Glen und Glenda - Veranstaltungen | Erotikforum.at\nForen > Offtopic > Veranstaltungen / Usertreffen >\nGlen und Glenda - Veranstaltungen\nDieses Thema im Forum "Veranstaltungen / Usertreffen" wurde erstellt von Glen_und_Glenda, 30. Dezember 2018.\nIm Kalender: 04.01.19, 08.01.19, 11.01.19, 15.01.19, 18.01.19, 22.01.19, 25.01.19, 29.01.19, 01.02.19, 05.02.19, 08.02.19, 12.02.19, 15.02.19, 19.02.19, 22.02.19, 26.02.19, 01.03.19, 05.03.19, 08.03.19, 12.03.19, 15.03.19, 19.03.19, 22.03.19, 26.03.19, 29.03.19, 02.04.19\nGlen & Glendas Vereinsabend - jeden Dienstag und Freitag\n22.02., 26.02., 01.03., 05.03., 08.03., 12.03., 15.03., 19.03., 22.03., 26.03., 29.03., 02.04. - im Vereinslokal\nKomm zu Glen & Glenda ins Vereinslokal in Wien.\nIn unserem Wohnzimmer treffen wir uns zum Tratsch und Austausch mit Cocktails von der Bar, wo du mit gleichgesinnten Personen aber auch unseren Freund_innen gemütlich Zeit verbringen kannst. Zudem überraschen wir mit kleinen Gerichten. Wir sind jeden Dienstag und Freitag von 19 bis 22 Uhr für dich da.\nBeachte bitte unsere themenbezogenen aktuellen Veranstaltungen:\nGlendas Schmink Work Shop - 01.03.2019\nGlen das G´schnas - 02.03.2019\nWenn du Fragen hast kannst du uns gerne eine Nachricht schreiben oder hier im Thread antworten.\nZuletzt von einem Moderator bearbeitet: 20. Februar 2019\nGlen_und_Glenda, 30. Dezember 2018\nUci, katharina_1979, Sabrina1205 und 7 anderen gefällt das.\n2. Januar 2019 #2\nPolyKink Aktives Mitglied\nObwohl es für mich persönlich kein Thema ist, finde ich das Ganze als eine gute Initiative!\nPolyKink, 2. Januar 2019\nlady_fist, frieda_tv, Glen_und_Glenda und einer weiteren Person gefällt das.\n3. Januar 2019 #3\nIch find das auch cool! Toll, dass ihr sowas macht!\nvienna-man, 3. Januar 2019\nGlendas Treffen im Motto\nDamit wir uns für den Regenbogenball gut einstimmen können, besuchen das Motto in der Schönbrunnerstrasse. Präsentieren wollen wir uns im Xtra Style - nach einem gemütlichen Abendessen geht es weiter in die Krugers Bar wo exzellente Cocktails und Zigarren für Ladys warten. Bitte melde dich so rasch wie möglich (11.1.19) an, damit wir uns einen schönen Tisch bestellen können.\nSchönbrunnerstrasse 30, 1050 Wien, Wien\nZuletzt von einem Moderator bearbeitet: 9. Januar 2019\nGlen_und_Glenda, 7. Januar 2019\n7. Januar 2019 #5\nGlendas Perücken Workshop\nSchön und gut gepflegtes Haar gehört zum Style einer gepflegten Frau! Daher wollen wir dir den Umgang mit Perücken näher bringen. in diesem Workshop zeigen wir dir, wie du deine Perücke am besten wäschst, behandelst, pflegst und stylst. Wir ersuchen um Anmeldung bzw. um Überweisung von € 25,- / Mitglieder erhalten einen Rabatt von 20%\n7. Januar 2019 #6\nSabrina1205 Aktives Mitglied\nAlso ich komme morgen wieder vorbei und morgen kann man dann auch besser reden eben wie ich mich am besten ehrenamtlich einbringen kann denn am liebsten arbeite ich am und mit dem Computer und da gibt es sicherlich noch etwas zu tun auch\nSabrina1205, 7. Januar 2019\nGlen_und_Glenda gefällt das.\n9. Januar 2019 #7\nich freu mich schon auf diesen freitag! hoffe wieder viele interessante menschen zu treffen\nSandraTV, 9. Januar 2019\nSabrina1205 gefällt das.\n11. Januar 2019 #8\nLeider kann ich heute am Freitag nicht zum Vereins Abend kommen was mir echt leid tut. Aber am Dienstag bin ich dann wieder hier.\nSabrina1205, 11. Januar 2019\n11. Januar 2019 #9\nZitat von Sabrina1205: ↑\nschade kommenden dienstag werd ich nicht dort sein; bin eher immer an freitagen dort.\nSandraTV, 11. Januar 2019\nGlen_und_Glenda und Sabrina1205 gefällt das.\n3. Februar 2019 #10\nSandraTV, 3. Februar 2019\n3. Februar 2019 #11\n3D - Dark - Deep - Devot ... Glenda auf abwegen .. nun wir wollen dich in eine andere Welt entführen - sei mal brav oder vielleicht doch lieber devot? ... schwarz ist deine Lieblingsfarbe - na dann warte nicht lang - präsentiere dich bei dunklen Klängen der Finsternis!! ... finde heraus was C-ten ist ... du hast es und willst es, dann bekommst du es!! ... Glenda freut sich dich anzutreffen!!!\n3. Februar 2019 #12\n3. Februar 2019 #13\nDu suchst Tipps & Tricks um dich schminken zu können oder\nvielleicht Grundlagen des Schminkens zu erlernen bzw. zu perfektionieren - dann bist du bei uns richtig - unsere Make Up Artistin zeigt dir wie es geht! Wir haben max. 8 Plätze für diesen Workshop - du willst dabei sein - dann melde dich an - Kosten € 90,-/ als Mitgled € 72,- ... warte nicht zu lange, einige Plätze sind bereits gebucht.\n3. Februar 2019 #14\nZitat von SandraTV: ↑\nDas ist genau meins denn ich bin ein Gothic Girl\nSabrina1205, 3. Februar 2019\nSandraTV gefällt das.\n8. Februar 2019 #15\nSissySonja Aktives Mitglied\nWürde mich freuen heute jemanden zu treffen.\nSissySonja, 8. Februar 2019\n8. Februar 2019 #16\nZitat von SissySonja: ↑\nAlso ich bin nächste Woche am Freitag dort denn da ist sozusagen ein Gothic Festl\nSabrina1205, 8. Februar 2019\n8. Februar 2019 #17\n8. Februar 2019 #18\nSandraTV, 8. Februar 2019\nSissySonja und Sabrina1205 gefällt das.\n20. Februar 2019 #19\nGlen_und_Glenda, 20. Februar 2019\n19. März 2019 #20\n3D! - Gib dich spielerisch und hingebungsvoll zu düsteren Klängen hin und zeig dich von deiner mystischen Seite. Du willst dich zurückziehen und dein devote Seite erkunden - kein Problem dazu haben wir einen Paravent aufgestellt. Wir freuen uns auf dich!n Eintritt sichern.\nGlen_und_Glenda, 19. März 2019


Aluminiumnitrid enthaltende einzelne und mehrlagige Beschichtungen. - Dokument DE69007938T2\nDokumentenidentifikation DE69007938T2 20.10.1994\nTitel Aluminiumnitrid enthaltende einzelne und mehrlagige Beschichtungen.\nErfinder Carpenter, Leslie Earl, Midland, MI, US\nDiese Erfindung betrifft keramische Beschichtungen, Verfahren zum Beschichten von Substraten und die auf diese Weise beschichteten Substrate, und sie betrifft insbesondere die Erzeugung von einschichtigen und mehrschichtigen, Aluminiumnitrid enthaltenden keramischen Beschichtungen auf verschiedenen Substraten bei niedriger Temperatur.\nEin erheblicher Nachteil von Verfahren nach dem Stand der Technik zur Erzeugung von dünnen Aluminiumnitridfilmen besteht darin, daß die Verfahren verhältnismäßig langsam ablaufen und daher ausgedehnte Zeiträume erforderlich sind, um Schichten mit Stärken selbst von 1 bis 10 Mikrometer aufzubauen. Weiterhin müssen viele Verfahren nach dem Stand der Technik bei sehr hohen Temperaturen durchgeführt werden, was die Verwendung von Brennöfen und/oder Vakuumapparaturen erfordert. Weiterhin machen diese Beschichtungsverfahren die Oberfläche des Substrats nicht eben, sondern bewirken nur eine konforme Abdeckung (conformal coverage) der Oberflächen des Substrats, wodurch diskontinuierliche oder dünne Stellen in der Beschichtung entstehen.\nDementsprechend besteht in der Technik ein Bedarf an einem einfachen, schnellen, bei niedriger Temperatur durchgeführten Verfahren zur Erzeugung von dünnen Filmen aus Aluminiumnitrid auf temperaturempfindlichen Substraten, wie elektronischen Vorrichtungen, entweder allein oder in Verbindung mit anderen schützenden Schichten.\nDie vorliegende Erfindung erfüllt dieses Bedürfnis, indem sie keramische oder keramikartige einschichtige, zwei- oder mehrschichtige Beschichtungen mit Aluminiumnitrid als eine der Schichten zur Verfügung stellt. Zu der vorliegenden Erfindung zählen weiterhin Verfahren zur Herstellung solcher Beschichtungen, die eben machende, passivierende und/oder hermetisch abschließende Sperrschichten auf temperaturempfindlichen Substraten, wie Halbleitern und elektronischen Vorrichtungen, darstellen. Die Beschichtungen nach der vorliegenden Erfindung können auch als funktionale Schichten in den elektronischen Vorrichtungen dienen.\nNach einem der Aspekte der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer aus Aluminiumnitrid bestehenden keramischen oder keramikartigen Beschichtung auf einem Substrat zur Verfügung gestellt, bei dem man das Substrat mit einer Flüssigkeit beschichtet, die ein Alkylaluminiumamid der Formel (R&sub2;AlNH&sub2;)&sub3; enthält, in der R einen Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeutet. Das Alkylaluminiumamid kann unverdünnt aufgebracht werden, wenn es flüssig ist, oder in einem organischen Lösungsmittel gelöst. Das organische Lösungsmittel ist vorteilhaft ein nicht reaktiver Kohlenwasserstoff.