b'\n_START_ARTICLE_\nIntegrirano vezje\n_START_PARAGRAPH_\nIntegrirano vezje (tudi \xc4\x8dip) je mikrovezje, sestavljeno iz mno\xc5\xbeice elektronskih elementov, ki so na skupnem substratu iz polprevodni\xc5\xa1kega materiala med seboj povezani v elektri\xc4\x8dno vezje. Vezje vsebuje poleg aktivnih (tranzistor, dioda,...) tudi pasivne elemente (upor,kondenzator...)._NEWLINE_Integrirano vezje se po izdelavi vgradi v ohi\xc5\xa1je tej celoti pa pravimo \xc4\x8dip. Beseda \xc4\x8dip izhaja iz ameri\xc5\xa1kega ra\xc4\x8dunalni\xc5\xa1kega slenga in pomeni silicijevo rezino._NEWLINE_Izdelava integriranih vezij je postala mogo\xc4\x8da ko so pri\xc5\xa1li do odkritja, da lahko polprevodniki opravljajo enako nalogo kot vakumske cevi. Prednost polprevodni\xc5\xa1kih materialov od vakuumskih cevi je predvsem njihova majhnost in relativno enostavna izdelava v velikem \xc5\xa1tevilu. _NEWLINE_Na integrirano vezje vplivata dva zelo pomembna dejavnika. To sta cena in u\xc4\x8dinkovitost. Cena je glede na koli\xc4\x8dino izdelanih vezij izredno nizka saj je mo\xc5\xbeno v relativno kratkem \xc4\x8dasu izdelati veliko koli\xc4\x8dino IV (Integrirano Vezje). Najdra\xc5\xbeji je razvoj IV vendar se stro\xc5\xa1ki razvoja porazdelijo na veliko koli\xc4\x8dino izdelanih IV. Drug pomemben dejavnik je u\xc4\x8dinkovitost, ki se z razvojem tehnologije pove\xc4\x8duje. Tako postajajo tranzistorji vedno hitrej\xc5\xa1i njihova poraba se zmanj\xc5\xa1uje samo vezje pa postaja vedno manj\xc5\xa1e. O tem govori Moorov zakon, ki pravi, da se vsaki dve leti \xc5\xa1tevilo tranzistorjev v IV podvoji._NEWLINE_Med najbolj napredna integrirana vezja spadajo mikroprocesorji, ki jih danes najdemo v ra\xc4\x8dunalnika pa vse do mikrovalovne pe\xc4\x8dice.\n_START_SECTION_\nGlede na substrat\n_START_PARAGRAPH_\nPri monolitnih integriranih vezjih se uporablja polprevodni\xc5\xa1ki substrat na osnovi Si(silicij) in GaAs. Pri tankoplastnih in debeloplastnih vezjih pa se uporablja pasivni substrat na osnovi stekla in keramike.\n_START_SECTION_\nIonska implantacija\n_START_PARAGRAPH_\nIonska implantacija je postopek, ki v veliki meri nadome\xc5\xa1\xc4\x8da difuzijo primesi. V tem postopku ione primesi v elektri\xc4\x8dnem polju pospe\xc5\xa1imo in jih tako implantiramo v kristalno strukturo Si.\n_START_SECTION_\nMetalizacija\n_START_PARAGRAPH_\nMetalizacija je naparevanje Al (aluminij) na Si rezino. Al je enakomerno naparjen po celotni povr\xc5\xa1ini rezine zato je porebno odve\xc4\x8dni Al odstraniti s fotolitografskim postopkom. Zadnji postopek metalizacije je sitranje, ta omogo\xc4\x8da zlitje Al in Si. Na ta na\xc4\x8din zmanj\xc5\xa1amo kontaktno upornost.\n_START_SECTION_\nFotolitografija\n_START_PARAGRAPH_\nUporabljamo jo za oblikovanje oksidne maske za postopek difuzije primesi ali za oblikovanje kontaktov in povezav po metalizaciji._NEWLINE_Oksidirano plo\xc5\xa1\xc4\x8do prevle\xc4\x8demo s fotoimulzijo. To nato osvetlimo preko steklene maske in jo fotografsko razvijemo. Osvetljena podro\xc4\x8dja ostanejo neosvetljena pa odstranimo. Za osvetljevanje se je v\xc4\x8dasih uporabljala UV svetloba, ker pa je tehnologija napredovala in je postajala vedno manj\xc5\xa1a je valovna dol\xc5\xbeina te svetlobe postale predolga zato se zdaj uporablja X \xc5\xbearke, ki imajo kraj\xc5\xa1o valovno dol\xc5\xbeino. Tako dobimo za\xc5\xa1\xc4\x8ditene in neza\xc5\xa1\xc4\x8ditene dele oksidne plasti. Dele, ki niso za\xc5\xa1titeni nato odjedkamo s fluorovodikovo kislino, tako dobimo podro\xc4\x8dje na katerem lahko uporabimo difuzijo primesi ali ionsko implantacijo.\n_START_SECTION_\nEpitaksija\n_START_PARAGRAPH_\nPostopek poteka v pe\xc4\x8di kjer je prisoten plin tetraklorid (SiCl\xe2\x82\x84) ali silan (SiH\xe2\x82\x84). Pri tem se iz plina izlo\xc4\x8da Si in se vgrajuje v monokristalno mre\xc5\xbeo nastajajo\xc4\x8de Si plasti. Ta lahko raste le na podlagi iz monokristalnega Si.\n_START_SECTION_\nDepozicia polikristalnega silicija na SiO2\n_START_PARAGRAPH_\nJe postopek s katerim nadomestimo kovinsko elektrodo s silicijevo. Saj ima ta nekatere fizikalne lastnosti bolj\xc5\xa1e od kovinske elektrode.'