Singlebörse 50 plus: die beste Singlebörse Deutschlands ohne Registrierung — partnersuchesingle.de\nName: Rembert/ Alter: 20/ Wachstum: 161/ Gewicht: 65\nIch habe schon sehr viele Leute im Internet kennen gelernt, mit einigen wenigen hat sich eine Freundschaft entwickelt die seit Jahren anhält. Insgesamt müsse man zur Kenntnis nehmen, dass im mittleren Erwachsenenalter zwischen 35 und 50 Jahren rund 80 Prozent der Menschen in Partnerschaften lebten.\nName: Franziskus/ Alter: 30/ Wachstum: 169/ Gewicht: 78\nSie denken, dass das, was sie sind und was sie einem potentiellen Partner zu geben haben, einfach nicht reicht, eben nicht genug ist, um wirklich geliebt zu werden. Piercings, Alkoholkonsum, politische Präferenzen - nach allem Möglichen lässt sich beispielsweise auf Match suchen.\nName: Rudger/ Alter: 29/ Wachstum: 175/ Gewicht: 60\nMan erreicht Millionen anderer Partnersuchender Keine Tageszeitung, kein Heiratsinstitut, kein Blinddateveranstalter erreicht so viele Menschen, die als potentieller Partner in Frage kommen können. Bin froh dass ich das mit der Irina hier gelesen habe.\nName: Kathrin/ Alter: 29/ Wachstum: 170/ Gewicht: 71\nDie schönen Schweizer Frauen haben oftmals im Alter von 28 Jahren Kinder und einen Mann mit einem guten Job an ihrer Seite. Bringen sie dafür alle Unterlagen mit (Schriftverkehr o.\nName: Lili/ Alter: 33/ Wachstum: 151/ Gewicht: 70\nHabe auch mein Bundesland wegen ihm verlassen und noch mehr Freunde gefunden. T5 Online Kampagnen informieren über Branchen, Trends, Arbeitgeber, Berufsaussichten und führen interessierte Kandidaten auf passende Stellenangebote.\nName: Bianka/ Alter: 35/ Wachstum: 169/ Gewicht: 55\nSelbständige Tätigkeit bei freier Zeiteinteilung. Casual Dating Etwas freizügiger geht es bei Casual Dating Portalen wie JOYclub zu.\nName: Augustinus/ Alter: 24/ Wachstum: 166/ Gewicht: 66\nAndere Partnersuchende jedoch sind rationaler und brauchen mehrere persönliche Treffen bis zum Herzensglück Das könnte Sie auch interessieren: “Liebe im Takt”-Partnervermittlung hilft bei Partnersuche in Dresden Partneranzeigen bei “Liebe im Takt” – garantiert ernst gemeint Suche Frau fürs Leben – Ihre Anzeige bei “Liebe im Takt” Mehr Informationen unter Partnersuche Wissenswertes Singlekompass: Partnersuche in Berlin Oberbürgermeister Wowereit bekennt: "Berlin ist arm aber sexy! Wie sonst soll ich mir die Flut an Spam erklären?\nName: Mirja/ Alter: 30/ Wachstum: 160/ Gewicht: 63\nIn einer Beziehung sollte jedoch jeder authentisch sein dürfen und nicht jemanden vortäuschen, der man nicht sein kann. Wir sind in unserem Umfeld nicht immer von gläubigen Menschen umgeben, nicht jeder Christ findet in seiner Gemeinden Gleichaltrige und im Großstadt-Alltag erkennen wir unsere Geschwister häufig nicht.\nName: Diana/ Alter: 23/ Wachstum: 169/ Gewicht: 61\nIn verschiedenen Communities, sozialen Netzwerken, Foren und schließlich Partnerbörsen kann man völlig unkompliziert und unverbindlich andere Menschen kennenlernen. Unterstützung der Filmindustrie Die Tschechische Republik ist ein überaus beliebtes Ziel ausländischer Filmproduzenten.\nName: Kruno/ Alter: 24/ Wachstum: 165/ Gewicht: 53\nMeine Frage wпїЅre:Hat schon mal jemand Erfahrung mit solchen Seiten gemacht? Leider kommen Kinder und Jugendliche solchen Anfragen oft nach.\nName: Sigurd/ Alter: 32/ Wachstum: 153/ Gewicht: 68\nGemeinsamer Chat, offene und ehrliche Kontaktanzeigen, die auf ihre Echtheit geprüft werden oder eine Matching-Funktion, die einem hilft, den Traumpartner zu finden. Rund 16 Prozent aller Eheschließungen finden im Internet ihren Anfang Online Dating ist im Prinzip das neue Kontaktanzeigen in der Zeitung schalten.\nName: Ariane/ Alter: 18/ Wachstum: 172/ Gewicht: 73\nDie polyglotte Dame spricht Russisch, Deutsch und Englisch. Schäfer Heinrich (49) galt immer als besonders frommes Lämmchen und als besonders friedlich und nett.\nName: Angelika/ Alter: 28/ Wachstum: 151/ Gewicht: 67\nKostenlos anmelden, Profil vollständig ausfüllen und attraktive Profilbilder hochladen – schon kann die Partnersuche beginnen. Partner ,wie ist das der erste Monat - Probe- kostenlos.\nName: Kurt/ Alter: 32/ Wachstum: 154/ Gewicht: 62\nMit ihm kann ich mir all das wieder vorstellen, was mit diesem einen, so schönen, so mächtigen Wort beschreibbar ist. I misspelled that foundation character’s company name.\nName: Hansmartin/ Alter: 27/ Wachstum: 154/ Gewicht: 66\nAber auch Online Dating in Karlsruhe erfreut sich steigender Beliebtheit. Das Attraktion des Südgartens erblicken Protestanten und Katholiken mit dem hier befindlichen Wasserbassin.\nName: Heini/ Alter: 21/ Wachstum: 179/ Gewicht: 64\nEin bisschen Vorsicht ist schon ok. Wer hat schon Erfahrungen mit dieser Agentur gemacht und einen Vertrag abgfeschlossen?\ntest online dating portale, partnervermittlung test stiftung warentest, partnersuche in frankreich, seriöse singlebörse, chat kostenlos online, partnersuche in stuttgart, sie sucht ihn in hamburg, partnersuche russische frauen in deutschland, kostenlose datingseite, single kontakte kostenlos, partnersuche rheinland pfalz, christlich partnersuche, partnersuche potsdam, elite partnersuche de kostenlos, partnersuche kostenlos finja, asexuell partnersuche, partnersuche im internet test, afrikanische frau gesucht, singles 50 plus kostenlos, singlebörsen kostenlos test, sie sucht ihn braunschweig, partnersuche osnabrück, kostenlose partner suche, partnersuche texte beispiele, partnersuche nurnberg, partnerschaft kostenlos


