Gerät und Verfahren zur Verpackung von Festkörperfingerabdrucksensoren - Dokument DE69825367T2\nDokumentenidentifikation DE69825367T2 04.08.2005\nTitel Gerät und Verfahren zur Verpackung von Festkörperfingerabdrucksensoren\nErfinder Kalnitsky, Alexander, San Francisco, California 94116, US;\nKramer, Alan, Berkeley, California 94708, US\nIPC-Hauptklasse H01L 23/00\nIPC-Nebenklasse G06K 9/20\nUS-Patentanmedlung Nr. 08/799,548 von Marco Tartagni, angemeldet am 13. Februar 1997 unter dem Titel KAPAZITIVER ABSTANDSSENSOR (CAPACITIVE DISTANCE SENSOR), beschreibt einen kapazitiven Abstands-Sensor in der Form einer integrierten Schaltung (IC), der viele Anwendungsmöglichkeiten bietet, darunter auch die Erfassung von Fingerabdrücken. In diesem IC-Element, von welcher ein Teil in den 1 bis 3 hierzu dargestellt ist, umfaßt jede einzelne Zelle 2 einer Abtastanordung 3 aus vielen Zellen ein Paar flacher Armaturen 23, 24 im gegenseitigen Abstand in einer horizontalen Ebene, um einen Kondensator zu bilden und einen zu messenden Abstand "d" zu definieren. Jede Zelle 2 enthält auch die in 2 dargestellten Verstärkermittel, deren Eingang 16 mit einer Armatur 24 und deren Ausgang 17 mit der anderen Armatur 23 verbunden sind, so daß die Armatur/Kondensator-Anordnung die negative Rückkopplungsschleife 17, 23, 25, 18, 24, 16 für den Verstärker bildet.\nDie vorliegende Erfindung betrifft das Fachgebiet zum Abtasten, Erfassen oder Wiedererkennen von Fingerabdruck-Abbildungen, d. h. das Erfassen der kleinsten Einzelheiten von Fingerabdrücken, z. B. Enden und Verzweigungen der Rückenlinien. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Halbleiter-Fingerabdrucksensor vom kapazitiven Typ, der viele Pixel erfaßt und eine neue ungewöhnliche Konstruktion und Anordnung der Kapselung aufweist.\nEs ist wohlbekannt, daß der Fingerabdruck eines Menschen aus erhabenen Linien besteht, die sowohl Verzweigungsstellen aufweisen, die Bifurkationen genannt werden, und auch an plötzlich auftretenden Endpunkten enden können. Die Bifurkationen und Endpunkte werden auch als die Minutiae der Fingerabdrucke bezeichnet. Fingerabdrucke werden an Hand der Positionen und gegenseitigen Beziehungen dieser Minutiae identifiziert.\nTraditionell wird zwar die Fingerabdruckerkennung in der Kriminalistik eingesetzt, sie findet jedoch auch Verwendung als persönlicher Erkennungsschlüssel, zum Beispiel zur Verbesserung der Sicherheit beim Kreditkarteneinsatz, als Zugangskontrolle für Sicherheitsbereiche, Computer und Banksysteme und als Ersatz für Haus- oder Automobilschlüssel.\nDie vorliegende Erfindung betrifft einen kapazitiven Abstands-/Fingerabdruck-Sensor, wie im oben genannten, verwandten Patentantrag beschrieben, der gemäß der vorliegenden Erfindung in einer neuartigen Weise gekapselt ist. Die allgemeine Verwendung von Sensoren vom kapazitiven Typ ist generell bekannt.\nZum Beispiel enthält die Publikation SENSORS AND ACTUATORS (Sensoren und Betätigungselemente), Januar/Februar 1989, Nr. 1/2, auf den Seiten 141–153 einen Aufsatz mit dem Titel INTEGRATED TACTILE IMAGER WITH AN INTRINSIC CONTOUR DETECTION OPTION (Integrierte Berührungs-Abbildungsvorrichtung mit eingebauter Konturen-Erfassungsoption), der auf der vierten internationalen Konferenz für Halbleitersensoren und Betätigungselemente (Transducers '87), Tokyo, Japan, 2. bis 5. Juni 1987, vorgetragen wurde. Dieser Aufsatz beschreibt einen integrierten kapazitiven Berührungs-Abbildungssensor, der eine mehrschichtige Konstruktion aufweist, die einen unteren keramischen Träger, eine Anordnung quadratischer Aluminiumelektroden in 9 Reihen mit 9 Spalten auf dem Siliziumchip einer integrierten Schaltung, eine flexible und isolierende Zwischenschicht aus Naturkautschuk und eine oberste Schutzschicht umfaßt. In dieser Vorrichtung hängt der Kapazitätswert von der örtlichen Verformung der Naturkautschuk-Schicht ab. Die 81 einzelnen Aluminiumelektroden dieser Vorrichtung ermöglichen die kapazitive Meßerfassung eines Eindruckmusters in der Naturkautschukschicht, welches von einer Druckverteilung, die auf die oberste Schutzschicht einwirkt, verursacht wird.\nDie Verwendung eines Sensors vom kapazitiven Typ zum Abtasten der Minutiae eines Fingerabdrucks ist ebenfalls bekannt.\nZum Beispiel die Veröffentlichung IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Band 18, Nr. 1, Januar 1997, Seiten 19–20, enthält einen Aufsatz mit dem Titel "NOVEL FINGERPRINT SCANNING ARRAYS USING POLYSILICON TFT'S OF GLASS AND POLYMER SUBSTRATES" (Neuartige Fingerabdruck-Abstastanordnungen mit Polysilizium-Dünnfilmtransistoren aus Glas und Polymersubstraten). Dieser Aufsatz beschreibt eine zweidimensionale (2D) kapazitive Abtastanordnung mit 200 × 200 Elementen, die 40000 einzelnen Pixeln entsprechen. Jedes Pixel der Anordnung umfaßt zwei Dünnfilmtransistoren (thin film transistors, TFTs) und eine Kondensatorplatte. Jedes Pixel der Anordnung liegt am Schnittpunkt einer Zeile und einer Spalte der Anordnung, und jedes Pixel der Anordnung kann über Zeilen- und Spalten-Treiberschaltungen einzeln adressiert werden.\nIn der folgenden Beschreibung werden die zwei TFTs, die einem jeweiligen Pixel zugeordnet sind, als TFT-A und TFT-B bezeichnet. Die Drain-Elektroden von TFT-A und TFT-B sind mit der Kondensatorplatte des Pixels verbunden, die Gate-Elektrode und die Source-Elektrode vom TFT-A sind mit einer dem Pixel zugeordneten Zeilenleitung verbunden, die Gate-Elektrode vom TFT-B ist mit der folgenden Zeilenleitung verbunden, und die Source-Elektrode vom TFT-B ist mit einer dem Pixel zugeordneten Spaltenleitung verbunden.\nEin dünner (0,1 Mikrometer dicker) Isolator aus Siliziumnitrid liegt über der Kondensatorplatte von jedem Pixel der Anordnung. Wenn eine Rückenlinie eines Fingerabdrucks direkt über der Kondensatorplatte liegt, bildet sich ein Kondensator zwischen der Kondensatorplatte und dem Finger. Dieser Kondensator wird aufgeladen, wenn ein Zeilenimpuls (Amplitude 8 bis 10 Volt Gleichspannung, Dauer 100 Mikrosekunden) am betreffenden Pixel über die Zeilenleitung und dem TFT-A, die diesem Pixel zugeordnet sind, angelegt wird. Die dabei gespeicherte Ladung wird dann auf die dem Pixel zugeordnete Spaltenleitung über den TFT-B übergeben, wenn ein Zeilenimpuls an die folgende Zeilenelektrode angelegt wird.\nEbenfalls von Interesse ist die Veröffentlichung 2997 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE (Internationale Konferenz über Halbleiter-Schaltungen), die einen auf der Seite 200 beginnenden Aufsatz enthält mit dem Titel "A 390DPI FINGERPRINT (MAGER BASED ON FEEDBACK CAPACITIVE SENSING SCHEME" (Eine Fingerabdruck-Abbildungsvorrichtung mit 390 Bildpunkten pro Zoll auf der Grundlage eines kapazitiven Rückkopplungssystems). Dieser Artikel beschreibt einen Sensor, der eine aus 200 × 299 Elementen gebildete Anordnung in digitaler Zweimetall-CMOS-Technologie auf einem einzigen Chip umfaßt, auf der kapazitiven Abtastung mit Rückkopplung basiert und auf die Veränderung elektrischer Felder anspricht, die von der Fingerhaut-Oberfläche induziert werden. In jedem Element der Anordnung befinden sich zwei Metallplatten mit horizontalem Abstand, die vom benachbarten Abschnitt der Fingerhaut mittels einer passivierenden Oxidschicht isoliert sind. Da der Abstand zwischen der Haut und der Oberfläche des Sensors der Anwesenheit von Rückenlinien und Tälern des Fingerabdrucks entspricht, liefert die Anordnung der Elemente eine vollständiges Abbildung des Fingerabdruckmusters.\nIn jedem Element der Anordnung sind die zwei Metallplatten respektive mit dem Eingang und dem Ausgang eines Inverters mit hohem Verstärkungsfaktor verbunden, um somit einen Ladungsintegrator zu bilden. Im Betrieb wird der Ladungsintegrator zunächst zurückgesetzt, indem der Eingang und der Ausgang des Inverters miteinander verbunden werden. Eine vorgegebene Ladungsmenge wird dann am Eingang eingeprägt, so daß sich die Ausgangsspannung proportional zu einem Rückkopplungs-Kapazitätswert verändert, der dem Abstand zu den Rückenlinien und Tälern des Fingerabdrucks proportional ist. Die Anordnung der Zellen oder Sensoren liefert somit die vollständige Abbildung des Fingerabdruckmusters. Die Fingerabdruck-Abbildung verschwindet, wenn der Finger von der Abtastanordnung entfernt wird.\nDie US-Patentschrift 4,353,056 ist von Interesse, indem sie einen kapazitiven Fingerabdrucksensor betrifft, bei welchem der Finger auf die Sensoroberfläche gedrückt wird, um die Rückenlinien und Täler des Fingerabdrucks abzulesen. Die Sensoroberfläche weist eine große Anzahl von Kondensatoren mit kleinen physischen Abmessungen auf. Zwei Sensoren werden beschrieben. Im ersten Sensortyp trägt ein elektrischer Isolator mehrere flexible, gebogene Metallelektroden in horizontalen Abständen, wobei jeweils zwei benachbarte Metallelektroden einen Kondensator bilden. Ein schützender Isolierfilm liegt über dem elektrischen Isolator, und wenn ein Finger mit diesem schützenden Isolierfilm in Berührung gebracht wird, werden die Elektroden physisch deformiert, wobei sich die Kapazitätswerte der vielen Kondensatoren entsprechend dem Muster der Rückenlinien und Täler des Fingerabdrucks verändern. Im zweiten Sensortyp weist die obere Fläche eines starren Trägers mehrere flache Elektroden in festen Positionen mit horizontalem Abstand auf. Oberhalb der Ebene der Metallelektroden befinden sich, in dieser Reihenfolge, ein flexibler Isolator, eine flexible Elektrode und eine flexible Schutzmembran. Zwischen der oberen flexiblen Elektrode und jeder der unteren Metallelektroden in fester Position bildet sich ein respektiver Kondensator. Wenn das Ende eines Fingers mit der flexiblen Membran in Berührung gebracht wird, nimmt die flexible Elektrode eine gewellte Form an, die den Rückenlinien und Tälern des Fingerabdrucks entspricht.\nAußerdem betrifft die US-Patentschrift 5,325,442 einen kapazitiven Fingerabdrucksensor, der ein Abtastkissen aufweist, welches eine ebene Anordnung von Abtastelementen in Zeilen und Spalten mit einem Abstandsmaß von etwa 100 Mikrometer aufweist. Jedes Abtastelement befindet sich am Schnittpunkt einer Zeilenleitung und einer Spaltenleitung, und in jedem Abtastelement bildet sich ein Abtastkondensator auf einer ebenen Abtastelektrode, die von der Fingeroberfläche durch einen isolierenden Film, der über der Abtastelektrode liegt, getrennt ist. Die Mehrzahl der Abtastelektroden, die die Anordnung bilden, sind Rechtecke gleicher Größe mit regelmäßigem Abstand.\nDie Abtastelemente werden in einem Fotolithograhischen Verfahren hergestellt, und jedes einzelne Abtastelement umfaßt einen Dünnschichttransistor (TFT) als Feldeffekttransistor (FET). Jedes FET-Gate ist mit einer Zeilenleitung verbunden, jede FET-Source ist mit einer Spaltenleitung verbunden, und jeder FET-Drain ist mit einer Abtastelektrode verbunden.\nIn einer Ausführungsform umfaßt jedes Abtastelement einen Abtastkondensator, der zwischen einer Abtastelektrode und dem Finger gebildet wird. In einer anderen Ausführungsform umfaßt jedes Abtastelement ein elektrisch isoliertes und leitendes Kissen, welches vom Finger berührt wird.\nVorrichtungen oben beschriebener Art gemäß dem Stand der Technik sind im allgemeinen für ihren begrenzten Einsatzzweck nützlich, es bleibt jedoch ein technischer Bedarf für eine kapazitive Fingerabdrucksensor-Anordnung, in welcher die Sensoranordnung mittels allgemein gebräuchlicher Halbleiter-Bearbeitungsverfahren zusammengebaut oder gekapselt wird, in einer Weise, die den Einsatz als Sensoranordnung verbessert und gleichzeitg Kontaminierung und sonstige negative Auswirkungen verhindert oder minimiert, wenn die aktive obere Fläche der Sensoranordnung von einem Finger berührt wird.