\nDie flüssige Beschichtung wird dann getrocknet, wodurch eine präkeramische Beschichtung auf dem Substrat erzeugt wird. Darauf folgt die Keramisierung der präkeramischen Beschichtung zu einer Aluminiumnitrid enthaltenden Keramik, indem die präkeramische Beschichtung auf eine Temperatur zwischen etwa 400 und etwa 1.000ºC in Gegenwart von Ammoniak erhitzt wird. Das Ammoniak kann entweder als reine Ammoniakatmosphäre vorhanden sein oder es kann in einer anderen, inerten Atmosphäre vorliegen, die vorteilhaft mindestens 10 Volumen-% Ammoniak enthält.\nDas flüssige Alkylaluminiumamid oder die das Alkylaluminiumamid enthaltende Lösung kann auf das Substrat mittels einer aus einer Reihe von üblichen Verfahren ausgewählten Methode, wie Sprühbeschichtung, Tauchbeschichtung, Fließbeschichtung oder Spin-Coating, auf das Substrat aufgebracht werden. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das Substrat eine elektronische Vorrichtung. Die Beschichtung wird vorteilhaft in einer Stärke von zwischen etwa 50 und etwa 500 Nanometer aufgebracht.\nDie vorliegende Erfindung betrifft auch Gegenstände, wie elektronische Vorrichtungen, die nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt wurden. Die elektronischen Vorrichtungen können eine Struktur haben, in der die nach dem Verfahren der vorliegenden Erfindung erzeugte Beschichtung entweder als ebenmachende Schicht, als passivierende Schicht oder als hermetisch abschließende Trennschicht dienen. Wenn die Schicht als ebenmachende Schicht dienen soll, ist die Beschichtung mit flüssigen Alkylaluminiumamiden besonders geeignet, unregelmäßige Stellen in der Oberfläche des Substrats auszufüllen und eben zu machen.\nBei einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zur Erzeugung einer mehrschichtigen keramischen oder keramikartigen Beschichtung auf einem Substrat zur Verfügung gestellt, bei dem man das Substrat mit einer ebenmachenden Beschichtung beschichtet, die eine Flüssigkeit mit einem Alkylaluminiumamid der Formel (R&sub2;AlNH&sub2;)&sub3; enthält, in der R einen Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeutet. Die flüssige Beschichtung wird dann getrocknet, wodurch eine präkeramische Beschichtung auf dem Substrat erzeugt wird. Darauf wird die präkeramische Beschichtung zu einer Aluminiumnitrid enthaltenden Keramik keramisiert, indem man die präkeramische Beschichtung in Gegenwart von Ammoniak auf eine Temperatur von zwischen etwa 400 und etwa 1.000ºC erhitzt, um die ebenmachende Beschichtung zu erzeugen.\nDann wird eine passivierende Beschichtung auf die ebenmachende Beschichtung aufgebracht, vorteilhaft durch chemisches Niederschlagen aus der Dampfphase (CVD) (chemical vapor deposition), durch Plasma-gefördertes chemisches Niederschlagen aus der Dampfphase (PECVD) oder durch Metallunterstützte CVD-Verfahren. Die passivierende Schicht kann ausgewählt werden aus der Gruppe, bestehend aus (i) Silicium und Stickstoff enthaltenden Beschichtungen, (ii) Silicium enthaltenden Beschichtungen und (iii) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Beschichtungen. Zum Schluß wird eine Silicium enthaltende Beschichtung auf die passivierende Beschichtung aufgebracht, indem man auf die passivierende Beschichtung eine Schutzbeschichtung aufbringt, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus (i) Silicium enthaltenden Beschichtungen, (ii) Silicium und Stickstoff enthaltenden Beschichtungen, (iii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Beschichtungen und (iv) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Beschichtungen, wodurch eine aus mehreren Schichten bestehende keramische oder keramikartige Beschichtung erzeugt wird.\nWenn die passivierende Beschichtung eine Silicium und Stickstoff enthaltende Beschichtung ist, wird sie vorteilhaft auf die ebenmachende Beschichtung nach einem Verfahren aufgebracht, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus (a) chemischem Niederschlagen von Silanen, Halogensilanen, Halogendisilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe aus der Dampfphase in Gegenwart von Ammoniak, (b) Plasma-gefördertem chemischem Niederschlagen von Silanen, Halogensilanen, Halogendisilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe aus der Dampfphase in Gegenwart von Ammoniak und (c) Keramisierung eines Silicium und Stickstoff enthaltenden Polymeren. Wenn die passivierende Beschichtung eine Silicium, Kohlenstoff und Stickstoff enthaltende Beschichtung ist, wird sie vorteilhaft auf die ebenmachende Beschichtung mittels eines Verfahrens aufgebracht, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus (1) chemischem Niederschlagen von Hexamethyldisilazan aus der Dampfphase, (2) Plasma-gefördertem chemischem Niederschlagen von Hexamethyldisilazan aus der Dampfphase, (3) chemischem Niederschlagen von Silanen, Halogensilanen, Halogendisilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe aus der Dampfphase in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans sowie weiterhin in Gegenwart von Ammoniak und (4) Plasma-gefördertem chemischem Niederschlagen von Silanen, Halogensilanen, Halogendisilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans sowie weiterhin in Gegenwart von Ammoniak. Wenn die passivierende Beschichtung eine Silicium und Kohlenstoff enthaltende Beschichtung ist, wird sie vorteilhaft nach einem Verfahren aufgebracht, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus (i) chemischem Niederschlagen eines Silans, Halogensilans, Halogenpolysilans oder eines Gemisches dieser Stoffe aus der Dampfphase in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans und (ii) Plasma-gefördertem chemischem Niederschlagen von Silanen, Alkylsilanen, Halogensilanen, Halogendisilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe aus der Dampfphase in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans.\nBei der Erzeugung der Schutzbeschichtung wird es im Falle einer Silicium enthaltenden Beschichtung bevorzugt, die Beschichtung auf die passivierende Beschichtung mittels eines Verfahrens aufzubringen, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus (a) chemischem Niederschlagen von Silanen, Halogensilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe aus der Dampfphase, (b) Plasma-gefördertem chemischem Niederschlagen von Silanen, Halogensilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe aus der Dampfphase und (c) Metall-unterstütztem chemischem Niederschlagen von Silanen, Halogensilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe. Wenn die schützende Beschichtung eine Silicium und Kohlenstoff enthaltende Beschichtung ist, wird sie vorteilhaft nach einem Verfahren aufgebracht, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus (1) chemischem Niederschlagen eines Silans, Alkylsilans, Halogensilans, Halogendisilans, Halogenpolysilans oder eines Gemisches dieser Stoffe in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans, (2) Plasmagefördertem chemischem Niederschlagen von Silanen, Alkylsilanen, Halogensilanen, Halogendisilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans. Wenn die schützende Beschichtung eine Silicium und Stickstoff enthaltende Beschichtung ist, wird sie vorteilhaft nach einem Verfahren aufgebracht, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus (A) chemischem Niederschlagen von Silanen, Halogensilanen, Halogendisilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe aus der Dampfphase in Gegenwart von Ammoniak, (B) Plasma-gefördertem chemischem Niederschlagen von Silanen, Halogensilanen, Halogendisilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe aus der Dampfphase in Gegenwart von Ammoniak und (C) Keramisieren eines Silicium und Stickstoff enthaltenden präkeramischen Polymeren. Wenn die schützende Beschichtung eine Silicium, Kohlenstoff und Stickstoff enthaltende Beschichtung ist, wird sie vorteilhaft aufgebracht nach einem Verfahren, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus (i) chemischem Niederschlagen von Hexamethyldisilazan aus der Dampfphase, (ii) Plasmagefördertem chemischem Niederschlagen von Hexamethyldisilazan aus der Dampfphase, (iii) chemischem Niederschlagen von Silanen, Alkylsilanen, Halogensilanen, Halogendisilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe aus der Dampfphase in Gegenwart eines Alkans mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans und weiterhin in Gegenwart von Ammoniak und (iv) Plasma-gefördertem chemischem Niederschlagen von Silanen, Alkylsilanen, Halogensilanen, Halogendisilanen, Halogenpolysilanen oder Gemischen dieser Stoffe aus der Dampfphase in Gegenwart eines Alkans mti 1 bis 6 Kohlenstoffatomen oder eines Alkylsilans sowie weiterhin in Gegenwart von Ammoniak.