b'\n_START_ARTICLE_\nTransistor sambungan-paduan\n_START_SECTION_\nProses pembuatan\n_START_PARAGRAPH_\nDalam metode pertemuan-paduan, transistor-transistor dibuat secara individual. Dua butir indium yang merupakan suatu kotoran akseptor, diletakan pada sisi-sisi berlawanan suatu kepingan tipis germanium tipe-N (setebal 50 \\mum). Rakitan kecil ini dipanaskan sampai 500\xe1\xb5\x92C, yaitu diatas titik lebur indium tetapi dibawah titik lebur germanium, untuk menciptakan dua daerah-P. Daerah-P ini akan menjadi emitor dan kolektor dengan ruang-N tipis yang membentuk daerah basis. Kemudian kabel-kabel disambungkan dengan disolder atau dilas, dan transistor disimpan rapat dalam kaleng.\n_START_SECTION_\nKerugian\n_START_PARAGRAPH_\nProses ini relatif mahal dengan keuntungan rendah dan hanya dapat dipakai untuk memproduksi transistor frekuensi rendah. Sebab frekuensi sumbat suatu transistor bergantung pada lebar daerah basis. Lazimnya fT&asymp 1 MHz untuk transistor pertemuan-paduan. Transistor NPN diproduksi dengan menggunakan germanium tipe-P dan butiran timbal-antimon sebagai kotoran donor.'