Название работы: НАПІВПРОВІДНИКОВІ ПРИЛАДИ\nОписание: Якщо навпаки електропровідність пластинки ртипу а електропровідність її областей n типа структура такого транзистора прп. Приклад транзистора структури pnp Одну з крайніх областей транзисторної структури легірують сильніше; її використовують в режимі інжекції і називають емітером проміжну область називають...\n1.1 Електрони в атомі\n1.4 Напівпровідникові прилади та їх стисла характеристика\n1.4.1 Напівпровідникові терморезистори\n1.4.2 Напівпровідникові діоди\n1.4.3. Біполярні транзистори\n1.4.4. Польові транзистори\n1.4.6.Система позначень напівпровідникових приладів\n1.1. Електрони в атомі\nЕлектрон являє собою елементарну електричну заряджену частинку з відємним зарядом e =1,602*10-19 Кл., масою me=9,109*10-31кг. Кількість електронів в атомі залежить від типу речовини і дорівнює його атомному номеру в періодичній системі елементів Д.І.Менделєєва.\nЕлектрони в атомі взаємодіють з ядром і один з одним. Електрони, розташовані на зовнішніх орбітах, звязані з ядром слабкіше, ніж електрони, що знаходяться на внутрішніх, ближчих до ядра орбітах. Тому під дією сусідніх атомів або внаслідок інших причин зовнішні електрони можуть покинути свою орбіту, що призводить до зміни електричного стану атома. Електрони, розташовані на зовнішніх орбітах, називаються валентними. Вони обумовлюють хімічну активність речовини, беруть участь у створенні хімічного звязку між атомами. Електрони, що звільнились від внутрішньоатомних звязків, називаються вільними. Вони можуть переміщуватись усередині речовини між атомами у довільних напрямках з різними швидкостями.\nПри наявності зовнішнього електричного поля вільні електрони почнуть прискорено рухатись до контакту, потенціал якого додатній. Під час руху вони будуть стикатися з атомами, з яких складається речовина, виділяючи енергію, яку ми сприймаємо як тепло. В результаті електрони дрейфують до додатних контактів з приблизно постійною швидкістю і невпорядкований рух електронів стає упорядкованим, направленим. Такий рух електронів створює електричний струм.\nЧим більше вільних електронів має речовина, тим вища її електропровідність. Звідси і походить поділ твердих тіл за їх здатністю проводити електричний струм на провідники, напівпровідники та діелектрики. Поведінку електронів в середині атомів підпорядковуються законам квантової механіки в основи якої покладені наступні теорії:\nСукупність енергетичних рівнів валентних електронів утворюють так звану валентну зону. Сукупність більш високих енергетичних рівнів вільних електронів утворює зону провідності, розташовану вище валентної і відокремленої від неї забороненою зоною. Шириною забороненої зони визначають електропровідність матеріалу (рис.1).\nа - провідника; б- діелектрика; в- напівпровідника\nУ металів (провідників) існує велика кількість електронів що знаходяться на більш високих енергетичних рівнях, тому валентна зона і зона провідності перекриваються (рис.1, а). Інша енергетична структура характерна для діелектриків, у них зявляється заборонена зона, ширина якої звичайно складає декілька електрон-вольт. Наприклад, для германію ширина забороненої зони дорівнює 0,67 еВ, а для кремнію  1,1 еВ. Для того щоб електрон перейшов із валентної зони у зону провідності, йому необхідно надати енергію, яка б перевищувала ширину забороненої зони Wд діелектрика. За нормальних температур у діелектриків в зоні провідності відсутні електрони (або знаходиться дуже мала кількість електронів) і тому вони не можуть проводити електричний струм (чи мають мізерно малу провідність) (рис.1, б).\nУ напівпровідників(НП) енергетична структура подібна до діелектриків, тільки вони мають ширину забороненої зони порядку одного електрон-вольта (рис.1, в).\nУ напівпровідників усі валентні електрони міцно зчеплені з кристалічними ґратками завдяки так званому ковалентному звязку (чи двоелектронному звязку). Доки цей зв'язок існує, електрони не можуть переносити електричний заряд у матеріалі. Таку кристалічну решітку мають всі хімічно чисті бездомішкові напівпровідники при температурі абсолютного нуля (-273°C). За цих умов напівпровідники мають властивості ізоляторів. Механізм електропровідності напівпровідників розглянемо на прикладі кристалічних ґраток германію, що є елементом IV групи періодичної системи Менделєєва. Ґратки у вигляді плоскісної структури зображено на (рис.2).\nРис. . Кристалічні гратки германію\nАтоми германію розміщені у вузлах кристалічних ґраток, їх зв'язок з іншими атомами здійснюється за допомогою чотирьох валентних електронів. Подвійні лінії між вузлами вказують на ковалентний характер зв'язку, тобто кожна пара валентних електронів належить водночас двом сусіднім атомам. При температурі абсолютного нуля і за відсутності опромінення у напівпровідників відсутні рухомі носії і його електричний опір великий (нескінченний).\nВласна електропровідність НП\nЯкщо температура напівпровідника дорівнює нулю за термодинамічною шкалою, то вільних електронів у зоні провідності немає. З підвищенням температури (або в наслідок дії інших чинників, наприклад опромінення) частина ковалентних звязків розривається й електрони отримують енергію, достатню для того, щоб подолати енергетичний барєр (заборонену зону) і перейти у зону провідності. Втративши валентний електрон, атом перетворюється у додатний іон. На тому місці, де раніше був електрон, зявляється вільне (“вакантне”) місце  дірка. Дірку можна вважати за умовний носій заряду, що дорівнює заряду електрона, але позитивної полярності. Процес утворення пар електрон-дірка називається генерацією пари носіїв заряду.\nЗворотний процес  процес захоплення електрона діркою валентної зони називається рекомбінацією. Середня тривалість існування пари електрон-дірка між генерацією й рекомбінацією називається тривалістю життя носіїв заряду. Середня відстань, яку проходять носії заряду за тривалість життя, називається дифузною довжиною носіїв заряду. Перехід електрона з вищого енергетичного рівня провідності на нижчий рівень валентної зони супроводжується вивільненням енергії, яка випромінюється у вигляді кванту світла або передається кристалічній ґратці .\nІз збільшенням температури число генерацій за одиницю часу зростає, але зростає і число рекомбінацій. Таким чином, встановлюється динамічна рівновага для кожного значення температури. Концентрація електронів ni дорівнює концентрації дірок pi (ni = pi ). Якщо відсутнє електричне поле, то електрони й дірки рухаються хаотично. Якщо ж на напівпровідник впливати зовнішнім електричним полем, то електрони й дірки, рухаючись хаотично, почнуть рухатися під дією поля: дірки у напрямі електричного поля, електрони протилежно полю. На відміну від провідників струм в НП забезпечується носіями двох зарядів  позитивного (дірки) та негативного (електрони). Такий упорядкований рух електронів і дірок під дією електричного поля називається дрейфом.\nДругим видом упорядкованого руху носіїв заряду є рух носіїв із зони з більш високою концентрацією носіїв у зону з меншою концентрацією. Такий вид упорядкованого руху називається дифузією. Електропровідність напівпровідника, зумовлена генерацією носіїв заряду під дією зовнішніх чинників (нагрівання, опромінення і т.ін), називається власною електропровідністю.\nОтже напівпровідники належать до класу речовин, що мають тверду кристалічну структуру і за питомою провідністю займають проміжне місце між провідниками та діелектриками. Головна особливість напівпровідників  зростання питомої електричної провідності з підвищенням температури, на відміну від провідників, у яких із підвищенням температури питома електрична провідність зменшується.\nКрім того, електропровідність істотно залежить від зовнішніх чинників: нагрівання, опромінення, електричних і магнітних полів, тиску, прискорення, радіації а також від наявності навіть дуже незначної кількості домішок.\nУ сучасній електронній промисловості для виготовлення напівпровідникових кристалів (чіпів) використовується в основному кремній (Si - має робочу температуру до 140°С). Застосовується також арсенід галію (GaAs - працює при температурах до 350-400°С) і германій (Ge - має робочу температуру до 140°С).До напівпровідників також відносять селен, телур, деякі оксиди, карбіди та сульфіди.\nДомішкова електропровідність НП\nЕлектропровідність напівпровідника значною мірою залежить від наявності мізерної кількості домішок. Для домішок використовують або пятивалентні елементи (сурма, мишяк, фосфор), або тривалентні (індій, галій, алюміній). Це широко використовується в сучасній електронній промисловості для надання напівпровідникам заданих властивостей.\nРозглянемо приклад, коли у розплав чистого германію додається домішка п'ятивалентного елемента (V група таблиці Менделєєва), наприклад, арсену (Аs), як показано на (рис.3).\nРис. Кристалічні гратки германію з донорною домішкою\nПри застиганні у деяких вузлах кристалічних ґраток германію його атоми заміщуються атомами домішки. При цьому чотири валентних електрони домішки створюють систему ковалентних зв'язків із чотирма валентними електронами германію, а п'ятий електрон домішки виявляється надлишковим - вільним. Вільні електрони залишають у вузлах кристалічних ґраток нерухомі позитивно заряджені іони, що створюють у кристалі позитивний об'ємний заряд.\nДомішка, внесення якої збільшує концентрацію вільних електронів, називається донорною домішкою. З погляду зонної теорії внесення донорної домішки у напівпровідник створює домішкову валентну зону, яка або перекривається зоною провідності, або відділена від неї вузькою забороненою зоною  Wд (рис.4).\nРис. . Діаграма рівнів енергії в тому числі донорної зони\nДля напівпровідника з донорною домішкою достатньо електричного поля з незначною напруженістю для того, щоб електрони з домішкової зони, долаючи невеликий барєр шириною Wд , змогли перейти у зону провідності і забезпечили б проходження струму. Електропровідність напівпровідника з донорною домішкою забезпечується електронами, і тому такий напівпровідник називається напівпровідником n-типу (від negative  негативний).\nРозглянемо введення у германій домішки з трьома валентними електронами (III група таблиці Менделєєва), наприклад, індію (Іn), як це показано на (рис. 5).\nРис. 5. Кристалічні гратки германію з акцепторною домішкою\nДля утворення ковалентного зв'язку між атомами Gе та Іn одного електрона не вистачає. При дії теплоти навколишнього середовища електрони з верхнього рівня валентної зони переміщуються на рівень домішки, створюючи зв'язки, яких не вистачає, завдяки чому у валентній зоні утворюються рухомі дірки, а атоми домішки перетворюються у негативні іони. Тому така домішка, внесення якої збільшує концентрацію дірок, називається акцепторною.\nВнесення акцепторної домішки у напівпровідник створює домішкову валентну зону, яка або перекривається валентною зоною, або віддалена від неї вузькою забороненою зоною шириною Wa (рис.6).\nРис. 6. Діаграма рівнів енергії в тому числі акцепторної зони\nДля переходу електрона з валентної зони у домішкову необхідно подолати незначний барєр. Перехід електрона з валентної зони у домішкову породжує дірку у валентній зоні. Якщо подіяти на такий напівпровідник електричним полем, то електричний струм забезпечуватимуть в основному дірки валентної зони. Тому напівпровідник з акцепторною домішкою має діркову провідність і називається напівпровідником з дірковою провідністю, або р-типу (від positive позитивний).\nУ р-напівпровідниках концентрація дірок, зумовлена внесенням акцепторної домішки, набагато більша за концентрацією електронів власної електропровідності напівпровідника. Тому дірки у р-напівпровіднику називаються основними носіями заряду, а електрони  неосновними.\nУ n-напівпровідниках, навпаки, основними носіями є електрони, а неосновними- дірки.\n1.3. Електронно-дірковий перехід\nІзольований кристал n- типу електрично нейтральний, сума додатних і відємних зарядів в ньому дорівнює нулю. Кількість атомів, які позбулися одного електрона і перетворились в додатні іони строго дорівнюють кількості електронів, що відірвалися від атома. Чим вища температура, тим більше утворюється вільних електронів. Зокрема, при кімнатній температурі практично всі «зайві» електрони донорної пятивалентної домішки відриваються від атомів і рухаються хаотично. Додатні іони знаходяться у вузлах кристалічної решітки.\nТакож і кристал p-типу є електрично нейтральним і ізольованим. Однак у ньому в хаотичному тепловому русі знаходяться дірки, а атоми акцепторної домішки, що захопили зайвий електрон і перетворилися у негативний іон, знаходяться в вузлах кристалічної решітки.\nРис. 7. Утворення на межі між шарами р- та n  типу\np-n переходу з потенціальним бар'єром φк\nПриведемо кристали n- і p- типу у щільне приєднання і розглянемо процеси на границі поділу (рис.7). Одразу після приєднання кристалів почнеться дифузія дірок із p-області в n- область і дифузія електронів в протилежному напрямку. Зустрічаючись, електрони і дірки рекомбінують, при цьому поблизу граничної площини утворюється два шари: зліва шар «оголених» відємних іонів, справа  шар «оголених» (не скомпенсованих) додатних іонів. Просторові заряди розміщені у тонкому шарі товщиною кілька мікрометрів безпосередньо біля межі між ділянками p- та n- типу. Цей подвійний шар просторових зарядів і є власне p-n-переходом. Він збіднений основними носіями, оскільки іони які утворюють просторовий заряд, розміщені у вузлах кристалічної гратки і рухатися не можуть. Тому питомий опір подвійного шару набагато більший за питомий опір напівпровідника. Цей шар називають запірним.