JFET Matcher : Elektrik - Elektronik - Sayfa 3 - DIY Audio Türkiye Forum
gönderen elektrobeyin » 04 Ocak 2013, 16:49
birgitay yazdı: Güç transistörlerinide asıl mach etmek gerekir. Aynı uygulama yerine başka yöntem varmıdır? Çünkü güç transistörlerinin Emitör , Kollektör , Drain ,Source bağlantılarında 5 watt dirençlerin koyulmasının sebeplerinden birde budur. Ama tam anlamıyla onlarıda nasıl yapıldığına dair bilgi varmıdır ?
Bildiğim kadarı ile, eğer devrenin çıkışlarında eksi ve artı alternans için tek mosfet kullanılmış ise, eşlemeye gerek yok çünkü yaptığımız devrelerde zaten feedback hattı var. Çıkıştaki güç tranzistorlerinde eşlemenin tek önemli olduğu durum mosfetlerin veya bjt'lerin paralel bağlantı yapıldığı devreler. Ayrıca o 5 watt'lık direnç daha çok akımı sınırlamak yani koruma amaçlı takılıyor, onun dışında pek bir etkisi yok, olmasada olur.
gönderen birgitay » 04 Ocak 2013, 16:58
O taş dirençler olmassa Transistörler tamamen paralael olur. Buda demek oluyorki Hepsini blok bağlamak . Bence yanlış uygulama olur. Taş dirençlerindeki dirençler olmasa bile Baze dirençleri mutlaka olmalı . Ve güç transistörleride mutlaka aynı şekilde eşlenmeli.
gönderen hamist » 04 Ocak 2013, 18:04
Mosfetler belli bir yükü paylaşma amaçlı paralel bağlanacağı zaman,
sourge uçlarına akıma göre seri birer 0.1-0.5 ohm direnç bağlamalıyız.
Bu dirençler paralel bağlı transistorlerin iç empedansları dolayısı
ile bir tür denge unsurudur.
Aksi halde bazı transistorlerden geçen akım diğerlerine göre
- ya da + olarak farklı olur.
Bu sorunu gidermek için transistorleri eşlediğimizi düşünmek de yanıltıcı olacaktır.
gönderen hamist » 04 Ocak 2013, 18:12
Bu devrede PNP ve NPN devrelerde emiterlerin bulunduğu taraf sıfır kabul edildiğinde,
ölçüm ve hesaplamalar da buna göre yapılırsa fark olmadığı görülmelidir.
Bu durumda npn devrede + voltaj okurken, pnp devrede - voltaj okunacaktır.
PNP ve NPN test için sadece besleme uçları değişecek, bunun dışında bir değişiklik olmamalı.
gönderen olc technics » 08 Ocak 2013, 12:11
Haftasonu nihayet BJT devresini breadboarda kurdum. Voltajı ters çevirerek PnP ölçümünü yaptım. Bunun dışında bir şey yapmam gerekmedi. Genel amaçlı bazı PnP ve nPn transistörlerin multimetreyle ve ibreli göstergeyle ölçtüm. Ve gördüm ki; çokta kullanışlı değilmiş bu devre (Benim eklemeyi düşündüğüm kısımdan bahsediyorum). Multimetreyle ölçüm yaparken rakamlar sürekli değişiyordu. Örneğin: + 160mV tan başlayıp 0 lara, hatta, eksi mV değerlerine kadar iniyordu. İbreli göstergeyle yaptığım ölçümlerde ise orantısızlıklar vardı. Örneğin; bc 337 tr. de 115 e192 hfe değerinde gösterge ful artıya kayıyorken, bc 560 tr. de 590 a 357 hfe değerinde ise yarı değerde artıya kayıyordu. JFET ölçümünü ise elimde fazla jfet olmadığı için yapamadım.
BJT ölçüm düzeneği;
2K ve 100r luk dirençleri, % 1 toleranslı direnç bulamadım için karbon dirençleri eşleyerek kullandım. Diğer dirençler % 5 toleranslı olarak seçildiler.
gönderen hamist » 08 Ocak 2013, 16:01
Aslında en başında hatırlatmamız gereken bir konu var,
differansiel bağlı devrelerde, transistorler yüzey olarak birbirlerine temas halinde olmalılar,
ki ısıl farklılıklar böyle sorunlara yol açmasın. Derken, tek başına ölçülmekte olan transistorde de
akım kaymaları gözlenir, zira üfleseniz akım sapar.
Sanırım enerji verdikten sonra bir süre ortama alışması için transistore vakit
tanımak gerek, ki çalışma kazancına ulaşıp orada kalsın.
Yani aslında amatorce uğraştığımız bu alanda ticari üretilmiş parçalar
alacak kadar kapasitemiz olmadığından piyasanın negatif etkilerini yaşayacağız demektir.
Bu nedenle jfet preampl. de başına bela arayanlar için gibi bir ifade kullanmıştım.
gönderen olc technics » 08 Ocak 2013, 16:53
hamist yazdı: Aslında en başında hatırlatmamız gereken bir konu var,
Aslında ölçüm yaparken ortam sıcaklığının bu gibi sorunlara yol açacağını düşünmüştüm. Ama nedense, o an bunu göz ardı ettim. Profesyonel amplifikatör uygulamalarında diff. tr. lerin yüz yüze bakacak takıldığını, hatta üstlerine soğutucu konulduğunu görmüştüm. Forumda bile örneği var (Bedri beyin paylaştığı mosfet ampl. den bahsediyorum). Diyeceğim şu ki; Tr. eşlemeye çalışırken, yüzeylerinin temas etmesini sağlasak, bunun bir faydasını görür müyüz?
gönderen hamist » 08 Ocak 2013, 17:28
Sizin devreniz, fetlerin sourge uçları birleştikten sonra bir direnç ile devam etmiş olsaydı,
o zaman birinden geçen akım ısı nedeni ile artacak olsaydı, diğerinin akımını da düşürerek
daha büyük bir sapma göstereckti.
Bu nedenle, söylediğim gibi diff. bağlantılarda transistorlerin aynı ısıl şartlarda çalışmasının
sağlanması amaçlanarak temas halinde olmaları sağlanır.
Elbette bu devreden geçen akım yüksek ise soğutucu da tek kullanılır.
Sizin kullandığınız devre bu nedenle tam olarak bir dif. devre değil,
sadece denge ölçümü yapabileceğimiz ayrı ayrı devreler.
Bu tür ölçümlerde elimizden geçen ısı da düşünülerek
okunan değerin sabit kaldığı zamana kadar bekleyip,
nihai değeri doğru değer olarak kabul etmekten başka çare kalmıyor.
gönderen olc technics » 09 Ocak 2013, 12:38
hamist yazdı: Sizin devreniz, fetlerin sourge uçları birleştikten sonra bir direnç ile devam etmiş olsaydı,
Cevaplarınız için teşekkür ederim Hamit bey.
Yazdıklarınızı değerlendirerek bir şeyler yapmaya çalışacağım.
gönderen birgitay » 27 Haziran 2013, 01:45
Bu transistörlerde tam Match etme olayını anlatabilirmisiniz? K30 fetlerini eşlemem gerekiyor. En baştaki basit devreyi Protoboard'a uyarladım aralarında gerilim 1v.'ta yakın . Fakat sonuç ne? Normalde , devrede iken zaten akım çekmiyor. İlk andaki çalışmamı ? Yoksa yavaş yavaş mı bu akım çekiyor ne anlayacağız ?