\nWie oben beschrieben kann das flüssige Alkylaluminiumamid oder das in einem Lösungsmittel gelöste Alkylaluminiumamid auf das Substrat nach einer Anzahl von üblichen Verfahren aufgebracht werden, einschließlich Sprühbeschichtung, Tauchbeschichtung, Flutbeschichtung und Spin-Beschichtung. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der mehrschichtigen Beschichtungen nach der Erfindung ist das Substrat eine elektronische Vorrichtung. Die ebenmachende Beschichtung aus Aluminiumnitrid hat vorzugsweise eine Stärke von zwischen etwa 50 und etwa 500 Nanometer. Die mehrschichtige Beschichtung nach der vorliegenden Erfindung kann sich auch auf Gegenstände beziehen, beispielsweise auf elektronische Vorrichtungen, die nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt wurden.\nBei einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird Aluminiumnitrid als passivierende Schicht einer ursprünglich aufgebrachten Schicht aus Siliciumdioxid enthaltendem kekamischem Material überlagert. Bei dieser Ausführungsform wird eine aus mehreren Schichten bestehende keramische oder keramikartige schützende Beschichtung auf das Substrat aufgebracht, indem man das Substrat anfänglich mit einer ebenmachenden Beschichtung aus einem Siliciumdioxid enthaltenden keramischen oder keramikartigen Gemisch versieht. Dann wird eine passivierende Beschichtung, die eine ein Alkylaluminiumamid der Formel (R&sub2;AlNH&sub2;)&sub3;, in der R einen Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeutet, enthaltende Flüssigkeit umfaßt, auf die ebenmachende Beschichtung aufgebracht.\nDie Flüssigkeit wird dann getrocknet, wodurch eine präkeramische Beschichtung entsteht, die dann zu einer Aluminiumnitrid enthaltenden Keramik keramisiert wird, indem man die präkeramische Beschichtung auf eine Temperatur von zwischen etwa 400 und etwa 1.000ºC in Gegenwart von Ammoniak erhitzt, so daß die passivierende Beschichtung entsteht. Auf die passivierende Beschichtung wird dann eine schützende Beschichtung aufgebracht, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus (i) Silicium enthaltenden Beschichtungen, (ii) Silicium und Stickstoff enthaltenden Beschichtungen, (iii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Beschichtungen und (iv) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Beschichtungen, wodurch eine aus mehreren Schichten bestehende keramische oder keramikartige Beschichtung auf dem Substrat erzeugt wird.\nDie ebenmachende Beschichtung aus einem Siliciumdioxid enthaltenden keramischen oder keramikartigen Material wird vorteilhaft auf das Substrat nach einem Verfahren aufgebracht, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus (a) Aufbringen eines Hydrogensilsesquioxanharzes aus einer Lösung in einem Lösungsmittel, mit oder ohne Katalysator, Trocknen und Keramisieren, (b) Aufbringen eines Gemisches aus einem Hydrogensilsesquioxanharz und einem oder mehreren Metalloxiden aus einer Lösung in einem Lösungsmittel, mit oder ohne Katalysator, Trocknen und Keramisieren, (c) Aufbringen eines Silikatesters aus einer Lösung in einem Lösungsmittel, Trocknen und Keramisieren, (d) Aufbringen eines Gemisches aus einem Silikatester und einem oder mehreren Metalloxiden aus einer Lösung in einem Lösungsmittel, Trocknen und Keramisieren, (e) Aufbringen eines nitridierten Hydrogensilsesquioxanharzes aus einer Lösung in einem Lösungsmittel mit oder ohne Katalysator, Trocknen und Keramisieren und (f) Aufbringen eines Gemisches aus einem nitridierten Hydrogensilsesquioxanharz und einem oder mehreren Metalloxiden aus einer Lösung in einem Lösungsmittel, mit oder ohne Katalysator, Trocknen und Keramisieren.\nBei einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann das Aluminiumnitrid als oberste, hermetisch abschließende Sperrschicht zuvor aufgebrachten ebenmachenden und/- oder passivierenden Beschichtungen überlagert werden. Wenn das Aluminiumnitrid als Sperrschicht dienen soll, wird es vorteilhaft chemisch aus der Dampfphase niedergeschlagen, um eine dichte Beschichtung zu erzeugen. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung wird eine aus mehreren Schichten bestehende keramische oder keramikartige schützende Beschichtung auf einem Substrat erzeugt, indem man das Substrat anfänglich mit einer ebenmachenden Beschichtung aus einem Siliciumdioxid enthaltenden keramischen oder keramikartigen Gemisch versieht.\nAuf die eben machende Beschichtung wird eine passivierende Beschichtung aufgebracht, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus (i) Silicium und Stickstoff enthaltenden Beschichtungen, (ii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Beschichtungen und (iii) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Beschichtungen. Darauf wird eine schützende Sperrschicht aus Aluminiumnitrid durch chemisches Niederschlagen eines präkeramischen Gemisches, enthaltend ein Alkylaluminiumamid der Formel (R&sub2;AlNH&sub2;)&sub3;, in der R einen Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeutet, bei einer Temperatur von zwischen etwa 400 und etwa 1.000ºC aus der Dampfphase erzeugt. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung finden die Pyrolyse und die Keramisierung statt, während die Beschichtung niedergeschlagen wird.\nBei einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird eine Schicht aus Aluminiumnitrid zwischen Schichten aus Silicium, Silicium und Kohlenstoff, Silicium und Stickstoff oder Silicium, Kohlenstoff und Stickstoff enthaltenden Materialien angeordnet. Bei diesem Verfahren wird eine aus mehreren Schichten bestehende keramische oder keramikartige schützende Beschichtung auf einem Substrat erzeugt, indem das Substrat mit einer ersten Beschichtung aus einem keramischen oder keramikartigen Material beschichtet wird, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus (i) Silicium und Stickstoff enthaltenden Beschichtungen, (ii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Beschichtungen und (iii) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Beschichtungen.\nDanach wird eine passivierende Schicht auf die ebenmachende Schicht aufgebracht, indem eine ein Alkalyaluminiumamid der Formel (R&sub2;AlNH&sub2;)&sub3; in der R einen Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bezeichnet, aufgebracht wird, die Flüssigkeit getrocknet wird, so daß eine präkeramische Schicht auf dem Substrat entsteht, die dann zu einer Aluminiumnitrid enthaltenden Keramik keramisiert wird, indem die präkeramische Schicht auf eine Temperatur von zwischen etwa 400 und etwa 1.000ºC in Gegenwart von Ammoniak erhitzt wird, so daß die passivierende Schicht entsteht.\nZum Schluß wird eine schützende Schicht aufgebracht, die ausgewahlt wird aus der Gruppe, bestehend aus (i) Silicium enthaltenden Schicht, (ii) Silicium und Stickstoff enthaltenden Schicht, (iii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Schicht und (iv) Silicium, Kohlenstoff und Stickstoff enthaltenden Schichten, wodurch eine aus mehreren Schichten bestehende keramische oder keramikartige Beschichtung auf dem Substrat erzeugt wird.\nBei noch einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zur Erzeugung einer aus zwei Schichten bestehenden keramischen oder keramikartigen Beschichtung auf einem Substrat zur Verfügung gestellt, bei dem man das Substrat mit einer ebenmachenden Schicht versieht, die eine ein Alkylaluminiumamid der Formel (R&sub2;AlNH&sub2;)&sub3;, in der R einen Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeutet, enthaltende Flüssigkeit umfaßt. Die Flüssigkeit wird dann getrocknet, so daß eine präkeramische Schicht auf dem Substrat verbleibt. Die präkeramische Schicht wird dann zu einer Aluminiumnitrid enthaltenden Keramik keramisiert, indem man die präkeramische Schicht auf eine Temperatur von zwischen etwa 400 und etwa 1.000ºC in Gegenwart von Ammoniak erhitzt, so daß eine ebenmachende Schicht entsteht.\nDann wird eine passivierende Schicht auf die ebenmachende Schicht aufgebracht. Die passivierende Schicht wird vorteilhaft ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus (i) Silicium und Stickstoff enthaltenden Schichten und (ii) Silicium enthaltenden Schichten, wodurch eine aus zwei Schichten bestehende keramische oder keramikartige Beschichtung erzeugt wird.