\nМіж двома протилежно зарядженими шарами виникає електричне поле, напруженість якого ε, що перешкоджає дифузії дірок і електронів. Чим більше не скомпенсованих іонів, тобто чим більше ширина «оголених» шарів, тим вище напруженість електричного поля. Таким чином, на межі двох ділянок виникає потенціальний барєр. Електричне поле перешкоджає подальшій дифузії основних носіїв через барєр. При деякому значенні напруженості дифузійний стум припиняється. Цьому значенню напруженості відповідає певна контактна різниця потенціалів і певна ширина шару l, в якому рекомбінували рухомі носії зарядів.\nЦя загальна картина потребує деякого уточнення. Вище йшла мова про існування в кристалах неосновних носіїв заряду. Під дією напруженості ε неосновні носії почнуть дрейфувати на зустріч дифундуючим зарядам, виникає дрейфовий стум, направлений назустріч струму дифузії. Динамічна рівновага наступить, коли дифузійний струм дорівнюватиме дрейфовому, при цьому шар l сильно збіднений на вільні носії заряду, хоча і непозбавлений їх повністю. При наближенні до площини поділу кристалів збіднення шару l носіями зарядів буде більш вираженим. Таким чином, через p-n - перехід у протилежних напрямах протікають два струми: струм основних носіїв під дією різниці концентрацій (дифузний струм) і струм неосновних носіїв під дією електричного поля p- n- переходу (дрейфовий струм). Оскільки струм неосновних носіїв зумовлений температурою, то цей струм називають тепловим. У звичайних умовах ці два струми взаємно компенсують один одного.\nШирина збідненого шару повязана з контактною різницею потенціалів, яка, в свою чергу, залежить від вибору матеріалів і концентрації домішок. Чим вище контактна різниця потенціалів φк, тим ширший збіднений шар l. У германію і кремнію контактна різниця потенціалів складає десяту частину вольт, а ширина збідненого шару  десяті і соті частини мікрометра.\nКонтактна різниця потенціалів надає p-n-переходу властивість однобічної провідності, яка широко застосовується в сучасній техніці.\nПозначимо через φк власну контактну різницю потенціалів збідненого шару. Якщо до p-n-переходу підключити джерело напруги U, то різниця потенціалів на границях контактного шару кристалів n- і p- типів зміниться.\nВвімкнення p-n-переходу в електричне коло, коли плюс джерела підєднати до області p, мінус до області n, називається прямим або пропускним (рис.8). Різниця потенціалів контактного шару в цьому випадку позначається φк.п. і напрям зовнішнього поля буде протилежним напряму електричного поля. Зовнішнє поле частково або повністю компенсує електричне поле p-n-переходу, що спричинює різке збільшення дифузного струму. Дрейфовий струм неосновних носіїв зумовлений температурою і від напруги майже не залежить, тому сумарний струм через p-n-перехід визначається дрейфовим струмом, і p-n-перехід у цьому режимі вважається відкритим.\nРис. 8. Пряме вмикання р-n переходу\nВвімкнення, при якому до області p приєднаний мінус джерела, а до області n  плюс, називається зворотнім або замикальним (рис.9). Відповідно різницю потенціалів позначаємо φк.о. і напрям зовнішнього поля збігається з напрямом поля p-n-переходу. Зовнішнє поле різко зменшує дифузний струм, оскільки воно спрямоване проти струму, ширина запірного шару зростає, відповідно зростає й опір p-n-переходу. Тепловий струм неосновних носіїв майже не залежить від напруги а визначається кількістю генерацій пар електрон-дірка, яка в свою чергу залежить від температури. Сумарний струм через p- n- перехід визначається тільки тепловим струмом, p-n-перехід у цьому режимі вважається закритим.\nРис. 9. Зворотне вмикання р-n -переходу\nМаючи на увазі те що опір кристалів невеликий і вся прикладена напруга практично падає на збідненому шарі, можемо записати\nφк.п= φк - U;\nφк.о. = φк+ U.\nТаким чином при прямому ввімкненні p-n-переходу різниця потенціалів на границях збідненого шару (потенціальний барєр) зменшується. А при зворотному ввімкненні  збільшується.\nЗменшення потенціального барєру призводить до зростання дифузійного струму і зменшення зустрічного дрейфового стуму. Результуючий стум (його називають прямий) співпадає з дифузійним. Збільшення потенціального барєру призводить до зменшення дифузійного струму і збільшення дрейфового. Результуючий струм p-n-переходу і всього замкнутого кола співпадає з дрейфовим струмом. Цей струм називають зворотнім.\nНагадаємо, що дифузійний струм створюється основними носіями зарядів, а дрейфовий  неосновними. Так як концентрація основних носіїв на декілька порядків вище концентрації неосновних, прямий струм в сотні і тисячі разів перевищує зворотній.\nТаким чином p-n-перехід, ввімкнений в прямому напрямку, пропускає електричний струм, а ввімкнений в зворотному не пропускає.\nЩоб зменшити зворотній струм, потрібно зменшити кількість неосновних носіїв заряду. Цього можна досягти зменшивши кількість сторонніх домішок і покращенням структури кристалу (зменшенням числа дефектів кристалічної решітки).\nОтже, електронно-дірковим переходом, або просто p-n-переходом, називаємо ділянку на межі двох напівпровідників, один з них має електронну провідність (n-напівпровідник), а другий - діркову провідність ( p - напівпровідник ). p - n-перехід має таку основну властивість: якщо полярність зовнішньої прикладеної напруги пряма, то p- n-перехід відкритий і пропускає струм, а якщо зворотна, - то p- n-перехід закритий і струм майже не пропускає. Характеристики p-n-переходу, зокрема його опір і ємність, можна легко змінювати за допомогою зовнішніх полів та інших впливів. Звичайно, на контакті утворюється запірний шар і виникає явище випрямлення струму.\nОскільки у р-п-переходу явно виражені нелінійні властивості, то залежність струму, що через нього протікає, від прикладеної напруги ілюструють за допомогою вольт-амперної характеристики (ВАХ). Теоретична ВАХ р-п-переходу показана на рис.10. Вона має пряму (1) та зворотну (2,3) гілки. Якщо напруга прямого вмикання Uпр< φк, через перехід, опір якого великий, тече малий струм. Як тільки зі збільшенням Uпр останнє досягне значення Uпр= φк, запірні властивості р-п-переходу зникають, і струм через перехід визначається лише провідністю р- і п- шарів.\nРис. 10. Теоретична ВАХ p-n - переходу\nТаким чином, р-п-перехід має вентильні властивості, тобто при прямому вмиканні його опір малий, і при зворотному - значний.\nПри зростанні від нуля зворотної напруги Uзв, швидкість руху неосновних носіїв через перехід зростає. При Uзв = Uп швидкість рухомих носіїв така, що їх енергії вистачає для виникнення в матеріалі ударної іонізації - вибивання додаткових носіїв заряду. Внаслідок цього відбуваються лавиноподібний зріст зворотного струму. Це явище називається електричним пробоєм р-п-переходу, а Uп - напругою пробою. Якщо при цьому р-п-перехід ефективно охолоджується, різке зростання потужності, що в ньому виділяється (UзвIзв), не призводить до суттєвих змін температури структури і електричний пробій протікає при незмінній напрузі. Це явище має зворотний характер. Тобто, при зниженні Uзв запірні властивості р-п-переходу відновлюються (гілка 2 ВАХ).\nЯвище електричного пробою використовується, наприклад, при створенні такого напівпровідникового приладу як стабілітрон.\nПри неефективному тепловідведенні, температура структури зростає (кількість рухомих носіїв при цьому збільшується також за рахунок теплової генерації), доки електричний пробій не переходить у тепловий, коли матеріал розплавляється і р-п-перехід руйнується. Тепловий пробій, зрозуміло, незворотний (гілка 3 ВАХ).\nНасамкінець зазначимо властивості р-п-переходу, що (в основному) використовуються при побудові електронних НП приладів:\n-одностороння провідність (вентильні властивості);\n-дуже великий опір зони р-п-переходу як зони, де немає вільних носіїв заряду (запірні властивості);\n-зміна ширини р-п- переходу зі зміною величини зворотної напруги (як результат - зміна ємності р-п- переходу);\n-стабільність напруги на р-п- переході у режимі електричного пробою;\n-наявність неосновних носіїв (що виникають внаслідок теплової генерації) в р- і п-типу.\nНапівпровідникові прилади поділяються на такі групи:\nуніполярні (польові) транзистори;\nНапівпровідникові резистори мають два вихідних електроди. Вони поділяються на лінійні та нелінійні.\nУ лінійних резисторів питомий електричний опір не залежить від прикладеної напруги, їх умовне позначення наведене на (рис.11). Вони виготовляються на основі напівпровідників р- або п- типу і використовуються в інтегральних мікросхемах.\nРис. 11. Умовні позначення лінійного резистора (а),\nваристора (б), терморезистора (в), фоторезистора (г)\nНелінійні резистори (варистори) - це такі напівпровідникові резистори, у яких питомий опір залежить від прикладеної напруги, їхнє умовне позначення наведене на (рис.10,б). Варистор має нелінійну симетричну ВАХ.\nВаристори використовують як обмежувачі напруги для захисту напівпровідникових приладів від короткочасних перенапруг.\n1.4.1. Напівпровідникові терморезистори\nНапівпровідниковий терморезистор  це резистор, виготовлений з напівпровідникового матеріалу, опір якого залежить від температури. Розрізняють два типи терморезисторів:\nтермістор, опір якого зі збільшенням температури зменшується,\nі позистор, у якого опір збільшується зі збільшенням температури.\nДля виготовлення термісторів використовуються напівпровідники з електронною провідністю, як правило, оксиди металів і суміші оксидів. Конструктивно термістори виготовляють у вигляді дисків, кульок, шайб.\nТемпературна характеристика терморезистора - це залежність опору терморезистора R від температури. Для більшості напівпровідників у широкому інтервалі температур залежність електричного опору терморезистора від температури виражається експоненціальним законом :\nR = a exp (b / T),\nде a  коефіцієнт, який залежить від конструктивних розмірів і матеріалу;\nb  коефіцієнт, який залежить від концентрації домішок у напівпровіднику;\nТ  абсолютна температура.\nОсновним параметром, який характеризує роботу терморезистора, є температурний коефіцієнт опору TKR = (( R / T ) / R ) 100 % який виражає процентну зміну опору терморезистора від зміни температури. Вольт-амперна характенистика - це залежність напруги на термісторі від струму в умовах теплової рівноваги між термістором і довкіллям. Лінійність характеристики для малих струмів і напруг пояснюється тим, що теплова енергія, яка виділяється у термісторі, недостатня для істотної зміни його температури. Термістори застосовуються як первинні вимірювальні перетворювачі температури у вимірювальних пристроях. Термістори доцільно застосовувати там, де необхідно виміряти температуру малих обєктів. Наприклад, у біології за допомогою термістора, змонтованого на кінчику голки, можна виміряти температуру внутрішніх органів живого організму. Терморезистори застосовуються в системах регулювання температури, теплового захисту, протипожежної сигналізації.\nПозистори виготовляють на основі титаната барія, легованого спеціальними домішками, які в заданому інтервалі температур збільшують свій питомий опір на декілька порядків. За своїм конструктивним оформленням позистори аналогічні терморезисторам і мають вигляд диску діаметром біля 5 мм і висотою 1,5 мм, мають дротяні виводи які припаяні до торцевих поверхонь диску. Позистор включений послідовно з опором навантаження використовується в якості обмеження струму. Коли опір навантаження падає нижче певного значення в ланцюзі збільшується струм і зростає температура позистора. Опір позистора при цьому зростає що обмежує струм в ланцюзі навантаження.\nОсновними характеристиками позистора є температурна та вольт-амперна.\nОсновні можливості використання позисторів:\nЗапобігання перегріву обладнання та приборів;\nДля регулювання температури;\nВ схемах обмежувачів та стабілізаторів струму;\nДля автоматичної регулювання підсилення;\nВ схемах температурної компенсації;\n6. В якості безконтактних перемикачів елементів.\nНапівпровідниковим діодом називають напівпровідниковий прилад з одним p- n-переходом і двома виводами (рис. 12).\nРис. 12. Структура та умовне позначення випрямного діода\n основним напівпровідниковим матеріалом: кремнійові, германієві, арсенид-галієві;\n фізичною природою процесів: фотодіоди, світловоди та ін.;\n призначенням: випрямні, імпульсні, стабілітрони;\n технологією виготовлення: сплавні, дифузійні та ін.;\n типом переходу: точкові і площинні.\nНа електричних схемах напівпровідниковий діод зображується так, як показано на (рис. 12) і позначається VD.\nНайважливішою характеристикою діода, яка наочно ілюструє його властивості, є вольт-амперна характеристика. Якщо до p-n-переходу прикласти напругу у прямому напрямі ( рис. 13), діод відкривається і виникне відносно великий струм. Залежність між прямою напругою і прямим струмом зображається прямою віткою вольт-амперної характеристики. Пряма напруга на діоді становить близько 0,7 В для кремнієвого і близько 0,3 В для германієвого діодів.