b'\n_START_ARTICLE_\nKomplekstakistuse m\xc3\xb5\xc3\xb5tur\n_START_PARAGRAPH_\nKomplekstakistuse m\xc3\xb5\xc3\xb5tur on vahend kaksklemmi elektrilise komplekstakistuse ehk vahelduvvoolutakistuse \xc5\xbb parameetrite m\xc3\xb5\xc3\xb5tmiseks. \xc3\x9cldtuntud lahenduseks on vahelduvvoolu m\xc3\xb5\xc3\xb5tesild._NEWLINE_Analoogiline seade on kompleksjuhtivuse m\xc3\xb5\xc3\xb5tur, mis on m\xc3\xb5\xc3\xb5teseade komplekstakistuse \xc5\xbb p\xc3\xb6\xc3\xb6rdv\xc3\xa4\xc3\xa4rtuse ehk kompleksjuhtivuse vektori \xc3\x9d parameetrite v\xc3\xa4\xc3\xa4rtuste m\xc3\xb5\xc3\xb5tmiseks. Tihti on samas m\xc3\xb5\xc3\xb5teseadmes realiseeritud m\xc3\xb5lema suuruse m\xc3\xb5\xc3\xb5tmise v\xc3\xb5imalus._NEWLINE_Enamikul juhtudel on komplekstakistuse ja -juhtivuse m\xc3\xb5\xc3\xb5turid realiseeritud elektroonse m\xc3\xb5\xc3\xb5tevahendina._NEWLINE_Elektroonses m\xc3\xb5\xc3\xb5tetehnikas on levinuim lahendus komplekstakistuse \xc5\xbb=R+jX=Zej\xce\xa6 reaalosa R ja imaginaarosa X m\xc3\xb5\xc3\xb5tmine faasitundlike vahendite abil, n\xc3\xa4iteks s\xc3\xbcnkroondetekteerimise teel. V\xc3\xa4hem kasutatakse mooduli Z ja faasi \xce\xa6 m\xc3\xb5\xc3\xb5tmist, n\xc3\xa4iteks voltmeetri ja fasomeetri abil._NEWLINE_Siinjuures on komplekstakistuse \xc5\xbb kui vektorsuuruse parameetrite jaoks kehtivad j\xc3\xa4rgmised \xc3\xbcleminekuseosed:_NEWLINE__NEWLINE_Z=sqrt(R\xc2\xb2+X\xc2\xb2) ja \xce\xa6=arctan(X/R);_NEWLINE__NEWLINE_R=Z\xc2\xb7cos\xce\xa6 ja X=Z\xc2\xb7sin\xce\xa6._NEWLINE_Komplekstakistuse parameetrid on reeglina sagedusest s\xc3\xb5ltuvad._NEWLINE__NEWLINE_Puhtalt kompleksne mahtuvustakistus s\xc3\xb5ltub sagedusest p\xc3\xb6\xc3\xb6rdv\xc3\xb5rdeliselt:_NEWLINE__NEWLINE_XC=1/\xcf\x89C._NEWLINE__NEWLINE_Puhtalt kompleksne induktiivtakistus s\xc3\xb5ltub sagedusest v\xc3\xb5rdeliselt:_NEWLINE__NEWLINE_XL=\xcf\x89L._NEWLINE_Induktiivsuse L ja mahtuvuse C m\xc3\xb5\xc3\xb5tmise seadmete (LCR-m\xc3\xb5\xc3\xb5turid) puhul on tihti eeldatud, et teised takistuse komponendid (n\xc3\xb6 parasiitkomponendid) praktiliselt puuduvad. Reaalsete reaktiivkomponentide puhul see nii alati ei ole._NEWLINE_Reaalsete induktiivpoolide puhul on nendeks komponentideks pooli m\xc3\xa4hise aktiivtakistus, mis ilmneb pooli aseskeemis j\xc3\xa4rjestiktakistusena r, ja parasiitne mahtuvus, mis ilmneb paralleelmahtuvusena C\xe2\x82\x9a. Kondensaatorite puhul ilmub aseskeemi dielektrilist kadu iseloomustav paralleelne kaotakistus R\xe2\x82\x9a. K\xc3\xb5rgetel sagedustel v\xc3\xb5ivad nende aseskeemidesse lisanduda veel teisedki parasiitsed elemendid._NEWLINE_Analoogiliselt v\xc3\xb5ivad reaktiivsed parasiitkomponendid p\xc3\xb5hjustada probleeme oma olemuselt aktiivtakistusliku komponendi R m\xc3\xb5\xc3\xb5tmisel._NEWLINE_Eestis on komplekstakistuse ja/v\xc3\xb5i -juhtivuse m\xc3\xb5\xc3\xb5tureid projekteeritud ja valmistatud TR\xc3\x9c (TT\xc3\x9c) (Vello Reeben, u 1960) ja TPI (TT\xc3\x9c) osakondades (valmistatud eksperimentaalt\xc3\xb6\xc3\xb6kodades).'