Электронография — Қазақстан Энциклопедиясы URL: https://kk.php?title=Арнайы:Ұзын_беттер 2) ауыр атомдар арасында орналасқан жеңіл атомдардың координаттарын анықтай алады; 3) электрондар сәулесінің толқын ұзындығы өте қысқа болуы себепті өте майда әрі ұлпа нысандарды зерттей алады; 4) электрондар шоғының қарқындылығы жоғары болып келеді. Э-лық зерттеулер мынадай бағыттарда дамып келеді: 1) булардағы немесе газдардағы молекулалардың құрылысын анықтауға арналған молекулалық Э.; 2) құ-рылымы белгісіз кристалдың атомдық құрылымын толық анықтау немесе зерттелген құрылымдарды толтыру мақсатында орындалатын құрылымдық Э.; 3) беттік қабаттардың эсы; 4) әр түрлі фазалардың өзара жанасуынан пайда болатын құрылымдық ерекшеліктерді зерттейтін субмикроскоп. Газдық Э. көмегімен булану темпрасы 1500 – 2000С-қа дейінгі зат молекулаларының құрылысы зерттеледі. Ядроаралық қашықтық пен тербеліс амплитудасының орташа квадраттық ауытқуы 0,01 – 0,001 еге дейінгі дәлдікпен анықталады. Құрылымдық Э. элементар ұяның параметрлерін және кристалдың атомдық құрылымын анықтау үшін пайдаланылады. Беттік қабаттардың эсы технол. өңдеу кезінде пайда болатын беттік өзгерістерді, тотығуды, коррозияны, т. зерттейді. кристаллография табиғатта аз кездесетін әрі майда заттар, күйелер, әр түрлі абразивтер сияқты заттардың құрылымын анықтауда пайдаланылады
TITLE: Электронография — Қазақстан Энциклопедиясы URL: https://kk.php?title=Арнайы:Ұзын_беттер 2) ауыр атомдар арасында орналасқан жеңіл атомдардың координаттарын анықтай алады; 3) электрондар сәулесінің толқын ұзындығы өте қысқа болуы себепті өте майда әрі ұлпа нысандарды зерттей алады; 4) электрондар шоғының қарқындылығы жоғары болып келеді. Э-лық зерттеулер мынадай бағыттарда дамып келеді: 1) булардағы немесе газдардағы молекулалардың құрылысын анықтауға арналған молекулалық Э.; 2) құ-рылымы белгісіз кристалдың атомдық құрылымын толық анықтау немесе зерттелген құрылымдарды толтыру мақсатында орындалатын құрылымдық Э.; 3) беттік қабаттардың эсы; 4) әр түрлі фазалардың өзара жанасуынан пайда болатын құрылымдық ерекшеліктерді зерттейтін субмикроскоп. Газдық Э. көмегімен булану темпрасы 1500 – 2000С-қа дейінгі зат молекулаларының құрылысы зерттеледі. Ядроаралық қашықтық пен тербеліс амплитудасының орташа квадраттық ауытқуы 0,01 – 0,001 еге дейінгі дәлдікпен анықталады. Құрылымдық Э. элементар ұяның параметрлерін және кристалдың атомдық құрылымын анықтау үшін пайдаланылады. Беттік қабаттардың эсы технол. өңдеу кезінде пайда болатын беттік өзгерістерді, тотығуды, коррозияны, т. зерттейді. кристаллография табиғатта аз кездесетін әрі майда заттар, күйелер, әр түрлі абразивтер сияқты заттардың құрылымын анықтауда пайдаланылады
URL:
META:
TOTAL WORDS: 0
TEXT:
 