\nРис. 13. ВАХ випрямного діода\nВипрямні діоди призначені для перетворення змінного струму в пульсуючий струм однієї полярності в некерованих випрямлячах, в яких використовується властивість однобічної провідності діода. Найпростіша схема випрямлення напруги змінного струму із застосуванням випрямного діода наведена на (рис.14). Тут діод є автоматичним ключем, замкнений чи розімкнений стан якого визначається полярністю прикладеної до нього напруги.\nРис. 14. Найпростіша схема випрямлення напруги\nСтабілітрон  це напівпровідниковий діод (рис.15), принцип роботи якого ґрунтується на тому, що зворотна напруга на p-n-переході в діапазоні електричного пробою майже не змінюється у разі значної зміни струму. На електронних схемах стабілітрон зображується так, як показано на (рис.15).\nЯк постає з ВАХ, наведеної на рис. 15, у зоні пробою напруга на стабілітроні майже не залежить від струму через нього Iст .\nРис. 15. Умовне позначення та ВАХ стабілітрона\nЯвище електричного пробою p-n-переходу полягає в тому, що у випадку збільшення зворотної напруги на p-n-переході до деякого значення Uст неосновні носії заряду набувають енергію, достатню для ударної іонізації атомів напівпровідника. У p- n-переході починається лавиноподібна генерація носіїв заряду  електронів і дірок, що спричиняє різке зростання зворотного струму через p-n- перехід за умови майже незмінної зворотної напруги. Робочою ділянкою є ділянка зворотної вітки характеристики p- n-переходу.\nСтабілітрони використовують для стабілізації у схемах стабілізаторів напруги і струму, у стабілізованих джерелах напруги, а також для побудови обмежувачів напруги. Щоб запобігти тепловому пробою, їхня конструкція забезпечує ефективне відведення тепла від кристалу.\nТунельний діод - це напівпровідниковий прилад, у якого специфічний тунельний ефект призводить до появи на ВАХ при прямій напрузі ділянки негативної провідності - штрихова лінія на (рис. 16) (там же наведено умовне позначення приладу). Як робоча використовується пряма гілка ВАХ.\nОсновними параметрами тунельного діода є:\n струм піку Iп, що складає (0,1÷100) мА;\n відношення струму піку Iп до струму западини Iз:\nIп/ Iз = (5 ÷ 20).\nТунельні діоди - швидкодіючі напівпровідникові прилади, що застосовуються в генераторах високочастотних коливань та швидкодіючих імпульсних перемикачах.\nРис. 16. Умовне позначення та ВАХ тунельного діода\nВисокочастотні діоди призначені для роботи на частотах до сотень мегагерц, де особливе значення відіграє інерційність діода, пов'язана з процесами накопичення зарядів у зоні р-п- переходу при відкриванні діода та розсмоктування зарядів при його закриванні (при утворенні р-п-переходу, як зони, вільної від рухомих носіїв заряду). Необхідно також враховувати власну ємність діода, як плоскінної структури (шари напівпровідника, розділені зоною р-п-переходу з великим опором, утворюють паразитний конденсатор). Все це призводить до того, що зі збільшенням частоти значення прямого і зворотного струмів через діод стають сумірними і він втрачає властивість односторонньої провідності.\nІмпульсні діоди використовують як ключові елементи в імпульсних пристроях. Фактично, це є різновид високочастотних діодів, бо вони також мають малу інерційність, що забезпечує малу тривалість перехідних процесів при замиканні та розмиканні ключа. Кінечне значення часу накопичення носіїв у зоні р-п-переходу у при переході діода у провідний стан після подачі на нього прямої напруги - при замиканні ключа - призводить до того, що опір ключа від великого значення до малого змінюється не миттєво. Наслідком є затягування фронту імпульсу напруги на навантаженні. При наступній різкій подачі на діодний ключ зворотної напруги, за рахунок розсмоктування зарядів з зони р-п-переходу, змінюється лише напрямок протікання струму через діод. На навантаженні маємо викид напруги зворотної полярності з амплітудою, що дорівнює амплітуді імпульсу. І тільки через деякий час - час відновлення запірних властивостей - струм спадає до нуля (вірніше - до значення теплового зворотного струму р-п-переходу) - ключ розмикається.\nФотодіоди - фотоелектричні прилади з внутрішнім фотоефектом, який полягає у тому, що під дією світлової енергії відбувається іонізація атомів основної речовини та домішки. Як наслідок - струм при зворотному вмиканні зростає.\nСвітлодіоди - перетворюють енергію електричного поля в нетеплове оптичне випромінювання. При протіканні струму через діод з арсеніду галію рекомбінація носіїв заряду супроводжується не тільки виділенням тепла, як, наприклад, у кремнієвого діода, а ще й квантів світла.\nУ варикапа при змінах величини зворотної напруги змінюється ємність, завдяки чому він може застосовуватися, наприклад, для автоматичного налаштування контурів радіоприймача або телевізора на потрібну станцію чи канал.\nУмовні позначення фото-, світлодіода та варикапа наведені на (рис.17).\nРис. 17. Умовні позначення фотодіода (а), світлодіода (б), варикапа (в)\nСеред електроперетворюючих напівпровідникових приладів, тобто приладів, які використовуються для перетворення електричних величин, значне місце посідають транзистори. Вони являють собою активні напівпровідникові прилади (здатні підсилювати потужність) і мають три або чотири виводи. Найбільш поширені транзистори з двома p-n-переходами  біполярні транзистори (БП). Таким транзистором називають трьохелектродний напівпровідниковий прилад, який має два взаємодіючі електонно-діркові переходи.\nТранзистор (від англійських слів tгапsfег - переносити і геsistог - опір) - електронний напівпровідниковий прилад, призначений для посилення, генерувала і перетворення електричних коливань різних частот. Винайдений в 1948 р. американцями У. Шоклі. У. Браттейном і Дж. Бардіном.\nНайбільш масовий транзистор це пластинка германію, кремнію або іншого напівпровідника розміром приблизно 2 x 2 мм, що володіє електронною (n -типа) або дірковою (р-типу) електропровідністю, в об'ємі якої штучно створені дві області, протилежні по електричній провідності (Рис.18). Пластинка напівпровідника і дві області в ній утворюють два р-п переходи, кожний з яких володіє такими ж електричними властивостями, як і напівпровідниковий діод. Якщо сама пластинка напівпровідника володіє електропровідністю n-типу, а створені в ній області - електропровідністю p-типу, такий транзистор буде структури р-п-р. Якщо, навпаки, електропровідність пластинки р-типу, а електропровідність її областей n -типа, структура такого транзистора п-р-п.\nРис.18. Приклад транзистора структури p-n-p\nОдну з крайніх областей транзисторної структури легірують сильніше; її використовують в режимі інжекції і називають емітером, проміжну область називають базою, а другу крайню область  колектором. Концентрація домішок в базі завжди значно менша, ніж в колекторі та еміторі. Найважливішою умовою роботи БП являється дуже мала ширина базової області ( не більше одиниць мікрометрів).\nНезалежно від структури транзистора пластинку напівпровідника називають базою Б, область меншого об'єму - емітером Э, а область більшого об'єму - колектором К (Рис.19). Електронно-дірковий перехід між колектором і базою називають колекторним, між емітером і базою - емітерним. Умовні графічні зображення на схемах транзисторів різних структур незалежно від технології виготовлення приладів відрізняються лише тим, що стрілка, символізуюча емітер, у транзистора структури р-п-р звернена до бази , а у транзистора п-р-п - від бази. Стрілка емітера показує напрям струму через транзистор.\nРис.19. Схемо-технічне зображення транзистора різних структур\nДля величини струмів та напруг, які відносяться до бази, емітера та колектера, використовують індекси «Б», «Е», «К». Струми бази, емітера та колектора позначають відповідно Iб, Iе, Iк. Напругу між цими електродами позначають подвійними індексами Uбе, Uкб, Uке. На умовному графічному відображенні транзисторів n-p-n та p-n-p стрілка показує умовний (від плюса до мінуса) напрямок струму в еміторі при прямій напрузі та емітерному переході.\nПростий підсилювач коливань звукової частоти можна зібрати по схемі, показаній на рис.20. Затиски «Вхід», куди підводиться підсилюваний сигнал, є входом підсилювача, а ділянка колекторного ланцюга, в який включені телефони ВF, - виходом підсилювача. Транзистор VТ включений по схемі загального емітера, тобто способом, при якому емітер є загальним електродом для вхідного і вихідного ланцюгів підсилювача. Транзистор при такому включенні забезпечує найбільше посилення сигналу.\nРис. 20. Підсилювач коливань.\nБатарея GВ напругою 4,5-9 В служить джерелом живлення транзистора. Оскільки в підсилювачі використовується транзистор структури р-п-р, батарея позитивним полюсом сполучена з емітером, а негативним - з колектором (через телефони). Між базою транзистора і мінусовим провідником живлення включений резистор R5, опір якого підбирають при налагодженні підсилювача (на схемах позначають зірочкою). Через нього на базу (щодо емітера) подається невелика напруга (для германієвих транзисторів 0,1-0,2 В, для кремнієвих - 0,6-0,7В), звана напругою зсуву, який відкриває транзистор, встановлюючи його в режим посилення. Без напруги зсуву транзистор спотворює підсилюваний сигнал.\nЕлектролітичний конденсатор Cраз - допоміжний елемент підсилювача: не чинячи помітного опору підсилюваному сигналу, він перешкоджає замиканню постійного струму базового ланцюга транзистора на загальний плюсовий провідник батареї живлення через джерело сигналу.\nНа вхід підсилювача можна включити звукознімач пристрою, що електропрограє, і програти грамплатівку. Слабкий сигнал звукової частоти, створений звукознімачем, транзистор підсилить, і в телефонах на виході підсилювача достатньо голосно ми почуємо звуки мелодії або голос співака, записані на грамплатівку. Такий підсилювач можна підключити до виходу простого радіоприймача - детекторного.\tІ в цьому випадку транзистор підсилить сигнал звукової частоти, а телефони перетворять його в звукові коливання.\nПринципово так працює і простий підсилювач радіочастоти. Тільки в цьому випадку транзистор повинен бути високочастотним, а його навантаженням - резистор, високочастотний трансформатор або дросель , з яких посилений сигнал подається до детектора, а від нього - до телефонів. Цілком імовірно, що транзистор підсилювача може бути структури п-р-п, треба тільки змінювати полярність включення живлячої його батареї.\nТранзистори структур р-п-р (рис. 21.а) і п-р-п (рис. 21.б) називають біполярними, оскільки в їх роботі беруть участь і позитивні носії струму  «дірки», і негативні - електрони. Разом з біполярними транзисторами (їх часто називають звичайними) всього більшого поширення набувають уніполярні, в яких працюють носії струму одного знаку - тільки електрони або тільки «дірки». Управляє таким транзистором електричне поле, що створюється напругою вхідного сигналу. Звідси друга, найбільш поширена назва уніполярних транзисторів - польові.\nРис. 21. Транзистори різних структур\nДо сімейства транзисторів відносяться також фототранзистори, двобазові діоди і деякі інші напівпровідникові прилади. У мікроелектроніці на одному кристалі напівпровідника виготовляється велика кількість транзисторів, що становлять інтегральну мікросхему.\nБудова біполярного транзистора\nБіполярний транзистор складається з трьох областей напівпровідникового матеріалу (германію, кремнію), провідності яких чергуються. За послідовністю чергування провідностей біполярні транзистори поділяються на\n p-n-p транзистори;\n n-p-n  транзистори.\nНа електричних схемах транзистори позначаються символами VT. Ділянка, що є джерелом носіїв заряду (електронів або дірок), називається емітером (Е), а та, яка збирає заряди, називається колектором (К), а вивід між ними  базою (Б).\nУ будові емітера, бази і колектора є свої особливості. Виготовляючи транзистор, концентрацію основних носіїв в емітері (введенням домішки) роблять більшою, ніж у колекторі. Концентрація основних носіїв, по-перше, у базі набагато менша, ніж у колекторі, а тим більше в емітері, тобто питома провідність бази набагато менша за питому провідність колектора й емітера.\nПо-друге, база виготовляється тонкою, тобто товщина бази рівновелика дифузній довжині, що становить кілька мікрометрів.\nЕлектронно-дірковий перехід між емітером і базою називається емітерним, а між базою і колектором  колекторним.\nВ залежності від стану еміторного та колекторного перемикачів («відкритий» чи «закритий») розрізняють чотири режими роботи біополярного транзистора:\n режим відсічки, коли обидва переходи закриті;\n режим насичення, коли обидва переходи відкриті;\n активний режим (режим підсилення), коли емітерний перехід зміщений в прямому напрямку (відкритий), а колекторний  в зворотньому напрямку (закритий);\n інверсний режим, коли емітерний перехід закритий, а колекторний  відкритий.