b'\n_START_ARTICLE_\nMemristor\n_START_PARAGRAPH_\nMemr\xc3\xadstor (dvozlo\xc5\xbeenka od angle\xc5\xa1kih besed memory resistor - pomnilni\xc5\xa1ki upornik) je novej\xc5\xa1i pasivni dvopolni elektronski element, zami\xc5\xa1ljen kot nelinearni element elektri\xc4\x8dnega vezja, ki povezuje elektri\xc4\x8dni naboj in magnetni pretok. Memristorje trenutno razvija skupina pri Hewlett-Packardu._NEWLINE_Ko te\xc4\x8de tok skozi element v eni smeri, elektri\xc4\x8dni upor nara\xc5\xa1\xc4\x8da. Ko te\xc4\x8de v nasprotni smeri, pa pojenja. \xc4\x8ce tok pade na ni\xc4\x8d, ko izklju\xc4\x8dimo gonilno napetost, element ohrani zadnjo vrednost upora, \xc4\x8de pa za\xc4\x8dne tok naboja ponovno te\xc4\x8di, bo upor vezja enak zadnjemu aktivnemu. Delovna karakteristika memristorja v odvisnosti naboja od upora je pribli\xc5\xbeno linearna dokler \xc4\x8dasovni integral toka ostaja znotraj dolo\xc4\x8denih mej._NEWLINE_Teorijo memristorjev je izdelal in poimenoval Leon Ong Chua v svojem \xc4\x8dlanku iz leta 1971. Leta 2008 je skupina iz Laboratorijev HP objavila, da bo za\xc4\x8dela razvijati preklopni memristor na podlagi tankega filma iz titanovega dioksida. Te elemente razvijajo za uporabo v nanoelektronskih pomnilnikih, ra\xc4\x8dunalni\xc5\xa1ki logiki in nevromorfnih ra\xc4\x8dunalni\xc5\xa1kih arhitekturah. Oktobra 2011 je ista skupina najavila komercialno razpolo\xc5\xbeljivo memristorsko tehnologijo v \xc4\x8dasu 18-tih mesecev, kot nadomestilo za pomnilnike flash, SSD, DRAM in SRAM. Marca 2012 je skupina raziskovalcev iz Laboratorijev HRL in Univerze Michigana najavila prvo delujo\xc4\x8do memristorsko sestavo zgrajeno na vezju CMOS za uporabe v nevromorfnih arhitekturah._NEWLINE_Chua je pokazal, da imamo lahko vse dvopolne energijsko neodvisne pomnilni\xc5\xa1ke elemente, ki temeljijo na uporovnem preklapljanju, za memristorje. Stan Williams iz Laboratorijev HP je pokazal tudi, da imamo lahko MRAM, pomnilnike s fazno spremembo in RRAM prav tako za memristorske tehnologije. Nekateri raziskovalci so razpravljali o tem, da imamo lahko nekatere biolo\xc5\xa1ke strukture, kot sta kri in ko\xc5\xbea, tudi za memristorje. Drugi so dokazovali, da pomnilni\xc5\xa1ki element, ki ga trenutno razvijajo v Laboratorijih HP, in druge oblike RRAM, dejansko niso memristorji ali memristivni sistemi, ampak so del \xc5\xa1ir\xc5\xa1ega razreda sistemov s spremenljivim uporom, ter, da je \xc5\xa1ir\xc5\xa1a definicija memristorja znanstveno neopravi\xc4\x8dljiva v prid Hewlett-Packardovih patentov za memristor.\n_START_SECTION_\nOzadje\n_START_PARAGRAPH_\nChua je v svojem \xc4\x8dlanku iz leta 1971 ekstrapoliral konceptualno simetrijo med uporom (V/I), kondenzatorjem (V/q) in tuljavo (\xce\xa6\xe2\x82\x98/I), ter povezal memristor kot podoben osnovni element vezja, ki povezuje magnetni pretok in naboj (\xce\xa6\xe2\x82\x98/q). _NEWLINE_Za razliko od linearnega (ali nelinearnega) upornika ima memristor dinami\xc4\x8dno povezavo med tokom in napetostjo kot tudi pomnenje zadnjih napetosti ali tokov. Drugi znanstveniki so do tedaj \xc5\xbee predlagali upornike z dinami\xc4\x8dnim pomnilnikom, kot je npr. Widrowov memistor, vendar je Chua posku\xc5\xa1al vpeljati element v smislu metemati\xc4\x8dne splo\xc5\xa1nosti._NEWLINE_Upor memristorja je odvisen od integrala vhoda na priklju\xc4\x8dkih namesto od stalne vrednosti vhoda kot pri varistorju. Ker si element \xc2\xbbzapomni\xc2\xab\xc2\xa0koli\xc4\x8dino toka, ki je skozi njega pretekla v preteklosti, ga je Chua imenoval \xc2\xbbmemristor\xc2\xab. Po drugem na\xc4\x8dinu se memristor opi\xc5\xa1e kot vsak pasivni dvopolni element, ki ohranja funkcijsko povezavo med \xc4\x8dasovnim integralom toka (imenovanim naboj) in \xc4\x8dasovnim integralom napetosti (po navadi imenovan pretok, ker je povezan z magnetnim pretokom). Nagib te funkcije se imenuje pomnilni\xc5\xa1ki upor (ali memristanca) M in je podoben spremenljivemu uporu. Elektri\xc4\x8dne baterije imamo lahko za elemente s pomnilni\xc5\xa1kim uporom, vendar niso pasivne komponente._NEWLINE_Definicija memristorja temelji le na osnovnih spremenljivkah vezij, toka in napetosti, ter njunih \xc4\x8dasovnih integralih, podobno kot pri uporniku, kondenzatorju ali tuljavi. \xc4\x8ceprav so ti trije elementi v teoriji linearnih stacionarnih sistemov dovoljeni, imajo memristorji glede pomnenja dinami\xc4\x8dno funkcijo, in jih lahko opi\xc5\xa1emo s katerokoli funkcijo mre\xc5\xbenega naboja. Standardni memristorji ne obstajajo. Namesto tega ima vsak element dolo\xc4\x8deno funkcijo, kjer integral napetosti dolo\xc4\x8da integral toka, in obratno. Linearni \xc4\x8dasovnoinvariantni memristor s konstantno vrednostjo M je preprosto obi\xc4\x8dajni upornik. Kakor drugi dvopolni elementi (upornik, kondenzator, tuljava) elementi v stvarnem svetu niso nikoli \xc4\x8disto memristorji, oziroma \xc2\xbbidealni memristorji\xc2\xab, ampak bodo vsebujejo tudi dolo\xc4\x8dene elemente kapacitivnosti, upora ali induktivnosti.'