Zertifikat vor 2 Tagen abgelaufen? (Internet)\nDie Meldung besagt, dass das SSL-Zertifikat, welches die Webseite für die Verschlüsselung aller Daten zwischen deinem Computer und der Webseite verwendet, nicht mehr gültig ist. Das SSL-Zertifikat stellt sicher, dass die von dir eingegebenen Daten (z.B. Bank-Informationen, die Du in ein Formular eingibst) auf einem abgesicherten und nicht abhörbaren Weg zur Webseite kommen.\nWenn diese Meldung kommt, würde ich raten zu vermeiden irgendetwas einzugeben. Du kannst nicht sicher sein, ob es sich nicht vlt. doch um ein unterschobenes SSL-Zertifikat eines Einbrechers in dem Shop-System handelt, wodurch deine Daten leichter abgegriffen werden könnten. Selbst wenn das Problem einfach nur die Gültigkeit ist, wo der Shop-Betreiber vergessen hat das SSL-Zertifikat zu verlängern, wäre ich vorsichtig. Wenn Du nämlich einmal anfängst solche Meldungen mit OK zu bestätigen, dann wirst Du irgendwann bei solchen Meldungen tatsächlich auf die Nase fallen (d.h. deine Daten würden tatsächlich an unberechtigte Dritte gehen).\nEs handelt sich um das sog. https bzw. SSL Zertifikat. Dieses Zertifikat stellt sicher, dass die Website über eine verschlüsselte Verbindung mit dir kommuniziert.\nHeißt soviel wie: unerwünschten Personen wird es erschwert bzw. fast unmöglich gemacht, die Daten abzufangen.\nBei 2 Tagen, sollte das kein Problem sein. Ebenfalls ist die Wahrscheinlichkeit, dass jemand diese Daten von dir haben möchte ziemlich niedrig. Stell noch einmal sicher, ob du wirklich auf der richtigen Seite bist (keine Pishing Seite, die deine Daten anfängt) und dann sollte alles klappen. :)\nAusweis abgelaufen, etwas bestellen wofür man Ausweis braucht?\nIch hab grade gesehen, dass mein Ausweis letzten Monat abgelaufen ist. Ich hab allerdings etwas bestellt, bei dem bei der Ankunft der Ausweis kontrolliert wird. Macht das was? Ich meine mein Geburtsdatum steht ja trotzdem drauf.\nMuss ich zahlen trotz keiner nutzung?\nHi, undzwar geht es darum dass ich mih vor so ner woche Ei eine richtige Seite angemeldete habe um eine kurze Film zu zu schauen aber es geht irgendwie nie geklappt einen zu schauen. Heute schicken die mit Mail wo drin steht email wo drin stehr ihre 5 Tagen kostenlose frist ist abgelaufen sie sind jetzt automatisch Premium Mitglied und müssen eine Rechnung von 29.99€/ irgendwas mit 300 Euro pro Jahr( weil das so in den Nutzungsbedingungen steht)bezahlen. Ich bin erst 15 und hab nicht mal einen film geschaut. Muss ich zum zahlen oder führt ein weg dran vorbei?


Bisazza – in Zement oder in Holz\nHexagonal, quadratisch, unifarben oder opulent gemustert – Zementfliesen von Bisazza treffen den Zeitgeist. Eine schier unerschöpfliche Fülle an modernen und historischen Dekoren werden handgefertigt im italienischen Traditionsbetrieb. Weltweit bekannt für ihre raffinierten und fragilen Mosaike überrascht Bisazza stets mit zeitgemäßen Interpretationen der traditionellen Fliesen. In 25 kräftigen Oxidfarben bestechen die 14mm dicken Fliesen, die schon Ende des 19. Jhr. und Anfang des 20. Jhr. in den Landsitzen und Bürgerhäusern verlegt wurden. Jetzt setzen wieder vermehrt Interieur-Designer auf die Zementfliese als Einrichtungselement, gerade auch wegen ihres zeitlosen Art-Déco Charmes und ihrer zurückgenommenen Opulenz.\nDer in Stein gepresste Traum einer Blumenwiese\nDie Zementfliese war lange Zeit aus den Häusern und Köpfen der modernen Zeit verschwunden. Zu bunt, zu überladen zu sehr altmodisch. Glücklicherweise hat diesbezüglich ein Umdenken in den letzten Jahren stattgefunden. Bisazza erkannte früh den den neuen Zeitgeist und sorgt seitdem mit der Kollektion „Cementiles“ für frischen Wind auf unseren Böden. Ob klassisch mit den bekannten Mustern, die aus Frankreich oder Spanien bekannt sind oder als moderne Interpretation namhafter Designer, bei „Cementiles“ findet jeder die passende Fliese für sein anspruchsvolles Zuhause.\nZementfliesen sehen aber nicht nur schön aus, sie sorgen auch für eine besonders angenehme Wohnatmosphäre. Diese Aussage ist zwar nicht messbar, aber fühlbar. Betritt man einen Raum, der mit Zementfiesen von Bisazza gestaltet ist, kann man dem ihnen innewohnenden Zauber nicht mehr entkommen. Man fühlt sich sofort heimisch und behaglich.\nBisazza Zementfliesen werden nach der traditionellen Methode hergestellt. Die farbige und gemusterte Oberfläche wird auf eine Betonschicht gegossen. Eine Schablone aus Messing sorgt dann für das Entstehen des Musters. Man kann sich das ähnlich wie bei einer Plätzchenform vorstellen. Damit Unter- und Oberschicht eine dauerhafte Verbindung eingehen, werden beide Schichten unter hohem Druck zusammengepresst. Danach trocknen die Fliesen an der Luft.