b'\n_START_ARTICLE_\nGrafen\n_START_SECTION_\nZastosowanie\n_START_PARAGRAPH_\nMateria\xc5\x82 ten ma szans\xc4\x99 w wielu zastosowaniach zast\xc4\x85pi\xc4\x87 krzem. Naukowcy ameryka\xc5\x84skiego Massachusetts Institute of Technology (MIT) zbudowali eksperymentalny grafenowy mno\xc5\xbcnik cz\xc4\x99stotliwo\xc5\x9bci, co oznacza, \xc5\xbce jest w stanie odebra\xc4\x87 przychodz\xc4\x85cy sygna\xc5\x82 elektryczny pewnej cz\xc4\x99stotliwo\xc5\x9bci i wyprodukowa\xc4\x87 sygna\xc5\x82 wychodz\xc4\x85cy, stanowi\xc4\x85cy wielokrotno\xc5\x9b\xc4\x87 tej cz\xc4\x99stotliwo\xc5\x9bci. W tym przypadku uk\xc5\x82ad stworzony przez MIT podwoi\xc5\x82 cz\xc4\x99stotliwo\xc5\x9b\xc4\x87 sygna\xc5\x82u elektromagnetycznego. Testy przeprowadzone przez IBM wykaza\xc5\x82y, \xc5\xbce tranzystor wytworzony w procesie technologicznym 240\xc2\xa0nm jest w stanie osi\xc4\x85gn\xc4\x85\xc4\x87 cz\xc4\x99stotliwo\xc5\x9b\xc4\x87 do 100\xc2\xa0GHz._NEWLINE_Przezroczysto\xc5\x9b\xc4\x87 i znakomite przewodnictwo sprawiaj\xc4\x85, \xc5\xbce grafen nadaje si\xc4\x99 do wytwarzania przejrzystych, zwijanych w rolk\xc4\x99 wy\xc5\x9bwietlaczy dotykowych oraz do produkcji energii odnawialnej z modu\xc5\x82\xc3\xb3w fotowoltaicznych i magazynowania jej w wysokowydajnych akumulatorach b\xc4\x85d\xc5\xba tak\xc5\xbce w superkondensatorach. Czujniki z grafenu potrafi\xc4\x85 zarejestrowa\xc4\x87 obecno\xc5\x9b\xc4\x87 pojedynczej cz\xc4\x85steczki szkodliwej substancji, znajduj\xc4\x85c zastosowanie np. w monitoringu i ochronie \xc5\x9brodowiska.\n_START_SECTION_\nOtrzymywanie\n_START_PARAGRAPH_\nGrafen wytwarzany jest wieloma technikami, a ka\xc5\xbcda z nich ma inne potencjalne zastosowanie w nauce i przemy\xc5\x9ble._NEWLINE_Odrywanie mechaniczne przy u\xc5\xbcyciu ta\xc5\x9bmy klej\xc4\x85cej z wysokiej jako\xc5\x9bci grafitu s\xc5\x82u\xc5\xbcy g\xc5\x82\xc3\xb3wnie do zastosowa\xc5\x84 czysto badawczych. Tak otrzymany grafen ma bardzo wysokie parametry ruchliwo\xc5\x9bci, jednak nie mo\xc5\xbce by\xc4\x87 wytwarzany na masow\xc4\x85 skal\xc4\x99 ze wzgl\xc4\x99du na ogromne koszty. Do niedawna tak otrzymywany grafen by\xc5\x82 wr\xc4\x99cz najdro\xc5\xbcszym materia\xc5\x82em na \xc5\x9bwiecie. Jednak w nauce nie s\xc4\x85 potrzebne du\xc5\xbce rozmiary pr\xc3\xb3bek, a tego rodzaju grafen mo\xc5\xbcna wytwarza\xc4\x87 w ka\xc5\xbcdym laboratorium._NEWLINE_Inn\xc4\x85 technik\xc4\x85 wytwarzania grafenu jest osadzanie z fazy gazowej (CVD, z ang. chemical vapor deposition) na metalach. Proces ten zapocz\xc4\x85tkowali Korea\xc5\x84czycy, a obecnie jest wykorzystywany w wielu laboratoriach na \xc5\x9bwiecie. Dzi\xc4\x99ki tej metodzie grafen sta\xc5\x82 si\xc4\x99 znacznie ta\xc5\x84szym materia\xc5\x82em \xe2\x80\x93 koszt produkcji grafenu na miedzi jest znacz\xc4\x85co ni\xc5\xbcszy, ni\xc5\xbc grafenu otrzymywanego z grafitu. Jednocze\xc5\x9bnie grafen na miedzi ma znacz\xc4\x85co ni\xc5\xbcsz\xc4\x85 jako\xc5\x9b\xc4\x87 ni\xc5\xbc grafen otrzymywany z grafitu i nie mo\xc5\xbce by\xc4\x87 zastosowany do produkcji urz\xc4\x85dze\xc5\x84 elektronicznych. Mo\xc5\xbcna go jednak stosowa\xc4\x87 do budowy ekran\xc3\xb3w dotykowych, gdzie jako\xc5\x9b\xc4\x87 (liczba defekt\xc3\xb3w, wielko\xc5\x9b\xc4\x87 domen i jednorodno\xc5\x9b\xc4\x87) nie jest tak bardzo istotna._NEWLINE_Kolejn\xc4\x85 metod\xc4\x85 jest wytwarzanie grafenu na w\xc4\x99gliku krzemu. Metoda wytwarzania w\xc4\x99gla przez rozk\xc5\x82ad termiczny SiC pozwala na otrzymywanie du\xc5\xbcych powierzchni wysokiej jako\xc5\x9bci grafenu. Koszt pod\xc5\x82o\xc5\xbca SiC jest jednak bardzo wysoki. Na grafenie wyhodowanym na SiC powsta\xc5\x82 pierwszy grafenowy uk\xc5\x82ad scalony._NEWLINE_W 2011 roku Instytut Technologii Materia\xc5\x82\xc3\xb3w Elektronicznych oraz Wydzia\xc5\x82 Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego poinformowa\xc5\x82y o wsp\xc3\xb3lnym opracowaniu technologii pozyskiwania du\xc5\xbcych fragment\xc3\xb3w grafenu o najlepszej dot\xc4\x85d jako\xc5\x9bci._NEWLINE_W 2015 roku Politechnika \xc5\x81\xc3\xb3dzka zaprezentowa\xc5\x82a urz\xc4\x85dzenie do produkcji grafenu z fazy ciek\xc5\x82ej, kt\xc3\xb3re pozwala na wytwarzanie wielkopowierzchniowych p\xc5\x82at\xc3\xb3w grafenowych o w\xc5\x82a\xc5\x9bciwo\xc5\x9bciach bliskich teoretycznym. Sw\xc3\xb3j produkt nazwa\xc5\x82a HSMG (ang.\xc2\xa0High Strength Metallurgical Graphene). Jego komercjalizacj\xc4\x85 oraz opracowaniem aplikacji zajmuje si\xc4\x99 powo\xc5\x82ana do tego celu instytucja spin off Advanced Graphene Products Sp. z o.o. W 2016\xc2\xa0r. metoda HSMG uzyska\xc5\x82a ochron\xc4\x99 patentow\xc4\x85 w UE i USA.'