\nUnten werden nun Ausführungsformen beschrieben, die eine neuartige gekapselte integrierte Schaltung (IC) einer Anordnung kapazitiver Sensorzellen aufweisen, die zusammenwirkend das Fingerabdruckmuster einer Fingerspitze, die mit der oberen Fläche der gekapselten Einheit in Berührung gebracht wird, erfassen können. Die IC-Anordnung ist im allgemeinen rechteckig und flach, und die IC-Anordnung umfaßt eine relativ große Anzahl einzelner Sensorzellen oder Pixel, die sich in den vielen Zeilen und vielen Spalten der Anordnung befinden.\nDie intern untergebrachte IC-Anordnung weist zur oberen Fläche der gekapselten Einheit hin, an welcher die Anordnung von einer flexiblen Membran mit kleiner dielektrischer Konstante überdeckt und geschützt wird, um beim Einsatz zum Erfassen eines Fingerabdruckmusters einen bequemen Zugang für die Fingerspitze zu bilden.\nIn einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist jede einzelne Sensorzelle der IC-Anordnung eine signalinvertierende Schaltung auf, deren Eingang und Ausgang mit einem MOS-Transistor überbrückt werden kann, der jedoch im Ruhezustand als offener Schalter wirkt und nur zum Zurücksetzen der Schaltung geschlossen wird. Jede Sensorzelle umfaßt außerdem ein Paar flacher oder planarer Metallplatten mit horizontalem Abstand, die im allgemeinen in der obersten Ebene angeordnet sind. Diese zwei Metallplatten wirken elektrisch mit der Fingerspitzenhaut zusammen, um zwei in Reihe geschaltete Kondensatoren zu bilden, welche die negative Rückkopplung von Ausgang zum Eingang der signalinvertierenden Schaltung bilden, wobei der Grad der negativen Rückkopplung eine Funktion des Abstandsmaßes zwischen der Haut über der betreffenden Zelle und der Metallplatten jener Zelle ist.\nIm Betrieb werden alle Sensorzellen zunächst entladen, indem alle Rücksetzschalter, von welchen es einen für jede Sensorzelle gibt, kurzzeitig geschlossen werden. Die Fingerspitze wird dann mit der passivierten Oberfläche der Anordnung in Berührung gebracht. Die Anwesenheit der Rückenlinien des Fingerabdrucks über den respektiven Metallplattenpaaren bewirkt eine verstärkte kapazitive Kopplung zwischen diesen diversen Palttenpaaren, verglichen mit den anderen Plattenpaaren, die einem Tal im Fingerabdruck gegenüberliegen. Das Fingerabdruckmuster wird daraufhin digitalisiert, indem die Unterschiede der Kapazitätswerte benachbarter Pixel abgetastet werden.\nDa die Fingerspitze in die unmittelbare Nähe der Oberfläche der Abtastanordnung gebracht werden muß, sind die allgemein gebräuchlichen Verkapselungs-Technologien zum Verkapseln dieser Anordnung generell ungeeignet. Die Vorrichtung und das Verfahren der vorliegenden Erfindung werden bezüglich einer Verkapselung erläutert, die zwei vertikal ausgerichtete, wandartige Chipkartenträger aufweist. Die vorliegende Erfindung ist jedoch auch einsetzbar für Anwendungen, die eine stationäre Installation der Sensoranordnung erfordern.\nDie unten beschriebenen Ausführungsformen ergeben eine Verkapselungs-Konstruktion und Abtastanordnung mit einer horizontalen Oberflächen-Topographie, die interne Lötverbindungskissen erlaubt und die physische Trennung, den Schutz und die Positionierung der internen Schaltungswege mit gewünschtem Abstand unter der Oberfläche des Sensors ermöglicht, die als Berührungsfläche für die Fingerspitze dient, im allgemeinen unter einem oberen Chipkartenträger, der einen Randabschnitt der Oberflächentopographie umgibt und überdeckt.\nDieses Ergebnis wird erzielt, indem die vier Kanten oder Ränder der oberen Fläche eines im allgemeinen rechteckigen Siliziumsubstrats, dessen zentrale, im allgemeinen rechteckige und sich nach oben erstreckende, kuppelförmige, flache obere Fläche die oben beschriebene Anordnung aus vielen Zellen trägt, dünner gemacht werden. Diese Konstruktion und Anordnung ergibt einen sich deutlich verjüngenden Siliziumsubstrat-Übergangsbereich, der zwischen dem an den Kanten liegenden, dünneren Substratbereich und dem in den Mitte angeordneten, kuppelförmigen dickeren Substratbereich liegt, wodurch eine brauchbare Filmstufen-Überdeckung dieser dünnen/rampenförmigen/dicken Substrat-Oberflächentopographie bei der Bearbeitung ermöglicht wird.\nDie obere Fläche des Substrats wird von einer zwischen dielektrischen Schichten liegenden Metallschicht überdeckt, und die elektrischen Verbindungen zur Sensoranordnung werden über eine oder mehrere Leiterbahnen aus Metall hergestellt, die sich über diese Planarisierungsschicht erstrecken, vom dünnen Bereich des Siliziumsubstrats nach oben entlang dem sich verjüngenden Bereich des Siliziumsubstrats, um am Rand oder an der Kante der sich oben befindlichen Sensoranordnung elektrisch zu enden und dort elektrisch verbunden zu sein.\nEine Passivierungsschicht wird über der Kombination des Siliziumsubstrats, der Sensoranordnung, der Planarisierungsschicht und der Anordnung der elektrischen Anschlüsse aufgebracht.\nDie im allgemeinen flache untere horizontale Fläche des Siliziumsubstrats wird getragen von der oberen horizontalen Fläche eines etwas größeren und im allgemeinen komplementären, rechteckigen Trägerlaminats, welches aus starrem, elektrisch nicht leitendem Kunststoff hergestellt ist. Das Siliziumsubstrat ist im allgemeinen auf der oberen Fläche dieses Trägerlaminats zentriert angeordnet, und eine im allgemeinen rechteckige, zweiteilige, wandartige Chipträgerstruktur wird gestützt von und an der exponierten oberen Fläche dieses Trägerlaminats versiegelt, so daß sie das Siliziumsubstrat umgibt und schützt, wobei sie den dünneren Abschnitt des Siliziumsubstrats überlappt und dabei eine relativ kleine, zentral angeordnete und im allgemeinen rechteckige Öffnung bildet, durch welche nur die zentral angeordnete Kuppel des Siliziumsubstrats und ihre Sensoranordnung nach oben ragt, um im allgemeinen mit dem oberen Ende der umgebenden, wandartigen Struktur zusammenzutreffen.\nEin dünnes, im allgemeinen rechteckiges, flexibles, elektrisch nicht leitendes Laminat mit kleiner dielektrischen Konstante ist mit dem oberen Ende der wandartigen Chipträgerstruktur verbunden, um die Einheit gegen Kontaminierung und anderen negativen Einflüssen zu versiegeln.\nDie wandartige Chipträgerstruktur umfaßt ein großflächiges unteres Element und ein kleinerflächiges oberes Element. Die elektrischen Anschlüsse zur Abtastanordnung werden über eine intern und extern exponierte Metallschicht, die zwischen dem unteren und dem oberen Element angeordnet ist, hergestellt.\nEin Ziel der im folgenden beschriebenen Ausführungsformen ist das Bereitstellen einer Verkapselungsvorrichtung bzw. eines Verkapselungsverfahrens für einen Halbleiter-Fingerabdrucksensor, der eine planare, im allgemeinen rechteckige Multipixel-Fingerabdruck-Abtastanordnung aufweist, die auf einer horizontalen und im allgemeinen rechteckigen oberen Fläche einer Kuppel montiert ist, die sich im allgemeinen von der Mitte eines horizontal angeordneten und im allgemeinen rechteckigen Silizium-Substratelements nach oben erstreckt. Die Kuppel wird gebildet aus vier sich nach oben erstreckenden und geneigten oder verjüngenden Seitenwandflächen, von welchen wenigsten eine Wand die elektrischen Leiterbahnen trägt, welche die Verbindungen zur Abtastanordnung bilden. Eine im allgemeinen rechteckige wandartige Kartenträgereinheit umgibt das Substratelement. Die Kartenträgereinheit weist eine im allgemeinen horizontale obere Fläche auf, mit einer generell zentrierten Öffnung, durch welche nur die Kuppel und die Abtastanordnung physisch zugänglich sind. Die untere Fläche der Kartenträgereinheit ist an den Randabschnitten des Silizium-Substratelements in einer Weise montiert, die alles mit Ausnahme der sich nach oben erstreckenden Kuppel umgibt und schützt. Eine sehr dünne flexible Membran, oder ein Laminat, mit kleiner dielektrischer Konstante ist mit der oberen Fläche der Kartenträgereinheit verbunden, um eine flexible Schutzschicht über der Abtastanordnung zu bilden. Diese flexible Membran befindet sich in physikalisch engem Kontakt mit der oberen Fläche der Anordnung. Der enge Kontakt und die kleine dielektrische Konstante der flexiblen Membran ermöglichen eine problemlose Modulation der Kapazitätswerte der Pixel der Anordnung mit einer Fingerspitze.\nDie Kartenträgereinheit enthält Leiterbahnen mit externen Abschnitten und mit internen Abschnitten, die mit den internen Leitungswegen verbunden sind, wobei die externen Abschnitte externe Anschlußmöglichkeiten für die intern untergebrachte Abtastanordnung bilden.\nGemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Verfügung gestellt, um eine kapazitive Fingerabdruck-Abtastanordnung zu verkapseln, um die Abtastanordnung physisch und gegen Umwelteinflüsse zu schützen, welches die folgenden Schritte umfaßt: Beschaffung einer kapazitiven Fingerabdruck-Abtastanordnung, gekennzeichnet durch: Beschaffung einer starren Substrateinheit, die eine obere Fläche und einen Boden aufweist, mit einer Kuppel, die sich von der oberen Fläche nach oben erstreckt, und mit einem obersten Kuppelflächenbereich auf der Kuppel, wobei dieser oberste Kuppelflächenbereich in einem vorgegebenen Abstand über dem Boden angeordnet ist; Anordnen der Abtastanordnung auf dem obersten Kuppelflächenbereich; Beschaffung eines Trägerelements mit einer Trägerelement-Oberseite; Montieren des Bodens der starren Substrateinheit an der Trägerelement-Oberseite; Beschaffung eines starren und ununterbrochenen Wandelements mit einer Bodenfläche und einer oberen Fläche, die im allgemeinen im vorgegebenen Abstand über der Bodenfläche angeordnet ist; Montieren der Bodenfläche des Wandelements am Trägerelement; Beschaffung eines flexiblen Membranelements mit kleiner dielektrischen Konstante; und Montage des Membranelements auf der oberen Fläche des Wandelements, um somit eine gleichmäßige obere Fläche mit kleiner dielektrischen Konstante zur Verfügung zu stellen, die von einer Fingerspitze berührt werden kann, deren Fingerabdruckmuster abgetastet werden soll.\nGemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Vorrichtung geschaffen, die einen internen Hohlraum zur Verfügung stellt, der einen kapazitiven Objektsensor physisch schützt, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung folgendes umfaßt: ein planares Trägerelement mit einer horizontalen oberen Fläche erster Größe; ein Halbleitersubstrat mit einer horizontalen unteren Fläche zweiter Größe, die kleiner als die erste Größe ist;\nerstes Montagemittel zum Montieren der horizontalen unteren Fläche des Substrats, im allgemeinen zentriert auf der horizontalen oberen Fläche des Trägerelements, um somit einen exponierten Randabschnitt der horizontalen oberen Fläche des Trägerelements zu bilden, wobei das Substrat eine Topographie der oberen Fläche aufweist, die eine horizontale und planare Randfläche bildet, und eine sich nach oben verjüngende Fläche, die an einer im allgemeinen zentral angeordneten, planaren und oberen horizontalen Kuppelfläche endet, welche den kapazitiven Objektsensor enthält; wobei die planare Kuppelfläche im vorgegebenen Abstand oberhalb des exponierten Randabschnitts der horizontalen oberen Fläche des Trägerelements angeordnet ist; ein sich vertikal erstreckendes, ununterbrochenes Wandelement, welches eine umgebende Hohlraumwand bildet, die ein Durchgangsloch mit einer horizontalen oberen Fläche und einer horizontalen unteren Fläche bildet, wobei die obere Fläche im allgemeinen im vorgegebenen Abstand über der unteren Fläche angeordnet ist;\nzweites Montagemittel, welches die untere Fläche des Durchgangslochs auf dem exponierten Randbereich der horizontalen oberen Fläche des Trägerelements montiert, um somit das Substrat und den Objektsensor innerhalb des Durchgangslochs zu positionieren; ein flexibles Membranelement mit kleiner dielektrischen Konstante; und\ndrittes Montagemittel, welches das Membranelement auf der oberen Fläche des Durchgangslochs montiert, um eine nach unten flexible Fläche mit kleiner dielektrischer Konstante zu bilden, welche dicht über dem kapazitiven Objektsensor liegt.