\nBisazza Zementfliesen sind bei Lieferung mit einem wasser- und ölabweisenden Produkt und zusätzlich mit zwei Schichten Wachs vorbehandelt. Nach dem Verlegen sollte dann noch einmal eine abschließende Wachsschicht aufgetragen werden. So entsteht die beliebte und bekannte seidige Haptik. Das Material ist offenporig und sollte, trotz der schützenden Schichten auf keinen Fall mit aggressiven säurehaltigen Produkten oder gar Bleichmitteln gereinigt werden. Empfohlen wird ein neutraler, nachfettender Reiniger. Um die Schönheit der Zementfliesen lange zu erhalten, empfiehlt Bisazza eine regelmäßige Erneuerung der Oberflächenschicht aus Wachs.\nBisazza „Cementiles“ werden in vielen Schritten der Fertigung manuell bearbeitet. Leichte, nuancenhafte Farbabweichungen können also auftreten und verleihen den Fliesen Charakter und Authentizität. Die Zementfliesen eigen sich nicht für den Außenbereich.\nNEU: Bisazza WOOD\nNeu auf dem Markt und auch neu im Hause Bisazza ist die Kollektion WOOD. WOOD ist ein solides Eichenparkett, das in vier Farben und zwei Größen erhältlich ist. Die quadratische Form hat 20 x 20 cm und die hexagonale 20 x 23 cm. WOOD ist die ideale Ergänzung zur Zementfliesen-Kollektion „Cementiles“, da sie sowohl in Größe, Form und auch Dicke identisch sind. So können beide Materialien beliebig kombiniert werden und zu einer individuellen und einzigartigen Atmosphäre kombiniert werden.Und dabei ist die Verarbeitung und Verlegung dieses Parketts denkbar einfach. WOOD ist ausgestattet mit einem Interlock-System, das die einzelnen Holzfliesen schnell verbindet und für eine Stabilität sorgt.\nSie wollen mehr über unsere Neuzugänge erfahren? Kommen Sie einfach bei uns am Südstern vorbei und lassen Sie sich inspirieren – durch Raum und Zeit…\nEine Auswahl der Designs\nBisazza “Wood Naturale”\nBisazza “Wood Moka”\nBisazza “Wood Marron Glacé”\nBisazza “Wood Cuoio”\nBisazza Hexagonal “Tom Dixon Pink”\nBisazza Square “Tom Dixon Void Green”\nBisazza Essagonali “Paola Navone On/Off”\nBisazza Square “Paola Navone Croce”\nAsterisque “Vintage” by Paola Navone\nCarreau “Leger” by Paola Navone\nCurva “Grey” by Paola Navone\nLinea “Dark” by Paola Navone


Flash-Speicherzelle, Flash-Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür - Dokument DE102005018347B4\nDokumentenidentifikation DE102005018347B4 22.02.2007\nTitel Flash-Speicherzelle, Flash-Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür\nErfinder Willer, Josef, 85521 Riemerling, DE;\nLau, Frank, 83043 Bad Aibling, DE\nDiese Erfindung liegt auf dem Gebiet der nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtungen und betrifft insbesondere eine Flash-Speicherzelle, eine Flash-Speichervorrichtung mit einer Anordnung von Flash-Speicherzellen, wie eine Flash-Speichervorrichtung vom NOR-Typ oder eine Flash-Speichervorrichtung vom NAND-Typ, sowie ein Herstellungsverfahren hierfür.\nEs ist bekannt, dass bei einer nichtflüchtigen Flash-Speichervorrichtung Ladungen in einem floatenden Gatter durch Fowler-Nordheim-Tunneln von Elektronen aus einem Halbleitersubstrat oder durch Injektion heißer Elektronen durch eine dünne Tunneloxidschicht zur Programmierung gespeichert werden, und dass in einem floatenden Gatter gespeicherte Ladungen mittels Fowler-Nordheim-Tunneln durch eine dünne Tunneloxidschicht zu einem Halbleitersubstrat oder zu einem Steuergatter zum Löschen entfernt werden. Basierend auf der gewählten spezifischen Zellenstruktur können Flash-Speicherzellen aus einer Stapel-Gatter-Struktur aufgebaut sein.\nEine typische Stapel-Gatter-Struktur herkömmlicher Flash-Speicherzellen ist in 1A und 1B gezeigt. Insbesondere zeigt 1A eine schematische Ansicht von hochdichten Flash-Speicherelementen mit floatendem Gatter, die eine Flash-Speicheranordnung vom NAND-Typ, welche zu schmalen Grabenisolationen selbstausgerichtete floatende Gatter formen (siehe M. Ichige et al., "A novel self-aligned shallow trench isolation cell for 90 nm GBit NAND Flash EEPROMs", 2003 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers).\nEs wird nun Bezug auf 1A genommen, worin eine Mehrzahl von schmalen, isolierenden Gräben 2 auf einem Substrat 3 eines integrierten Schaltkreises zum Definieren einer Mehrzahl von aktiven Bereichen 1 angeordnet sind. Ein Steuergatter 4 kreuzt über das Muster der schmalen Grabenisolationen 2. Ein Muster 5 floatender Gatter 5 ist zwischen der Steuergatterelektrode und den aktiven Bereichen 1 angeordnet. Wie in 1A gezeigt, umfasst das Flash-Speicherelement ferner ein Tunneloxidschicht 6-Muster, das zwischen den floatenden Gattern 5 und den aktiven Bereichen 1 angeordnet ist, und eine dielektrische Zwischengatterschicht 7, die zwischen dem floatenden Gatter 5 und dem Steuergatter 4 angeordnet ist. Die dielektrische Zwischengatterschicht 7 ist typischerweise aus einer Oxid-Nitrid-Oxid (ONO)-Struktur aufgebaut und umfasst erste 8, zweite 9 und dritte 10 Schichten aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid bzw. Siliziumoxid. Das Flash-Speicherelement umfasst ferner eine Metallschicht 11, welche auf dem Steuergatter 4 abgeschieden ist, und eine auf der Metallschicht 11 angeordnete Hartmaskenschicht 12.