\nДля розуміння принципу дії біполярного транзистора як керуючого елемента необхідно скористатися аналізом процесів в p-n переході діода. Розглянемо фізичні процеси в біполярному транзисторі в активному режимі при його вмиканні за схемою з загальною базою (рис. 22, а). Емітерний перехід зміщений в прямому напрямку, а колекторний  в зворотньому. За рахунок процесу інжекції емітера в базу поступає великий потік електронів. Вище зазначалося, що концентрація домішок в базі значно менша ніж в емітері (емітерний перехід несиметричний), а тому потоком основних носіїв заряду з бази а емітер можна знехтувати. В базі коло емітерного переходу накопичується велике число носіїв заряду (в нашому випадку електронів). Біля колекторного переходу їх майже немає. Таким чином формується великий градієнт концентрації неосновних носіїв в області бази. За рахунок теплового руху в базі створюються дифузфйний потік неосновних носіїв від емітерного переходу, де їх надлишок, до колекторного переходу і далі в колектор. Електричне поле обємного заряду колекторного переходу сприяє переміщенню (екстракції) електронів через цей перехід і вони попадають в прискорююче поле зовнішнього джерела живлення. Майже всі електрони, що інженектирували в базу, досягають колектора. Це можливо тільки при достатньо малій товщині бази та невеликій концентрації дірок в ній. Лише незначна частина електронів рекомбінує в базі з дірками, що викликає струм бази. Цей струм є небажаним і навіть шкідливим.\nЕлектричні та радіоелектронні пристрої, за допомогою яких реалізують процеси передачі та перетворення інформаційних сигналів, будуються щляхом послідовного та паралельного підключення чотириполюсників. Транзистор є триполюсником. Його можна вмонтувати в чотириполюсник шістьма різними комбінаціями так, що завжди один з електродів транзистора буде загальним для входу та виходу.\nСхеми ввімкнення транзистора визначаються за електродом, спільним як для вхідного кола, так і для вихідного. Розрізняють такі схеми ввімкнення транзисторів :\n зі спільною базою (СБ),\n зі спільним емітером (СЕ),\n зі спільним колектором (СК).\nСхема увімкнення зі спільною базою має великий вихідний опір і малий вхідний коефіцієнт підсилення струму, що майже дорівнює одиниці, тому застосовується для побудови стабілізованих джерел струму і напруги, у складних підсилювачах, електронних комутаторах тощо (рис. 22, а).\nУ схемах увімкнення зі спільним емітером відношення вхідного і вихідного опорів не таке різне, як у попередніх схем, крім того, коефіцієнт підсилення струму і коефіцієнт підсилення напруги набагато більший за одиницю, тому ця схема застосовується для побудови різного роду підсилювачів і перетворювачів електричних сигналів (рис. 22, в).\nСхема увімкнення зі спільним колектором має вхідний опір набагато більший за вихідний, а коефіцієнт підсилення напруги майже дорівнює одиниці, тому ця схема застосовується для узгодження вхідних і вихідних опорів казкадно зєднаних електронних пристроїв (Рис. 5б).\nСхеми підключення біполярного транзистора\nРис. 22. Схеми підключення біполярного транзистора\nРис. 23. Т-подібна схема заміщення біполярного транзистора при підключенні СБ\nРис. 24. Т-подібна схема заміщення біполярного транзистора при підключенні СЕ\nВсі три схеми вмикання БТ підсилюють потужність, а тому використовуються для побудови електронних пристроїв. Кожна із схем має свої специфічні властивості, що і визначає її використання в тому чи іншому функціональному вузлі. Для того, щоб виявити такі властивості проведемо порівняльний аналіз цих схем.\nСхема з загальним емітером має вхідний опір значно більший ніж в схемі з загальною базою, але меньший ніж в схемі з загальним колектором. В схемах з загальною базою використовують два вмикання біполярних транзисторів за схемою з загальною базою: з дільником напруги та з додатковим джерелом живлення. Полярність та величини напруги визначаються положенням точки спокою. Розглянемо роботу схеми, якщо на вхід (на емітер) подається позитивний імпульс. Будемо вважати, що тривалість інформаційного сигналу набагато перевищує тривалість перехідних прооцесів, а тому ними можна знехтувати.\nПроаналізуємо формування вихідного сигналу, що дасть можливість визначатись по першому показнику. При дії інформаційного сигналу на емітер (n-область) подається позитивний стрибок напруги, тобто це буде зворотнє вмикання емітерного переходу. Таким чином, для підсилення позитивного імпульсу в початковому стані емітерний перехід повинен бути відкритим.\nВ усіх схемах з загальним колектором при вирішенні питання про загальний для входу і виходу електрод розглядається схема за змінним струмом. З такої точки зору колектор в показаній схемі через велику ємність джерела живлення підключається до корпусу. В такій схемі керуючим сигналом є напруга, а формуванням вихідного сигналу відбувається шляхом зміни напруги, а тому для аналізу цієї схеми використовуються статичні характеристики транзистора.\nНезалежно від схеми вмикання, але залежно від полярності напруги (пряма чи зворотна, прикладена до емітерного та колекторного p  n  переходу транзистора) розрізняють такі режими роботи транзистора:\n активний, у якому емітерний p  n перехід транзистора зміщений у прямому напрямі, а колекторний p  n перехід у зворотному;\n насичення, у якому обидва p  n переходи транзистора зміщені у прямому напрямі;\n відсікання, коли до обох p  n переходів прикладені напруги оберненої полірності;\n інверсний, у якому до емітерного p  n  переходу прикладена напруга оберненої полярності, а до колекторного  прямої, тобто колектор і емітер помінялися ролями порівняно з активним режимом.\nДля дослідження радіоелектронних транзисторних схем використовують класичні методи розрахунків електричних схем, до складу яких входять конденсатори, індуктивності, резистори, керовані генератори напруги та струму. Це стало можливим, коли були розроблені моделі транзистора. Основна задача моделювання  це визначення звязку між фізичними параметрами та електричними характеристиками транзистора. Для цього транзистор зображують еквівалентними схемами, до складу яких входять названі вище прості елементи електричних схем.\nРозглянемо різні варіанти моделі біполярнрго транзистора, які дозволяють реалізувати той чи інший метод розрахунку електричних схем.\nДля збільшення швидкості використовують різні схемні рішення. Наприклад, між базою та колектором включають напівпровідниковий діод, що забезпечує нелінійний зворотній звязок. В режимі відсічки та активному режимі на діоді діє зворотня напруга, він має великий опір і не впливає на роботу ключа. В режимі насичення діод відкривається, чим забезпечується обмеження струму бази і накопичення заряду. Це викликає збільшення нерівномірного заряду, а відповідно  тривалості розсмоктування. Врешті решт тривалість вимикання прямує до tс, що суттєво збільшує швидкодію ключа. Таке схемне рішення використовуєтьсяв логічних інтегральних схемах з барєром Шотткі.\nАктивний режим роботи біполярного транзистора\nАктивний режим є проміжним. У ньому емітерний перехід зміщений у прямому напрямку, а колекторний  у зворотному. Транзистор у цьому режимі працює як підсилювач сигналу: змінам вхідного сигналу тут відповідають пропорційні зміни вихідного.\nРозглянемо роботу транзистора n-p-n, увімкненого за схемою спільна база в активному режимі.\nДо емітерного p  n переходу транзистора в активному режимі прикладена напруга прямої полярності, достатня для того, щоб основні носії заряду емітера змогли здолати потенціальний барєр.\nПід дією прикладеної прямої напруги основні носії з ділянки емітера переходять (інжектуються) в базу, створюючи струм емітера IЕ. Оскільки база виготовляється вузькою (розмір бази приблизно дорівнює дифузній довжині носіїв) і з низькою концентацією основних носіїв, то переважна більшість (99…99,8 %) носіїв заряду, інжектованих з емітера в базу, не стикаються на своєму шляху з носіями зарядів іншої полярності і досягають колекторного переходу. Незначна кількість інжектованних з емітера носіїв рекомбінує в базі, створюючи струм бази IБ.\nIЕ = IК + IБ .\nВідношення вихідного струму IК транзистора, ввімкненого за схемою зі спільною базою, до вхідного струму IЕ називається коефіцієнтом підсилення струму емітера:\n= IК / IЕ .\nЗа коефіцієнтом підсилення струму емітера і рівнянням струму транзистора визначають коефіцієнт підсилення струму бази:\n= IК / IБ =  / 1-  .\nКоефіцієнт підсилення струму емітера  менший за одиницю і становить 0,90…0,999.\nРис. 25. Розподіл струмів в транзисторі в активному режимі\nРис. 26. Розподіл концентрації неосновних носіїв заряду в транзисторі в активному режимі\nРис. 27. Структура p-n-p транзистора в схемі із спільною базою в активному режимі\nУ режимі насичення, який настає при великому відповідному вхідному сигналі, колекторний переходи зміщені у прямому напрямку, транзистор повність відкритий, тобто залежить тільки від опору навантаження та зовнішньої напруги )вихідний опір транзистора знижується до дуже малої величини).\nУ цьому режимі на обидва p  n  переходи транзистра подається напруга прямої полярності і обидва переходи відкриваються. У базу інжектуються основні носії як із емітера, так і з колектора. Опір емітерного і колекторного p  n переходу різко зменшується, а отже, різко зменшується опір між усіма трьома електродами транзистора.\nРежим насичення застосовується у тому разі, якщо потрібно зменшити майже до нуля опір між двома елементами кола, зєднаними через транзистор, тобто для комутації елементів електричного кола.\nУ режимі відсікання, що настає з поданням до вхідного кола транзистора сигналу, який забезпечує повне запирання приладу, обидва переходи зміщені у зворотному напрямку (закритий стан транзистора). При цьому у вихідному колі протікає струм, що є зворотним струмом емітерного та колектерного переходів, а опір транзистора високий.\nУ режимі відсікання на емітерний і колекторний p  n переходи подається напруга зворотної полярності і обидва переходи закриваються. В емітерному і колекторному колах протікають теплові струми неосновних носіїв заряду, абсолютне значення яких становить одиниці мікроампер. Опори емітерного і колекторного p  n  переходів настільки велиекі, що можна вважати емітерне і колекторне кола розімкненими. Режим відсікання транзистора застосовують для розмикання електричних кіл.\nЯкщо у процесі роботи транзистор під дією імпульсів керування переходить від режиму насичення до режиму відсікання і навпаки, то вважають, що транзистор працює у ключовому режимі. Ключовий режим транзистора застосовують для вмикання, вимикання та перемикання електричних кіл, тобто у ключовому режимі транзистор працює як швидкодійний електричний комутатор.\nТранзистор, увімкнений за будь-якою схемою (СК,СБ,СЕ) як чотириполюсник, характеризується такими фізичними величинами : вхідною і вихідною напругами та вхідним і виїхідним струмами.\nВзаємозвязок між цими величинами наочно ілюструють статичні вольт-амперні характеристики транзистора.\nДля аналізу властивостей транзисторів та розрахунку транзисторних схем користуються графічними залежностями між струмами та напругами. В транзисторах взаємно звязані чотири величини I1, U1, I2, U2  вхідні та вихідні струми та напруги. Статистичні характеристики знімаються при відсутності навантаження на вихідному колі і при умові, що одна з вказаних величин залишається постійною. При зміні цієї величини, яку називають параметром, одержують сімю статичних характеристик.\nДля біполярних транзисторів використовують чотири сімї статичних характеристик:\n сімейство вхідних характеристик;\n сімейство вихідних характеристик;\n сімейство характеристик управління;\n сімейство характеристик зворотнього звязку.\nДля кожної з трьох схем вмикання транзистора існуює своє сімейство характеристик. В довідниках приводяться характеристики для схем з загальною базою та схем з загальним емітером. При аналізі та розрахунку схем з загальним колектором використовують статичні характеристики схем з загальним емітером.\nОскільки напруги та струми транзисторів n-p-n та p-n-p мають різні знаки, то інколи характеристики представляють в чотирьох квадратах координатної решітки, тобто негативні значення напруг та струмів відкладають по осям ліворуч та вниз. Але зручніше їх відкладати праворуч і вверх в любому випадку. Так будемо представляти характеристиеки, що розглядаються нижче. А полярність напруг на транзисторі та напрямок струмів в його електродах завжди визначаються відповідно типу транзистора незалежно від того, як відображені його характеристики.\nВхідною характеристикою транзистора називається залежність вхідного струму від вхідної напруги за умови незмінності вихідної напруги. Для схеми ввімкнення з СЕ вхідна характеристика танзистора  це залежність струму бази IБ від напруги база-емітер UБЕ , за умови, що наруга колектор емітер стала (UКЕ = const). Вхідні характеристики транзистора ( IБ =  (UБЕ), UКЕ= const) наведені на рис. 28, а.\nВихідною характеристикою транзистора називається залежність вихідного струму від вихідної напруги за умови незмінності вхідного струму. Для схеми ввімкнення з СЕ вихідна характеристика транзистора  це залежність струму колектора IК від напруги колектор-емітер (UКЕ ), за умови, що стум бази сталий (IБ =const) . Вихідні характеристики транзистора наведені на рис.28, б.\nРозглянемо процес посилення синусоїдального сигналу, користуючись вхідною і вихідною характеристиками транзистора (рис.28).