\nWie zuvor beschrieben, kann die flüssige Lösung eines Alkylaluminiumamids auf das Substrat nach einer Anzahl von üblichen Verfahren aufgebracht werden, einschließlich Sprühbeschichtung, Tauchbeschichtung, Flutbeschichtung oder Spin-Beschichtung. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der aus zwei Schichten bestehenden Beschichtungen nach der Erfindung ist das Substrat eine elektronische Vorrichtung. Vorteilhaft weist die ebenmachende Schicht eine Stärke von zwischen etwa 50 und etwa 500 Nanometer auf. Die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit zwei Schichten bezieht sich auch auf Gegenstände, wie elektronische Vorrichtungen, die nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt wurden.\nBei noch einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer aus zwei Schichten bestehenden keramischen oder keramikartigen Schutzbeschichtung auf einem Substrat zur Verfügung gestellt, bei dem man das Substrat mit einer ebenmachenden Schicht aus einem Siliciumdioxid enthaltenden keramischen oder keramikartigen Gemisch überzieht. Dann wird eine Schutzschicht aus Aluminiumnitrid durch chemisches Niederschlagen aus der Dampfphase eines präkeramischen Gemisches, enthaltend ein Alkylaluminiumamid der Formel (R&sub2;AlNH&sub2;)&sub3;, in der R einen Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeutet, bei einer Temperatur von zwischen etwa 400 und etwa 1.000ºC in Gegenwart von Ammoniak erzeugt. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung finden die Pyrolyse und die Keramisierung der Aluminiumnitrid enthaltenden Beschichtung während des Niederschlagens statt.\nBei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zur Erzeugung einer aus zwei Schichten bestehenden keramischen oder keramikartigen schützenden Beschichtung auf einem Substrat zur Verfügung gestellt, bei dem man das Substrat zunächst mit einer Schicht aus einem keramischen oder keramikartigen Gemisch versieht, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus (i) Silicium und Stickstoff enthaltenden Schichten, (ii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Schichten und (iii) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Schichten. Dann wird eine Schutzschicht aus Aluminiumnitrid auf die ebenmachende Schicht aufgebracht, indem ein ein Alkylaluminiumamid der Formel (R&sub2;AlNH&sub2;)&sub3;, in der R einen Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeutet, enthaltendes präkeramisches Gemisch bei einer Temperatur von zwischen etwa 400 und etwa 1.000ºC in Gegenwart von Ammoniak aus der Dampfphase niedergeschlagen wird, so daß die schützende Beschichtung entsteht.\nDementsprechend ist es ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung, eine keramische oder keramikartige Aluminiumnitrid-Beschichtung zur Verfügung zu stellen, allein oder in Verbindung mit anderen keramischen oder keramikartigen Schichten, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung, das ebenmachende, passivierende und/oder als Sperr- oder Barriereschicht dienende schützende Beschichtungen auf empfindlichen Substraten, wie elektronischen Vorrichtungen, erzeugt. Diese und andere Gegenstände und Vorzüge der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung und den beigefügten Patentansprüchen deutlich werden.\nDie vorliegende Erfindung verwendet eine Flüssigkeit, die einen Vorläuferstoff für Aluminiumnitrid enthält, allein oder in Verbindung mit Silicium enthaltenden keramischen Materialien, zur Erzeugung von eben machenden, passivierenden, schützenden und/oder funktionalen Beschichtungen auf Substraten. Die vorliegende Erfindung ist besonders nützlich zur Erzeugung einer einzelnen Schutzschicht oder einer Beschichtung aus mehreren Schichten auf hitzeempfindlichen Substraten, wie elektronischen Vorrichtungen und Schaltkreisen. Dies wird bewirkt, indem man die Oberfläche des Substrates mit einer Flüssigkeit beschichtet, die ein Alkylaluminiumamid enthält, und dann die Beschichtung in Gegenwart von Ammoniak erhitzt, um die Beschichtung zu keramisieren. Die Auswahl der nach der vorliegenden Erfindung zu beschichtenden Substrate wird nur durch die Notwendigkeit einer thermischen und chemischen Stabilität der Substrate während des Keramisierungsverfahrens begrenzt. Die Beschichtungen nach der vorliegenden Erfindung sind nicht nur als Beschichtungen zum Schutz von elektronischen Vorrichtungen gegenüber der Umgebung brauchbar, sondern auch als Schutzbeschichtungen auf anderen hitzeempfindlichen nichtmetallischen Substraten. Die Beschichtungen können auch als dielektrische Schichten, dotierte dielektrische Schichten (doped dielectric layers) zur Herstellung von transistorartigen Vorrichtungen, mit Pigmenten gefüllte, Silicium enthaltende Bindersysteme zur Erzeugung von Kondensatoren und kondensatorartigen Vorrichtungen, mehrschichtige Vorrichtungen (multilayer devices), 3-D-Vorrichtungen, Siliciumauf-Isolator-(SOI)-Vorrichtungen, Supergitter-Vorrichtungen (super lattice devices) u.ä. dienen.\nIm Sinne der vorliegenden Erfindung bezieht sich der Ausdruck "keramikartig" auf diejenigen pyrolysierten Materialien, die nicht völlig frei von restlichem Kohlenstoff und/oder Wasserstoff sind, aber in ihrem Charakter anderweitig keramisch sind. Weiterhin bedeuten die Ausdrücke "elektronische Vorrichtung" und "elektronischer Schaltkreis" unter anderem, aber nicht limitierend, Vorrichtungen und Schaltkreise, wie Vorrichtungen auf Basis von Silicium, Vorrichtungen auf Basis von Galliumarsenid, focal plane arrays, opto-elektronische Vorrichtungen, photovoltaische Zellen, optische Vorrichtungen, dielektrische Schichten, dotierte dielektrische Schichten zur Herstellung von transistorartigen Vorrichtungen, mit Pigmenten gefüllte, Silicium enthaltende Bindersysteme zur Herstellung von Kondensatoren und kondensatorartigen Vorrichtungen, mehrschichtige Vorrichtungen, 3-D-Vorrichtungen, Silicium-auf-Isolator-Vorrichtungen (silicon-on-insulator devices) und Supergitter-Vorrichtungen.\nNach der vorliegenden Erfindung kann eine Aluminiumnitrid enthaltende Beschichtung hergestellt werden, entweder als anfängliche, ebenmachende Schicht, als Zwischenschicht oder als Deckschicht in einer zwei oder mehrere Schichten umfassenden Beschichtung. Ein bevorzugtes Verfahren zum Aufbringen des Aluminiumnitrids besteht darin, daß man eine Flüssigkeit aufbringt, die ein Alkylaluminiumamid der Formel (R&sub2;AlNH&sub2;)&sub3; enthält, in der R einen Alkyrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeutet. Wenn R für Ethyl steht, liegt flüssiges Diethylaluminiumamid vor, das als solches aufgebracht werden kann, ohne daß ein Lösungsmittel benötigt wird.\nBei anderen Alkylaluminiumamiden wird es bevorzugt, daß sie in einem nicht reaktiven Kohlenwasserstoff, wie Toluol oder Heptan, als Lösungsmittel gelöst werden. Die Konzentration des Alkylaluminiumamids im Lösungsmittel liegt vorteilhaft zwischen etwa 10 und 99,9 %. Die Verwendung eine Lösungsmittels erlaubt es, die Viskosität des Alkylaluminiumamids zu regeln, was die Stärke der entstehenden Beschichtung beeinflußt. Schichtdicken zwischen etwa 50 und etwa 500 Nanometer werden bevorzugt.\nDie in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendeten Alkylaluminiumamide können hergestellt werden, indem man die entsprechende Alkylaluminium-Verbindung, wie Trialkylaluminium (R&sub3;Al) nach den Lehren von E. Wiberg in G. Bahr, FIAT Review of German Science, Vol. 24 Inorganic Chemistry, Teil 2, W. Klemm ed. (1948), Seite 155, oder Interrante et al. "Studies of Organometallic Precursors to Aluminium Nitride" Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 73 Better Ceram.bis Chem. 2, Seiten 359-66 (1986), mit Ammoniak umsetzt.\nDie präkeramische Flüssigkeit bringt man mit oder ohne Lösungsmittel auf das Substrat auf und läßt gegebenenfalls das Lösungsmittel bei Umgebungstemperaturen verdampfen. Die präkeramische Beschichtung kann nach einer Anzahl von üblichen Verfahren, einschließlich von, aber nicht begrenzt auf Spin-Beschichtung, Tauchbeschichtung, Sprühbeschichtung oder Flutbeschichtung, aufgebracht werden. Wenn Spin-Beschichtung angewandt wird, beeinflußt die Rotationsgeschwindigkeit (the speed at which the coating is spun) die Stärke der gebildeten Beschichtung. Es sollte verstanden werden, daß die Beschichtung durch mehrfache Anwendung von flüssigen Lösungen entweder vor der Keramisierung oder mit Keramisierung vor jeder weiteren Anwendung gebildet werden kann.