\nEs wird nun Bezug auf 1B genommen, wo typische, hochdichte Flash-Speicherzellen mit floatendem Gatter, die in einer NOR-Typ-Struktur ausgeführt sind, im Schnitt durch deren Source-Drain-Bereiche 13 und Kanalbereiche 17, gezeigt sind.\nIn gleicher Weise wie in der Anordnung von 1A, sind die floatenden Gatter 5 über dem Siliziumsubstrat 3 angeordnet, wobei sich eine Tunneloxidschicht 6 zwischen ihnen befindet. Steuergatter 4 und floatende Gatter 5 sind durch die dielektrische Zwischengatterschicht 7 getrennt. Die Bitleitung 14 weist eine Mehrzahl von Bitleitungskontakten 15 zum Kontaktieren der Drain-Anschlüsse von aktiven Bereichen 13 der Speicherzellen auf.\nEs wird nun Bezug auf die 5A und 5B genommen, worin schematische Ansichten einer typischen Flash-Speicheranordnung von NAND-Typ bzw. einer typischen Flash-Speicheranordnung vom NOR-Typ gezeigt sind. 5A ist eine Draufsicht einer Anordnung vom NAND-Typ mit einer Mehrzahl von in Reihen und Spalten angeordneten Speicherelementen. 5A zeigt mehrere NAND-Stränge, von denen jeder eine Mehrzahl von Flash-Speicherelementen umfasst. Jeder NAND-Strang ist jeweils mit einer Bitleitung BLK verbunden, welche eine Spalte definiert, und in jedem NAND-Strang sind zwischen einem Bitleitungskontakt 16 und einer gemeinsamen Erdleitung CG eine Mehrzahl von Flash-Speicherzellen und zwei Auswahltransistoren in Reihe verbunden. Eine Mehrzahl von Wortleitungen WLK und zwei Auswahltransistorleitungen SG1, SG2, welche Reihen definieren, kreuzen die Bitleitungen, wobei jede der Wortleitungen mit Steuergatteranschlüssen der Speicherelemente einer Reihe verbunden ist, während die Auswahltransistorleitungen mit den Gattern der zugehörigen Auswahltransistoren verbunden sind. Zwischen angrenzenden Bitleitungen liegt ein Bitleitungsabstand F vor.\n5B ist eine Draufsicht einer Anordnung vom NOR-Typ mit einer Mehrzahl von in Reihen und Spalten angeordneten Speicherelementen. Im Unterschied zur Anordnung vom NAND-Typ von 5A ist jede Bitleitung BLK mit jeder Flash-Speicherzelle einer Spalte verbunden und, wie bei der Anordnung vom NAND-Typ von 5A, ist jede Wortleitung WLK mit jedem Steuergatteranschluss einer Reihe verbunden. Zwischen angrenzenden Bitleitungen liegt der Bitleitungsabstand F vor.\nIn jüngster Zeit und insbesondere in Anbetracht moderner tragbarer Geräte wie MP3-Spieler und digitaler Standbildkameras hat die Nachfrage nach preisgünstigen und hochdichten Flash-Massenspeicher stark zugenommen. Deshalb ist einer der wichtigsten Punkte für preiswerte und hochdichte Flash-Massenspeicher eine Reduktion der Speicherzellengröße. Jedoch treten beim Runterskalieren von Flash-Speichern eine Menge von Problemen auf, wie eine Musterungleichförmigkeit und enge Prozessfenster. Ebenso nimmt das parasitäre Kopplungsrauschen zu, was insbesondere ernste Probleme bezüglich angrenzender floatender Gatter in Speicherzellenanordnungen vom NAND-Typ verursachen kann. Da die Tunneloxidschicht angesichts der Tatsache, dass ein Runterskalieren nachteilig in Bezug auf die Programmierung und Datenhaltigkeit der Speicherzelle ist, nicht merklich nach unten skaliert werden kann, kann eine Reduzierung der Kanallängen auch zu einer Zunahme der so genannten Kurzkanaleffekte führen, die jedoch in jedem Fall vermieden werden sollten. Andererseits kann, insbesondere in Speicherzellenanordnungen vom NAND-Typ mit einer Mehrzahl von in einer Serienanordnung verbundenen Speicherzellen, eine Reduzierung der Kanalbreite zu einer Abnahme des Sensestroms durch die Speicherzellen führen, aus welchem Grund das Signal-Rausch-Verhältnis verschlechtert wird. Das letztgenannte Phänomen ist der Grund, warum Speicherzellenanordnungen vom NAND-Typ mit mehreren Pegeln heutzutage mit maximal 16 Speicherzellen pro Strang realisiert werden.\nEs ist wohl-bekannt, die Eigenschaften beim Runterskalieren zu verbessern und insbesondere den Sensestrom durch miniaturisierte Speicherzellen zu erhöhen, indem die Speicherzellen als so genannte FinFET-Speicherzellen ausgeführt werden (siehe zum Beispiel US-Patentanmeldung 2003/0042531 von Lee et al.). Bei solchen FinFET-Speicherzellen wird ein erster Oxidfilm auf einer Oberfläche eines Siliziumsubstrats geformt und eine flossenförmige, aktive Fläche auf dem ersten Oxidfilm mit einer engen Breite vertikal geformt. Oberhalb und auf beiden Seiten der flossenförmigen, aktiven Fläche ist ein Gattertunneloxidfilm geformt. Ferner ist eine floatende Elektrode auf den Oberflächen des Gattertunneloxidfilms des ersten Oxidfilms zum Speichern von elektrischen Ladungen geformt. Ferner ist ein Oxidfilm zwischen den Gattern auf der Oberfläche der floatenden Elektrode geformt und eine Steuerelektrode ist auf der Oberfläche des Oxidfilms zwischen den Gattern geformt. Obgleich solche FinFET-Speicherzellen tatsächlich erfolgreich das Signal-Rausch-Verhältnis verbessern können, sind sie jedoch gewöhnlicherweise aufgrund eines zu großen floatenden Gatters nicht zur Anwendung in einer hochdichten Massenspeicheranordnung geeignet.