\nРис. 28. Процес посилення синусоїдального сигналу схемою СЕ\nОчевидно, що напруга вхідного сигналу Uвх синфазно змінює струм бази. Зміна базового струму викликає пропорційні зміни струму колектора і напруги на колекторі. Для знаходження значень цих величин скористаємося рівнянням електричного стану колекторного кола, складеним по другому закону Кирхгофа:\nЕк = Uk +Ik Rk ,\nзвідки напруга на колекторі Uk = Ек - Ik Rk .\nОстанньому рівнянню відповідає пряма, що називається лінією навантаження, яка будується на сімействі статичних вихідних характеристик транзистора. Лінію навантаження по постійному струму можна побудувати по двох точкам, які легко знаходяться на розгляді граничних режимів роботи транзистора. При Ik = 0, що відповідає Uk = Ек, визначається точка на осі абсцис, а при Ik = Ек / Rk , що відповідає Uk =0, знаходиться інша точка на осі ординат. Всі можливі значення струмів і напруг на транзисторі лежить в точках перетину кривих сімейств статичних вихідних характеристик з лінією навантаження по постійному струму. Вони не повинні виходити за максимально допустимі значення струму і напруги колектора і повинні обмежуватися кривою Рк max .\nНа рис. 28,б показана лінія навантаження по постійному струму, а також криві iк і uk. Оскільки при збільшенні струму бази падіння напруги на опорі Rk збільшиться, потенціал колектора зменшиться. Це означає, що посилена синусоїдна вихідна напруга опиняється в протифазі з вхідною напругою. Тому говорять, що підсилювач про СЕ є інвертуючим. При посиленні імпульсного сигналу його полярність змінюється на протилежну.\nТочка перетину прямої навантаження із статичною характеристикою, що оприділяється початковим вхідним струмом Iоб, називається початковою робочою точкою. При відсутність вхідного сигналу робочу точку називають точкою спокою р, яка визначає струм Iок і напругу Uок спокою вихідного кола. Початковий вхідний струм або струм зсуву бази визначається опором Rб, значення якого можна розрахувати по формулі\nRб = (Ек - Uоб)/ Iоб ≈ Ek / Iоб ,\nде Uоб , Iоб, - відповідно початкова вхідна напруга і струм спокою.\nh-параметри біполярного транзистора\nЯк випливає з аналізу вольт-амперних характеристик, транзистор  це нелінійний елемент електричного кола. Але в більшості випадків транзистор працює в режимі так званого “малого сигналу”, тобто в такому режимі, коли вхідні і вихідні струми і напруги (IВХ, IВИХ, UВХ , UВИХ) мають незначні відхилення від сталих значень, сукупність яких називають робочою точкою транзистора. Відхилення від робочої точки вхідних струму IВХ та напруги UВХ і вихідних струму IВИХ та напруги UВИХ повязані між собою системою лінійних рівнянь\nUВХ = h11 IВХ + h12 UВИХ ,\nIВИХ = h21  IВХ + h22 UВИХ ,\nде h11 ,h12 ,h21 , h22  мало сигнальні параметри транзистора, скорочено h параметри, тобто такі параметри, коли транзистор можна вважати лінійною системою.\nДля транзистора, увімкненого за схемою з СЕ рівняння набирає такого вигляду:\nUБЕ = h11Е IБ + h 12Е UКЕ;\nIЕ = h21Е IБ + h22Е UКЕ .\nРозглянемо фізичне тлумачення h-параме6трів транзистора.\nh11Е  вхідний опір транзистора в режимі короткого замикання на виході\nh11Е = UБЕ / IБ , UКЕ = 0;\nh 12Е коефіцієнт зворотного звязку транзистора за напругою в режимі холостого ходу на вході\nh 12Е = UКЕ/ UБЕ ,\tIБ = 0 ;\nh 21Е  коефіцієнт передачі струму в режимі короткого замикання на виході\nh 21Е = IК / IБ ,\tUКЕ = 0;\nh22Е -- вихідна провідність транзистора в режимі короткого замикання на вході\nh22Е = IК / UКЕ ,\tIБ = 0 .\nh  параметри визначаються за експериментально знятими вольт-амперними характеристиками транзистора. Мало сигнальній лінійній моделі транзистора відповідає схема заміщення транзистора, якою доцільно користуватися для розрахунків транзисторів в режимі “малого сигналу”.\nПольовим транзистором називається напівпровідниковий прилад, у якого на відміну від біполярного транзистора, використовуються основні носії заряду однієї полярності. Рух основних носіїв заряду відбувається під дією повздовжнього електричного поля, а керування здійснюється поперечним електричним полем.\nПольовий транзистор складається з каналу напівпровідника, по якому рухаються носії зарядів, витоку (В) через який у канал проходять основні носії заряду, стоку (С)  ділянки через яку вони стікають з каналу, затвору (З) за допомогою якого здійснюються керування рухом основних носіїв у каналі. Канал може мати електропровідність як p-типу, так і n-типу. Відповідно розрізняють польові транзистори з p-каналом і n-каналом.\n транзистори з керівним p-n переходом ;\n транзистори з ізольованим затвором, або МНД- транзистори\nУ транзисторах з p-n переходом затвор відділяє від каналу обернено зміщений p-n перехід, а в транзисторах з ізольованим затвором канал електрично ізолюється від нього шаром діелектрика (найчастіше  діоксидом кремнію). У свою чергу МНД- транзистори поділяються на МНД- транзистори з наведеним (індуктованим) каналом і МНД- транзистори з вбудованим каналом.\nРис. 29. Умовні графічні позначення\nРис. 30. Еквівалентна схема полярного транзистора\nПольові транзистори аналогічно біполярним транзисторам можуть вмикатися за такими схемами:\n зі спільним затвором (СЗ);\n зі спільним витоком (СВ));\n зі спільним стоком (СС).\nПринцип дії польового транзистора ґрунтується на зміні ширини каналу під дією зворотної напруги на p-n переході. Зі збільшенням напруги на затворі ширина збідненого носіями шару збільшується, а поперечний переріз каналу і його провідність зменшується.\nПри побудові польових транзисторів використовують два способи керування опором каналу: шляхом зміни питомої провідності і матеріалу та шляхом зміни перерізу каналу. В залежності від цього виділяють два різновиди польових транзисторів: з ізольованим затвором та керуючим р-n переходом. Такі транзистори мають три електроди: витік, з якого «витікають» носії заряду; стік, куди вони «стікають»; затвор, за допомогою якого формується поперечне електричне поле.\nХарактеристика польових транзисторів\n прохідна (стоко-затворна) характеристика(рис.16);\n вихідна характеристика(рис.15).\nВихідні характеристики польового транзистора\nПрохідна характеристика польового транзистора  це залежність струму стоку від напруги на затворі за умови незмінності напруги витік сток, тобто IС = f ( UЗВ ), UВС = const. Прохідна характеристика польового транзистора з керівним p-n переходом (крива 1), МДН- транзистора із вбудованим каналом (крива2), МНД- транзистора з наведеним (індукованим) каналом (крива 3) показані на рисунку . Якщо до стоку польового транзистора з керівним p-n переходом прикласти напругу відносно витоку (потенціал витоку, як правило, приймають рівним нулю), то під дією цієї напруги по каналу йтиме струм IC .\nНапругу на затворі відносно витоку збільшуватимемо, починаючи з нуля. Зі збільшенням напруги на затворі збільшується товщина збідненого шару, зменшується поперечний переріз каналу і відповідно зменшується струм через канал. При деякому значенні напруги на затворі, яка називається напругою відсікання, струм в каналі взагалі припиниться (крива 1). Оскільки до p-n переходу польового транзистора прикладена напруга зворотної полярності, то прохідна характеристика польового транзистора з керівним p-n переходом лежить у другому квадранті.\nПрохідна характеристика МНД- транзистора з вбудованим каналом знімається як додатними, так і з відємними значеннями напруги на затворі. Зі збільшенням додатних значень товщина вбудованого каналу збільшується, а для відємних значень, навпаки, зменшується і може дійти до такого значення (напруга відсікання), коли струм у каналі стане рівним нулю (крива 2 ).У МНД- транзисторі з наведеним (індукованим) каналом струм в каналі можливий лише за наявності на затворі деякої порогової напруги UПОР (крива 3), прикладеної до затвора відносно витоку. Під дією цієї напруги у напівпровіднику створюється (наводиться) провідний канал і на ньому починає йти струм. Зі збільшенням напруги на затворі товщина наведеного каналу збільшується, відповідно збільшуватиметься струм у каналі (крива 3).\nРис.15. Вихідні характеристики польового транзистора\nВихідна характеристика польового транзистора  це залежність струму стоку від напруги на стоці відносно витоку за умови незмінності напруги на затворі, тобто IС = f (UВС), UЗВ=const. Вихідні характеристик польового транзистора з керівним p-n переходом наведено на рисунку.\nВихідні характеристики МНД- транзистора аналогічні.\nЗі збільшенням напруги на стоці струм в каналі польового транзистора спочатку збільшується майже лінійно. Далі настає режим насичення і збільшення напруги на стоці не призводить до збільшення струму стоку. Це пояснюється тим, що напруженість поздовжнього електричного поля додається до напруженості поперечного поля і провідний канал від витоку до стоку звужується, відповідно збільшується його опір\nСтрум насичення польового транзистора тим менший, чим більша напруга на затворі.\nРис.16. Стокозворотна характеристика польового транзистора.\nТиристором називається напівпровідниковий прилад з трьома (або й більше) p-n переходами, які можуть знаходитися у двох станах: відкритому або закритому. У відкритому стані опір тиристора невеликий і він добре проводить електричний струм, у закритому навпаки  опір тиристора великий і він електричного струму не проводить.\nТиристори бувають з двома виводами і мають назву діодні тиристори, або динистори, з трьома виводами  тріодні тиристори, або тринистори.\nТиристори застосовуються у керованих випрямлячах змінного струму, у різних пристроях автоматики.\nНа електричних схемах тиристор позначається латинськими літерами VS.\nТиристори виготовляються з кремнію і мають чотири ділянки, електропровідність p і n яких чергуються . Крайня р  ділянка, яка зєднана з позитивним полюсом джерела, називається анодом, а інша крайня n-ділянка, яка зєднана з негативним полюсом, називається катодом. Внутрішні p- і n- ділянки називаються базами.\nОсновні параметри тиристорів\nНапруга перемикання UПЕР.\nНапруга у відкритому стані UВ.С падіння напруги на тиристорі у відкритому стані (UВ.С = 1…3 В).\nСтрум у відкритому стані IВ.С  максимальне значення струму відкритого тиристора.\nСтрум утримання  мінімальний струм тиристора, коли тиристор ще знаходиться у відкритому стані.\nВідкриваючий струм керування IВ.К  мінімальний струм керівного електрода, необхідний для увімкнення тиристора.\nТривалість увімкнення tУВ  час від моменту подачі імпульсу відкривання до моменту, коли напруга на тиристорі зменшиться до 0,1 свого початкового значення.\nТривалість вимикання tВИМ  мінімальний час, упродовж якого до тиристора має бути прикладена напруга для закривання.\n1.4.6. Система позначень напівпровідникових приладів\nЗгідно з державними стандартами, всі напівпровідникові прилади, що випускаються промисловістю, позначаються літеро-цифровим кодом.\nПерший елемент коду позначення характеризує напівпровідниковий матеріал, з якого виготовлений прилад:\nгерманий Г або 1;\nкремній  К або 2;\nарсенід галію А або 3.\nДругий елемент коду позначення літерний  позначає клас приладу:\nтранзистори біполярні Т;\nтранзистори польові П;\nвипрямні діоди Д;\nдіоди надвисокочастотні А;\nтиристори діодні Н;\nтиристори тріодні У.\nТретій елемент коду позначення  цифри від 1 до 99  позначає діапазон основних параметрів (потужність, частота та ін).\nЧетвертий елемент  двозначне число від 01 до 99  це номер розробки.\nПятий елемент  літери алфавіту  характеризує технологічні особливості виготовлення напівпровідникового приладу.\nЯкими факторами зумовлена власна провідність напівпровідників?\nВід чого залежить домішкова провідність напівпровідників?\nЗазначте основні параметри та характеристики напівпровідникового терморезистора.\nЯкі процеси відбуваються в електронно-дірковому переході?\nЯка будова та принцип дії біполярного транзистора?\nЗа яких режимів роботи використовується біполярний транзистор?\nНазвіть особливості польового транзистора порівняно з біполярним.\nЯким чином за допомогою польових транзисторів реалізується принцип реле?\nДе використовуються транзистори?\nЕлектротехніка. Частина 2. Толеухов О. С.\nОснови електроніки. 2-ге видання. Данилов І.А. Київ 2002 р.\nЗагальна електротехніка з основами електроніки. Учбовий посібник для студентів не електротехнічних спеціальностей середніх спеціальних учбових закладів. 6-те видання. Данилов І. А., Іванов П. І.\nДовідник по основам електронної техніки. Видавницьке обєднання Ващенко. Н. М., Власенко В. В. «Вища школа» 1987 р.\nКишеньковий довідник інженера електронної техніки ХХІ. Бріндлі К., Карр Дж. Видавництво «Додека».\nОснови електроніки. 2-ге видання, оброблене і доповнене. Жеребцов Н. П. Видавництво «Енергія».\nРадіоапаратура в нашому домі. Іванов Ю. В., Сардаре Н. А., Мірошніков С. І., Сорокін Г. Ф., Іванов Ю. В.. Тимпул 1987р.\nОснови електротехніки та електроніки. Конспект лекцій. Медведенко Б. І., доцент, кандидат технічних наук. Київ 1995р.\nелектротехніка з основами промислової електроніки. Підручник для професіональних технічних училищ, 2-ге видання, опрацьоване і доповнене. Китаєв В. Є.. Вища школа 1985р.\nЕлектроніка і схемотехніка. Підручник. Сосков А. Г., Колонтаєвський Ю. П.. Каравела 2006р.\nЕлектронні пристрої та прилади в електротехніці. Текст лекцій. Глухов\nА. Я., Мельник В. П.. Київ КПІ 1983р.


