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结型场效应管
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结型场效应管（JFET，英语：junction gate field-effect transistor）是单极场效应管中最简单的一种。它可以分n沟道（n-channel）或者p沟道（p-channel）两种。在下面的论述中主要以n沟道结型场效应管为例，在p沟道结型场效应管中n区和p区以及所有电压正负和电流方向正好颠倒过来。
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结构
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n通道结型场效应管由一个被一个p型掺杂（阻碍层）环绕的n型掺杂组成。在n型掺杂上连有汲极（也称漏极，来自英语Drain，因此也称D极）和源极（来自英语Source，因此也称S极）。从源极到汲极的这段半导体被称为n通道。p区连有闸极（也称栅极，来自英语Gate，因此也成为G极）。这个极被用来控制结型场效应管，它与n通道组成一个pn二极管，因此结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管类似，只不过在金属-氧化物-半导体场效应管中不是使用pn结，而是使用肖特基结（金属与半导体之间的结），在原理上结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管是完全一样的。
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符号
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有时结型场效应管的栅极被画在沟道的中部，这个对称表示汲极和源极是可以相互对换的，因此这个符号仅应该被用在两极的确可以互相对换的结型场效应管上（不是所有结型场效应管都可以）。_NEWLINE_传统地元件的周围还有一个圈。_NEWLINE_箭头示明沟道和栅极之间pn结的极性。如同一般的二极管箭头从p区指向n区，这也是正向偏压下的电流方向。
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与其它三极管的比较
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与金属-氧化物-半导体场效应管相比结型场效应管的栅电流比较大，但是比双极性晶体管小。结型场效应管的跨导比金属-氧化物-半导体场效应管高，因此被用在一些低噪声、高输入阻抗的运算放大器中。_NEWLINE_1925年朱利乌斯·艾德加·李利费尔德首次预言了结型场效应管。1930年代中其理论基础足够完整，因此有人把它申报专利。但是此后许多年一直未能生产足够精确地掺杂的晶体来显示其可行性。1947年约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿和威廉·肖克利在试图制造一个结型场效应管时发现了点接触型晶体管。许多年后结型场效应管才被生产出来。
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应用
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与双极性晶体管相比结型场效应管在一千赫以下噪声小得多。在高频时假如源电阻高于约100千欧姆至一兆欧姆的情况下结型场效应管也比较有效。_NEWLINE_结型场效应管可以被用来做恒流集成二极管或者定值电阻。_NEWLINE_结型场效应管还在低频和高频中被用来调节信号电压、在信号强度高的情况下被用作混频器以及被用作逆向电流低的信号二极管。