\nAndere Lösungen, insbesondere zum Überwinden des oben genannten Problems einer Verminderung des Signal-Rausch-Verhältnisses (siehe zum Beispiel US-Patentanmeldung 2003/0178670 an Fried et al.) umfassen floatende Gatter, die durch spezifische Herstellungsverfahren in zwei Teile gespalten werden, die jedoch aufgrund von unvermeidbaren Prozessvariationen zu einem unsymmetrischen Programmier- bzw. Löscheffekt führen.\nFerner führen die üblichen Herstellungsverfahren, so wie sie in den oben genannten Druckschriften offenbart sind, nicht zu einer hochdichten Architektur von Flash-Massenspeichervorrichtungen.\nIn Anbetracht des Obigen ist es eine erste Aufgabe der Erfindung, nichtflüchtige Flash-Speicherzellen zur Verfügung zu stellen, die eine sehr hochdichte Integration von Speicherzellen erlauben, die zum Erzeugen von Flash-Massenspeichern mit einer Größe von 4 GBit und größer geeignet sind, die insbesondere in der Lage sind, parasitäres Kopplungsrauschen von angrenzenden floatenden Gattern und Kurzkanaleffekte zu vermindern, und welche ein Signal-Rausch-Verhältnis des Sensestroms verbessern können.\nEine zweite Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen einer nichtflüchtigen Flash-Speichervorrichtung mit einer Mehrzahl von erfindungsgemäßen Flash-Speicherzellen anzugeben, welche eine STI (schmale Grabenisolation)-Struktur aufweist, in der aktive Bereiche von angrenzenden Speicherzellen durch schmale Isolationsgräben isoliert sind.\nDie erste Aufgabe der Erfindung kann durch eine Flash-Speicherzelle erreicht werden, welche ein Siliziumsubstrat mit einem, einen Kanalbereich und Source-Drain-Bereiche aufweisenden, aktiven Bereich umfasst, wobei der aktive Bereich einen vorspringen Abschnitt aufweist, welcher vorspringende Abschnitt wenigstens den Kanalbereich umfasst. Auf der Oberfläche des aktiven Bereichs ist eine dielektrische Tunnelschicht, die eine Oxidschicht oder nitridierte Oxidschicht sein kann, wenigstens teilweise geformt, und ein floatendes Gatter ist auf der Oberfläche der dielektrischen Tunnelschicht zum Speichern von elektrischen Ladungen geformt. Eine dielektrische Zwischengatterkopplungsschicht, die eine Oxidschicht oder eine nitridierte Oxidschicht sein kann, ist auf der Oberfläche des floatenden Gatters geformt, und eine Steuerelektrode ist auf der Oberfläche der dielektrischen Zwischengatterkopplungsschicht geformt. Erfindungsgemäß ist das floatende Gatter so geformt, dass es eine rinnenförmige Gestalt zum wenigstens teilweisen Umgreifen des vorspringenden Abschnitts des aktiven Bereichs aufweist. Mit anderen Worten, der vorspringende Abschnitt des aktiven Bereichs taucht in das rinnenförmige floatende Gatter ein, wobei die dielektrische Tunnelschicht dazwischen angeordnet ist, und zwar so, dass das floatende Gatter wenigstens teilweise den vorspringenden Abschnitt auf dessen Oberseite und den beiden Seiten umgibt.\nMit dem obigen Aufbau ist es möglich, Kopplungsflächen zwischen den Steuer- und floatenden Gattern in Bezug auf die Fläche der die aktive Fläche umgebenden dielektrischen Tunnelschicht im Vergleich zu dem herkömmlichen Planaren Fall, der in den 1A und 1B gezeigt ist, zu erhöhen. Der Sensestrom ist aufgrund des floatenden Gatters, das den aktiven Bereich auf dessen Oberseite und an den beiden Seiten umgibt, relativ hoch, und ermöglicht somit ein relativ hohes Signal-Rausch-Verhältnis. Die Breite der Transistoren ist nicht durch die minimale Breite der Strukturen eingeschränkt, welche durch optische (UV) lithographische Methoden erreicht werden kann, und derzeit typischerweise circa 100 Nanometer beträgt, oder einer demzufolge reduzierten Floating-Gatter-Interferenz eingeschränkt. Aus diesem Grund wurde eine gute Skalierungseigenschaft realisiert. Ebenso können Kurzkanaleffekte trotz einer relativ dicken dielektrischen Tunnelschicht reduziert werden. Ferner können im Unterschied zu herkömmlichen Flash-Speicherzellen sehr dünne metallische floatende Gatter verwendet werden und weiterhin ist im Unterschied zu SOI-basierten FinFET-Speicherzellen der Transistorkörper vorteilhaft mit dem Siliziumsubstrat gekoppelt. Ein Tunneln von Elektronen durch die dielektrische Tunnelschicht kann vorteilhaft nur auf einer oder beiden Flächen des vorspringenden Abschnitts des aktiven Bereichs ermöglicht sein, und kann gleichzeitig an dessen Deckfläche unterbunden werden. In diesem Fall ist die Breite der dielektrischen Tunnelschicht zwischen dem floatenden Gatter und der Oberfläche des vorspringenden Abschnitts des aktiven Bereichs geeignet gewählt.\nErfindungsgemäß kann der vorspringende Abschnitt wenigstens teilweise in das rinnenförmige floatenden Gatter mit einer dazwischenliegenden dielektrischen Tunnelschicht eintauchen. Es ist jedoch bevorzugt, dass der vorspringende Abschnitt im Wesentlichen vollständig auf seiner gesamten Höhe in das rinnenförmige floatende Gatter eintaucht, um in Bezug auf eine gegebene Gestaltung einen maximalen Sensestrom zu realisieren.