\nDiese und andere Objekte, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden für den Fachmann an Hand der nun folgenden detaillierten Beschreibung, die sich auf die folgenden Figuren bezieht, ersichtlich.\n1 ist eine in der X-Y-Ebene aufgenommene Draufsicht einer im allgemeinen planaren Multipixel-Abstandsabtastanordnung mit mehreren Zeilen und Spalten, welche die vorliegende Erfindung verwendet, wobei diese Anordnung eine Mehrzahl kapazitiver Halbleitersensoren aufweist, die zusammenwirkend einen elektrischen Ausgang bilden, der einem Multipixel-Fingerabdruckmuster gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entspricht.\n2 ist eine schematische Darstellung der Schaltung einer einzelnen Zelle der Anordnung gemäß 1, wobei alle Zellen der Anordnung gemäß 1 im allgemeinen identische physikalische und elektrische Konstruktion und Konfiguration aufweisen.\n3 zeigt das äquivalente Schaltbild der in 2 dargestellten Schaltung einer einzelnen Zelle.\n4 ist eine perspektivische Ansicht von oben vom Silizium-Substratabschnitt einer Verpackungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.\n5 ist eine Seitenansicht von 4.\n6 ist eine Seitenansicht, die verwendet wird, um die Bearbeitung des Silizium-Substratelements der 4 und 5 zu erläutern vor der Befestigung des Substratelements am unteren starren Laminatelement der 4 und 5, wobei 6 auch die Verwendung von zwei Leiterbahn-/Lötkissen-Paaren zeigt, um die elektrischen Anschlüsse der in 1 dargestellten IC-Einheit zu bilden.\n7 ist eine Draufsicht, in welcher die alternative Verwendung von vier Leiterbahn-/Lötkissen-Paaren für die elektrischen Anschlüsse an die in 1 dargestellte IC-Einheit gezeigt wird.\n8 ist eine auseinandergezogene Seitendarstellung einer fertig gekapselten Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei diese Figur die Anordnung von 6 vertikal abgetrennt vom in den 4 und 5 dargestellten Trägerlaminat zeigt, und diese Figur außerdem eine zweiteilige Chipkarteneinheit, eine Schicht mit Leiterbahnen aus Metall und ein oberstes, dünnes und flexibles Schutzlaminat zeigt, wobei alle diese Teile zusammenwirken, um den Zusammenbau gemäß 6 schützend zu verkapseln.\n9 ist eine Seitenansicht der zusammengebauten, fertig verkapselten Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.\n1 ist eine Draufsicht eines IC-Bauelements, das eine im allgemeinen planare Multipixel-Anordnung 3 mit mehreren Zeilen und Spalten aufweist und eine relativ große Anzahl kapazitiver Halbleiter-Abtastzellen 2 umfaßt, die gemäß einem Aspekt dieser Ausführungsform zusammenwirken, um ein elektrisches Ausgangssignal 10 zu liefern, welches einem aus vielen Pixeln gebildeten Fingerabdruckmuster entspricht. Wie dargestellt ist 1 in der X-Y-Ebene aufgenommen. Die Anordnung 3 enthält eine Anzahl N horizontaler, d. h. sich in der X-Richtung erstreckender, Zeilen einzelner kapazitiver Abtastzellen 2, wobei jede Reihe eine Anzahl M einzelner Abtastzellen 2 enthält, und die Anordnung 3 enthält eine Anzahl M vertikaler, d. h. sich in der Y-Richtung erstreckender, Spalten einzelner kapazitiver Abtastzellen 2, wobei jede Spalte eine Anzahl N einzelner Abtastzellen enthält, wobei die Zahlen N und M Ganzzahlen sind, die gleich oder ungleich sein können. Die Anzahl der einzelnen Bildelemente, Pixel oder Zellen 2 in der Anordnung 3 ist groß und entspricht dem Produkt von M × N. In einem Beispiel sind 512 × 512 Pixel oder Zellen in der Anordnung 3 vorhanden, wobei die physischen Abmessungen der Anordnung 3 im Bereich von etwa 20 mm bis etwa 25 mm liegen.\nBei dieser Ausführungsform handelt es sich um eine Halbleiter-Verkapselungsvorrichtung und um ein entsprechendes Verfahren, wobei die Anordnung 3 mit ihren vielen einzelnen Abstastzellen 2, im allgemeinen mittels Halbleiter-Verarbeitungstechniken, zusammengebaut oder verkapselt wird in einer Weise, die die Funktion der Anordnung 3 begünstigt und zugleich eine Kontaminierung mit Fett, Feuchtigkeit und Kondensat usw. verhindert oder minimiert, wenn eine Fingerspitze 18 in 2 mit der oberen aktiven Fläche 125 der Anordnung 3 physisch in Berührung gebracht wird.\nJede einzelne Abtastzelle 2 in der Anordnung 3 ist individuell adressierbar, indem sich die Zelle an einem bestimmten Schnittpunkt einer bestimmten Zeile und einer bestimmten Spalte der Anordnung 3 befindet. Die Weise, in welcher die einzelnen Abtastzellen 2 der Anordnung 3 adressiert und ausgelesen werden, um ein Fingerabdruckmuster zu digitalisieren, ist dem Fachmann wohlbekannt und bildet keine Einschränkung der vorliegenden Erfindung.\n1 zeigt eine integrierte Chipschaltung 1, die gemäß dieser Ausführungsform gekapselt werden soll. Das IC-Element 1 umfaßt eine) Horizontal-Abtaststufe oder Netzwerk 6 und eine) Vertikal-Abtaststufe oder Netzwerk 5, um sequentiell jeweils eine Zelle 2 gemäß eines vorgegebenen Abtastmusters abfragen oder auslesen zu können. Vorzugsweise umfassen die Stufen 5 und 6 Schieberegister oder Dekodierer, die die Ausgänge 17 der Zellen 2 in 2 sequentiell abfragen.\nDas IC-Element 1 umfaßt auch eine) Stromversorgungs/Logikstufe oder Netzwerk (7), welche die Komponenten des IC-Elements, einschließlich aller Zellen 2, mit den erforderlichen Betriebsspannungen versorgt und die Schrittfolge steuert, die für die Funktion des IC-Elements 1 notwendig ist. Insbesondere liefert eine Gleichspannungsquelle 12 eine Referenz-Gleichspannung Vr. Ein Puffer 8 ist mit den Ausgängen 17 aller Zellen 2 verbunden. Am Ausgang des Puffers 8 erscheint das sequentiell organisierte Ausgangssignal des IC-Elements 1, wobei das Signal am Ausgang 10 von den Funktionen der Abtaststufen 5 und 6 gesteuert wird.\n2 zeigt schematisch die Schaltung einer einzelnen Zelle 2 der in 1 dargestellten Anordnung 3, wobei alle Zellen 2 im allgemeinen identisch konstruiert und konfiguriert sind. Jede Zelle 2 umfaßt einen signalinvertierenden Kleinleistungs-Verstärker 13 mit einem typischen Verstärkungsfaktor im Bereich von etwa 1000 bis etwa 2000. Der Anschluß 21 bildet den Eingang der Schaltung der Zelle 2, und der Anschluß 21 sowie der Eingangskondensator 20 sind mit dem Eingang 16 des Verstärkers 13 verbunden. Der Anschluß 17 bildet den Ausgang der Zelle 2 und des Verstärkers 13. Jede Zelle 2 umfaßt auch zwei X-Y-planare Armaturen oder Kondensatorplatten 23, 24 aus Metall, die im allgemeinen gleiche Flächengrößen und einen gegenseitigen Abstand in horizontaler oder X-Richtung innerhalb einer horizontalen X-Y-Fläche aufweisen. Eine dünne dielektrische Schicht 25 überdeckt die Kondensatorplatten 23, 24, und die obere horizontale Fläche 125 der Schicht 25 bildet eine aktive Oberfläche der Abtastanordnung, die physisch von der Hautfläche 18 eines Fingers, von welchem der Fingerabdruck abgetastet oder bestimmt werden soll, berührt wird. Die dielektrische Schicht 25 kann die gesamte Fläche des oberen Abschnitts des IC-Elements 1 überdecken, welche die Abtastanordnung 3 und ihre einzelnen Zellen 2 umfaßt.\nIm Einsatz wird die Fingerspitze 18 auf die obere Fläche 125 der dielektrischen Schicht 25 der Anordnung 3 gebracht. Dabei bildet die Hautfläche 18 eine Armatur oder Elektrode, die vertikal oberhalb der X-Y-planaren Oberflächen der Kondensatorplatten 23, 24 liegt und diesen zugewandt ist. Die Hautfläche 18 wirkt mit den Platten 23, 24 zusammen, um den ersten Kondensator 34 in 3 sowie den zweiten Kondensator 33 in 3 zu bilden, wobei das in Reihe geschaltete Kondensatorpaar 33, 34 als negativer Rückkopplungsweg vom Ausgang 17 des Verstärkers zum Eingang 16 des Verstärkers verbunden ist.\nJede Zelle 2 weist auch einen im Ruhezustand offenen Start-, Rückstell- oder Steuerschalter auf, der vorzugsweise als MOS-Schalter implementiert ist. Der Schalter 19 schließt den Eingang 16 des Verstärkers mit dem Ausgang 17 des Verstärkers selektiv und momentan kurz. Der Schalter 19 wird mit einem Steuersignal "R" gesteuert, welches von der Stromversorgungs- und Logikeinheit 7 in 1 geliefert wird. Am Anfang einer Fingerabdruck-Erfassungsoperation werden die Schalter 19 von allen Zellen 2 der Anordnung kurzzeitig geschlossen, so daß der Spannungspegel an allen Zelleneingängen 21 auf einen bestimmten gleichen Wert gebracht wird. In dieser Weise wird die Eingangsspannung jeder Zelle 2 auf den gleichen Wert wie die Ausgangsspannung der Zelle gebracht.\nKurze Zeit danach öffnet die Stromversorgungs- und Logikeinheit 7 alle Rückstellschalter 19 und legt einen Spannungssprung gleicher Höhe wie die Referenzspannung Vr an alle Zelleneingänge 21. Nun wird eine elektrische Ladung an jedem Zellen-Eingangskondensator 20 induziert, so daß die lokalen einzelnen Zellenabstände "d" in der Z-Richtung, die zwischen den Kondensatorplatten 23, 24 der Zelle und der über der Zelle liegenden Hautoberfläche 18 vorliegen, abgelesen werden können.\nDie Abtaststufen 5, 6 in 1 wirken nun, um das sequentielle Auslesen oder Abfragen der vielen Zellen 2 in der Anordnung 3 zu ermöglichen. In dieser Weise arbeitet der Puffer 8, um sequentiell ein Ausgangssignal 10 als eine Folge von Graustufen-Spannungswerten zu liefern, die einer dreidimensionalen Abbildung und Darstellung der Hautoberfläche des Fingers 18 darstellen, der aktuell auf der oberen Fläche 125 der Anordnung 3 liegt.\n3 ist ein äquivalentes Schaltbild der in 2 dargestellten Schaltung einer einzelnen Zelle. Die Eingangskapazität des Verstärkers 13 trägt die Bezeichnung 30, und die Ausgangskapazität des Verstärkers 13 trägt die Bezeichnung 31, und die zwei oben erwähnten, in Reihe geschalteten, auf die Haut ansprechenden Kondensatoren tragen die Bezeichnungen 33, 34.\n4 ist eine perspektivische Ansicht, von oben, des unteren Substratabschnitts 41 einer Halbleiter-Verkapselungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 5 ist eine Seitenansicht des unteren Abschnitts 41.\nDie Bezeichnung 42 kennzeichnet ein im allgemeinen rechteckiges Silizium-Substratelement mit einer flachen oder horizontalen unteren Fläche 54. Wie in den 4 und 5 dargestellt ist, wurde ein Teil der oberen Fläche des Siliziumsubstrats 42 in einer wohlbekannten Weise bearbeitet, um ihre vier Kanten oder Ränder 43–46 dünner zu machen. Diese vier Randabschnitte 43–46 liegen in der gleichen Ebene und im allgemeinen horizontal. In dieser Weise wird eine im allgemeinen zentral angeordnete, sich nach oben erstreckende Kuppel 47 mit im allgemeinen rechteckiger oberen Fläche erzeugt. Die Kuppel 47 weist eine flache, im allgemeinen horizontale obere Fläche 48 auf mit einer vorzugsweise zur X-Y-planaren Fläche des IC-Elements 1 komplementären Flächengröße, und die das IC-Element 1 und ihre aus vielen Zellen gebildete Anordnung 3 trägt. Der Fachmann wird erkennen, daß das IC-Element 1 integriert mit dem Silizium-Substratelement 41 erzeugt werden kann, oder daß das IC-Element 1 eine separate Vorrichtung sein kann, die auf der oberen Fläche der sich nach oben erstreckenden Kuppel 47 in der Mitte des Substrats montiert und an dieser Fläche befestigt wird. In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Substratflächen 54 und 48 parallel, und die Substratflächen 43–46 liegen in der gleichen Ebene und parallel zu den Flächen 54, 58.