Шановні колеги! Науково-технічна бібліотека Національного університету «Львівська політехніка» запрошує Вас 18-19 травня взяти участь у Міжнародній науково-практичній конференції «ІНФОРМАЦІЙНИЙ ПРОСТІР БІБЛІОТЕКИ».\n«Портал» : цінний подарунок від автора\nНауково-технічна бібліотека дуже рада отримати в дар яскраву монографію-фотоальбом «Портал» від автора, професора Міжнародної Академії архітектури, почесного академіка Української академії архітектури, члена Національної Спілки архітекторів України і Національної Спілки журналістів України Юрія Івановича Пісковського. Попри свою плідну кар’єру в галузі архітектури, Юрій Іванович професійно займається фотографією. Це захоплення, окрім альбому, вилилося в кілька персональних виставок. У виданні вміщені понад 900 фотографій не...\nШляхи реалізації Проекту сприяння академічної доброчесності в Україні (SAIUP)\n19 травня 2017 року о 14:00 в рамках Міжнародної науково-практичної конференції «Інформаційний простір бібліотек» відбудеться захід «Шляхи реалізації Проекту сприяння академічної доброчесності в Україні (SAIUP)». На ньому з доповідями виступлять: Яна Чапайло, спеціаліст, Американські Ради з міжнародної освіти; Вікторія Тейлор, кандидат наук, координатор, випускник програми академічного письма університету Коча. Презентація Проекту сприяння академічній доброчесності в Україні (SAIUP) Виступ відбуватиметься у формі презентації Проекту...\nВідкриття Днів Японії у Львівській політехніці\n2017 рік проголошений роком Японії в Україні. З цієї нагоди у Науково-технічній бібліотеці відбулося відкриття Днів Японії у Львівській політехніці – серії заходів, присвячених японській мові і культурі. Захід розпочався з виступу народного вокального камерного ансамблю «Аколада», який дуже мелодійно і красиво виконав дві японські і одну українську пісню. Далі зі вступним словом виступив проректор з науково-педагогічної роботи та міжнародних зв’язків Олег Михайлович Матвійків, який наголосив на важливості японсько-українських стосунків, а також коротко описав розвиток...\nКнижкова виставка на «Геофорумі 2017»\n25 – 27 квітня 2017 р. відбулася ХХІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Геофорум 2017», в організації якої брали участь вчені Львівської політехніки. Робота конференції розпочалася на території бази “Перлина Львова” у Брюховичах. На конференції Науково-технічна бібліотека представила виставку рідкісних видань «Праці вчених геодезичної школи Львівської політехніки (із фондів НТБ)». Ми вдячні організаторам «Геофоруму» за сприяння у проведенні нашого заходу. Висловлюємо подяку професору Інституту геодезії Львівської політехніки Ігорю...\nДні Японії у Львівській політехніці : програма заходів\n10 травня 2017 року в рамках Року Японії в Україні відбудеться урочисте відкриття «Днів Японії у Львівській політехніці». З цього приводу відбудеться візит Заступника голови місії, Міністра-Радника Посольства Японії в Україні п. Мічіо Харади. Після зустрічі п. Мічіо з керівництвом університету та екскурсії головним корпусом відбудеться низка заходів у Науково-технічній бібліотеці (вул. Професорська, 1, ІІ поверх), а саме: 15:00 - 15:15 - Вступні слова до відкриття "Днів…" ректора університету професора Ю. Я. Бобала та Заступника голови місії, Міністра-Радника...\nКолекції одягу Технологічного коледжу - у Науково-технічній бібліотеці\n22 квітня о 13:00 Технологічний коледж Національного університету "Львівська політехніка" представить у стінах НТБ (вул. Професорська, 1) три колекції одягу, створені студентами відділення мистецтв спеціальності "Дизайн одягу". Оформлення зачісок моделей виконають студенти другого та третього курсів спеціальності "Перукарське мистецтво та декоративна косметика". На колекцію "Лялька-мотанка" творців надихнув традиційний український оберіг. Колекція неодноразово займала високі місця на міжнародних конкурсах. Ще одна колекція на етно-тематику під назвою...


Сарафан чорний асиметричний - SE20SrfnTaniaB\nСарафан чорний асиметричний\nM M/L Таблиця розмірів\nСарафан приталеного силуету виконаний з бавовняної костюмної тканини, чорного кольору. Попереду запах, застібка на кнопки, накладні кишені. Асиметричний низ від міні до міді, додає родзинки цьому сарафану. Пояс, обробка кишені, бретелі виконані з веганскої шкіри. Бретелі регулюються.\nXS по талії 64,5 см, по стегнах 93.8 см\nS по талії 68,5 см, по стегнах 97.8 см\nM по талії 72,5 см, по стегнах 102 см\nML по талії 76,5 см, по стегнах 106 см\nL по талії 80,5 см, по стегнах 110 см\nДліна виробу по правому боці 42 см, по лівому - 96 см.\nСклад: 98% Коттон 2% Еластан\nМашинне прання: 30 градусів. Не застосовувати режим сушіння в пральній машинці. Не застосовувати хлорні відбілювачі і засоби для виведення плям.\nСукня облягаюча з чокером\nСарафан на запах сірий\nБіла сорочка максі з джинсовим декорoм


29 Березня 2017 - КЗ "НВК Сватівська ЗОШ І ст. - гімназія"\nГоловна » 2017 » Март » 29\nГран-прі юних гімназистів\nХХІІ районний фестиваль дитячої творчості «Театральна весна–2017» упевнено прокрокував Сватівщиною, і вкотре театральні колективи району дивували журі і глядачів різноманіттям п’єс, костюмами, майстерною грою юних акторів. Цього року вибір колективу КЗ «НВК Сватівська ЗОШ І ст.-гімназія» та керівника театрального гуртка НВК Бондаренко Олени Юріївни було зроблено на користь драми-феєрії «Стриборів ліс» за мотивами казки Івани Брлич-Мажуранич. Цю виставу було присвячено світлій пам’яті величної жінки, видатного педагога та режисера Сватівщини Т.Я.Третяк.\nЗа сюжетом, події у виставі відбуваються за часів нападу татар на українські землі. Вороги грабували села, людей убивали та в полон забирали, не жаліли ні старих, ні малих. Люди рятувалися у лісі, а там жив чарівник Стрибор (Андріясов Станіслав). Щоб урятувати українців від полону та смерті, він перетворив їх на чарівний ліс. Дівчата самі обрали, яким деревом-символом буде кожна з них – калиною чи ліщиною, тополею, вербою чи цвітом папороті. Дівчину Марічку чарівник перетворив на Голубку білокрилу, і вона навіть після перевтілення намагалася врятувати близьких та рідних їй людей, попереджала про небезпеку. І діяти чаклунство мало до тих пір, доки не знайдеться людина, яка свідомо принесе у жертву своє щастя та життя.\nХлопець Андрій (Матляков Ярослав) жив разом із матір’ю (Фінько Дар’я). Але одного разу він привів додому Дівчину-гадюку (Подзєгун Катерина). Вона заради багатства зрадила Батьківщину, за злосливість була проклята і в гадюку перетворена. Син відмовляється від матері, але коли потрапляє у полон до ворогів, дізнається правду про Гадюку-зрадницю, дуже шкодує про свій вчинок по відношенню до матері, ні за що не погоджується служити ворогам і показати їм шлях до Стрибора. Сам же чаклун пропонує матері взяти свою молодість і прожити нове щасливе життя, але … без сина. Мати зрікається нового життя, молодості, які їй пропонує чарівник Стрибор, як зрікся її син власного життя заради рідної землі. Ця самопожертва жінки знищила чари і перетворила весь чарівний ліс знову на людей. І звучали як девіз слова фінальної сцени: «З’єднавшись, здолаємо ми все, утому, біль та втрати, країна нам – понад усе, бо то є наша мати!»\nУ нашій театральній виставі було задіяно більше тридцяти акторів – чарівник Стрибор та його помічники – польові квіти (із цією роллю як завжди неперевершено впорався хореографічний колектив «Соняшник»); хлопець Андрій з матір’ю, дівчина-гадюка, дівчина-голубка, дівчата-дерева, козаки, вороги, хан, дівчина-бранка. Кожен, не дивлячись, чи маленька в нього роль, чи головна, виклався на сцені на всі 100%, поринув у ті далекі часи, відчув дух епохи, прожив життя свого героя. Під час підготовки поруч із керівником гуртка щоразу були заступник директора з виховної роботи Пархоменко А.Ю., педагог-організатор Климаш Л.С., вчителі закладу. І як результат – гран-прі у середній віковій категорії. За найкраще виконання ролей грамотами нагороджено Матлякова Ярослава, Фінько Дар’ю, Кисельову Анастасію та Подзєгун Катерину.\nВелике враження справила вистава і на глядачів у залі. Тож нехай театральне мистецтво завжди пробуджує в юних душах тільки позитивні емоції, виховує почуття патріотизму, любові до всього живого на рідній землі.\nПереглядів: 165 | Додав: gimnaziumsvatovo | Дата: 29.03.2017 | Коментарі (0)\nОбласні турніри юних істориків та юних журналістів\n19 березня 2017 року дві команди сватівчан – істориків «Літописці» та журналістів «Всевидяче око» – стали учасниками обласних турнірів юних істориків та юних журналістів, які відбулися у місті Рубіжному. До цих відповідальних змагань, які щорічно проводить Департамент освіти і науки Луганської обласної державної адміністрації та КЗ «Луганська обласна мала академія наук учнівської молоді», діти готувалися заздалегідь. Спочатку формувався склад команд, обиралися назва та девіз, розподілялися ролі, опрацьовувався матеріал, запропонований оргкомітетом до цьогорічного турніру.\nКоманду істориків у складі: Воробйов Дмитро (капітан, 11 кл.), Мормуль Анастасія (10 кл.), Подзєгун Катерина (10 кл.), Девдюк Єлизавета (10 кл.), Ходова Крістіна (9 кл.) готувала вчитель історії Канівець Інна Олегівна. Цьогоріч їхні питання стосувалися різних історичних події. Завдання спонукали учнів займати певну позицію і відстоювати її, порівнювати ті чи інші історичні події із сучасністю, знаходити їх елементи у сьогоденні. І хоча команда не вийшла до фіналу (виборола 4 місце), діти отримали величезний досвід. Вони вчилися висловлювати і доводити свою точку зору, підтримувати командний дух та один одного у відповідях на будь-які питання.\nКоманду журналістів у складі: Крайнюк Дмитро (капітан, 11 клас), Буланов Нікіта (9 кл.), Корпан Антон (9 кл.), Навозенко Віктор (10 кл.), Коростильова Анастасія (10 кл.) готувала вчитель української мови та літератури Стешенко Н.М. Журналісти, як і історики, заздалегідь отримали свої питання для підготовки. Кожне питання містило як теоретичну частину, так і практичну, і в жодного не було однозначної відповіді, дітям треба було висловити свою точку зору, довести її, підтвердити фактами, відповісти на всі питання команд-суперників та журі. А суперники наших команд – і журналістів, й істориків – цього року були гідними і сильними: це збірні команди Сєвєродонецька та Лисичанська, Рубіжного (команди міських шкіл і секції «Журналістика» МАН), Новоайдарського району. Команда «Всевидяче око» виборола у фінальному бою почесне ІІ місце, поступившись «МАН-Рубіжне» лише чотирма балами. Діти отримали диплом і цінні подарунки. Але був ще дуже приємний момент: трьом учасникам – Буланову Нікіті, Навозенку Віктору і Крайнюку Дмитру – було запропоновано стати членами обласної команди журналістів і представляти Луганську область на Всеукраїнському турнірі 19 квітня в м.Суми.\nДо кожної перемоги – великої чи маленької – ведуть певний шлях і певні люди, які допомагають, дають влучні поради, консультації. Від імені всієї нашої команди ми хочемо подякувати людям, які допомагали готуватися до змагань і організували цю поїздку: Юхновець О.П., начальнику відділу освіти, за надання транспорту для поїздки, Євтушенко С.В., директору НВК, за турботу, піклування і материнські переживання. Щирі слова вдячності головному редактору газети «Голос громади» Найдьоновій О.М та журналісту цього ЗМІ Яцині О.С.; головному редактору газети «Новини Сватівщини» Огданській Ю.В.; директору Сватівської телерадіокомпанії Хомутову О.П.; голові громадської ради газети «Сватівські відомості» Крюкову А.О., які поділилися з юними гімназистами своїми знаннями, професіоналізмом, надали слушні поради під час підготовки команди до змагань. І, безумовно, ми дякуємо основним спонсорам – нашим батькам.\nПереглядів: 126 | Додав: gimnaziumsvatovo | Дата: 29.03.2017 | Коментарі (0)\n«Дитячі роки Кобзаря»\nПершокласникам – про Кобзаря\n«… Від перших малюнків до віршів славетних\nМаленький хлопчисько у вічність крокує.\nВ поемах — величні епохи прикмети\nІ неньки-Вкраїни краса, що вирує»\n23 березня учні 1-Б класу разом з класоводом Северіною Н.М. провели урок «Дитячі роки Кобзаря». Учитель ознайомила учнів з дитячими роками Т.Г. Шевченка, красою творів поета, неповторністю Шевченкового слова.\nДіти переглянули відеофільм «Дитячими шляхами Тараса Шевченка», розглянули ілюстрації до відомих творів поета та відчули красу української природи, передану рядками Шевченка. Цей урок сприяв вихованню почуття гордості та поваги до світлого образу поета-мислителя Т.Г. Шевченка.\nПереглядів: 166 | Додав: gimnaziumsvatovo | Дата: 29.03.2017 | Коментарі (0)\nАдміністрація КЗ «НВК Сватівська ЗОШ І ст.-гімназія» інформує, що рішенням педагогічної ради (протокол №2 від 28.02.2017 р.) третім предметом для державної підсумкової атестації для учнів 9-х класів обрано географію.