\nEntsprechend einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Flash-Speicherzelle so gestaltet, dass ein vorspringender Abschnitt des aktiven Bereichs eine Breite hat, die höchstens 50 nm beträgt, stärker bevorzugt im Bereich von 5 nm bis 50 nm liegt, und insbesondere im Bereich von 10 nm bis 30 nm liegt. Im Allgemeinen und insbesondere im vorherigen Fall kann eine Höhe des vorspringenden Abschnitts maximal 100 nm betragen und liegt vorzugsweise im Bereich von 30 nm bis 100 nm, und kann zum Beispiel so gewählt werden, dass sie 45 nm beträgt. Im Allgemeinen hängt die spezifische Wahl einer Breite und einer Höhe des vorspringenden Abschnitts des aktiven Bereichs von einem Kompromiss von Sensestrom und parasitärem Kopplungsrauschen angrenzender floatender Gatter ab, welches sich vergrößert, wenn der Sensestrom durch Erhöhen der gegenüberliegenden Flächen der floatenden Gatter und der vorspringende Abschnitte der aktiven Bereiche vergrößert wird.\nIn einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die rinnenförmige Elektrode mit floatendem Gatter so geformt, dass sie eine U-Kanal-artige Form hat, welche dann einem vorspringenden Abschnitt des aktiven Bereichs, der eine schienenförmige Form hat, entsprechen kann.\nDie dielektrische Zwischengatterkopplungsschicht ist vorzugsweise aus einem Siliziumoxidfilm, einem Siliziumnitridfilm und einem Siliziumoxidfilm aufgebaut, was herkömmlicherweise als ONO-Struktur bezeichnet wird.\nDas Material des floatenden Gatters kann vorzugsweise aus der Gruppe, bestehend aus n-dotiertem Silizium, p-dotiertem Silizium, nichtdotiertem Silizium, Ge und einem inerten metallischen Material, wie TiN, TaN, WN, Ir, IrO, Ru, RuO und WSi, und Kombinationen hiervon, wie Silizium/Ge gewählt sein. Erfindungsgemäß und im Unterschied zu herkömmlichen Flash-Speicherzellen ist es möglich, auch sehr dünne metallische Floating-Gatter-Elektroden zu verwenden.\nErfindungsgemäß ist es bevorzugt, dass Kopplungsflächen typischerweise größer als im herkömmlichen Fall sind. Insbesondere ist eine Kopplungsfläche zwischen dem Steuergatter und dem floatenden Gatter circa 3 mal so groß wie eine Kopplungsfläche zwischen dem floatenden Gatter und dem aktiven Bereich. Im Allgemeinen ist diese Bedingung erfüllt, wenn ein Kopplungsverhältnis wenigstens 0,6 beträgt. Insbesondere in diesem Fall, jedoch hierauf nicht eingeschränkt, ist eine äquivalente Dicke der dielektrischen Zwischengatterkopplungsschicht circa 2 mal so groß wie eine Dicke der dielektrischen Tunnelschicht. Die Dicke der dielektrischen Tunnelschicht kann so gewählt werden, dass sie circa 7 nm beträgt.\nDie vorliegende Erfindung betrifft auch eine Flash-Speichervorrichtung mit einer Anordnung von programmierbaren und löschbaren Speicherzellen, wie oben beschrieben, wobei die Speicherzellen in herkömmlicher Weise in Spalten und Reihen, welche eine Matrixanordnung formen, angeordnet sind, und mit einer Mehrzahl von Bitleitungen und Wortleitungen kontaktiert sind.\nEine solche Flash-Speichervorrichtung hat vorzugsweise eine Struktur vom NAND-Typ, die eine Mehrzahl von Bitleitungen und eine Mehrzahl von Speicherzellen, die mit den Bitleitungen verbunden sind und NAND-Zellenblöcke formen, umfasst. Jeder der NAND-Zellenblöcke einer Spalte weist typischerweise eine Serienanordnung von Flash-Speicherzellen (zum Beispiel 8, 16 oder 32 Speicherzellen) auf, die an einem ersten Knoten mit einer zugehörigen Bitleitung und an einem zweiten Knoten mit einem Siliziumsubstrat verbunden sind. Ferner sind die Bitleitungen kreuzende, parallele Wortleitungen angeordnet, von denen jede mit den floatenden Gattern einer der Flash-Speicherzellen einer Reihe gekoppelt ist.\nEine solche Flash-Speichervorrichtung hat vorzugsweise auch eine Struktur vom NOR-Typ, die eine Mehrzahl von Bitleitungen und eine Mehrzahl von Speicherzellen, die mit den Bitleitungen verbunden sind und NOR-Zellenblöcke formen, umfasst. Jeder solcher NOR-Zellenblock umfasst im Unterschied zur Struktur vom NAND-Typ nur eine Flash-Speicherzelle, die an einem ersten Knoten mit einer zugehörigen Bitleitung und an einem zweiten Knoten mit dem Substrat verbunden ist. Ebenso sind parallele Wortleitungen vorgesehen, von denen jede mit den floatenden Gattern einer der Flash-Speicherzellen gekoppelt ist.\nGemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung, ist die Flash-Speichervorrichtung, die vorteilhaft eine Struktur vom NAND-Typ bzw. eine Struktur vom NOR-Typ aufweist, so gewählt, dass sie einen Adressleitungsabstand, d. h. Bitleitungsabstand und/oder Wortleitungsabstand, von höchstens 150 nm hat und kann stärker bevorzugt einen Adressleitungshalbabstand im Bereich von 40 bis 70 nm haben. Derart schmale Adressleitungsabstände scheinen eine notwendige Voraussetzung zum Realisieren von hochdichten Massenspeicher-Flash-EEPROMs in der Größenordnung von 4 GBit und sogar höher zu sein.\nIn jüngster Zeit, wie zum Beispiel in dem oben genannten Dokument von Ichige et al. offenbart ist, ist berichtet worden, das selbstausgerichtete STI (schmale Grabenisolation)-Technologie bei der Herstellung von Speicherzellen mit reduzierter Größe wirkungsvoll eingesetzt werden kann, um hochintegrierte Flash-Speichervorrichtungen zu realisieren. Zudem kann die STI-Technologie eine reduzierte Anzahl von Fabrikationsschritten bei der Herstellung des integrierten Schaltkreises bieten und erfordert demzufolge geringe Herstellungskosten und bietet eine hohe Verlässlichkeit.