读IC器件研究生如何避开工艺和材料的大坑？
最上面再重申一下我的立场。我从来不鄙视化学、材料这些学科。相反，搞结构材料、化工、化学理论等等都非常重要。但是，我一直反对生化材的人来集成电路抢饭碗。 没错，集成电路是交叉学科，但是别忘了，她叫“集成电路”，突出了“集成”和“电路”两个关键词，未来的三个二级学科也是“集成”“电路”和“封装”，对不起，没有“材料”。 集成电路当然离不开材料和化学，你搞搞光刻胶、搞搞刻蚀液，解决国家需求，符合我下面说的第二点，那非常好，你为集成做了贡献，这个领域欢迎你。但是你要是长了个薄膜，或者做了个纳米结构，随便测测物化特性和电学特性，完全不碰规模化集成，那对不起，集成电路不欢迎你。现在器件/工艺方向之所以在学生里的名声不好，就是这些搞化学、材料的人给弄的，一定程度上也阻碍了国家集成电路的崛起。 再说一遍，我很尊重那些认真搞生化材的人，也尊重下面那些认真搞集成电路的人，但是我真的不喜欢那些打着集成电路的旗号、仅以发paper为目的做材料或伪材料的人。我写这么多主要是想帮助有志搞集成电路制造的学生认清方向，这个领域本身不坑，坑的是某些人。另外，我也很欢迎大家针对技术问题进行讨论，尤其是我下面抛出的器件工艺各大研究方向，也想听听其他大佬的高见，学习学习这个领域未来的发展趋势。  ==============================================  知乎上有两种极端观点：一个是把器件工艺与材料完全划等号，另一个是通过混淆视听的方法把材料巧妙的融合到器件里面了。导致不明真相的学生实在分不清器件到底是不是坑，如何绕开材料坑。上面的很多回复都是犯了这两种错误之一，实在看不下去了，更新一下本人观点。 我们来从本质上看问题。那些天天说防掉坑的人，其实主要担心的就说毕业后找的工作如何，是否选择足够多，是否待遇足够高，是否有很好的未来发展路线。至于到底做的是纯器件还是纯材料，又有几个人真正关心？所以，我坚持的观点： 第一个点可以看我下面的原始回答，第二个点好理解，不解释了。下面再详细说说第三点，也就是重点驳斥知乎上的两种极端观点，从本质上说清楚器件和材料的区别。 众所周知，我们做的方向叫“集成电路”，再说一遍，”集成“。不能集成的东西肯定没法实用，或者至少短期内无法实用，那么自然就找不到工作了。现在有很多新器件的研究，也有很多人说未来MOSFET就要引入很多新材料。这都没错，但是如果你的新材料、新器件不去集成，那不跟做材料的那帮人一样，发发paper了事了吗？别跟我说什么学校里就说要尝试新玩意，集成交给企业做，等等。这年头，凡是研究成果能做集成的研究组，都把手里的玩意和企业合作去做集成了。为什么呢？有钱啊，横向经费也好，直接进老板腰包也好，反正就说教授们凭借自己的真本身，合理合法的把研究成果转化为财富。对组里的研究生来说，也是顺理成章的在毕业后继续在这里领域发挥光和热。至于那些不碰集成的人，不要听他们的任何解释，其实他们就说打着器件甚至电路的旗号，在跟材料的人同流合污，哪怕他们做的真不是材料，但是研究思维和最后的结果跟材料方向一样，除了发一堆号称本领域的顶级期刊或者顶级会议，什么也留不下，还坑了很多学生。  我为什么说IEDM沦陷了？圈内人都知道，IEDM是分track来投稿和审稿的。以前IEDM有工艺track，有器件track，有可靠性良率track，有器件电路协同设计track等等。现在这些track都基本消失了，剩下一个纳米器件track，一个新器件track，其他都是存储、传感、功率、显示、5G等等玩意了。而纳米器件基本被铁电占领，新器件基本被二维占领，10年内完全看不到集成的希望，这不是沦陷是什么？别提什么传统方向难做。即使是国内，也有一批研究组在踏踏实实的做集成，坚持在IEDM发声音。究其原因，还是因为IEDM的高层被攻陷了，论文方向把握不住了，材料文章投的多，自然就接收的多了。 最后，再说说某些年轻的教授。从研究生到留校，从没真正搞过集成，天天在玩铁电，居然号称是纯器件。哪怕同样是搞铁电，国内也有几位大牛是在踏踏实实认认真真的搞集成的，即使困难再多，也是要迎难而上。