\nAuf diese Weise wird eine ebenmachende präkeramische Beschichtung aufgebracht, die dann keramisiert werden kann, indem sie bei einer Temperatur von zwischen etwa 400 und etwa 1.000ºC einer Ammoniak enthaltenden Atmosphäre ausgesetzt wird. Es ist gefunden worden, daß sich am unteren Ende dieses Bereiches amorphes Aluminiumnitrid bildet, während am oberen Ende des Bereiches kristallines Aluminiumnitrid entsteht. Die Atmosphäre kann reines Ammoniak sein oder eine andere, inerte Atmosphäre, die von etwa 10 bis etwa 100 Vol.-% Ammoniak enthält.\nDie so erzeugte ebenmachende Beschichtung aus Aluminiumnitrid kann dann mit einer oder mehreren zusätzlichen keramischen oder keramikartigen Beschichtungen versehen werden, die als passivierende Schichten, Sperrschichten gegenüber Diffusion, abriebbeständige Schutzschichten oder ähnlich fungieren können. Diese zusätzlichen Schichten bewirken auch eine Widerstandsfähigkeit gegenüber ionischen Verunreinigungen, wie Chloriden. Diese zusätzlichen Schichten können Silicium, Silicium und Kohlenstoff, Silicium und Sauerstoff, Silicium und Stickstoff sowie Silicium, Kohlenstoff und Stickstoff enthalten. Sie können durch chemisches Niederschlagen aus der Dampfphase, durch Plasma-gefördertes chemisches Niederschlagen aus der Dampfphase, durch Metall-unterstütztes chemisches Niederschlagen aus der Dampfphase oder andere Verfahren erzeugt werden.\nAlternativ kann die Schicht aus Aluminiumnitrid selbst einer ersten ebenmachenden Schicht aus einer anderen Keramik überlagert werden und eine passivierende oder sperrende Zwischenschicht bilden. Wenn die Aluminiumnitrid- Schicht als Sperrschicht oder schützende Deckschicht dienen soll, wird es bevorzugt, daß sie durch chemisches Niederschlagen aus der Dampfphase erzeugt wird, wie es in dem oben erwähnten Artikel von Interrante beschrieben ist.\nBei Verwendung von Silicium und Stickstoff enthaltenden Beschichtungen sind präkeramische Silicium und Stickstoff enthaltende Polymere, die zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung geeignet sind, in der Technik gut bekannt und schließen Silazane, Disilazane, Polysilazane und zyklische Silazane ein. Andere brauchbare Materialien sind beschrieben von Haluska et al., U.S.-Patente Nrn. 4,822,697; 4,756,977; 4,749,631; 4,753,855; 4,753,856 und 4,808,653. Solche präkeramischen Polymeren müssen bei erhöhten Temperaturen in ein keramisches oder keramikartiges Material umgewandelt werden können.\nEine Beschichtung aus präkeramischen, Silicium und Stickstoff enthaltenden Polymeren kann aufgebracht werden, indem man zunächst die Polymeren in einem organischen Lösungsmittel, wie n-Heptan oder Toluol, löst und auf einen niedrigen Feststoffgehalt (d.h. 0,1 bis 10,0 Gewichts-%) einstellt. Die Lösung des Polymeren wird dann auf die Oberfläche von zuvor auf das Substrat aufgebrachten Schichten aufgebracht, und zwar nach beliebigen geeigneten üblichen Techniken, wie Spin-Beschichtung, Tauchbeschichtung, Sprühbeschichtung oder Flutbeschichtung, wonach man das Lösungsmittel verdampfen läßt. Die so aufgebrachte präkeramische Schicht wird dann durch Erhitzen keramisiert. Dünne keramische oder keramikartige Schichten mit einer Stärke von zwischen etwa 1 und etwa 1.500 Nanometer können auf diese Weise erzeugt werden.\nEine Schicht aus dem präkeramischen, Silicium und Sauerstoff enthaltenden Polymeren kann aufgebracht werden, indem man ein Hydrogensilsesquioxanharz (HSiO3/2)n verwendet, das mit einem Lösungsmittel, wie n-Heptan oder Toluol, so verdünnt wird, daß die Konzentration des Hydrogensilsesquioxans in der Lösung von etwa 0,1 bis etwa 10,0 Gew.-% beträgt. Das Hydrogensilsesquioxanharz kann nach den Lehren von Frye et al., U.S.-Patent Nr. 3,615,272 und Frye et al., J. Am. Chem. Soc., 92, Seite 586 (1970) hergestellt werden. Die Lösung des präkeramischen Materials wird auf ein Substrat aufgebracht, und man läßt das Lösungsmittel durch Trocknen bei Umgebungstemperaturen verdampfen. Die präkeramische Schicht kann nach jedem einer Anzahl von üblichen Verfahren aufgebracht werden, einschließlich von, aber nicht beschränkt auf, Spin- Beschichtung, Tauchbeschichtung, Sprühbeschichtung oder Flutbeschichtung. Die Keramisierung der Schicht bei erhöhten Temperaturen erzeugt eine Siliciumdioxid enthaltende Schicht. Alternativ kann das in einem Lösungsmittel gelöste Hydrogensilsesquioxanharz auch einen Katalysator, wie Platin oder Rhodium, enthalten. Weiterhin kann ein Gemisch aus einem Hydrogensilsesquioxanharz, in einem Lösungsmittel gelöstund einem oder mehreren Metalloxiden, mit oder ohne Katalysator, nach den von Haluska et al. gelehrten und zuvor diskutierten Verfahren aufgebracht werden. Bei einer anderen Ausführungsform kann ein Silikatester, in einem Lösungsmittel gelöst, oder ein Gemisch aus einem Silikatester, in einem Lösungsmittel gelöst, und einem oder mehreren Metalloxiden nach den von Haluska et al. beschriebenen Verfahren aufgebracht werden.\nNach einer noch anderen Ausführungsform kann die Bildung einer nitridierten Schicht dadurch bewirkt werden, daß ein Hydrogensilsesquioxanharz oder ein Gemisch aus einem Hydrogensilsesquioxanharz und einem oder mehreren Metalloxiden aus einer Lösung in einem Lösungsmittel, mit oder ohne Katalysator, aufgebracht wird, danach getrocknet und in einer Ammoniak enthaltenden Atmosphäre keramisiert wird. All diese Verfahren sind in den oben erwähnten Patenten von Haluska et al. beschrieben.\nAlternativ können chemisches Niederschlagen aus der Dampfphase Plasma-unterstütztes chemisches Niederschlagen aus der Dampfphase und Metall-unterstütztes chemisches Niederschlagen aus der Dampfphase verwendet werden, um die erste und die folgenden Schichten von Beschichtungen auf Substratmaterialien aufzubringen. So können Silicium, Silicium und Kohlenstoff, Silicium und Stickstoff sowie Silicium, Kohlenstoff und Stickstoff enthaltende Beschichtungen nach diesen Verfahren aufgebracht werden. Ein bevorzugtes Verfahren zum Aufbringen von Silicium enthaltenden Deckschichten bei verhältnismäßig niedriger Temperatur ist das Metall-unterstützte chemische Niederschlagen aus der Dampfphase, das von Varaprath, U.S.- Patent Nr. 4,696,934, erteilt am 29. September 1987, mit dem Titel "Silicon-containing Coatings and a Method for Their Preparation" beschrieben wurde. Die hohen Temperaturen bei üblichen Verfahren zum chemischen Niederschlagen aus der Dampfphase können die Arten von Substraten begrenzen, die beschichtet werden können. Beispielsweise sollten elektronische Vorrichtungen, die Temperaturen oberhalb von 400ºC nicht ohne Schaden vertragen, nach anderen Verfahren als dem üblichen chemischen Niederschlagen aus der Dampfphase beschichtet werden.\nAuf die folgenden Beispiele wird Bezug genommen, damit die Erfindung besser verstanden werden kann.\nDiethylaluminiumamid, (Et&sub2;AlNH&sub2;)&sub3;, wurde in einem Reaktionsgefäß, das sich in einer Handschuhbox (glove box) befand, nach dem zuvor diskutierten Verfahren von Wiberg hergestellt. In einem 1-Liter-Reaktionsgefäß mit Gaseinleitungsrohr, Thermometer und Magnetrührer wurden 75 ml Triethylaluminium (Aldrich, 62,6 g, 0,55 Mol) und 300 ml Toluol (destilliert über CaH&sub2;) vorgelegt. Unter Rühren wurde Ammoniak durch das Gemisch geleitet. Während der Zugabe des Ammoniaks stieg die Temperatur des Gemisches auf 80ºC an. Die Zufuhr von Ammoniak wurde fortgesetzt, bis die Temperatur auf Umgebungstemperatur abgesunken war, wobei sichergestellt wurde, daß ein Überschuß an Ammoniak zugeführt wurde. Das Toluol wurde dann im Vakuum entfernt, und man erhielt 59,74 g einer klaren, farblosen Flüssigkeit, die als Diethylaluminiumamid (Et&sub2;AlNH&sub2;)&sub3; identifiziert wurde.