Правила етикету для ділової людини\nВизначення ділового етикету\nДіловий етикет – це встановлений порядок поведінки у сфері бізнесу та ділових контактів.\nЕтикет, якщо розуміти його як встановлений порядок поведінки, допомагає уникати промахів або згладити їх доступними, загальноприйнятими способами. Тому основну функцію або сенс етикету ділової людини, можна визначити як формування таких правил поведінки в суспільстві, які сприяють взаєморозумінню людей в процесі спілкування.\nДругий за значенням функцією етикету є функція зручності, тобто доцільність і практичність. Починаючи з дрібниць і до самих загальних правил, етикет являє собою наближену до повсякденного життя систему.\nОдне з основних правил, що визначають сам етикет – поступати так стоїть не тому, що так прийнято, а тому, що або доцільно, або зручно, або просто шанобливо по відношенню до інших і самому собі.\nЕтикет є одним з головних ” знарядь ” формування іміджу. У сучасному бізнесі особі фірми відводиться чимала роль. Ті фірми, в яких не дотримується етикет, втрачають дуже багато чого. Там, де присутня етикет, вища продуктивність, краще результати. Тому завжди потрібно пам’ятати один з найголовніших постулатів, який знають бізнесмени всього світу: хороші манери прибуткові. Набагато приємніше працювати з тією фірмою, де дотримується етикет. Практично в усьому світі він став нормою діяльності. Це тому, що етикет в силу своєї життєвості створює приємний психологічний клімат, який сприяє діловим контактам.\nПотрібно запам’ятати, що етикет допомагає нам тільки тоді, коли немає внутрішньої напруги, що народжується з спроби зробити за правилами етикету те, що раніше ми ніколи не робили.\nОдяг ділової людини\nНайпоширеніша і найбільш визнана на сьогодні одяг бізнесменів – костюм. Костюм – візитна картка ділової людини. Перш за все, дивляться, як людина вдягнена. Перше враження надовго залишається в пам’яті людей, з якими ми знайомимося. Тому нехтувати своїм зовнішнім виглядом – непрощенна помилка.\nНаприклад, акуратність і підтягнутість в одязі часто асоціюються з організованістю в роботі, з умінням цінувати свій і чужий час. Розхлябаність – синонім метушливості, забудькуватості.\nПравила носіння костюма :\nНіколи не надягайте одночасно костюм і спортивне взуття . Ці речі несумісні за своїм призначенням.\nЯкщо ви наділи костюм, завжди надягайте краватку. Краватка до костюму необхідний. Діловий чоловічий костюм без краватки не носять. Винятки – піджаки спортивного крою, які можуть бути надіті навіть на футболку. Але такі піджаки не належать до ділового одягу.\nНе носіть занадто світлі костюми. Найбільш поширені кольори – темно-синій, темно-сірий. Не надягайте строкаті або темні сорочки. Краватки не надто яскраві і без помітних візерунків. Шкарпетки темних кольорів.\nправила етикету длч двлової людини\nправила для людини\nЯкі марки годинників популярні сьогодні?\nЩо таке – Вміти носити костюм?\nКомп'ютеряк носити діловій людині телефон.\nЛайм. Склад, властивості і користь лайма. Як вибрати і зберігати лайм\nЯк правильно плести тин


Нові львівські автобуси виїдуть на вінницькі маршрути\nНові львівські автобуси виїдуть на ві...\nГроші за автобуси уже заплачені - це 4,3 мільйона гривень (один автобус - 860 тисяч гривень). Зовні вони дуже схожі на львівські тролейбуси, придбані містом торік - низькопольні, мають широкі двері. Це стало важливим кретерієм щодо придбання.\nЗа словами Валерія Карнацького, начальника відділу транспорту та зв`язку міської ради, попередньо "ЛАЗи" курсуватимуть із залізничного вокзалу на Старе місто (кінцеві "Педучилище" та "Будинок відпочинку"). Вони будуть працювати у звичайному режимі, тобто матимуть чітко визначений графік руху, зупинки та перевозитимуть пільговиків.\nТакож міська влада виступила з пропозицією до перевізників та підприємців, які володіють автобусами великої місткості, призначеними для міських маршрутів, з проханням здавати їх в оренду міському автобусному парку.\n18 квітня 2008 - 00:20


1 Грудня 2021 17:42\nУ 2022 році на річці Стир у Центральному парку Луцька відкриють прокат човнів.\nПро це під час засідання виконавчого комітету 1 грудня повідомив Луцький міський голова Ігор Поліщук.\nЗ його слів, необхідно завершити наведення порядку на річці Стир, зокрема, повитягувати затоплені дерева та очистити замулені ділянки річки на території міста.\n«Це потрібно зробити для того, щоб зберегти цю річку і зробити доступною і для тих, хто купається, займається греблею чи іншими видами спорту, а також для тих, хто буде використовувати її у розважальних цілях, адже наступного року відкриємо в парку прокат човнів. Ми маємо річку, тож повинні докласти максимум зусиль, щоб вона була в хорошому стані», – звернувся міський очільник до начальниці відділу екології Луцької міської ради Оксани Лисак.\nЧитати ще: На охорону довкілля Луцька передбачили майже 90 мільйонів гривень\nЗаразом він зазначив, що минулого року, коли впав рівень води в Стиру, окремі острівки із мулу проступали на поверхню у районі заплави на вулиці Ковельській.\n«Вже наступного року необхідно починати роботу з очищення, бо ще декілька років і Стир замулиться до такого стану, що це вже буде не річка, а болото», – підкреслив міський голова.\nНагадаємо, члени виконавчого комітету проголосували «за» проект рішення про Комплексну програму охорони довкілля Луцької міської територіальної громади на 2022–2025 роки.\nАнонім Показати IP 1 Грудня 2021 18:06\nЯкось заглох двигун під мостом біля Динамо, на веслах ледь вийшли до причалу Доктора. Стир то не озеро, течія є течія. Будете в Липлянах свої човни прокатні шукати))\nЛис до Анонім Показати IP 1 Грудня 2021 19:51\nв 60-х був прокат човнів типу "Фофан" які були обладнані рятувальним кругом, якорем та швартувальним линем. Необхідно було предявити паспорт який залишався в човняра та заплатити 1 крб. (точно не памятаю). Зараз важко уявити як батько впорався з тим човном а дитячі враження залишиличя! А так Ви праві, вихід човна в акваторію річки Стир вміщує забарвлення Екстріму - прокат для фізично підготовлених людей!\nа Показати IP 1 Грудня 2021 18:10\nбригантину з каналу не можна перетягти і віддати безкоштовно на прокат бомжам? вони швидко здадуть іі на металолом!\nага Показати IP 1 Грудня 2021 18:35\nДумаю , витягання затоплених дерев , за 1 мільйон гривень , стане щорічною традицією.\nАнонім Показати IP 1 Грудня 2021 20:38\nХто не йшов веслами проти течії озерним човном, що на фото той поняття немає про що річ. Інша справа байдарка чи каяк двумістний, той човник вузенький по Стиру гарно піде в обидві сторони, але перевертиші знову неминучі. Прокат плавзасобів в даному випадку ідея так собі.


26-го листопада в 15-00 у музеї «Литературне Приднепровье» (м. Дніпропетровськ, проспект Карла Маркса, 64) відбулась зустріч з Ярославом Карпецем (Київ), де була презентована збірка «Гірка амброзія».\n«Гірка амброзія» – дебютна збірка літературної критики. Автор – молодий київський літератор Ярослав Карпець, відомий у літературних колах під псевдонімом Яр Левчук. В збірці вміщено рецензії, які написані протягом 2010-2011 років. та були представлені в різних Інтерет-виданнях і періодиці.\nОрганізатор — Олександр Мухарєв


Астролог | Women.In.Ua\nДо чого наснилося Астролог – думки про майбутнє.\nДо чого наснилося Астролог – Шукати астролога. Для жінки – Сон, приснився в ніч на понеділок, означає, що ви будете шукати людину, здатну дати вам слушну пораду.Приснившийся в ніч на вівторок, середу, четвер або п’ятницю, сон означає, що ви будете шукати людину зі зв’язками. У ніч на суботу або неділю – до пошуків впливової людини, який погодиться вам допомогти. Для чоловіка – Сон, приснився в ніч на понеділок, – до сумних известиям; в ніч на вівторок, середу, четвер або п’ятницю, – попереджає: ви ризикуєте даремно образити хорошу людину; в ніч на суботу або неділю, говорить: приділіть більше уваги своєму здоров’ю. Вислуховувати висновок астролога. Для жінки – Сон, приснився в ніч на понеділок, попереджає, що ви повинні вирішувати свої проблеми самостійно і не покладатися на поради ваших знайомих. Приснившийся в ніч на вівторок, середу, четвер або п’ятницю, цей сон попереджає, що вас підштовхують зробити вчинок, про який ви можете пошкодувати згодом. У ніч на суботу або неділю, – до зустрічі з людиною, яка візьметься вам допомогти. Для чоловіка – Сон, приснився в ніч на понеділок, попереджає, що ви виявляєте зайву довірливість; в ніч на вівторок, середу, четвер або п’ятницю – попереджає, що ви повинні остерігатися провокацій; в ніч на суботу або неділю – попереджає, що ви повинні остерігатися нещасного випадку.\nТлумачення снів Астролог – Бачити астролога – вас обдурять. Уявіть, що астролог старіє і розсипається на порох. Бачити себе астрологом – у вас є всі можливості, щоб розгадати важливу таємницю, Уявіть, що ваш наряд розшитий бісером (див. Бісер).\nТлумачення снів Астролог – Чоловікові астролог сниться до розчарування в любовних відносинах; або до ускладнень в найпростіших справах, в найпростіших обставинах – це приблизно те ж, що спіткнутися на рівному місці; чоловік, в будь-якому випадку, буде відчувати почуття досади. Жінці сниться астролог – наяву вона зіткнеться з обманом; із тим, хто її обдурив, зруйнував її мрії; тепер цій жінці важко буде комусь повірити.