做研究不是哪里容易就到哪里打一枪，打完就跑，换个地方重新来，最后除了paper什么都没留下。  =================================================== 二更，说点实在的，大家都知道微电子器件/工艺（或者说集成电路制造）越往下走越难，那么未来究竟还有哪些方向可以研究（至少说适合大学研究），而且还不是很坑，毕业后很容易找到对口的工作呢？下面把这些好方向梳理一下，这样大家也可以看出来国内究竟哪些人在认认真真搞IC器件，而不是在像生化材那样水paper。  2. 三维同质集成。在一个硅片上把多个晶体管垂直堆叠起来，从而在不改变光刻节点尺寸的前提下，大幅提升集成密度。以后器件尺寸缩小不下去了，全靠这种技术来延续摩尔定律的主线，各大foundry都在重点布局。国内的foundry虽然节点落后，但是三维集成还是有能力搞出来的。这也是目前学校可研究的最主流的方向，最具代表性的成果是IMEC提出的多层nanosheet晶体管结构。国内可能只有中科院微电子所在做。 另外，三维存储器（3D NAND等）某种程度上也归为这一类，对口企业有武汉长江存储和合肥长鑫（DRAM也是一种伪3D结构）。国内做这个方向的比较多，比如北大，清华，复旦，华科，中科院微电子所等。  3. 异质集成。目前学术界可以做的最大的方向，主要研究内容就说把各种新器件与硅基CMOS集成起来。那些号称做新器件的研究组，区分他们是不是披着器件皮的材料组，主要看他们是否在做集成。哪怕组里大部分人都是在研究单个器件，只要有一个小方向是在做集成，就说明这个教授是有正常思维的，知道材料工艺要注重兼容性，而不是一味的玩新材料。 异质集成的方向很广，概况成两方面吧。一个是单功能集成，比如把GeSi、GeSn、GaN等高迁移率的材料集成到Si上，目标还是做逻辑电路。国内做的好的是西电，复旦，浙大。另一个是多功能集成，把存储器、传感器等跟MOSFET集成起来。国内比较著名的有北大，清华，北航，还有中科院微电子所的刘明院士的团队。单功能集成目前国内foundry都在做，好找对口工作。多功能集成有些企业在做，未来也是大趋势。  4. 非硅集成。在SiC、蓝宝石、或者柔性、透明衬底上集成特殊的器件，最经典的就是蓝宝石上长GaN，北大物理系的代表性方向。总的来说，这算一个非主流方向，而且我估计大部分新入行的学生判断不出来哪些老师是认真在做集成，哪些老师是在玩材料。慎选。  5. 可靠性。器件领域的经典方向，在集成好的器件中研究退化现象和机制，一般都是承接企业项目，合作非常紧密。  6. 模型与模拟。器件领域的另一个经典方向，通过模拟仿真的方法来研究实验不好做的内容，对物理要求很高，对口各大EDA公司。国内主要是北大和清华在做。  当然，上面仅列了各方向的代表性教授，本人水平有限，没有能力把所有相关研究组都列上。不过研究方向基本全了，剩下那些在某某材料上外延个什么材料之类的方向，或者早已过时，工业界都不关心了，或者太过超前，直接可以归属生化材了。另外还有一些研究组天天号称设计了什么新器件结构，提高什么特性，其实本质上跟搞材料一样，吵个概念，发几篇文章，然后就没下文了，学术界可能名气还可以，但是学生毕业后基本找不到合适的工作。  =================================================== 国内就没有几个大学是正经做IC器件的。如果你水平足够牛，推荐去北大。 现在国内的现状就是：电路设计方向的重要位置都被清华毕业生垄断，器件工艺方向的重要位置都被北大毕业生垄断。 设计方向还好一些，可选的小公司多一些。器件方向基本没的选，好企业就那几家，领导基本都是北大毕业。找工作直接投靠师兄肯定比完全靠自己要好的多，未来提拔的也快，更不用说北大毕业生本来水平也更高。 如果没信心去北大，那么去复旦也不错，国内主要foundry都在上海，而复旦的毕业生都直接去SMIC等公司。 另外，我不太同意下面有些人回复的，看IEDM或EDxx来选组。IEDM也快被材料攻克了，很多过去做纯器件的老师，现在也靠二维、铁电之类的材料来灌IEDM了。  =====================================