\nDiese neuartige Konstruktion und Anordnung weist ein Siliziumsubstrat 42 auf mit einem sich deutlich verjüngenden Übergangsbereich der oberen Fläche, der mit den vier sich nach oben verjüngenden Wänden 49–52, die zwischen der horizontalen Kante vorhanden sind, und vom dünnen Substratbereich 43–46 und dem horizontalen, in der Mitte befindlichen, kuppelförmigen, dicken Substratbereich 47 gebildet wird, so daß eine brauchbare Filmstufen-Überdeckung der dünnen/sich verjüngenden/dünnen Topographie der oberen Fläche des Siliziumsubstrats 42 während der Bearbeitung gewährleistet ist. Die Bezeichnung 53 kennzeichnet den Winkel, unter welchem alle vier Wände 49–52 geneigt sind oder sich relativ zur X-Y-Ebene verjüngen. Dieser Winkel kann im Bereich von etwa 30 Grad bis etwa 70 Grad liegen.\nDie im allgemeinen flache Bodenfläche 54 des Siliziumsubstrats 42 wird von der im allgemeinen flachen oberen Fläche 55 eines etwas größeren und im allgemeinen komplementären rechteckigen Träger-Laminatelements 56 getragen, welches aus einem starren, elektrisch nicht leitenden Kunststoff hergestellt ist. Wie dargestellt, ist das Siliziumsubstrat 42 im allgemeinen zentriert auf der oberen Fläche 55 des Trägerlaminats 56 aufgebracht. Zum Beispiel kann das Trägerlaminat eine quadratische Form mit 30 mm Kantenlänge oder eine Größe etwa gleich der gebräuchlicher Kreditkarten aufweisen.\nWie ersichtlich, bietet die sich nach oben erstreckende Kuppel 47 des Silizium-Substratelements 42 eine hervorstehende Abtastfläche für die Berührung mit der Fingerspitze 18, während die sonstigen externen Teile der Verkapselungseinheit, die beschrieben werden, zum Versiegeln und zum Schutz noch anderer interner Teile einer Fingerabdruck-Abtastvorrichtung gemäß dem Sinn und dem Umfang der vorliegenden Erfindung dienen.\nVor der Befestigung des Silizium-Substratelements 42 und seiner IC-Einheit 1 am unteren Laminatelement 56, wird das Substratelement 42 so bearbeitet, wie nun mit Hinweis auf die 6 und 7 beschrieben wird.\nEs ist ersichtlich, daß die Topographie der oberen Fläche des Silizium-Substratelements 42, d. h. die Topographie, welche (1) den unteren, koplanaren und umgebenden Randbereich 43–46, (2) den im allgemeinen zentrierten und sich nach oben verjüngenden Bereich 49–52 sowie (3) den obersten Kuppelbereich 48 umfaßt, die Anordnung von Lötkissen-Verbindungen, Schaltungsanschlüssen usw. in einem geschützten Abstand unterhalb einer oberen Abtastfläche ermöglicht, die gebildet wird von einem (zu beschreibenden) flexiblen Schutzlaminat (76) mit kleiner dielektrischer Konstante, welches eine flexible Schutzabdeckung der oben beschriebenen IC-Einheit 1 bildet, die an der oberen Fläche 48 der Kuppel 47 physisch getragen wird.\nBeim Aufbau der In 6 dargestellten Konstruktion wird die obere Fläche 48 der Kuppel 47, d. h. die Fläche, welche die oben beschriebene Anordnung 3 von Abtastzellen 2 und die Schaltungen gemäß 2 aufweist, maskiert und dann mittels Ätzen bearbeitet, um damit das Siliziumsubstrat 42 in den Randbereichen 43–46 und in den geneigten Bereichen 49–52 vor dem Auftragen der dielektrischen Intermetallschicht 57 abzutragen.\nDie Schicht 57 kann aufgetragen werden, indem eine erste Schicht eines Niedrigtemperaturoxids (zum Beispiel ein TEOS oder eine Chemikalie auf Silanbasis) aufgetragen wird, dieser erste Oxidschicht mit einer Lage aus Spin-On-Glas (SOG) planarisiert wird, gefolgt von einem Zurückätzvorgang mit einer Chemikalie, welche die SOG-Schicht und die erste Schicht aus Niedrigtemperaturoxid mit etwa gleicher Geschwindigkeit abträgt, wonach die in dieser Weise planarisierte Oberfläche mit einer zweiten Schicht eines Niedrigtemperaturoxids überdeckt wird. Die schließliche Gesamtdicke der Schicht 57 in der Z-Richtung liegt im Bereich von etwa 0,6 bis etwa 2,0 Mikrometer.\nDurchgänge werden nun mit bekannten Mitteln in der Schicht 57 geöffnet.\nAls nächster Schritt im in 6 dargestellten Verfahren werden mehrere Leiterbahnen 58 aus Metall erzeugt. 6 zeigt zwei solche Leiterbahnen 58, während die Draufsicht in 7 die alternative Verwendung von vier Leiterbahnen 58 zeigt. Wie wohlbekannt ist, werden die Leiterbahnen 58 in ausreichender Anzahl erzeugt, um die benötigten elektrischen Anschlüsse für die Abtastanordnung und für die oben beschriebenen Schaltungen in 2 zur Verfügung zu stellen. Die Abschnitte der Leiterbahnen 58, die sich über die vertieften Abschnitte 43–46 des Substratelements 42 erstrecken, werden zur Bildung von Anschlußkissen verwendet.\nNun wird eine Passivierungsschicht auf dem oben beschriebenen Zusammenbau aufgetragen, wobei diese Schicht eine Anzahl Öffnungen 61 gleich der Anzahl Verbindungskissen oder Stoß-Lötstellen 67 aufweist, die mit bekannten Galvanisierungsverfahren hergestellt werden. Wie in den 6 und 7 gezeigt ist, wird für jede Leiterbahn 58 eine Stoß-Lötstelle 58 vorgesehen. Die Passivierungsschicht 60 wird vorzugsweise aus Nitrid hergestellt, und die Schicht 60 weist eine Dicke von etwa 0,3 bis etwa 0,7 Mikrometer in der Z-Richtung auf.\nAls Option wird das Verfahren gemäß 6 und 7 mit einem letzten Schritt abgeschlossen, in welchem die untere Fläche 54 des Substratelements 42 mittels bekanntem Abschleifverfahren dünner gemacht wird.\n8 ist eine auseinandergezogene Ansicht einer fertig verpackten Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. 8 zeigt die oben beschriebene Anordnung von 6, abgetrennt in vertikaler Richtung vom in den 4 und 5 dargestellten Trägerlaminat 56. 8 zeigt außerdem eine zweiteilige Chipkarten-Trägereinheit 70, 72, eine Lage 71 mit Leiterbahnen aus Metall sowie ein dünnes flexibles Schutzlaminat 76 mit kleiner dielektrischer Konstante, wobei diese Teile zusammenwirken, um den in 6 dargestellten Zusammenbau schützend zu versiegeln und zu kapseln. 9 ist, ähnlich wie 8, eine Seitenansicht, in welcher die verschiedenen Teile der Verkapselung oder Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zusammengebaut dargestellt sind.\nDie Chipkarten-Trägereinheit kann als ein dreiteiliger Zusammenbau aufgefaßt werden, der ein oberes, kleinfächiges Kartenträgerelement 70, eine Zwischenmetallschicht 71, die an der unteren Fläche 73 des oberen Kartenträgerelements 70 befestigt ist, und ein unteres großflächiges Kartenträgerelement 72, welches an der unteren Fläche der Metallschicht 71 befestigt ist, umfaßt. Somit ist der Zusammenbau 70, 71, 72 eine Einheit mit drei funktionellen Teilen, welche eine relativ großflächige und allgemein rechteckige untere Öffnung 75 sowie eine relativ kleinflächige und allgemein rechteckige obere Öffnung 74 aufweist. In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die X-Y-planaren Flächen 74, 75 komplementäre Rechtecke, zum Beispiel Quadrate.\nDie Kartenträgerelemente 70 und 72 sind aus einem nicht kritischen, elektrisch nicht leitenden, starren strukturellen Kunststoff hergestellt, zum Beispiel aus den wohlbekannten Kunststoffen, mit welchen Kreditkarten hergestellt werden.\nDie Metallschicht 71 bildet die Leiterbahn-Netzwerke für die Zwischenverbindungen, die zwischen zwei dielektrischen Elementen 70, 72 untergebracht sind. In wohlbekannter Weise wirken die Leiterbahn-Netzwerke 71 mit den Stoß-Lötstellen 67 und den Leiterbahnen 58 aus Metall zusammen, um die internen zu externen elektrischen Verbindungen herzustellen, die für das IC-Element 1, für ihre Abtastanordnung 3 und für ihre vielen Abtastzellen 2 erforderlich sind.\nDas obere Kartenträgerelement 70, in der Ansicht von oben und in der X-Y-Ebene, weist die Form eines rechteckigen Streifens mit rechteckigem Querschnitt auf, der ein zentrales Durchgangsloch 74 in der Z-Richtung aufweist, welches groß genug ist, um die obere Fläche 48 der Substratkuppel 47 und/oder die diversen IC-Abtastelemente aufzunehmen, die auf der oberen Fläche 48 der Kuppel 47 getragen werden.\nDas untere Kartenträgerelement 72, in der Ansicht von oben und in der X-Y-Ebene, weist ebenfalls die Form eines komplementären rechteckigen Streifens mit ebenfalls rechteckigem Querschnitt auf. Der vom unteren Kartenträgerelement 72 definierte, rechteckige Streifen ist jedoch größer als der, der vom oberen Kartenelement 70 definiert ist. Somit stellt das Kartenträgerelement 72 ein relativ großflächiges, zentrales Durchgangsloch 75 in der Z-Richtung zur Verfügung, welches groß genug ist, um die gesamte, in 6 dargestellte Einheit schützend zu umgeben.\nZusätzlich bildet der obere X-Y-planare Abschnitt 171 des unteren Kartenträgerelements 72 den Träger für einen extern exponierten Abschnitt der Schicht 70 mit den Leiterbahnen aus Metall, und ermöglicht somit die Herstellung der elektrischen Anschlüsse an die internen elektrischen Schaltungsabschnitte der in 9 dargestellten, zusammengebauten, verkapselten Einheit.\nDie sich im zusammengebauten Zustand ergebende Dicke in der Z-Richtung für das obere Kartenträgerelement 70, die Metallisierungsschicht 7 und das untere Kartenträgerelement 72 wird so gewählt, daß alles mit Ausnahme des oberen Abschnitts des in 6 dargestellten Zusammenbaus innerhalb eines internen Hohlraums untergebracht und von diesem geschützt wird, der von den Öffnungen 74 und 75 definiert ist, und so, daß nur der zentrale Abtast-Kuppelabschnitt des in 6 dargestellten Zusammenbaus sich bis zur X-Y-Ebene der oberen Fläche 77 des oberen Kartenträgerelements 70 erstreckt.\n8 zeigt auch ein dünnes, flexibles Schutzlaminat 76, welches über dem gesamten, in 8 dargestellten Zusammenbau liegt. Das Laminat 76 kann aus einem Polyethylen- oder ähnlichem, flexiblem Kunststoffmaterial hergestellt sein. Das Laminat 76 wird auf der oberen Fläche 77 des oberen Kartenträgerelements 70 befestigt, zum Beispiel mit einem Klebstoff.\nDa der zentrale Abtast-Kuppelabschnitt 47 des in 6 dargestellten Zusammenbaus nach oben hervorsteht, um im allgemeinen mit der X-Y-Ebene des oberen Endes des Durchgangslochs 74 zusammenzufallen, ermöglicht das Laminat 76 einen innigen physischen Kontakt zwischen der Fingerspitze 18 und der oberen Fläche von jeder Zelle 2 in der Abtastanordnung 3, so daß damit sichergestellt ist, daß die Rückenlinien und Täler der Fingerspitze 18 die Kapazitätswerte der Zellen 2 in der Abtastanordnung 3 modulieren können.\nDie obere Fläche 79 des Laminats 76 ist eine aktive Fläche, mit welcher die Fingerspitze 18 des Fingers, von welchem der Fingerabdruck aufgenommen werden soll, in Berührung gebracht werden muß. Eine typische Höhe des in 9 dargestellten Zusammenbaus in der Z-Richtung beträgt etwa 1,0 mm.\nDer mehrteilige Zusammenbau, welcher das flexible Laminat 76, den oberen Kartenträger 70, die Metallschicht 71 und den unteren Kartenträger 72 umfaßt, wird am in 6 dargestellten Zusammenbau mittels der Stoß-Lötstellen 67 befestigt, während die untere Fläche 54 des Substratelements 42 und die untere Fläche 80 des unteren Kartenträgers 72 an der oberen Fläche 55 des starren Laminatelements 56 mit einem Klebstoff befestigt werden.\nVerfahren zum Kapseln einer kapazitiven Fingerabdruck-Abtastanordnung, um die Abtastanordnung physisch und gegen Umgebungseinflüsse zu schützen, welches folgende Schritte umfaßt:\nBereitstellen einer kapazitiven Fingerabdruck-Abtastanordnung (3);\neine starre Substrateinheit (42) bereitgestellt wird, die eine obere Fläche (43, 44, 45 und 46) und einen Boden (54) aufweist, mit einer Kuppel (47), die sich von der oberen Fläche (43, 44, 45 und 46) nach oben erstreckt und einen obersten Kuppelbereich (48) auf der Kuppel aufweist, wobei der oberste Kuppelbereich (48) sich in einem vorgegebenen Abstand oberhalb des Bodens (54) befindet;\nPlazieren der Abtastanordnung (3) auf dem obersten Kuppelbereich (48);\nBereitstellen eines Trägerelements (56) mit einem Trägerelement-Oberteil (55);\nMontieren des Bodens (54) der starren Substrateinheit (42) auf dem Trägerelement-Oberteil (55);\nBereitstellen eines starren ununterbrochenen Wandelements (70, 72), welches eine untere Fläche (80) und eine obere Fläche (77) aufweist, die sich im allgemeinen in der erwähnten, vorgegebenen Entfernung oberhalb von der unteren Fläche (80) befindet;\nMontieren der unteren Fläche des Wandelements (80) am Trägerelement (56);\nBereitstellen eines flexiblen Membranelements (76), welches eine kleine dielektrische Konstante aufweist; und\nMontieren des Membranelements (76) auf der oberen Fläche (77) des Wandelements, um damit eine obere Fläche (79) mit kleiner dielektrischer Konstante für eine Fingerspitze zur Verfügung zu stellen, an welcher das Fingerabdruckmuster abgetastet werden soll.\nVerfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Trägerelement-Oberteil (55) sich von unterhalb des Bodens (54) der starren Substrateinheit (42) erstreckt, und die untere Fläche (80) des Wandelements am Trägerelement-Oberteil (55) montiert ist.\nVerfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, mit folgenden Schritten:\nBeschaffen eines ersten elektrischen Leitungswegs (58, 67) auf der Substrateinheit, der an der Abtastanordnung (3) angeschlossen ist; und\nBeschaffen eines zweiten elektrischen Leitungswegs (71), der sich durch das Wandelement hindurch erstreckt und am ersten elektrischen Leitungsweg (58, 67) angeschlossen ist, um damit eine externe elektrische Verbindung zum ersten elektrischen Leitungsweg (58, 67) zur Verfügung zu stellen.\nVorrichtung zum Bereitstellen eines inneren Hohlraums, der einen kapazitiven Objektsensor physisch schützt, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung folgendes umfaßt:\nein flaches Trägerelement (56), welches eine obere horizontale Fläche (55) einer ersten Größe aufweist;\nein Halbleitersubstrat (42), welches eine untere horizontale Fläche (54) aufweist, mit einer zweiten Größe, die kleiner als die erste Größe ist;\nerstes Montagemittel zum Montieren der unteren horizontalen Fläche (54) des Substrats (42), allgemein zentriert auf der oberen horizontalen Fläche (55) des Trägerelements (56), um somit einen exponierten Randabschnitt der oberen horizontalen Fläche des Trägerelements zu bilden;\nwobei das Substrat (42) eine Topographie der oberen Fläche aufweist, die eine horizontale und ebene Randfläche (43, 44, 45 und 46) aufweist, und eine sich nach oben verjüngende Fläche (49, 50, 51 und 52), die an einer allgemein zentral angeordneten, ebenen und oben horizontalen Kuppelfläche (48) endet, die einen kapazitiven Objektsensor (3) enthält;\nwobei die Kuppelfläche (48) in einem vorgegebenem Abstand oberhalb des exponierten Randabschnitts der oberen horizontalen Fläche (55) des Trägerelements (56) angeordnet ist;\nein sich vertikal erstreckendes, ununterbrochenes Wandelement (70, 72), welches eine umschließende Hohlraumwand definiert, die ein Durchgangsloch (74, 75) bietet mit einer oberen horizontalen Fläche (77) und einer unteren horizontalen Fläche (80), wobei die obere Fläche (77) allgemein im erwähnten, vorgegebenen Abstand oberhalb von der unteren Fläche (80) angeordnet ist;\nzweites Montagemittel, welches die untere Fläche des Durchgangslochs auf dem exponierten Randabschnitt der oberen horizontalen Fläche der Trägerelements montiert, um damit das Substrat (42) und den Objektsensor (3) innerhalb des Durchgangslochs (74, 75) anzuordnen;\nein flexibles Membranelement (76), welches eine kleine dielektrische Konstante aufweist; und\ndrittes Montagemittel, welches das Membranelement (76) auf der oberen Fläche (77) des Durchgangslochs montiert, um somit eine nach unten flexible Fläche mit kleiner dielektrische Konstante zu bilden, die dicht über dem kapazitiven Objektsensor (3) liegt.\nVorrichtung gemäß Anspruch 4, umfassend:\neinen ersten elektrischen Leitungsweg (58, 67) auf der sich nach oben verjüngenden Fläche des Substrats, der elektrisch am kapazitiven Objektsensor (3) angeschlossen ist; und\neinen zweiten elektrischen Leitungsweg (71), der sich durch die Hohlraumwand erstreckt;\nwobei der zweite elektrische Leitungsweg (71) einen internen Abschnitt aufweist, der am ersten elektrischen Leitungsweg (58, 67) angeschlossen ist; und\nwobei der zweite elektrische Leitungsweg (71) einen externen Abschnitt aufweist, der am ersten elektrischen Leitungsweg (58, 67) angeschlossen ist.\nVorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei die Hohlraumwand folgendes aufweist:\neine untere umschließende Wand (72), die eine horizontale obere Fläche (171) und eine horizontale untere Fläche (80) aufweist;\nwobei die untere umschließende Wand (72) einen unteren Hohlraumabschnitt (75) bildet mit einer ersten Größe, die ausreicht, um die Substrateinheit (42) zu enthalten;\nwobei die horizontale Fläche (80) der unteren umschließenden Wand (72) auf dem exponierten Randabschnitt der oberen horizontalen Fläche des Stützelements (56) montiert ist;\neine obere umschließende Wand (70), die eine obere horizontale Fläche (77) und eine untere horizontale Fläche (73) aufweist;\nwobei die obere umschließende Wand (70) einen oberen Hohlraumabschnitt (74) aufweist mit einer zweiten Größe, die kleiner ist als die erste Größe und ausreicht, um die sich nach oben verjüngende Fläche (49, 50, 51 und 52) sowie die obere horizontale Kuppelfläche (48) zu enthalten;\nwobei die untere horizontale Fläche (73) der oberen umschließenden Wand (70) auf der oberen horizontalen Fläche (171) der unteren umschließenden Wand (72) montiert ist; und\ndie Membran (76) auf der oberen horizontalen Fläche (77) der oberen umschließenden Wand (70) montiert ist.\nVorrichtung gemäß Anspruch 6, wobei der zweite elektrische Leitungsweg folgendes umfaßt:\nEinen Weg (71) aus Metall, der zwischen der oberen (70) und der unteren (72) umschließenden Wand angeordnet ist;\nwobei der Weg (71) aus Metall einen internen Metallabschnitt aufweist, der am ersten elektrischen Leitungsweg (58, 67) angeschlossen ist; und\nder Weg (71) aus Metall einen externen Metallabschnitt aufweist.\nVorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei die Hohlraumwand folgendes umfaßt:\neine untere schmale umschließende Wand (72), die eine obere horizontale Fläche (171) und eine untere horizontale Fläche (80) aufweist;\nwobei die schmale umschließende Wand (72) einen unteren Hohlraumabschnitt (75) definiert, der eine erste horizontale Hohlraumfläche aufweist, die ausreicht, um das Substrat (42) zu enthalten;\neine obere, horizontal breite umschließende Wand (70), die eine obere horizontale Fläche (77) und eine untere horizontale Fläche (73) aufweist;\nwobei die breite umschließende Wand (70) einen oberen Hohlraumabschnitt (74) definiert, der eine zweite horizontale Hohlraumgröße aufweist, die kleiner als die erste Hohlraumgröße ist und ausreicht, um die sich nach oben verjüngende Fläche (49, 50, 51 und 52) und die obere horizontale Kuppelfläche (48) zu enthalten;\nwobei ein horizontaler äußerer Abschnitt der unteren Fläche (73) der breiten umschließenden Wand (70) auf einem horizontalen inneren Abschnitt der oberen Fläche (171) der schmalen umschließenden Wand (72) montiert ist; und\nwobei ein horizontaler innerer Abschnitt der unteren Fläche (73) der breiten umschließenden Wand (70) eine sich horizontal erstreckende Hohlraumwand bildet, die die horizontale flache Randfläche des Substrats (42) überragt.\nVorrichtung gemäß Anspruch 8, die auch folgendes umfaßt:\neinen ersten elektrischen Leitungsweg (58, 67) auf der sich nach oben verjüngenden Fläche (49, 50, 51 und 52) des Substrats (42), der am kapazitiven Objektsensor (3) angeschlossen ist; und\neinen zweiten elektrischen Leitungsweg (71), der sich horizontal zwischen der breiten umschließenden Wand (70) und der schmalen umschließenden Wand (72) erstreckt;\nwobei der zweite elektrische Leitungsweg (71) einen externen Abschnitt aufweist als elektrische Verbindung zum ersten elektrischen Leitungsweg (58, 67).


Alno: Insolventer Küchenhersteller muss Mitarbeiter freistellen\nInsolvenz: Küchenhersteller Alno muss Mitarbeiter freistellen\nAlno Der Herd ist aus\nMit Hoffnung waren die Mitarbeiter des insolventen Küchenherstellers Alno zur Betriebsversammlung gekommen. Doch sie wurden enttäuscht. Der Insolvenzverwalter muss die meisten Mitarbeiter nach Hause schicken.\n23.10.2017 Update: 23.10.2017 - 14:41 Uhr 3 Kommentare\nFür rund 600 Mitarbeiter gibt es kaum noch Hoffnung.\nDüsseldorf, Hamburg„Es war ein schwarzer Tag für die Beschäftigten bei Alno“, sagte Michael Föst von der örtlichen IG-Metall am Montagmittag dem Handelsblatt. Denn die gut 600 Mitarbeiter des seit Jahren kränkelnden Küchenherstellers Alno erfuhren heute, dass sie zum großen Teil freigestellt werden.\nEs sei schlicht kein Geld mehr da, teilte Insolvenzverwalter Martin Hörmann der in der Kantine des Stammwerks in Pfullendorf versammelten Belegschaft mit. Deswegen muss er nun bis auf eine kleinere, immerhin noch dreistellige Kernmannschaft den größten Teil der Mitarbeiter nach Hause schicken. Entsprechend enttäuscht und traurig waren heute die Reaktionen. Bis zum Montag hatten die Mitarbeiter noch auf gute Nachrichten gehofft. Sie hatten damit gerechnet, dass Insolvenzverwalter Hörmann ihnen heute einen Investor nennt.\nHäcker-Geschäftsführer Markus Sander: Chef in der Küche\nDer Küchen-Hersteller Häcker ist das Gegenstück zur insolventen Alno: Das Geschäft brummt – dabei verzichten die Westfalen auf eine starke Marke. Stattdessen verbünden sie sich mit dem Handel.\nDie Suche nach einem Investor laufe zwar noch, sie sei aber noch nicht abgeschlossen, teilte Hörmann heute den Beschäftigten mit. Er bestätigte die Nachricht und teilte mit: „Die Lage ist schwierig und es besteht ein enormer Zeitdruck. Aber wir geben nicht auf und werden alles versuchen, um eine Zukunftslösung für Alno und die Mitarbeiter zu erzielen.“\nLaut Hörmann kann nur noch ein Team von 170 Mitarbeitern inklusive Auszubildenden bleiben, das den Investorenprozess begleiten und insolvenzspezifische Aufgaben erfüllen soll. Die Freistellung bedeute aber nicht gleichzeitig die Kündigung. Ein Interessenausgleich und Sozialplan werde mit dem Betriebsrat verhandelt.\nAlno hat einen glänzenden Namen, schrieb aber schon über Jahre rote Zahlen. Der Küchenbauer hatte Ende Juli zunächst eine Insolvenz in Eigenregie beantragt, die Geschäftsführung der Hastor-Gruppe als jüngster Eigentümer hatte aber später eine Regelinsolvenz beantragt. Bis Ende September konnten die Beschäftigten noch Insolvenzgeld von der Bundesanstalt für Arbeit erhalten. Das ist aber mit Eröffnung des regulären Verfahrens zum 1. Oktober ausgelaufen.\nNächste Seite Warum nur die Einstiegsmarke Pino Gewinne brachte\nMehr zu: Alno - Der Herd ist aus\n3 Kommentare zu "Alno: Der Herd ist aus"\nSergio Puntila 23.10.2017, 13:55 Uhr\nBeitrag von der Redaktion gelöscht. Bitte achten Sie auf unsere Netiquette: „Diskutieren erwünscht – aber richtig“ http://www.handelsblatt.com/netiquette\nHerr Toni Ebert 23.10.2017, 13:52 Uhr\nWir müssen nicht traurig sein, neue Firmen und neue Kompetenzträger gruppieren sich in Länder mit Zukunft. Wer also sein Geld anlegen will, der findet in den USA und SO Asien immer eine Möglichkeit, dort in Firmen investieren zu können, die ehrlich sind und die eine Zukunft haben.\nFrau Lana Ebsel 23.10.2017, 13:33 Uhr\nVermutlich hat jetzt galaxisweit jede selbstbewusste Hausfrau ihre Großküche in der Designervilla stehen. Als nächstes kommen nun die Toiletten dran, denn da kann man noch was hinzufügen, um beim Nachbarn nicht hintanzustehen. Alno müsste also sein Produktportvoileau nur umrüsten auf Wellness-Klos, dann wird alles gut.