\nIn der Handschuhbox wurden 8 g des nach Beispiel 1 erzeugten Diethylaluminiumamids in ein Verbrennungsschiffchen verbracht. Das Schiffchen wurde dann in ein Pyrolyserohr gelegt, und ein Ammoniakstrom wurde langsam durch das Rohr geleitet. Die Temperatur des Rohres wurde mit einer Geschwindigkeit von 5ºC/Min. auf 400ºC erhöht. Diese Temperatur des Rohres wurde 3 Stunden konstant gehalten und dann unter Durchleiten eines Argon-Stroms auf Umgebungstemperatur abgesenkt. Es war ein keramisches, pulverförmiges Aluminiumnitrid entstanden. Proben des Pyrolysats wurden auf ihren Gehalt an C, H, N und O analysiert. Die folgenden Ergebnisse wurden erhalten:\nDimethylaluminiumamid (Me&sub2;AlNH&sub2;)&sub3; wurde in der Handschuhbox in demselben Reaktionsgefäß synthetisiert, indem 60 ml Trimethylaluminium (Aldrich, 45,12 g, 0,626 Mol) und 500 ml frisch getrocknetes Toluol vorgelegt wurden. Unter Rühren wurde Ammoniak durch die Lösung geleitet. Die Zufuhr von Ammoniak verursachte einen Temperaturanstieg im Reaktionsgefäß auf 74ºC. Die Zugabe von Ammoniak wurde fortgesetzt, bis die Temperatur im Reaktionsgefäß auf Umgebungstemperatur abgesunken war. Das Toluol wurde im Vakuum entfernt, und es verblieben 38,28 g eines weißen Feststoffs, der als Dimethylaluminiumamid (Me&sub2;ALNH&sub2;)&sub3; identifiziert wurde.\nDie Wirksamkeit von einschichtigen und zweischichtigen Beschichtungen aus Aluminiumnitrid, hergestellt nach der Praxis der vorliegenden Erfindung, für den Schutz von elektronischen Vorrichtungen gegenüber Umwelteinwirkungen wurde geprüft. Die untersuchten elektronischen Vorrichtungen waren Motorola 14011B CMOS-Vorrichtungen in keramischen Packungen (ceramic packages), wobei die Deckel (lids) entfernt wurden, um die Vorrichtungen zu exponieren. Die Vorrichtungen wurden beschichtet, wie im folgenden im einzelnen beschrieben wird, und dann kontinuierlich einem Salzsprühtest unterworfen.\nDer Salzsprühtest der Vorrichtungen wurde nach der Vorschrift MIL-STD-883C, Verfahren 1009.6 durchgeführt. Eine Salzsprühkammer von Associated Environmental Systems wurde verwendet und mit ordnungsgemäßer Entlüftung und Flüssigkeitsabzug, einem Vorratsbehälter für Salzwasser sowie mit Düsen und Druckluft für das Versprühen der Salzwasser-Lösung ausgerüstet. Weiterhin wurden die Temperatur und die Luftfeuchtigkeit in der Kammer geregelt. Der Vorratsbehälter wurde mit einer 0,5 Gew.-% Lösung von Natriumchlorid in entsalztem Wasser beschickt.\nDie einzelnen beschichteten und (zur Kontrolle) unbeschichteten Vorrichtungen wurden auf einem mit Teflon (Warenzeichen von du Pont) beschichteten Gestell angeordnet, das die Vorrichtungen mit ihren aktiven Oberflächen aufwärts in einer um 15º von der senkrechten Orientierung ihrer jeweiligen Längsachsen hielt.\nDie Vorrichtungen wurde in Abständen von 24 Stunden geprüft, um ihre Funktionstüchtigkeit festzustellen. Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 weiter unten angegeben. Die angegebenen Stunden bis zum Versagen stellen das letzte gemessene Intervall dar, d.h. das Intervall, in dem die Vorrichtung versagte. Das bedeutet, daß eine Zeit für das Versagen von 48 Stunden bedeutet, daß die Vorrichtung irgendwann zwischen der 24. und der 48. Stunde versagte. Zur Kontrolle wurden 8 derselben, ungeschützten CMOS-Vorrichtungen denselben Salzsprühbedingungen unterworfen. Alle diese Vorrichtungen versagten innerhalb der ersten zwei Stunden des Tests.\nAcht Vorrichtungen wurden mit einer einzelnen Schicht aus Aluminiumnitrid beschichtet unter Verwendung von flüssigen Lösungen von Diethylaluminiumamid (Et&sub2;AlNH&sub2;)3 in Toluol. Zwei Vorrichtungen mit den Nummern 11 und 12 wurden mit einer 10% Lösung von Diethylaluminiumamid beschichtet; zwei mit den Nummern 13 und 14 mit einer 20% Lösung; zwei mit den Nummern 15 und 16 mit einer 30% Lösung und zwei mit den Nummern 19 und 20 mit einer 50% Lösung. Die Vorrichtung 20 hatte zusätzlich eine zweite Schicht von a-Si über der Aluminiumnitrid-Schicht.\nDie Diethylaluminiumamid-Lösung wurde durch Spin-Beschichtung aufgebracht, und zwar mit einer Rotationsgeschwindigkeit (spin speed) von 3.000 rpm und 30 Sekunden lang. Die Vorrichtungen und die Beschichtung wurden durch Erhitzen auf 400ºC in einem schwachen Ammoniakstrom und mit einer Erhitzungsgeschwindigkeit von 5ºC pro Minute pyrolisiert. Die Vorrichtungen wurden 2 Stunden unter Ammoniak auf 400ºC gehalten und dann in einem schwachen Argonstrom auf Raumtemperatur abgekühlt.\nDie Vorrichtung 20 wies eine zweite Schicht auf, die durch chemisches Niederschlagen von F&sub3;SiSiF&sub3; aus der Dampfphase aufgebracht worden war. Alle Vorrichtungen waren nach der Beschichtung funktionstüchtig. Wie aus der Tabelle ersichtlich, versagte eine Vorrichtung (14) innerhalb der ersten 24 Stunden, eine Vorrichtung (13) versagte zwischen 48 und 72 Stunden, und der Rest versagte zwischen 24 und 48 Stunden.\nWeitere zehn CMOS-Vorrichtungen wurden zuerst mit einer 15% Lösung eines Hydrogensilsesquioxanharzes in Heptan mit einer Rotationsgeschwindigkeit (spin speed) von 3.000 U/Min. beschichtet. Die Hydrogensilsesquioxanharz-Schicht wurden dann pyrolisiert, indem sie eine Stunde in Luft auf 400ºC erhitzt wurde, so daß eine Siliciumdioxid enthaltende keramische Schicht entstand. Danach wurde eine zweite Schicht aus Aluminiumnitrid auf die SiO&sub2;-Schicht aufgebracht, wie zuvor beschrieben. Die Vorrichtungen 1 und 2 wurden mit einer 10% Lösung von Diethylaluminiumamid beschichtet; die Vorrichtungen 3 und 4 wurden mit einer 20% Lösung beschichtet; die Vorrichtungen 5 und 6 wurden mit einer 30% Lösung beschichtet; die Vorrichtungen 7 und 8 wurden mit einer 40% Lösung beschichtet; und die Vorrichtungen 9 und 10 wurden mit einer 50% Lösung beschichtet. Alle wurden durch Erhitzen in Gegenwart von Ammoniak keramisiert.\nAll die Vorrichtungen wurden dann dem Salzsprühtest unterworfen, wie zuvor beschrieben. Alle Vorrichtungen waren nach 24 Stunden funktionstüchtig, wobei eine Vorrichtung nach 100 Stunden Einwirkung noch funktionstüchtig war. Im Vergleich dazu versagten die Vorrichtungen der Kontrolle innerhalb der ersten zwei Stunden des Tests.\nFünf weitere CMOS-Vorrichtungen mit den Nummern 21 bis 25 wurden spin-beschichtet mit unverdünntem, flüssigem Diethylaluminiumamid (Et&sub2;AlNH&sub2;)&sub3;, wobei die Rotationsgeschwindigkeit 3.000 U/Min. betrug. Die Beschichtungen wurden dann in Anwesenheit von Ammoniak pyrolisiert, wie zuvor beschrieben. Die Vorrichtung 25 hatte eine zweite Schicht aus a-Si, aufgebracht durch chemisches Niederschlagen von F&sub3;SiSiF&sub3; aus der Dampfphase. Die Vorrichtungen wurden dann dem Salzsprühtest unterworfen. Wie aus Tabelle 1 ersichtlich, versagte eine der Vorrichtungen in den ersten 24 Stunden. Die verbleibenden Vorrichtungen versagten jedoch erst zwischen 24 und 48 Stunden Einwirkung.\nFünf weitere CMOS-Vorrichtungen mit den Nummern 26 bis 30 wurden mit einer Lösung eines Hydrogensilsesquioxanharzes beschichtet, wie oben beschrieben. Die Beschichtung wurde zu einer Siliciumdioxid enthaltenden Schicht keramisiert. Auf diese Vorrichtungen wurde eine zweite Schicht aufgebracht unter Verwendung von unverdünntem, flüssigem Diethylaluminiumamid (Et&sub2;AlNH&sub2;)&sub3;, wobei die Rotationsgeschwindigkeit 3.000 U/Min. betrug. Die Beschichtungen wurden dann in Gegenwart von Ammoniak pyrolisiert, wie zuvor beschrieben. Im Salzsprühtest blieben vier von den fünf Vorrichtungen funktionstüchtig nach 100 Stunden, während die andere Vorrichtung zwischen 72 und 96 Stunden versagte.\nVorrichtung Nr. Beschichtung Stunden bis zum Versagen * Die Vorrichtung hat nach 100 Stunden Einwirkung noch nicht versagt. Die Vorrichtungen 5, 7, 17 und 18 waren bei der Beschichtung mechanisch beschädigt worden und wurden nicht getestet.\nBestimmte repärsentative Ausführungsformen und Einzelheiten sind dargestellt worden, um die Erfindung zu erläutern, es wird jedoch dem Fachmann klar sein, daß verschiedene Abwandlungen in den hierin offenbarten Verfahren und Vorrichtungen möglich sind, ohne daß vom Umfang der Erfindung abgewichen wird, der in den beigefügten Patentansprüchen definiert ist.\n1. Verfahren zur Herstellung einer Aluminiumnitrid enthaltenden keramischen oder keramikartigen Beschichtung auf einem Substrat, wobei man in einer Folge von Schritten\n(a) das Substrat mit einer Flüssigkeit beschichtet, die ein Alkylaluminiumamid der Formel (R&sub2;AlNH&sub2;)&sub3; enthält, in der R einen Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen bedeutet;\n(b) die Flüssigkeit trocknet und dadurch eine präkeramische Beschichtung auf dem Substrat erzeugt; und\n(c) die präkeramische Beschichtung durch Erhitzen auf eine Temperatur von etwa 400ºC bis etwa 1.000ºC in Gegenwart von Ammoniak zu einer Aluminiumnitrid enthaltenden keramischen Masse keramisiert.