\nAus diesem Grund, insbesondere um Flash-Speichervorrichtungen mit einem geringen Adressleitungsabstand zu realisieren, ist am stärksten bevorzugt, dass Flash-Speicherzellen eine STI (schmale Grabenisolation)-Struktur aufweisen, in der aktive Bereiche von angrenzenden Flash-Speicherzellen durch schmale, mit einem isolierenden Material gefüllte Gräben voneinander isoliert sein.\nDie zweite Aufgabe der Erfindung kann durch ein Herstellungsverfahren für eine Flash-Speichervorrichtung mit der obig dargestellten STI-Struktur unter Verwendung der STI-Technologie erreicht werden, welches die folgenden Schritte umfasst, die nicht notwendigerweise in einer aufeinander folgenden Reihenfolge ausgeführt werden müssen: Zunächst Bereitstellen eines Siliziumsubstrats zur Herstellung einer STI-Graben-Flash-Speichervorrichtung; Wachsen einer Pad-Oxidschicht auf einer Oberfläche des Siliziumsubstrats, welche Pad-Oxidschicht typischerweise eine Schichtdicke von circa 20 nm haben kann, was als dicker als bei herkömmlichen Herstellungsschritten angesehen wird; Abscheiden einer Pad-Nitridschicht auf der Oberfläche der Pad-Oxidschicht; Implantieren von Wannen zum Herstellung von aktiven Bereichen; Maskieren von STI-Gräben durch Lithographie; Ätzen von STI-Gräben, was durch RIE (reaktives Ionenätzen) erfolgen kann; Wachsen einer dünnen Schicht zum Auskleiden der STI-Gräben, um eine durch Ätzen beschädigte Siliziumoberfläche zu regenerieren, und Abscheiden eines Füllmaterials zum Füllen der STI-Gräben; Planarisieren des Füllmaterials, beispielsweise durch chemisch-mechanisches Polieren; Rückätzen des Füllmaterials, um Aussparungen in den STI-Gräben zu formen, was durch RIE unter Verwenden der Pad-Nitridschicht als eine Maske erfolgen kann; Abstrippen der Pad-Nitridschicht; Reduzieren der Breite der aktiven Bereiche; Wachsen einer dielektrischen Tunnelschicht, welche eine Oxidschicht und/oder eine nitridierte Oxidschicht sein kann; Erzeugen von floatenden Gattern; Erzeugen einer dielektrischen Kopplungsschicht zwischen den Gattern, die typischerweise eine ONO-Struktur hat; Abscheiden einer Steuergatterschicht; Maskieren der Steuergatterschicht durch Lithographie; Ätzen der Steuergatterschicht, insbesondere mittels RIE, wobei vorteilhaft Gebrauch von einer hohen Selektivität zu Oxid zum Erzeugen von Wortleitungen gemacht wird; Implantieren von Source-/Drain-Anschlüssen; Ätzen der dielektrischen Kopplungsschicht zwischen den Gattern, was nass oder isotropisch erfolgen kann; Ätzen der Floating-Gatter-Schicht zum Unterbrechen der Floating-Gatter-Schicht, was nass oder isotropisch erfolgen kann; Abscheiden einer dielektrischen Schicht, die aus einem Oxid oder einem anderen dielektrischen Zwischenschichtenmaterial bestehen kann, um wenigstens teilweise die Lücken zwischen den Wortleitungen zu füllen und die floatenden Gatter einzukapseln.\nHier wurden aus Gründen der Klarheit alle Wasch- und Reinigungsschritte, die dem Fachmann ohnehin klar sind, weggelassen.\nGemäß einer bevorzugten Ausführungsform des erfinderischen Verfahrens wird eine Reduzierung der Breite der aktiven Bereiche durch ein Ätzen der aktiven Bereiche durchgeführt. Es ist auch bevorzugt, eine Reduktion in der Breite der aktiven Bereiche durch ein Wachsen einer thermischen Oxidopferschicht durchzuführen, um Silizium in dem thermischen Oxidationsprozess zu verbrauchen, gefolgt von einem Entfernen der thermischen Oxidopferschicht. Es kann auch vorzuziehen sein, ein "Pull-Back"-Ätzen der Pad-Nitridschicht durchzuführen.\nGemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst die Erzeugung einer dielektrischen Kopplungsschicht zwischen den Gattern die Schritte zum Wachsen einer bodenseitigen, thermischen Oxidschicht; Abscheiden einer Nitridschicht mittels LPCVD (chemische Dampfabscheidung bei Niedrigdruck) und Wachsen einer oberen Oxidschicht durch nasse Oxidation, insbesondere Dampfoxidation, auf der Nitridschicht. Es kann dann vorzuziehen sein, wenigstens einen Teil der oberen Oxidschicht mittels HT-Oxidation (HTO) oder durch Atomschichtenabscheidung abzuscheiden.\nGemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann nach dem Abscheiden einer Steuergatterschicht eine Metallschicht abgeschieden werden. Es kann auch vorzuziehen sein, dass nach dem Abscheiden einer Metallschicht eine Hartmaskenschicht abgeschieden wird. Ebenso kann die Isolationsschicht planarisiert werden, was beispielsweise durch chemisch-mechanisches Polieren erfolgen kann.\nDie Erzeugung von floatenden Gattern kann vorzugsweise eine Abscheidung einer Floating-Gatter-Schicht umfassen, welcher dann einer Entfernung der Bodenbedeckung der Floating-Gatter-Schicht an den gefüllten STI-Gräben folgt. Eine Abscheidung der Floating-Gatter-Schicht kann durch Einsetzen eines Verfahrens für eine nicht-konformale Bedeckung, wie eine Sputtertechnik, erfolgen; alternativ kann eine Abscheidung der Floating-Gatter-Schicht durch Einsetzen eines Verfahrens zur konformalen Bedeckung, wie eine CVD (chemische Dampfabscheidung)-Technik, erfolgen.