„ ...Dank des metapherreichen Bühnenbildes von Stefan Morgenstern, mit dem Schwarm Vögel im Hintergrund, einem silbernen Säulenwald und einer Sandwüste, kommen die Protagonisten gar nicht erst in die Verlegenheit, durch Umbau oder Szenenwechsel das Stück zu zerreißen. Beides bleibt flüssig, dramatisch und hat auch einen Hauch von Gruppentherapie. Es gibt von diesem Ort kein Entrinnen. ...“\n„ ...In diesem Kammerspiel bleiben neben Werther und der Geliebten, unerreichbaren Charlotte nur noch deren Verlobter Albert und Sophie, die Schwester Charlottes übrig. Diese Figuren, angesiedelt zwischen Beckett, Sare und Gorki, verdammt zum Zusammensein auf ewiger Zeit, haben sich in dem Raum des Ausstatters Stefan Morgenstern eingerichtet.\nEine bleierne Wand im Bühnenhintergrund, die gelegentlich den Blick frei gibt auf einen Schwarm davonfliegender Vögel, rechts eine Sandwüste, links ein undurchdringlicher Wald hängender Säulen - aus diesem Ort gibt es kein Entrinnen. So spart sich Biganzoli denn auch alle Auf- und Abtritte, lässt die Figuren als Gefangene ihrer selbst, ihrer Sehnsüchte und Aggressionen aufeinanderprallen. Das verwirrt zunächst, schließlich ist vom Weggehen und Ankommen mehrfach die Rede. Doch offenbart es bald seinen tieferen Sinn.“\n„ ... „Jeder ist die Hölle des Anderen, wie bei Sartre“. Die Äußerung des Dramaturgen Alexander Suckel im Programmheft ist ein Schlüsselwort. In Frankfurt spielen sie Massenets „Werthers“ wie Sartres „geschlossene Gesellschaft“. Alle sind gefangen, nicht nur in ihren Konventionen, sondern auch räumlich, im Bühnenbild von Stefan Morgenstern: Eine halbrunde Rückwand mit schmalen Sichtfenstern (wohin?), links Ausläufer einer Sandwüste, rechts hängende Säulen - offenbar ein stilisierter Wald.\nAuch wenn häufig von Kommen und Gehen die Rede ist, verlässt keine der handelnden Personen die Bühne. Alle sind stets anwesend und bilden ein latentes Aggressionspotential. Gefühle können nicht ungehemmt verströmen, der kritische Blick über die bloße Präsenz des anderen steuern dagegen. ...“


ᑕ❶ᑐ oesen mit scheiben Test ✔ April mit Videotest ▶ Rezente Tests und Preisvergleich ᑕ❶ᑐ\n» Startseite » oesen mit scheiben\noesen mit scheiben Die Bestverkäufe\n1. oesen mit scheiben Die Bestverkäufe\n3. Nicht zu vergessen beim kaufen von oesen mit scheiben!\n5. 50 Testsieger oesen mit scheiben\nWenn man nach oesen mit scheiben Test sucht erhält man unterschiedliche Suchergebnisse. Wir möchten Sie aufklären und haben hier eine Zusammenfassung der Top 50 Produkte erstellt um dir möglichst alles strukturiert auf einen Blick bieten zu können ohne das du dabei selbst Zeit in die aufwendig Recherche investieren musst. Aktuelle oesen mit scheiben Test Bestseller unterteilen wir in die TOP 5 und TOP 50. Dadurch entdeckst du die aktuellen Bestseller der verschiedensten oesen mit scheiben Angebote zum stöbern! Natürlich vernachlässigen wir auf keinen fall den Preis. Um dir stets den güngstigsten oesen mit scheiben Preis zu finden aktualisieren wir die Preise täglich und bieten immer den Vergleich zu mindestens zwei Shops . Rabatte kennzeichnen wir direkt unter dem Produkt, sofern es gerade welche gibt . Deinem Lieblingsprodukt steht so nichts im Wege.\nDie Zeitabstand der Verzögerung schwankt von Filiale zu Filiale. . Aus diesem Grund. wirst du so den Kauf vom oesen mit scheiben Preisvergleich nicht bereuen. Der sichere Versand zu Ihnen ist danach ein gewichtiger nächster Schritt.\nDer Test-Vergleich oesen mit scheiben\n2. Ösen Werkzeug Kit,MEZOOM 200 set 6mm Ösen Scheiben in 3 Farben mit 3tlg Werkzeugset Ösentanzer Ösenzange in Aufbewahrungsbox für DIY Leder handwerk Stoff Gürtel Locher Rahmung\n5. 641383 10 Ösen mit Scheiben 14 mm Silberfarben inkl. Werkzeug\nDie wichtigsten Aspekte von oesen mit scheiben\nEiniges gilt aufzupassen beim oesen mit scheiben Preisvergleich. Lesen Sie weiter!\nDas wichtigste: : Was sagen die Bewertungen vom oesen mit scheiben Test ?\nKundenmeinugnen von überprüften Einkäufe Sind immer wichtiger als unüberprüfte Käufe . Im Endeffekt wissen am besten die Nutzer, was das oesen mit scheiben Test alles kann und ob es auch gut genug ist für dich. . Auf unseren Verlinken Shops : Amazon werden Produktbewertungen beispielsweise direkt drunter gelistet. Wichtiger Merkmal : Achte vor allem auf Kundenmeinungen aus verfizierten Käufen. Das sorgt für die nötige Seriösität. Meinungen von anderen Nutzern helfen dir, Vor- sowie Nachteile herauszufiltern. Das neue Lieblingsprodukt sollte eine große Zahl an Bewertungen haben. Sind diese sehr zufrieden und können das oesen mit scheiben Test weiterempfehlen – schlag zu!. Spezielle Vertrauenssiegel beistehen sicherlich in diesem Fall, jene Unsicherheit auszuräumen.\nDer Preis des oesen mit scheiben kann kein wichtiges Kaufkriterium sein . Hiermit existieren für jedes Bedürfnis eine passgenaue und in erster Regel sichere Zahlungsart. . Sie können Ihre bevorzugte Zahlungsmethode wählen und oesen mit scheiben solltest du dich an die „goldene Regel“ erinnern. Gleiches gilt für der Kostenaufwand ausgewählter Zahlungsmethoden, die nicht notwendigerweise ebenso sind. . Die goldene Mitte gilt meistens als die beste Wahl.\nZu diesem Vorsatz haben wir in unserem umfassenden Zu diesem Zweck gehören die Leistung, die getrennten Einstellungen, die Größe des Körpers und der genaue Einsatzbereich. Das Kaufportal offeriert ein außergewöhnlich breites Angebot von Erzeugnissen fix vom Produzenten akkurat wie von Händlern. Auf ebendiese Weise müssen Sie noch keine lückenlose Auswahlentscheidung treffen und können sich genauso andersartig entscheiden. In diesem Fall ist es immerwährend eine gute Idee zu beherrschen, dass Sie den oesen mit scheiben Kauf.\nSuper oesen mit scheiben Warentest Stifuntg oder Ökö-Test\nTestergebnisse von Verbrauchermagazinen wie der Stiftung Warentest können ebenso zu einer Kaufentscheidung beitragen. Diese Einrichten haben sich darauf spezialisiert alle möglichen Varianten oder Ersatzteile von oesen mit scheiben Test zu begutachten und zu testen. Beim oesen mit scheiben Test wird neben der Haltbarkeit, der Bedienungsanleitung oder Handhabung auch oft die Sicherheit kontrolliert. Gerade die Sicherheit ist oft wichtiger als gedacht. Gerade wenn Kinder mit oesen mit scheiben zu tun haben oder in der Nähe sind sollte das bedacht werden.\nDie speziellen Bedürfnisse spielen eine entscheidende Rolle und gewährleisten dafür, dass es kein perfektes oesen mit scheiben Test wissen Sie was zu tun ist. Der Mehrwert während einem solchen Vorgehen ist, dass die Gebrauchsspuren innerhalb Amazon außergewöhnlich akkurat anzugeben sind.\nLetzlich haben sich manche Produzenten längst über Jahre hinweg einen Namen binnen der Produktion von oesen mit scheiben preise zu vergleichen . Das Kaufportal offeriert ein außerordentlich breites Angebot von Erzeugnissen problemlos vom Fabrikanten akkurat wie von Händlern. Diese stehen danach für verantwortungsbewusste, hochwertige oesen mit scheiben testen stellen kannst und unsere Kommentarfunktion nutzen.\nVersand für oesen mit scheiben\nDein neues oesen mit scheiben kannst du fast sofort durch sogenannte Programme erhalten. Beispielweise empfehlen wir für eilige Herrschaften das Prime Programm aus unserem Partnershop Amazon. Hiermit assistieren wir Ihnen innerhalb der Selektion, die widrigenfalls etwaig deutlich zeitintensiver ausgefallen wäre. Produktfamilie, die nahezu zu jedem beliebigen Zeitpunkt oder immerhin ausgesprochen häufig im Einsatz sind, sollten langlebiger und robuster sein.\noesen mit scheiben Fazit\nVor dem Kauf einer überaus teuren oesen mit scheiben Produkten oder Ersatzteilen. Achtung: Wir haben die Produkte nicht selbst getestet . Unsere Informationen kommen aus diversen online Seiten Falls du du auf der Suche nach einem guten oesen mit scheiben Test bist. Der Mehrwert während einem solchen Vorgehen ist, dass die Gebrauchsspuren innerhalb Amazon außergewöhnlich akkurat anzugeben sind.\nDie 50 Bestseller :oesen mit scheiben\n6. 200 Set Ösen Scheiben mit 3 Stück Ösen Werkzeug für Segeltuch Kleidung Leder, 1/ 4 Zoll\n8. Prym Ringösen, 5 mm, plus Unterlegscheiben, silberfarben, 40 Stück\n9. LIHAO 360 Ösen Set mit Werkzeug Grommet Kit Ösensatz mit Tüllen Einstellwerkzeug für Schnürsenkel Kleidung Leder\n10. Dophee 100 Stück Tüllen Ösen mit Scheiben für Leder Handwerk Tasche Kleidung Schnürung und Stoff 8mm\n11. 300 Stück 10 Farben Druckknöpfe Nietenkknopf Ösen mit Scheiben 5mm Durchmesser Ösen Stanzen mit 3 Stanzwerkzeugen\n8,58 € 15,00 €\n12. Prym Ösen mit Scheiben + Werkzeug 14mm Durchmesser Silber\n13. Telliswelt 642371 40 Ösen mit Scheiben 5mm brüniert schwarz inkl. Werkzeug\n14. Prym 541384 Ösen/Scheiben, Messing, Schwarz, 2 x 1 x 1 cm\n15. 641377 24 Ösen mit Scheiben 8 mm Schwarz inkl. Werkzeug\n16. BIG-SAM - 100 Ösen mit Scheiben aus Messing (rostfrei) - Größen im Innendurchmesser: 4, 5, 8, 11 oder 14 in den Farben: Altkupfer, Altmessing, Brüniert, Gold oder Silber im Vorteils-Sparpack! (5, Silber)\nInhalt: 100 Ösen mit Scheiben\nGröße: Innendurchmesser 5 mm\nMaterial: Messing (ROSTFREI!)\n17. Nähfrei Ösen mit Scheiben 11 mm brüniert 541381\n18. Souarts 100 Set Ösen mit Scheiben 15mmx4mm 14mm\nLochgröße: 12mm, 12.6mm\nGröße: 20mmx5mm 18mm, Dicke: 5mm, 0.4mm\n0,50 € 31,03 €\n19. 641370 15 Ösen mit Scheiben 11 mm Silberfarben inkl. Werkzeug\n20. Prym Ringösen, 4 mm, plus Unterlegscheiben, goldfarben, 50 Stück


