Samsung, 10nm FinFET İşlem Sürecine Geçiyor! | Dijitaller
Uzaya Gidecek İlk Türk; Uçmaktan Korkmuyorum, İstanbul’da Yaşamak Daha Tehlikeli
Gelecek yıl artık 10nm işlem süreçlerini konuşuyor olacağız. Dünyanın en büyük yonga üreticilerinden olan Samsung, kısa süre önce resmi olarak 10nm FinFET işlem sürecine başladıklarını açıkladı. Samsung’da yaşanan zorlu süreçlerden dolayı Galaxy S8‘in erken geleceği zaten gündemdeydi, muhtemeldirki yeni amiral gemisinin içerisinde 10nm sürecinde üretilmiş bir yonga yatabilir.
Geçtiğimiz yıl 14nm üretim sürecinde ilk üretimi gerçekleştirerek bir ilke imza atarak bu alandaki bilgi ve tekniğini ortaya koyan Samsung, şimdi de 10nm sürecinde bir ilke imza atıyor. 10nm fabrikasyon sürecinde seri üretime endüstride ilk olarak başlayacağını açıklayan Samsung ilk olarak Low Power Early – LPE standardında yol olacak. Gerekli verim ve ilerleme kaydedildiğinde Low Power Plus – LPP ve Low Power Compact – LPC süreçlerine kademeli olarak geçilecek.
Hali hazırda 10nm FinFET LPE sürecini inşa etmeye hazırlanan Samsung, açıkladığı verilere göre yeni işlem sürecinde %30 düzeyinde zar alanı tasarrufu sağlanacak. Bununla birlikte %27 düzeyinde performans artışı ve %40 düzeyinde de enerji verimliliği söz konusu.
Gelen bilgilere göre 10nm sürecinde karşımıza çıkacak olan ilk yongalar Exynos 8895 ve Snapdragon 830 olacak. Şimdilik işlemci özellikleri elbette belli değil ancak özelleştirilmiş çekirdek tasarımlarına sahip olacağını söyleyebiliriz. Bu yongaları temel alan modelleri ise MWC fuarında görebiliriz. Bununla birlikte Apple‘ın en büyük müşterisi olduğu TSMC‘de yakın zamanda 10nm sürecine geçtiğini açıklayacaktır. Apple A11 yongası da yine 10nm üretim sürecinde bantlardan geçecektir.
Galaxy S7 Suya Dayanıklı Peki Sadece Kağıt Üstünde...