如何解读异质结的能带图，看不太懂，能说说具体的每个量是什么意思吗？
导带底E_C(conduction band edge)、价带顶E_V(valence band edge)：半导体能带结构 禁带宽度E_g (band gap): E_g = E_C-E_V 。实际受掺杂浓度影响，但是这里不考虑，认为只与半导体结构有关。 费米能级 E_F(Fermi level):  半导体中电子的平均能量。电子会从费米能级高的地方流向费米能级低的地方。与导带底、价带顶的相对位置与载流子浓度有关。 电离能\chi(electron affinity)：导带电子脱离半导体束缚进入真空能级所需要的能量，即真空能级和导带底的能量差。只与半导体结构有关，与载流子浓度无关。 逸出功W (work function): 真空能级和费米能级的能量差。 异质结两端接触时，由于两端费米能级不相同，会发生载流子的净迁移。为了同时保证(1)费米能级处处相同 (2)同一块半导体电离能处处相等 (3)耗尽层以外逸出功等于孤立半导体的逸出功，会发生能带弯曲(band bending)  在Anderson's rule的假设下，真空能级对空间连续，可以计算出建立异质结时的能带变化图（就是题主那个公式）。实际上Anderson's rule对大多数半导体都不精确