NAK NRW/Niederlande und der Fall Rohn - Seite 66 - glaubensforum24\n#651 Beitrag von Matula » 25.09.2015, 06:41\nNicht selten sind es aber auch die Anwälte die mit ihren immer giftiger werdenden Schriftsätzen ( bewusst ) dafür Sorgen, dass solche Verfahren aus dem Ruder laufen, weil sie daran ordentlich verdienen.\nIch kenne mich zu wenige mit den Fakten aus, jedoch denke ich, dass hier die Einsetzung von einem oder mehrerer Mediatoren sinnvoll wäre, um die Kuh oder besser gesagt, die Ochsen vom Eis zu bekommen.\n#652 Beitrag von tergram » 25.09.2015, 10:32\nMatula hat geschrieben: Nicht selten sind es aber auch die Anwälte die mit ihren immer giftiger werdenden Schriftsätzen ( bewusst ) dafür Sorgen, dass solche Verfahren aus dem Ruder laufen, weil sie daran ordentlich verdienen. Ich kenne mich zu wenige mit den Fakten aus, jedoch denke ich, dass hier die Einsetzung von einem oder mehrerer Mediatoren sinnvoll wäre, um die Kuh oder besser gesagt, die Ochsen vom Eis zu bekommen.\nDas - mit Verlaub - ist falsch.\n1. Der Anwalt handelt auf Weisung seines Mandanten. Dieser trägt die Verantwortung dafür, wie "giftig" ein Streit ausgetragen wird. Er kann seinen Anwalt schärfen oder mässigen. Seine Entscheidung. Er bezahlt schliesslich dafür.\n2. Eine Mediation ist immer an die freiwillige Bereitschaft beider Seiten dazu geknüpft und macht in der Regel nur ausserhalb angestossener gerichtlicher Automatismen Sinn. Eine freiwillige Bereitschaft beider hat es im konkreten Fall nie gegeben. Inzwischen ist es dafür ohnehin zu spät. Die Mühlen der Justiz mahlen.\n#653 Beitrag von Andreas Ponto » 25.09.2015, 11:02\nIch denke auch, dass das meistens nicht zutrifft.\nRechtsanwälte haben i.d.R. genug zu tun und nebenbei auch einen Ruf zu verlieren.\nGrundsätzlich gilt: Sie wollen das Spiel (ja, das Spiel) gewinnen.\nWenn Rechtsanwälte dafür keine oder nur sehr geringe Chancen sehen, dann raten sie wohl eher zum Vergleich.\nUnd das schätzen diese i.d.R. frei von Emotionen und sehr realistisch ein.\nWenn der/die MandantIn aber partout nicht einsichtig ist, dann muss wohl gelegentlich zu Taschenspielertricks gegriffen werden, um das gewünschte Ergebnis möglichst doch noch zu erzielen.\nGenerell liegt es aus meiner Sicht weniger an den Rechtsanwälten, als an den oft emotional sehr aufgeladenen Parteien, dass Vernunft und gesunder Menschenverstand keine Chance haben.\nIn diesem Fall hat es den Anschein, dass es nicht um Recht und Einigung geht, sondern der unbedingte Vernichtungswille vorherrscht.\nOtto Normalbürger, wäre hier schon lange von einer übermächtigen Organisation wie eine kleine Laus an der Wand zerquetscht worden.\nDas erinnert mich an die arme Witwe, die so lange dem ungerechten Richter in den Ohren liegt, bis ihr Recht zugesprochen wird Lk 18,2-5.\nHeute kaum mehr möglich ohne das entsprechende Kleingeld.\nAllein das liebe Geld macht diesen Rechtsstreit in dieser Dimension von Umfang und Zeit erst möglich.\n#654 Beitrag von Matula » 25.09.2015, 11:06\nDer Anwalt handelt auf Weisung seines Mandanten, möglichst eine strittige Angelegenheit und/oder Klage so zu bearbeiten, dass diese positiv für ihn verläuft. In den wenigsten Fällen sind Anwälte bereit, ihren Mandanten vorab einen Schriftsatzentwurf zu zusenden, damit dieser noch Einwände und Korrekturen beantragen kann.\nJeder, der bereits in Klageverfahren involviert war weiß, dass sich mit jedem weiteren Schreiben der Gegenseite nicht selten der Ton und die Härte gegen die gegnerische Partei verschärft. Gerade, wenn sich beide Parteien gegenseitig vorwerfen, Gelder zu veruntreuen und/oder nicht auszuzahlen, Insolvenzanträge gestellt werden ect. wird nur noch Gift und Galle gespuckt.\nAuch wenn es bereits sehr spät ist und die Gerichte bemüht sind, kann weiterhin im gegenseitigen Einvernehmen, sich immer noch gütlich geeinigt werden. Eine solche gütliche Einigung zwischen streitenden Parteien sehen die Richter sogar viel lieber.\nWenn man natürlich bereits fünf lange Jahre eine Schlammschlacht führt, wird solches natürlich nicht nur immer schwieriger, sondern auch unwahrscheinlicher.\nBei diesem Verfahren gibt es unter den streitenden Parteien so wie so keine Gewinner mehr, sondern Gewinner sind nur die Anwälte und die Gerichte.\n#655 Beitrag von Matula » 25.09.2015, 11:16\ncentaurea hat geschrieben: Ich denke auch, dass das meistens nicht zutrifft.\ncentaurea, weißt du weshalb die Anwälte ihren Mandanten so gerne zu einem Vergleich raten !?\nWeil diese dann in ihrer Gebührenabrechnung Vergleichsgebühren abrechnen können, die in gleicher Höhe liegen, wie die Prozeßkosten- und Verhandlungsgebühren.\nUnd zum Verhalten von Anwälten. Diese arbeiten oft mit allen Tricks, auch mit unlauteren und scheuen nicht davor zurück, die Gegenseite persönlich zu erabschneidend zu diffamieren und auch zu verleumden.\n#656 Beitrag von August Prolle » 25.09.2015, 21:48\nHeidewolf hat geschrieben: Mich wundert wirklich, wie wenige das begreifen. Das mindeste Aufschreien der Kirchenmitglieder wäre doch, wenn sie mal Protestbriefe schreiben würden ...\nGläubige, die nichts begriffen haben, mögen sich damit trösten, dass es neben Protestbriefen als "mindesten Aufschrei" einen allermindesten gibt: Den stummen. Einen solchen will ich gern der allgemeinen Empörung beisteuern. Bitte sehr:\nObwohl ich nicht verstehe,\nwas hier in Rede steht:\nDes Wölfchens Wohl und Wehe\nmir tief zu Herzen geht.\nGott hört das stille Beten,\ndas stumme Seufzen schon.\nDrum will ich vor ihn treten\nund leise raunen:\nBildquelle: Wikipedia, Edvard Munch, 1895, "Der Schrei" - gemeinfrei\nRegistriert: 10.01.2015, 14:59\n#657 Beitrag von unter.wegs » 26.09.2015, 08:14\nAls guter Rat noch billig war:\n#658 Beitrag von fridolin » 26.09.2015, 14:12\nMich wundert wirklich, wie wenige das begreifen. Das mindeste Aufschreien der Kirchenmitglieder wäre doch, wenn sie mal Protestbriefe schreiben würden ...\nViele Geschwister wissen von Vorfällen in Holland und machen die Augen zu.\nSie werden eines Tages Rechenschaft ablegen müssen vor Gott was sie mit Opfergeldern\nveranstaltet haben. Mich geht das nichts an was mit Opfergeldern geschieht. So wird vielfach gedacht und bedenkenlos fleissig weiter geopfert. Einen Aufschrei durch die Gemeinden wird es nicht geben, dazu ist der eifrige neuapostolische zu sehr auf das Apostelamt fixiert.\nGab es einen Aufschrei in den Gemeinden nach Brinkmanns Millionendebakel!\nGab es nach dem Tod von Stammapostel Bischoff einen nachhaltigen Aufschrei!\nDer bekam einen Persilschein ausgestellt, wo klipp und klar drin stand, Gott hat aus unerklärlichen und unerforschlichen Gründen seinen göttlichen Plan geändert.\n#659 Beitrag von August Prolle » 26.09.2015, 14:45\nNicht nötig, Lucy. Wir sind schon unterwegs.\n#660 Beitrag von Heidewolf » 27.09.2015, 22:04\nAugust, ich habe für dich auch mal etwas gedichtet.\nKennst du den Unterschied zwischen der NAK und VW?\nDoch, es gibt einen\nBei einem von beiden werden Lügen nicht durch das KBA genehmigt.


Männliche Füße junger Sportler, die im - Lizenzfreies Video - #B315497506 - Bildagentur PantherMedia\nLizenzfreies Video B315497506 - Männliche Füße junger Sportler die im Frühherbstwald\nauf dem Trail laufen Beine des sportlichen Mannes joggen auf dem Weg in der Natur Folgen Sie dem Sportlertraining im Freien Gesunder aktiver Lebensstil Rückansicht\nStockvideo - Männliche Füße junger Sportler, die im Frühherbstwald auf dem Trail laufen. Beine des sportlichen Mannes joggen auf dem Weg in der Natur. Folgen Sie\ndem Sportlertraining im Freien. Gesunder aktiver Lebensstil. Rückansicht.\naktiver athlet ausdauer bein beine bursche erwachsene folgen freien. frühherbstwald fuß füße gesund gesunder handeln herbst herz in form jog joggen jogger junge junger lauf laufen. läufer lebensstil. mann mannes männliche natur. niedrige sicht rennen rückansicht schnell schuh schuhe sport sportler sportlertraining sportlich trail training wald weg zeitlupe zusammenrücken


Unterallgäu: Den Unterallgäuer Bauern gehen die Betriebshelfer aus | Mindelheimer Zeitung\nUnterallgäu: Den Unterallgäuer Bauern gehen die Betriebshelfer aus\nDen Unterallgäuer Bauern gehen die Betriebshelfer aus\nWolfgang Moser hatte im April einen schweren Arbeitsunfall. Seitdem ist sein Knie lädiert und er kann nicht mehr auf dem Hof arbeiten. Betriebshelferin Anna Junginger springt für ihn ein und übernimmt seine Aufgaben.\nPlus Wenn Hofbesitzer außer Gefecht sind, brauchen die Tiere trotzdem Futter und die Arbeiten auf dem Hof müssen erledigt werden. Dafür gibt es Betriebshelfer. Diese werden im Unterallgäu aber immer weniger.\n„Wenn ich Glück habe, kann ich bis Weihnachten ohne Krücken gehen“, sagt Landwirt Wolfgang Moser aus Sontheim. Seit einem Unfall im April war er nicht mehr im Stall. Und bis er wieder auf dem Hof arbeiten kann, wird es noch eine ganze Weile dauern. Doch die Landwirtschaft muss trotzdem weiterlaufen. Genau dafür gibt es eine Lösung: Betriebshelferinnen und Betriebshelfer springen ein, wenn der Bauer oder die Bäuerin ausfällt. Das Problem: Diese Retter in der Not werden immer weniger.


Für alle Gruppen wurden folgende großzügige Gemeinschaftseinrichtungen umgesetzt :\nEin ca. 117 m2 großer Mehrzweckraum im Obergeschoß, im südlichen Teil des Gebäudes, der nicht nur für Sport bzw. Turnen zur Verfügung steht, sondern auch für gruppenübergreifende Aktivitäten.\nÜber das gesamte Obergeschoß verteilt, wurden 3 Bildungsräume als "Differenzierungsräume" umgesetzt, die allen Gruppen zur Verfügung stehen. Hier erfolgen in kleinen Gruppen besondere Aktivitäten (wie z.B. Experimentieren und Kreativer Unterricht).\nSowohl für das Frühstück als auch für das Mittagessen (bei Ganztagesbetreuung) wurden zwei Speiseräume eingeplant. Im Erdgeschoß ist es die Cafeteria als Nachbarraum mit direktem Zugang zur Küche, im Obergeschoß der nach Osten orientierte Treffpunkt zum Essen und Spielen.\nIn unmittelbaren Nähe zu den Gruppenräumen sind großzügige Spielflure angeordnet.\nDer ausreichend bemessene Personalraum befindet sich im Erdgeschoß, im südwestlichen Gebäudeteil. Dieser bietet 15 - 20 Betreuerinnen und Betreuern Platz, die zum Teil halbtags beschäftigt sind. 2-3 Personen werden als Küchenpersonal eingeplant. Diese bereiten in der Küche das Essen für die Kinder zu. Um eine hygienische Trennung zu gewährleisten, wird dem Küchenpersonal ein separates WC und zwei Umkleideräume mit Dusche zur Verfügung gestellt.\nDie Leitung der Kindertagesstätte mit einem Büroraum und Elternbesprechungsraum ist unweit des Eingangsbereiches angeordnet.\nUmnutzung Gewärbefläche zur Kindertagesstätte in Bad Homburg\nNutzungsänderung Gewerbefläche im EG + 1.OG zur Kindertagesstätte mit 3 Gruppenräumen für Kinder unter 3 Jahren und 3 Gruppenräumen für Kinder über 3 Jahren\nDie Aufgabenstellung dieser Baumaßnahme war die Umnutzung der Gewerbeflächen auf zwei Geschossebenen mit jeweils ca. 745 m² zur Kindertagesstätte. Um die Baukosten möglichst gering zu halten, wurde nur geringfügig in die Gebäudeausenhülle eingegrifen und die bestehenden Innenwandkonstruktionen in das Grundrisskonzept der Kindertagesstätte integriert.\nDie Eingangssituation blieb unverändert. Die Kindertagesstätte wird im Erdgeschoß auf der Ostseite über den Eingangsbereich und Windfang zentral erschlossen. Der sich anschliessende Flur und die innenliegende Bestandstreppe unweit des Haupteingangs dienen als Verteiler zu allen anliegenden Funktionsräumen.\nInsgesamt wurden auf zwei Etagen 6 großzügig gestaltete Gruppenräume, mit einer Durchschnittsgröße von ca. 50 m², für 111 Krippen- und Kindergartenkinder geplant.\nIm Erdgeschoß und Obergeschoß wurden jeweils 3 Gruppenräume in östlicher Orientierung geplant. Hier bietet die bestehende Fassade mit großzügigen Fensteröffnungen nicht nur in den Gruppenrämen für großzügige natürliche Belichtung. Im Erdgeschoß werden Krippenkinder bis 3 Jahre und im Obergeschoß Kindergartenkinder über 3 Jahre betreut.\nGeschoßweise wurde eine Trennung zwischen den Krippen- und Kindergartenkindern umgesetzt - es können jedoch Gemeinschaftseinrichtungen mitbenutzt werden.\nDie vertikale nutzungsinterne Erschließung der beiden Geschoße, erfolgt über eine neugeplante zweiläufige Stahlbetontreppe und einen behindertengerechten Aufzug.