\n2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Substrat eine elektronische Vorrichtung ist.\n3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei man weiterhin (I) auf die Aluminiumnitrid enthaltende erste Schicht eine passivierende zweite Schicht aufbringt, ausgewählt aus (i) Silicium und Stickstoff enthaltenden Schichten, (ii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Schichten und (iii) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Schichten; und (II) auf die passivierende zweite Schicht eine dritte, schützende Schicht aufbringt, ausgewählt aus (i) Silicium enthaltenden Schichten, (ii) Silicium und Stickstoff enthaltenden Schichten, (iii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Schichten und (iv) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Schichten, wodurch eine mehrschichtige keramische oder keramikartige Beschichtung auf dem Substrat erzeugt wird.\n4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei man weiterhin\n(I) vor dem Aufbringen der Aluminiumnitrid enthaltenden Schicht das Substrat mit einer ebenmachenden Schicht aus einem Siliciumdioxid enthaltenden keramischen oder keramikartigen Gemisch versieht; und\n(II) auf die Aluminiumnitrid enthaltende Schicht eine Schutzschicht aufbringt, ausgewählt aus (i) Silizium enthaltenden Schichten, (ii) Silicium und Stickstoff enthaltenden Schichten, (iii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Schichten und (iv) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Schichten, wodurch eine mehrschichtige keramische oder keramikartige Beschichtung auf dem Substrat erzeugt wird.\n5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei man weiterhin\n(II) auf die ebenmachende Schicht eine passivierende Schicht aufbringt, ausgewählt aus (i) Silicium und Stickstoff enthaltenden Schichten, (ii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Schichten und (iii) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Schichten.\n6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei man weiterhin\n(I) vor dem Aufbringen der Aluminiumnitrid enthaltenden Schicht das Substrat mit einer Schicht aus einem keramischen oder keramikartigen Gemisch versieht, ausgewählt aus (i) Silicium und Stickstoff enthaltenden Schichten, (ii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Schichten und (iii) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Schichten; und\n(II) auf die Aluminiumnitrid enthaltende Schicht eine Schutzschicht aufbringt, ausgewählt aus (i) Silizium enthaltenden Schichten, (ii) Silizium und Stickstoff enthaltenden Schichten, (iii) Silizium und Kohlenstoff enthaltenden Schichten und (iv) Silizium, Kohlenstoff und Stickstoff enthaltenden Schichten, wodurch eine mehrschichtige keramische oder keramikartige Beschichtung auf dem Substrat erzeugt wird.\n7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei man weiterhin auf die Aluminiumnitrid enthaltende erste Schicht eine passivierende Schicht aufbringt, ausgewählt aus (i) Silicium enthaltenden Schichten, (ii) Silicium und Stickstoff enthaltenden Schichten, (iii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Schichten und (iv) Silizium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Schichten, wodurch eine aus zwei Schichten bestehende keramische oder keramikartige Beschichtung erzeugt wird.\n8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei man weiterhin vor dem Aufbringen der Aluminiumnitrid enthaltenden Schicht das Substrat mit einer Schicht aus einem keramischen oder keramikartigen Gemisch versieht, ausgewählt aus (i) Silicium und Stickstoff enthaltenden Schichten, (ii) Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Schichten und (iii) Silicium, Kohlenstoff sowie Stickstoff enthaltenden Schichten.


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Tattoo-Piercing-Bodymod-Plauderfaden - Schönheit und Wohlfühlen - med1 - Seite 231\nMomeG Vaxlois (Auszug aus dem Startbeitrag)\nKann ich von 1,2mm auf 1,6mm dehnen?\nwarum sollte es denn nicht gehen? hab ich auch gemacht\nUnd gehen 1,2mm überhaupt "problemlos" in ein normales Ohrloch rein?\nich hab mit 1.2 angefangen. 1.2 ist durchaus eine "normale" größe für ein ohrloch\nob & wie leicht das bei dir geht, weiss niemand. deshalb solltest du das auch nicht einfach so durchschieben, sondern solltest das wie jeden dehnschritt sorgfältig durchführen (duschen, ggf vaseline nehmen, sauber arbeiten etc)\nWo kommt eigentlich dieser bloede Geruch her, wenn man Ohrloecher auch nur das kleinste bisschen dehnt? Ich habs damals von der normalen Stichgroeße auf 1,6mm "gedehnt" und hab meine alten Circulars reingemacht. Und das suppt jetzt schon die ganze Zeit immer mal so komisch. Das Zeugs ist ganz schmierig und riecht nach Kaesefueßen.\nWo kommt eigentlich dieser bloede Geruch her, wenn man Ohrloecher auch nur das kleinste bisschen dehnt?\ndas ist talg. wenn die lobes größer sind, riechts nun mal mehr.\nich bin seit 10min auf 4mm beim zweiten.\ni;ch xx 2\nIch hab seit gestern ein rechteckiges Hufeisen in meinem Septum bin ganz verliebt. Allerdings, kleiner Wehmutstropfen: Find die 3mm Kugeln fast noch etwas groß und zu auffällig.. Kleinere hatten sie aber nicht.\nNaja.. ich trag meinen neuen Stecker gleich erstmal eine Runde "spazieren" jetzt kann man das Septum ja sehen, vorher konnte man es nur erahnen.\nUnd ich war gestern kurz davor, meine Hose runter zu lassen. Die haben jeden Monat ein Piercing im Angebot und im August ist es ein Intimpiercing, 50% günstiger als sonst aber ich hab mich dann doch nicht getraut. Meine Bedenken fallen ja nicht weg, nur weil das Piercing günstiger ist..\nNen rechteckiges Hufeisen? Wie schautn das aus?\nUnd was für Bedenken hast du denn was das Intimpiercing angeht?\nIm Prinzip sieht das Piercing so aus , nur alles kleiner. Als Stab dünner und "enger", weil ja nur ein bisschen Nasenhaut zwischen muss (der Stecker wurde genau auf meine "Nasenmaße" geformt) und die Kugeln sind auch kleiner (3mm).\nBedenken beim Intimpiercing? Das fängt schon beim Stechen lassen an, breitbeinig da auf der Liege zu liegen dann gehts weiter, wegen der Intimbehaarung und rasieren, dann, dass der Slip vielleicht mal hängen bleibt und ich wüsste auch nicht, welches Piercing ich gern hätte, auf jeden Fall mittig, also keins in irgend einer Schamlippe (ich mags lieber symmetrisch ) .. fänd das Nefertiti schön (weils ja stimmulierend sein soll), aber ich find das bei Wikipedia auf den Bildern so lang, also.. äh.. das hört irgendwo mitten auf dem Venushügel auf, geht das nicht kürzer? Und was, wenn die schief stechen? Und die Abheilzeit schreckt mich auch etwas ab und wie ist das mit sitzen danach? Ich arbeite im Sitzen und kann nicht sooft aufstehen.. ach.. ich weiß nicht.. finds schon unheimlich schön..\nNefertiti soll stimulieren? Das wär mir neu... Also ich hab keins, aber idR sagt man doch dass eher, wenn überhaupt dann KVV oder KVH stimulierend wirken sollen.\nEin Nefertiti sitzt doch viel zu weit oben?\nDas fängt schon beim Stechen lassen an, breitbeinig da auf der Liege zu liegen\nHaste beim Frauenarzt doch auch...\ndann gehts weiter, wegen der Intimbehaarung und rasieren\nWo liegt das Problem? Du rasierst dich, wenn du gepierct wird. Dann, bis das Piercing richtig verheilt ist, rasierste drumherum so gut es geht. Wenns richtig verheilt ist, nimmste es halt zum Rasieren raus.\ndann, dass der Slip vielleicht mal hängen bleibt\nAnsonsten, das ziept dann mal kurz und gut is\nauf jeden Fall mittig, also keins in irgend einer Schamlippe (ich mags lieber symmetrisch )\nKvv und kvh sind auf jeden Fall mittig...und wenn du beide inneren Schamlippen gepierct hast, ist es doch symmetrisch\nfänd das Nefertiti schön\nIs natürlich ein Piercing mit nem langen Stichkanal (braucht dadurch viel Pflege und länger zum Verheilen), ne Verbindung aus Christina und Kvv, ist aber nicht stimulierender, als nen normales kvv.\ngeht das nicht kürzer?\ndoch, dann lässt du dir nen normales klitorisvorhautpiercing vertikal stechen...\nKannst die auch auf www.piercing-bewertung.de Bilder angucken...\nNen guter Piercer sticht das nicht schief und selbst wenn, naja, dann muss es halt nochmal gestochen werden.\nIch hab 4 IPs und sitze auch viel und fahre Fahrrad, hab noch nie Probleme gehabt.\nWie gesagt, ein Nefertiti ist ne Mischung aus Christina und KVV, die obere Kugel liegt da, wo die obere des Christinas liegen würde und die untere da, wo die untere beim kvv liegen würde, also direkt auf der Klit.