Os dispositivos de memória inventados baseiam-se nas propriedades elétricas características de filmes formados por misturas de polímero e de nanotubos de carbono preenchidos com óxido de ferro (NTC, depositados sobre eletrodos condutores de geometria planar, cujos nanotubos foram obtidos mediante pirólise de ferroceno em atmosfera controlada, e permitem obter resposta elétrica de corrente versus tensão dependente da tensão inicial aplicada entre os eletrodos, que funcionam assim como uma célula de memória. Disponível para Licenciamento INFORMAÇÕES DA PATENTE NÚMERO: PI0404984-5 STATUS: Concedida em 06/01/2015 TITULARES: Universidade Federal do Paraná AUTORES: Lucimara Stolz Roman, Aldo José Gorgatti Zarbin, Ricardo Possagno, Paulo Cesar Roman e Mariane Cristina Schnitzler