Redispatch 2.0 | IBC SOLAR\nRedispatch 2.0 im Faktencheck\nAb dem 1. Oktober 2021 tritt eine Novelle des Netzausbau-Beschleunigungsgesetzes (NABEG 2.0) in Kraft. Mit dieser Novelle wird auch der Redispatch erweitert.\nDas neue Redispatch 2.0 bedeutet für Verteilnetzbetreiber (VNB) und Anlagenbetreiber eine deutliche Veränderung.\nWas ist der Unterschied zwischen Redispatch und Redispatch 2.0?\nDer Name Redispatch taucht schon länger im Zusammenhang mit Energieerzeugung auf. Bisher galt er nur für Anlagen über 10 Megawatt Leistung.\nDiese haben bei Schwankungen und Problemen im Netz einen erheblichen Einfluss auf die Stabilität der Netze und müssen somit für die Verteilnetzbetreiber steuerbar sein. Seit einiger Zeit ist nun eine Novelle des Netzausbau-Beschleunigungsgesetz für den 01. Oktober dieses Jahres bekannt, der das Thema Redispatch erheblich ausweitet.\nVom Redispatch 2.0 sind nun Erneuerbare-Energien-Anlagen ab 100 kW Leistung eingeschlossen. Hierbei handelt es sich um mehr als 80.000 Anlagen die nun Teil der Engpass-Behebung werden müssen.\nWas ändert sich beim Redispatch 2.0 für Verteilnetzbetreiber?\nMit der Einführung des Redispatch 2.0 durch die Bundesnetzagentur sind Verteilnetzbetreiber dazu verpflichtet, sich an der Engpass-Behebung der Netze zu beteiligen. Dieses soll einen wesentlichen Beitrag zur Systemstabilität leisten. Der Vorrang von Erneuerbare-Energien-Anlagen bei der Stromeinspeisung wird mit den neuen Regelungen erstmals relativiert, indem die vorrangige Einspeisung an Bedingungen geknüpft wird.\nFür die Steuerung im Hintergrund wurde das Projekt Connect+ ins Leben gerufen. Mehr als 70 Prozent der Verteilnetzbetreiber kommunizieren zukünftig mit den Anlagen über diese Schnittstelle, um die Anforderungen aus dem NABEG zu erfüllen. Connect+ stellt somit eine der drei neuen Rollen dar:\nData Provider, kurz DP\nDie Rollen des EIV und BTR sind äußerst komplex und in der Praxis für den Anlagenbetreiber im Regelfall nicht allein umsetzbar. Direktvermarkter wie IBC SOLAR Partner Interconnector greifen hier ein und übernehmen die Dienstleistungen für ihre Kunden. Für die Direktvermarktung ist in diesen Fällen ein Datenaustausch zwischen Direktvermarktung und der Anlage bereits gegeben.\nWas sind die Anforderungen der Redispatch Maßnahmen?\nDie Anforderungen mit dem Redispatch 2.0 sind für jede Anlage individuell zu betrachten. Ausschlaggebend ist die Aufforderung und Anforderung zur Umrüstung seitens des Verteilnetzbetreibers. Je nach Gegebenheit und Baujahr der Anlage können folgende Anforderungen anfallen:\nRein formelle Anforderungen (Meldung an VNB zu den Rollen EIV und BTR)\nMittlere Anpassung der Hardware (Austausch des alten Datenloggers)\nGrößere Anpassungen der Hardware (Austausch der Wechselrichter)\nWas gibt es beim Redispatch zusätzlich zu beachten?\nGenerell haben Verteilnetzbetreiber die Möglichkeit auch Anlagen unter 100 kW Leistung in die Maßnahmen zum Redispatch 2.0 aufzunehmen. Voraussetzung hierfür ist, dass die Anlagen bereits jetzt über Regelungstechnik (z.B. ein Rundsteuerempfänger) verfügen.\nViele Verteilnetzbetreiber signalisieren aber bereits diese Möglichkeit nicht auszuschöpfen, da die Wahrscheinlichkeit, Anlagen in dieser Leistungsklasse aktiv steuern zu müssen, als relativ gering bewertet wird.\nUnser Partner Interconnector hilft Ihnen bei der Erfüllung der Vorgaben von Redispatch 2.0 im Rahmen der Direktvermaktung ihres Solarstroms. Sie haben Interesse?\nHier geht es zu unserem Erlösrechner für Direktvermarktung\nFAQs Redispatch 2.0\nWann trifft der Redispatch 2.0 in Kraft und welche Fristen gibt es?\nDer offizielle Start des Redispatch 2.0 ist der 01.10.2021. Die ersten beiden Fristen hierzu sind bereits verstrichen. Bis zum 14.05.2021 musste dem Netzbetreiber der Einsatzverantwortliche (EIV) genannt werden. Bis zum 01.07.2021 war der Betreiber der technischen Ressource (BTR) zu übermitteln. Da viele Betreiber bis zu diesen Fristen jedoch noch kein Schreiben ihres Netzbetreibers vorliegen hatten, sind diese Fristen mit einem gewissen Spielraum zu verstehen.\nGibt es beim Redispatch einen Bestandschutz für Altanlagen, die zeitnah aus dem EEG fallen?\nEinen Bestandschutz gibt es im Fall Redispatch 2.0 leider nicht. Unabhängig davon, ob Ihre Anlage erst dieses Jahr errichtet wurde oder nächstes Jahr bereits ins zwanzigste Jahr geht, sind Sie dazu verpflichtet, den Anforderungen des Netzbetreibers nachzukommen.\nAlle Erneuerbaren-Energien-Anlagen sowie KWK-Anlagen über 100 kW Leistung sind verpflichtend in den Redispatch 2.0 einzubinden. Auf diese Anlagen kommen gegebenenfalls hohe Umrüstungskosten zu je nachdem, welche Hardware bereits verbaut ist und welche nachgerüstet werden muss. Netzbetreiber können jedoch auch Anlagen unter 100 kW in den Redispatch 2.0 und in die Steuerungsmaßnahmen aufnehmen, sofern sie bereits jetzt mit Technik ausgerüstet sind, die eine Regelung der Anlage erlauben.\nWelche Redispatch Kosten kommen auf mich als Anlagenbetreiber genau zu?\nEinen pauschalen Kostenvoranschlag kann leider nicht ermittelt werden. Je nach Forderung des Netzbetreibers an die Hardware und dem Alter der Anlage, schwanken die Kosten von wenigen hundert Euro bis hin zu einigen tausend Euro.\nWer übernimmt beim Redispatch die Rolle des Einsatzverantwortlichen (EIV) und dem Betreiber der technischen Ressource (BTR) für mich?\nDa die Rollen EIV und BTR für die meisten Anlagenbetreiber nicht selbst abbildbar sind, hat IBC SOLAR Partner Interconnector als Direktvermarkter für alle Kunden in der Direktvermarktung die beiden Rollen übernommen. Dies gilt auch für Anlagenbetreiber, die erst jetzt in die Direktvermarktung wechseln. Für Anlagen ohne Direktvermarktung übernimmt Interconnector keine der beiden Rollen.\nMit unserem Erlösrechner können Sie sowohl in die Direktvermarktung wechseln und gleichzeitig auf der sicheren Seite beim Thema Redispatch 2.0 sein.\nWo finde ich die gesetzlichen Grundlagen zum Thema Redispatch 2.0?\nDas Netzausbaubeschleunigungsgesetz (NABEG) sowie die Seite der Bundesnetzagentur (BNetzA) geben hier Auskunft.


SPFV mit hoher Pünktlichkeitsquote | Eisenbahnjournal Zughalt.de\n« MDV präsentiert neue App\nSchwieriger Start ins Jahrzehnt der Schiene »\nSPFV mit hoher Pünktlichkeitsquote\n20.07.20 (Fernverkehr) Autor:Stefan Hennigfeld\nDie DB Fernverkehr AG hat bekanntgegeben, dass die Pünktlichkeitswerte der SPFV-Züge im DB-Konzern im ersten Halbjahr 2020 so gut waren wie seit 2008 nicht mehr. 83,5 Prozent der Züge seien demnach pünktlich gewesen, d.h. sie haben ihr Ziel mit weniger als fünf Minuten Verspätung erreicht. Über mögliche Verspätungen an Zwischenbahnhöfen und auch über mögliche Anschlussverluste dadurch sagt das allerdings nichts aus.\nDennoch zeigt sich Bahnchef Richard Lutz zufrieden: „Unsere Strategie der Starken Schiene zeigt nach einem Jahr erste positive Wirkung. Mit Rekordinvestitionen in Infrastruktur und Fahrzeuge machen wir die Schiene robuster und schaffen die Voraussetzungen für mehr Kapazität.“ Im gleichen Zeitraum 2019 lag die Pünktlichkeit im DB-Fernverkehr bei 77,2 Prozent. Zur deutlich gestiegenen Pünktlichkeit hat natürlich auch die geringere Anzahl der Züge während der Corona-Krise beigetragen. So war die Schieneninfrastruktur ab März zum Teil erheblich weniger belastet.\nRichard Lutz: „Die letzten Monate haben eindrucksvoll gezeigt, dass die Strategie Starke Schiene und die vom Bund unterstützte Investitions- und Modernisierungsoffensive der richtige Weg sind. Der Ausbau der Infrastruktur ist nicht nur der Schlüssel für Wachstum und Verkehrsverlagerung, sondern auch der Garant für bessere Betriebsqualität und höhere Pünktlichkeit.“\nDeutliche Fortschritte sieht die DB dabei in zahlreichen Bereichen: besseres Management von Baustellen, weniger Störungen an der Infrastruktur sowie eine schnellere Instandsetzung von Zügen. Konkret sind unter anderem zu nennen: 28.000 Weichen sind im Netz mit Sensoren ausgerüstet worden, die vorzeitig erkennen, ob eine Weiche wegen eines drohenden Defektes zügig repariert werden muss.\n2019 wurden so 3.600 Störungen verhindert; der positive Trend setzt sich fort. Bauen und Fahren werden generell besser koordiniert. Ein spezielles Management gilt für besonders stark befahrene Strecken: Expertenteams betreuen vier Plankorridore, die auf die Pünktlichkeit im gesamten Schienennetz ausstrahlen. Rund 12,2 Milliarden Euro fließen allein in diesem Jahr in Erhalt und Ausbau von Netz, Bahnhöfen und Energieanlagen.\nAuch die fortlaufend verjüngte und modernisierte Fernverkehrsflotte ist ein Faktor für mehr Pünktlichkeit. Der ICE4 – mittlerweile sind 49 Züge im Einsatz – kann genauso wie die Intercity-Doppelstockzüge auf der Linie Dresden–Berlin–Rostock schneller beschleunigen und so Verspätungen leichter aufholen.\nGrößere Hallen, erweiterte Werkstätten sowie neue Behandlungs- und Abstellgleise sorgen dafür, dass die Züge schneller und besser instandgehalten und somit rascher zurück in den Betrieb geführt werden können. Rund eine halbe Milliarde Euro investiert die DB AG in die Instandhaltung ihrer Fernverkehrszüge. Dadurch können Störungen frühzeitig erkannt und vermieden werden – entsprechend unterbleiben längere Aufenthalte an Bahnhöfen und Reparatureinsätze.