 ሲሊከን አንድ በተዘዋዋሪ ባንድ ክፍተት በመሆኑ, ወደ conduction ባንድ አነስተኛው (ባንድ ታች በማካሄድ) እና ሙሉ ባንድ ከፍተኛውን k ቦታ ውስጥ በተለያዩ ቦታዎች ላይ ናቸው.
Ekubeni i-silicon yinto engacacanga yebhanki, ibhondi ye-conduction mincinci (eqhuba ibhola phantsi) kwaye i-band epheleleyo ephezulu iindawo ezihlukeneyo kwi k space.