Crystal Lux clt 511w150 gr Clt купити ЗІ ЗНИЖКОЮ%\nСвітильник Crystal Lux CLT 511W150 GR\nCrystal Lux Код товару: cl-27909\nОпис Світильник Crystal Lux clt 511w150 gr Clt:\nСвітильники виробництва компанії Crystal Lux славляться своєю якістю. Світильник серії Clt має оригінальний дизайн, підходить для інтер'єрів в стилі модерн, хай-тек. Світильник Crystal Lux CLT 511W150 GR зроблений з якісних матеріалів: метал. Цей світильник створить комфортну і затишну обстановку у Вашій кімнаті.\nХарактеристики Crystal Lux Clt clt 511w150 gr:\nСвітловий потік,: 425\nМатеріали світильника clt 511w150 gr:\nГабарити світильника clt 511w150 gr:\nЗамовляйте настінний світильник cl-27909 в нашому інтернет магазині mir-sveta.kiev.ua. Ми доставимо Ваше замовлення кур'єром по Києву або кур'єрською службою по Україні. Якщо цікавить моделі немає в наявності зв'яжіться з нашим менеджером по телефону або через форму @ задати питання або @ дізнатися термін поставки. Ми повідомимо Вам термін поставки або запропонуємо аналог.


У київському метрополітені розповіли, де можна придбати безконтактні картки для оплати проїзду — Київ — tsn.ua\nУ київському метрополітені розповіли, де можна придбати безконтактні картки для оплати проїзду\nКиївське метро обмежило продаж безконтактних карток. Ілюстрація / Сегодня\nЗараз картки продаються лише на 9 станціях метро.\nЧерез зміну вартості проїзду в метро Києва та налаштування системи оплати тимчасово безконтактні картки можна придбати лише на 9 станціях.\nЯк зазначається, наразі придбати картки можна на станціях "Театральна", "Хрещатик", "Політехнічний інститут", "Майдан Незалежності", "Олімпійська", "Васильківська", "Лук'янівська", "Палац спорту" та "Осокорки".\nУ Києві 25-річний молодик кинувся під потяг метро через відчай\nТакож у прес-службі розповіли, що представники метро разом із групою дизайнерів "Агенти змін" розробляють новий дизайн безконтактних карток, які найближчим часом надійдуть до продажу.\nНагадаємо, в останній день перед подорожчанням проїзду тисячі киян атакували каси метро: в одні руки продавали лише три жетони.


Благодійний проект «Красунчик» - Novosilska clinic\nБлагодійний проект « Красунчик » ??Знайомтесь – це Ярославчик .Йому 5 років і 9 місяців. У нього рідкісний синдром, синдром Трічера Коллінза або Франческетті. Він особливий хлопчик, розумний, люблячий, лагідний, добрий, у нього гарна посмішка яка піднімає настрій і дає сили йти далі і боротись за його життя та благополуччя в суспільстві.\nПерша операція Ярославчика була на 5 день від народження, друга через три неділі, третя в два місяці……(загалом їх було 12 і безліч наркозів). Ще потрібно близько 30 оперативних втручань .Трішки про синдром.\nСиндром Трічера Коллінза або Франческетті викликана генетичним порушенням, зустрічається в одного новонародженого з 10 000. У половині випадків природа захворювання спадкова, загадкове і важке захворювання, що призводить до народження дітей з важкими аномаліями\nУ Ярославчика недорозвинута щелепа, звуження ротоглотки та трахеї, що не дає змогу самостійно дихати і повноцінно вживати їжу (їжа має бути ріденька як водичка, якщо трішки густіша то давиться і відмовляється від їжі), відсутні зовнішні вушка, чує завдяки слуховому апарату – система Баха (у Ярославчика на голові, схожий на обруч) …\nЗараз Ярославчик дихає через трубочку яка знаходиться в трахеї, із-за цього він змушений постійно терпіти болісні маніпуляції.\nЗробили в Ізраїлі операцію по видовженню нижньої щелепи (дистракція), операція на хоанах три рази.\nЯ називаю його красунчик і разом з моїми колегами хірургами сподіваюся допоможемо йому .Кожен з нас зробить свою зону , і якщо Ви знаєте чи хочете приєднатися до нас. Буду рада !!!Формуємо команду фахівців з цілого світу .Щоб зменшити кількість наркозів та зробити операції якісно .


Місцеві коаліціади. Хто контролюватиме новообрану Закарпатську облраду - Закарпаття Інфо\nЗа підсумками голосування на виборах депутатів Закарпатської обласної ради п’ятивідсотковий бар’єр подолали вісім політичних сил. Всього до неї балотувалися десять партій, однак “Наш край” (1,58%) та “Сила і честь” (2,01%) не пройшли до облради.\nПісля голосування закарпатців 25 жовтня місця у новообраному органі розділилися наступним чином: партія “Рідне Закарпаття” отримала 12 мандатів, “Слуга народу” – 11, а “Батьківщина” та “КМКС “Партія угорців України” – по 8 депутатів. Далі із 7 “багнетами” йде “Команда Андрія Балоги”, і по 6 крісел в облраді матимуть ще три політсили – “Європейська солідарність”, “За майбутнє” та ОПЗЖ.\nСподівання, які можуть і радувати, і розчаровувати\nРезультати виборів особливо потішили “Команду Андрія Балоги” (КАБ) та КМКС, які явно не розраховували на такі відсотки. Чимало експертів прогнозували цим двом партіям невтішні цифри та говорили про ризик зовсім не потрапити до складу облради. КАБ – через те, що партія, хоч і “народжена” із “Єдиного центру” Віктора Балоги, все ж таки нова і зелена, а КМКС – через конфлікт з іншою угорською політсилою та послаблення позицій лідерів. Результат став несподіваним як для експертів, так і для виборців.\nНайбільше ж мандатів політологи та соціологи прогнозували локальному проєкту “Рідне Закарпаття”. Так воно, зрештою, і сталося, але лідери політсили, вочевидь, розраховували на іншу кількість мандатів – хотілося “рідної” більшості в облраді. Ідейні натхненники створення партії – закарпатські нардепи-мажоритарники, члени парламентської групи “Довіра” Роберт Горват, Василь Петьовка, Валерій Лунченко та Владіслав Поляк –формуючи команди кандидатів до рад усіх рівнів, зробили серйозну заявку стати однією з найпотужніших політичних сил на Закарпатті. Зважаючи на те, що кожен нардеп має свою чималу територію впливу, зібрати навколо себе потрібних людей було не так уже і важко. Однак бренд “Рідне Закарпаття” треба було розкручувати “з нуля”, тож на цю роботу було кинуто чимало ресурсу – як людського, так і фінансового.\nНа більше розраховувала і місцева “Слуга народу”. Про це свідчить хоча б допис в соцмережі нардепа від “СН” Михайла Лаби за кілька днів до дня голосування. Він опублікував результат незалежного опитування, який нібито свідчив, що кандидати від закарпатської “ЗеКоманди” лідирують, набираючи майже 30% голосів виборців. Не сталося. Відповідальність за такі результати президентської партії на місцевих виборах важким тягарем лягла на немісцевого Олексія Петрова, котрий очолив список партії до облради й допрацьовує останні дні на посаді голови Закарпатської ОДА. Принаймні, уряд вже погодив його звільнення та призначення на посаду очільника області директора виноробної компанії “Шато Чизай” Анатолія Полоскова.\nБільшість як fata Morgana\nЕксперти мляво коментують майбутні групування в новій облраді, бо пристрасті навколо цього розгорілися майже мексиканські, а ситуація змінюється практично щодня. Тож до сьогодні, 7 грудня – дня першої сесії – могло багато чого статися.\nАле про деякі розклади можна вже говорити достовірно. Так, зрозуміло, що гуртуватимуться “Слуга народу” та “Рідне Закарпаття”, які набирають близько 36% (23 місця із 64). Цього недостатньо для формування більшості, тож питання про братання з іншими фракціями постало неабияк серйозно. Гостроти додає той факт, що головою облради у цих двох партіях бачать Петрова (він і сам бачить себе тільки в цьому кріслі), але голосів для обрання неабияк бракує. І ось закарпатці з цікавістю спостерігають за процесом “об’єднання заради”.\nЩонайперше: не будуть у більшості представники ОПЗЖ та “Команди Андрія Балоги”. Принаймні, такий висновок можна зробити з коментарів представників цих політсил. Хоча нічого неможливого в Закарпатській облраді, як показує історія, нема. Більше того, неочікувані рішення – така собі фішка представницького органу найзахіднішої області.\nВаріант більш широкої коаліції розглядається за участю “Батьківщини” та партії “За майбутнє”, але це ще “вилами по воді”. Стовідсотково сватають у більшість депутатів від “ЄС”. Коментуючи ситуацію, перший номер команди, директор Агенції регіонального розвитку Закарпатської області Денис Ман наголосив, що єдності між партіями немає досі, ніхто не здатен організувати навколо себе більшість. “Щодня змінюються історії про те, хто очолить обласну раду. Ми бачимо, що єдності між партіями немає досі, ніхто не здатен організувати навколо себе більшість. Якщо так станеться, що не знайдеться такого, хто зможе це зробити, “Європейська солідарність” готова залишити Михайла Рівіса як досвідченого голову облради головою ще на 5 років”, – написав Ман на своїй сторінці.\nКоли “слугам” дуже хочеться, а угорцям – не можеться\nІ ось “золоту акцію” знову тримає партія угорців КМКС. Їх бачили в більшості одразу, але щось пішло не так. На Закарпатті розгорівся політичний скандал, який уже набув статусу міжнародного: у лідера закарпатських угорців Василя Брензовича СБУ провела обшуки. Його запідозрили у фіктивних угодах благодійного фонду “Еган Еде”. У СБУ повідомили, що обшуки пройшли у рамках кримінального провадження щодо діяльності фонду, яка начебто спрямована на порушення державного суверенітету України.\nВарто зазначити, що кримінальне провадження проти фонду було відкрито більше двох років тому. Обшуки проводилися неодноразово, проте досі нічого незаконного не знаходили. Тож провадження “висіло” у повітрі і, за якимось дивним збігом обставин, зрушилось саме перед першою сесією Закарпатської облради.\nОдним з перших, хто запідозрив політичний підтекст у обшуках, був її депутат від “Батьківщини” Андрій Шекета. Він зазначив, що напередодні угорців запрошували на зустріч до голови ОДА, де обговорювався формат майбутньої обласної коаліції. “В неділю представники “КМКС “Партії угорців України” не прийшли на переговори про створення більшості до голови ОДА, генерала СБУ Олексія Петрова. В понеділок представники СБУ прийшли з обшуками додому до лідера угорців – Василя Брензовича”, – написав Шекета.\nЗасудили ці обшуки в угорських товариствах Закарпаття й інші лідери політичних сил, які представлені в новій обласній раді. Відповідні заяви зробили представники ОПЗЖ, “Команди Андрія Балоги”, а також партії “За майбутнє”. Всі вони вбачають у таких діях політичний підтекст. Звісно, відреагував на обшуки й сам Петров, назвавши образливим приписування йому ініціативи у цих слідчих діях та обшуках. Також очільник області стверджує, що “антиугорська істерія”, яка розповсюджується на території Закарпаття, насправді вигідна тільки тим силам, які би не хотіли бачити КМКС у коаліції з чинною владою.\nЯк бачимо, коригування політичного балансу в Закарпатській обласній раді відбувається дуже цікаво і, на думку багатьох, неприпустимо. Кому це вигідно та чим це обернеться? Відповіді, очевидно, отримаємо вже сьогодні на першій сесії новообраної облради.\nПопередній записХто розхитує Закарпаття? І що за гру затіяла Росія на західних кордонах? (ВІДЕО)\nНаступний записПерша сесія Закарпатської облради проходить зі скандалом\nЗакарпатська ОДА рекомендує запровадити додаткові обмеження пересування громадян\nБери в руки каремат – Свидовець не банкомат!\nЗ’явились фото з місця смертельної ДТП на Закарпатті\nНі садочків, ні шкіл: Батьки змушені водити чи возити дітей у інші мікрорайони міста (відео)