan yapılandırmayı görün.
Testler Intel’in talebiyle Evaluator Group tarafından yapılmıştır. Yapılandırma ayrıntılarına şuradan bakabilirsiniz: https://www.evaluatorgroup.com/document/lab-insight-latest-intel-technologies-power-new-performance-levels-vmware-vsan-2018-update/. Önceki yapılandırma: Intel® Xeon® E5-2699 v4 işlemci, ESXI ESXi600-201803001 Build 7967764, Ubuntu Linux 18.04, BIOS 2600WT SE5C610.86B.01.01.0024. Depolama ortamı: 1 3700 800GB SSD + 6 x S3510 1,6TB. Performans: 320 IOmark-VM, Fiyat/Performans: $684/VM; Mevcut yapılandırma: Intel® Xeon® Gold 6154 işlemci, ESXI ESXi-6.7.0-8169922 Build 8169922, Ubuntu Linux 18.04, BIOS SE5C620.86B.00.01.0013.030920180427. Depolama ortamı: 2 x P4800X 375GB SSD + 5 x P4500 4TB SSD, Performans: 1152 IOmark-VM, Fiyat/Performans: $216/VM. Depolama ortamı: 1 x P3700 + 4 x Seagate 1TB 10K HDD, Performans: 88 IOmark-VM-HC, Fiyat/Performans: $2153 / IOmark-VM-HC; Mevcut yapılandırma: Depolama ortamı: 2 x P4800X SSD + 4 x P4500 4TB SSD, Performans: 704 IOmark-VM-HC. Fiyat/Performans: $684 / IOmark-VM-HC.**. Fiyat/Performans: $237 / IOmark-VM-HC. Performans sonuçları 20 Ağustos 2018 tarihinde yapılan testlere dayalıdır ve genel kullanıma açık tüm güvenlik güncellemelerini içermeyebilir. Ayrıntılar için yapılandırma bilgilerine göz atın.
Intel. “Ürün Özeti: Intel® Optane™ SSD DC P4800X” belgesindeki tabloda açıklanan ürün teknik özelliklerine bakın. https://www.intel.com.tr/content/www/tr/tr/products/docs/memory-storage/solid-state-drives/data-center-ssds/optane-ssd-dc-p4800x-p4801x-brief.html.
Performans sonuçları 20 Eylül 2018 tarihinde yapılan testlere dayalıdır ve genel kullanıma açık tüm güvenlik güncellemelerini içermeyebilir. Ayrıntılar için yapılandırma bilgilerine göz atın. Hiçbir bileşen veya ürün mutlak güvenlik sağlamaz. Kaynak: Intel. Sistem yapılandırması: Sunucu Intel® Sunucu Sistemi, 2 x Intel® Xeon® Gold 6154 işlemci, 384 GB DDR4 DRAM, veritabanı sürücüleri: 2 x Intel® Optane™ SSD DC P4800X (375 GB) ve 1 x Intel® SSD DC P4510 Serisi, 1 x Intel® SSD DC S4510 Serisi, CentOS 7.5* (kernel 4.18 (elrepo)), BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, sistem ürün türü: Intel® Sunucu Anakartı S2600WFT. MySQL Server 8.0.13*, 70/30 okuma/yazma için yapılandırılan Sysbench 1.0.15*, 100-GB veritabanı kullanılarak çevrimiçi işlem yürütme (OLTP) işlem bölüştürme. MySQL’e sağlanan yüzde 30 veritabanı belleği (30 GB).
Performans sonuçları Temmuz 2018 tarihinden itibaren yapılan testlere dayalıdır ve genel kullanıma açık tüm güvenlik güncellemelerini içermeyebilir. Ayrıntılar için yapılandırma bilgilerine göz atın. Hiçbir ürün mutlak güvenlik sağlamaz. Kaynak: Intel: Sistem yapılandırması: Intel® Sunucu Anakartı S2600WFT beyaz kutu, 2 x Intel® Xeon® Gold 6154 işlemci (36 sanal çekirdek ile 3,00 GHz), 64 GB DIMM DDR4 senkronize 2,666 MHz (0,4 nsn) (4 x 16 GB), 1 x NVM Express* (NVMe*) Peripheral Component Interconnect Express* (PCIe*) 750 GB Intel® Optane™ SSD DC P4800X (sabit yazılım sürücü: E2010324), 1 x NVMe* PCIe* 4 TB Intel® SSD DC P4500 Serisi (sabit yazılım sürümü: QDV10150), Intel® BIOS sürümü: SE5C620.86B.00.01.0013.030920180427, 4.15.7 çekirdek ile CentOS 7.4* dağıtımı. OpenJDK* ile ilgili bilgiler için: OpenJDK. “JDK 10.” Mart 2018. https://openjdk.java.net/projects/jdk/10/.
Güç, Soğutma, Konsolidasyon maliyet tasarrufları. HDD: 7,2K RPM 4TB HDD, %2,00 AFR ve 7,7W aktif güç, 2U’da 24 sürücü (1971W toplam güç) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: 22W aktif güç %44 AFR, 1U’da 32 sürücü (704W toplam güç) karşılaştırmasına dayanır; Soğutma maliyeti, 5 yıllık devreye alma süresinde 158$ KWh maliyetine dayanır. 1 vatı soğutmak için gereken vat 1,20 3,5” HDD 2U 24 sürücü ve EDSFF 1U Long 1U 32 sürücü karşılaştırmasına dayanır. Önbellek için Intel® Transforming Learning Course(s) (Intel® TLC) SSD kullanımına dayalı hibrit depolama.
Sürücü Değiştirme maliyet tasarrufları. Hesaplama: HDD %2 AFR x 256 sürücü x 5 yıl = 5 yılda 25,6 değiştirme; SSD: %0,44 AFR x 32 sürücü x 5 yıl = 5 yılda 0,7 değiştirme.
Supermicro. “Sistemler, 1U’da 1PB’ye kadar düşük gecikme süresi sunan hızlı NVMe* depolama alanı için 32 EDSFF sürücüye çalışırken değiştirilebilir erişimi destekler.” Kaynak: “Supermicro Opens New Era of Petascale Computing with a Family of All-Flash NVMe 1U Systems Scalable up to a Petabyte of High Performance Storage.” Ağustos 2018. https://www.supermicro.com/newsroom/pressreleases/2018/press180807_Petabyte_NVMe_1U.cfm. SuperStorage SSG-136R-NR32JBF referansı: https://www.supermicro.com/products/system/1U/136/SSG-136R-NR32JBF.cfm.