\nEs ist aber nicht stimulierender, als nen kvv.\nHallo ihr Piercing-Profis.\nAlso ich bin ja eher aus der älteren Fraktion(34)Ich hab ein Microdermal in der linken Hand, das meist keine Probleme macht.Eine Frage hab ich zum Zungenpiercing.Hatte mir letzten Sommer eines stechen lassen.Hatte 1 Woche Probleme beim Essen und sprechen, dann wurde es tägl. besser. 4 Wochne später musste ich operiert werden,natürlich mußte es für die Narkose raus.Mit Mühe haben wir es nachmittags wieder reinbekommen. Es heilte weiterhin gut.Es war selbst beim sprechen(arbeite in nem Call-Center) nicht mehr zu hören.Anfang diesen Jahres wieder 2xOP,Piercing rein und raus ging immer grad noch so.Hatte dann vor 9 Wochen eine weitere OP,etwas länger und der Versuch meines Lebensgefährten, es mir wieder reinzumachen abends,scheiterte.Ich war selbst nicht in der Lage dazu.Auch in den nächsten Tagen schafften wir es nicht.Ichnehme mal an, es muss jetzt neu gestochen werden.Geht das einfach so? Heilt es wieder so gut wie beim ersten mal? Was sollte jetzt beachtet werden?\nZum Aufdehnen ists vermutlich schon zu spaet. Aber wenn dir das wieder passiert, geh ein oder zwei Tage spaeter zum Piercer, der sollte den Kanal wieder weiten koennen. Oder neu stechen. Hat meiner bei meinem Eskimo auch gemacht.\nAber: Dehnen tut mir persoenlich mehr weh als stechen lassen.\nHeilt es wieder so gut wie beim ersten mal?\ndas kann (& sollte) dir niemand garantieren, du bist schließlich ein mensch & keine maschine\nwenn in nächster zeit noch weitere operationen geplant sind, solltest du das stechen des piercings in op-freie zeit legen, damit es genug zeit zum heilen hat.\nIch konnt leider nach der OP nicht zum nächsten Piercer gehen...manchmal dauerts eben doch bissel länger.Wir haben echt dolle versucht,aber ich hatte so schon mit meinem Zusatnd zu tun...bloß gut, dass ich noch halb betäubt war ...\n@Mme Valois:Es sind keine weitere OP´s geplant.Das war es nie,sonst hät ich gewartet.\nWird der Piercer die gleiche Stelle nehmen?Kann man es evt.Leicht nach vorn machen?Also ich mein,das letzte saß unten so perfekt,dass es kaum zu spüren war,aber oben hät ich es gern eher aus ästhetischen Gründen etwas weiter vor Richtung Zungenspitze gehabt.Da es nicht genau Mittig kommen sollte(sagte das Studio beim letzen mal) muss es jetzt auf die andere Seite?\nHihi, ich hab mir heute ganz spontan ein Rook ins linke Ohr stechen lassen und es ist ja sooo hübsch. Ich bin ganz verliebt\nHeyyy, Glückwunsch *gg*\nIch bin auch schon am Überlegen, wann ich mal wieder zum Piercer gehe\nHab so viele Ideen im Kopf...hmm...\nWie war das Stechen? Alles gut?\nErdbeermond hast du ein Foto vom Ohr? Rooks sind echt schöne Piercings.\nIch auch, aber kaum Ideen. Ich muss endlich mal was mit meinem linken Ohr machen, aber keine Ideen was... Alle Ohrpiercings die ich uuuuunbedingt haben wollte sind im rechten die sollten auch alle zusammen sein wegen dem Gesamtbild


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Konfliktlotsen und Mediation\nWenn ihr Streit mit einem Freund/einer Freundin oder immer Ärger mit einem anderen Schüler/Schülerin habt, kommt in die Schüler-Mediation – wir helfen euch, den zu verstehen und beizulegen, sodass ihr wieder miteinander. Einfach einen Konfliktlotsen oder Frau Gretener/Herrn Bernhard ansprechen.\nMediation (Vermittlung) ist die Bezeichnung für ein Konflikt-Lösungsverfahren, bei dem allparteiische Dritte zwischen Streit-Partien vermitteln, wenn sie nicht allein zu einer konstruktiven Lösung kommen. Ein Konflikt kann nur dann längerfristig beigelegt werden, wenn alle am Streit Beteiligten einen Beitrag zur Lösungsfindung leisten. Die Aufgabe der Konfliktlotsen ist es die Streitparteien bei der konstruktiven Konfliktbearbeitung zu unterstützen, indem sie z.B. den Gesprächsprozess begleiten, strukturieren und zum gegenseitigen Verständnis verhelfen.\nMediation: Verlauf und Kontaktaufnahme\nIn der Regel werden sich Streitende an ihre Lehrerin. Sie werden dann an die Konfliktlotsen verwiesen. Diese führen mit den Streitenden eine Mediation durch mit dem Ziel zu einer, von beiden Parteien akzeptierte Vereinbarung, zu gelangen. Verweigern streitende SchülerInnen die Schlichtung, werden sie an die Lehrerin weiterverwiesen.


Warum Original nicht immer besser ist\nMittlerweile haben die Hersteller der kompatiblen Tinten-Patronen & Laser-Toner bzw. der Tinte und des Tonerpulvers soviel Erfahrungen gesammelt, dass sie sich hinter der Qualität der Original-Hersteller nicht mehr verstecken müssen.\nIm Gegenteil, teilweise ist die kompatible Tinte bzw. das Tonerpulver sogar besser. Dieses ist nicht nur in mehreren Tests von führenden Fachzeitschriften als auch von Stiftung Warentest bestätigt worden.\nDank der Ergebnisse dieses Dauertests können wir zumindest Markenfremdtinte ruhigen Gewissens empfehlen. Im Vergleich zu Billigfremdtinte aus dubioser Quelle ist das Sparpotenzial zwar geringer (nur etwa 50 statt über 90 Prozent), doch falls die Patronen doch mal versagen, versprechen Anbieter von Markentinte schnellen Umtausch und sogar Hilfe bei Druckerproblemen\nEbenso ist dort dem Irrtum, dass kompatible Tinte und Lasertoner\nIhren Drucker definitiv beschädigen, widersprochen worden.\nIch will damit nicht sagen, dass es keine 'schwarzen Schafe' gibt.\nSagen kann ich jedoch, dass ich hinter den von mir angebotenen\nPatronen und Tonern stehe.\nSollte Ihr Drucker nachweislich, bestätigt von einem zertifizierten Techniker,\ndurch eine bei mir erworbene Patrone bzw. eines Toners\nbeschädigt worden sein, dann werde ich die\nReparaturkosten zu 100% erstatten.\nDieses gilt insbesondere für meine Hausmarke.\nBisher, nach über 5 Jahren, ist dieses nicht 1 Mal vorgekommen.\nZudem kann ich hochwertige kompatible Toner\n(Made in Germany sowie aus Österreich)\nu.a. auch für Kyocera Laser-Drucker anbieten.\n(z.Zt. nur für monochrome Drucker)\n...und das Ganze bekommen Sie auch noch für wesentlich weniger Euro\nund schonen auch die Umwelt.


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Reispudding - Proweightless\nReispudding - so geht Frühstück und Diät\nSie essen gerne eine warme Mahlzeit zum Frühstück? Dann ist unser Reispudding genau das Richtige.\nDer Reispudding ist der perfekte Start in jeden Tag, an dem Ketose und Gesundheit im Vordergrund stehen.\nEinfach das Pulver in einer Schüssel mit 100 ml Wasser vermengen und 1 Minute bei 600-800 Watt in der Mikrowelle erwärmen. (Vorsicht: "wächst" in der Schüssel ;)\nDanach nochmals kurz umrühren und ein paar Minuten ziehen lassen - fertig!\nIm Ende haben Sie eine kleine Portion süßlichen Brei der sowohl geschmacklich überzeugt als auch mit seinen inneren Werten überzeugen kann.\nVom Geschmack müssen Sie sich selber überzeugen. Zu den inneren Werten können wir Ihnen aber schon so einiges sagen.\nEin Blick auf die Makronährstoffe verrät uns, dass sich der Reispudding hervorragend für eine Diät eignet. Er ist mit 1,3 g je 100 g definitiv fettarm. Pro 25 g Portion sind das gerade einmal 0,3 g - und das kann sich wahrlich sehen lassen!\nDie 6,3 g Kohlenhydrate je Portion sind nicht unbedingt berühmt, reichen aber aus, um Sie in der Summe des Tages sowohl in die Ketose zu bekommen als Sie auch dort zu halten. Im Ende kommt der Reispudding nämlich mit gerade einmal 1,1 g Zucker je 25 g aus.\nWie alle unsrer Produkte starten Sie mit einer gehörigen Portion Protein in den Tag. 62% oder 16,0 g je Portion helfen den Muskelabbau während des Abnehmens zu verhindern. Genau das ist einer der Vorteile einer Diät mit Proweightless. Durch das verhindern des Abbaus von Muskelgewebe reduzieren wir die Gefahr des gegürteten JoJo-Effektes.\nAber zurück zu den inneren Werten unseres kleinen Diät-Wunder-Puddings.\nDie Masse der Mikronährstoffe und Vitamine kommt mit 15% des Tagesbedarfes je Portion daher. Wie es sich für ein ordentliches Frühstück allerdings gehört, bietet es 29% des täglichen Bedarfs an Kalzium! Nicht schlecht für ein Produkt aus der Reihe "Formuladiät"!\nWas Sie vielleicht auch noch interessieren könnte: Diese Mahlzeit schlägt mit 91 kcal zu Buche. Der Inbegriff einer VLCD (very low calorie Diät).\nZusammengefasst können wir nur sagen: "So geht abnehmen".\nSchreiben Sie Ihre Fragen gerne in die Kommentare oder rufen Sie uns einfach direkt an!