b"\n_START_ARTICLE_\nTunneldiood\n_START_PARAGRAPH_\nTunneldiood on pooljuhtdiood, mille talitlus p\xc3\xb5hineb pn-siirdes ilmneval tunneliefektil, mille toimel dioodi pinge-voolu tunnusjoone p\xc3\xa4riharul kujuneb negatiivse diferentsiaaltakistusega l\xc3\xb5ik._NEWLINE_Tunneldioodi l\xc3\xa4bib v\xc3\xa4ga tugev p\xc3\xa4rivool juba madala p\xc3\xa4ripingestamise korral. Dioodis tunneliefekti esilekutsumiseks on tarvilik dioodi t\xc3\xb5kkekihi v\xc3\xa4ga v\xc3\xa4ike laius, kuni m\xc3\xb5nik\xc3\xbcmmend nanomeetrit.\n_START_SECTION_\nValmistamine\n_START_PARAGRAPH_\nTunneldioodid on valmistatud k\xc3\xb5rglegeeritud pooljuhtmaterjalist, mille lisandisisaldus on v\xc3\xb5rreldes tavaliste dioodide pooljuhtmaterjaliga k\xc3\xbcmneid tuhandeid kordi suurem.\n_START_SECTION_\nKasutamine\n_START_PARAGRAPH_\nTunneldioode kasutatakse k\xc3\xb5rgetel sagedustel (kuni m\xc3\xb5ni tuhat MHz) kiiretoimelise l\xc3\xbclitina, aga ka nii siinuselise kui relaksatsioonv\xc3\xb5nkumise v\xc3\xb5imendamisel ning genereerimisel.\n_START_SECTION_\nTunneldioodi pinge-voolu karakteristik\n_START_PARAGRAPH_\nKui p\xc3\xa4ripinge hakkab suurenema siis vool l\xc3\xa4bi dioodi suureneb ka kuni etteantud pinge v\xc3\xa4\xc3\xa4rtuseni V1. Kui suurendame pinget edasi V1'st siis vool v\xc3\xa4heneb ning tunneldiood on negatiivse diferentsiaalse takistuse piirkonnas kuni pingeni V2. Kui p\xc3\xa4ripinge on suurem kui V2, siis vool suureneb ning tunneldiood on positiivse takistuse piirkonnas. Meid huvitab negatiivse takistuse piirkond l\xc3\xb5igul V1 kuni V2, kuna selle l\xc3\xb5igu ulatuses on v\xc3\xb5imalik tunneldioodi kasutada v\xc3\xb5nkumiste tekitamiseks ehk ostsilleerimiseks.\n_START_SECTION_\nTunneldioodi aseskeem\n_START_PARAGRAPH_\nInduktiivsus Ls ja takistusi Rs on tunneldioodi parasiitkomponendid ning nad on tingitud dioodi v\xc3\xa4ljaviikudest. Kondensaator Cd n\xc3\xa4itab mahtuvust, mis on tingitud t\xc3\xb5kkekihi mahtuvusest. Ning takisti Rd n\xc3\xa4itab dioodi negatiivset takistust. Maksimaalne v\xc3\xb5nkumiste sagedus v\xc3\xb5ib olla arvutatud omav\xc3\xb5nkesageduse v\xc3\xb5i l\xc3\xb5ikesageduse p\xc3\xb5hjal. _NEWLINE_Omav\xc3\xb5nkesageduse arvutus_NEWLINE_Omav\xc3\xb5nkesageduse arvutamiseks kasutatakse j\xc3\xa4rgmist valemit:_NEWLINE_,_NEWLINE_kus RD \xe2\x80\x93 tunneldioodi negatiivne takistus_NEWLINE_LS \xe2\x80\x93 tunneldioodi parasiitne induktiivsus_NEWLINE_CD \xe2\x80\x93 tunneldioodi t\xc3\xb5kkekihi mahtuvus_NEWLINE_L\xc3\xb5ikesageduse arvutus_NEWLINE_Tunneldioodi l\xc3\xb5ikesagedus on sagedus, mille juures skeemi negatiivne takistus on 0 ning v\xc3\xb5nkumised sumbuvad. L\xc3\xb5ikesageduse arvutamiseks kasutatakse j\xc3\xa4rgmist valemit:_NEWLINE_,_NEWLINE_kus RS \xe2\x80\x93 tunneldioodi parasiitne takistus\n_START_SECTION_\nAstabiilne saehammasgeneraator\n_START_PARAGRAPH_\nSaehammasgeneraator, mis kasutab tunneldioodi CR1 ja transistori Q1. Vaatame olukorda, kus l\xc3\xbcliti S1 on suletud asendis.Sel juhul v\xc3\xa4ljundis on saehambakujuline signaal. Punktist 0 kuni punktini A laetakse aeglaselt kondensaatorit C1 l\xc3\xa4bi takisti Rs. Selle perioodi jooksul transistor Q1 on suletud ning tunneldioodi CR1 pinge on maksimum v\xc3\xa4\xc3\xa4rtusest v\xc3\xa4iksem. Punktis A tunneldioodi CR1 pinge saavutab maksimumi ning diood l\xc3\xbclitub \xc3\xbcmber k\xc3\xb5rgepingere\xc5\xbeiimi. Selle tulemusena transistor Q1 on avatud re\xc5\xbeiimis. Kondensaator C1 hakkab t\xc3\xbchjenema l\xc3\xa4bi emitteri-kollektori ahela. Kui kondensaatori C1 pinge j\xc3\xb5uab punktini B diood l\xc3\xbclitub j\xc3\xa4lle algsesse asendisse ning transistor Q1 sulgub. Seej\xc3\xa4rel hakkab uus ts\xc3\xbckkel sama p\xc3\xb5him\xc3\xb5tega.\n_START_SECTION_\nKristalliga juhitav tunneldioodi ostsillaator\n_START_PARAGRAPH_\nJoonisel 6 on kujutatud kristalliga juhitav tunneldioodi ostsillaator. Tema t\xc3\xb6\xc3\xb6p\xc3\xb5him\xc3\xb5te seisneb selles, et toitepinge tuleb akust Eb l\xc3\xa4bi pingejaguri R1 ja R2. Takisti R2 takistus on valitud nii, et tema takistus on kaks korda suurem, kui tunneldioodi efektiivne negatiivne takistus. Takisti R3 on v\xc3\xb5rdne takistiga R2. Juhul kui kvartskristall on j\xc3\xa4rjestikresonantsis, on kogu positiivne takistus pool R2 v\xc3\xa4\xc3\xa4rtusest. See v\xc3\xa4\xc3\xa4rtus on v\xc3\xb5rdne tunneldioodi negatiivse takistusega ning v\xc3\xb5nkumised hakkavad peale. Skeem on v\xc3\xb5imeline v\xc3\xb5nkuma ainult kvartskristalli Y1 j\xc3\xa4rjestikresonantssagedusel."