\nErfindungsgemäß kann es stark bevorzugt sein, dass vor dem Schritt des Entfernens der Bodenbedeckung der Floating-Gatter-Schicht an den gefüllten Gräben eine Maskenschicht zum Verhindern des Ätzens der Floating-Gatter-Schicht oberhalb und auf beiden Seiten der Floating-Gatter-Schicht abgeschieden wird. In diesem Fall, nach der Abscheidung einer Floating-Gatter-Schicht unter Verwendung eines Verfahrens zur konformalen Bedeckung, umfasst die Abscheidung einer Maskenschicht und die Ätzung der Floating-Gatter-Schicht vorzugsweise die folgenden Schritte: Abscheiden einer dünnen Nitridlage, Beschichten eines Wafers mit einer organischen Schicht (Resist); Rückätzen der organischen Schicht zum Erzeugen von Aussparungen in den STI-Gräben; Entfernen der dünnen Nitridlage, dort, wo sie einer Ätzchemie ausgesetzt ist; Entfernen der organischen Schicht; Wachsen der Ätzmaske, insbesondere einer Oxidmaske, auf der nicht-bedeckten Oberfläche; Entfernen der dünnen Nitridlage, wo sie einer Ätzchemie ausgesetzt ist; Ätzen der Floating-Gatter-Schicht zum Unterbrechen der Floating-Gatter-Schicht mittels einer herkömmlichen Ätztechnik, wie RIE, und Entfernen der Ätzmaske. Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung.\nDie beigefügten Zeichnungen, die einen Teil der Beschreibung bilden, veranschaulichen derzeit bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der oben angegebenen allgemeinen Beschreibung und der unten angegebenen genauen Beschreibung zur Erklärung der Prinzipien der Erfindung.\n1A und 1B sind schematische Querschnittsansichten, die herkömmliche hochdichte Flash-Speicherzellen mit einer Struktur vom NAND-Typ bzw. NOR-Typ zeigen;\n2A und 2B sind schematische Querschnittsansichten, die eine Ausführungsform von erfindungsgemäßen hochdichten Flash-Speicherzellen mit einer Struktur vom NAND-Typ zeigen;\n3A bis 3I sind schematische Querschnittsansichten zur Veranschaulichung einer Ausführungsform eines Herstellungsverfahrens zum Erzeugen von hochdichten Flash-Speicherzellen der 2A und 2B;\n4A bis 4D sind schematische Querschnittsansichten zur Veranschaulichung einer weiteren Ausführungsform eines Herstellungsverfahrens zum Erzeugen von hochdichten Flash-Speicherzellen der 2A und 2B;\n5A und 5B zeigen in schematischen Draufsichten eine Anordnung von Flash-Speicherzellen mit einer Struktur vom NAND-Typ bzw. NOR-Typ.\nEs werden nun Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Einzelnen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, worin gleiche Bezeichnungen gleiche Elemente bezeichnen.\nDie 1A und 1B sind schematische Querschnittsansichten, die herkömmliche hochdichte Flash-Speicherzellen mit einer Struktur vom NAND-Typ bzw. NOR-Typ zeigen. Die 5A und 5B sind schematische Draufsichten, die eine Anordnung von Flash-Speicherzellen mit einer Struktur vom NAND-Typ bzw. NOR-Typ zeigen. Diese Figuren sind bereits in der Beschreibungseinleitung beschrieben worden, weshalb, zur Vermeidung von unnötigen Wiederholungen, deren nähere Erläuterung nun weggelassen wird.\nEs wird nun Bezug auf die 2A und 2B genommen, worin schematische Querschnittsansichten veranschaulicht sind, die eine bevorzugte Ausführungsform von erfindungsgemäßen hochdichten Flash-Speicherzellen mit einer Struktur vom NAND-Typ zeigen. Die 2A zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Wortleitung, welche durch das Steuergatter 4 identifiziert ist, wohingegen die 2B eine Querschnittsansicht entlang der Bitleitung zeigt. Wie aus diesen Figuren ersichtlich ist, sind auf einem Substrat mit integriertem Schaltkreis eine Mehrzahl von schmalen Isolationsgräben 2 angeordnet, wodurch eine Mehrzahl von aktiven Bereichen 1 definiert ist. Die aktiven Bereiche 1 umfassen Source-/Drain-Bereiche 13 und Kanalbereiche 17. Das Steuergatter 4 kreuzt über die schmalen Isolationsgräben 2 und ein Floating-Gatter 5-Muster ist zwischen dem Steuergatter 4 und den aktiven Bereichen 1 angeordnet. Die Flash-Speicherzellen umfassen ferner eine dielektrische Tunnelschicht 6, die zwischen den floatenden Gattern 5 und den aktiven Bereichen 1 angeordnet ist, und eine dielektrische Zwischengatterkopplungsschicht 7, die zwischen dem floatenden Gatter 5 und dem Steuergatter 4 angeordnet ist. Die dielektrische Zwischengatterkopplungsschicht 7 hat typischerweise eine Oxid-Nitrid-Oxid (ONO)-Struktur und umfasst erste 8, zweite 9 und dritte 10 Schichten aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid bzw. Siliziumoxid. Das Flash-Speicherelement umfasst ferner eine Metallschicht 11, welche auf dem Steuergatter 4 abgeschieden ist. Die Metallschicht 28 besteht aus Metall, welches zum Beispiel aus der Gruppe bestehend aus WSi, WN, W, und Kombinationen hieraus, insbesondere WN/W, gewählt ist, und weiterhin ist eine Hartmaskenschicht 12 auf der Metallschicht 11 angeordnet. Als ein charakteristisches Merkmal der vorliegenden Erfindung umfasst jeder der aktiven Bereiche 1 einen vorspringenden Abschnitt 16, wobei der vorspringende Abschnitt 16 wenigstens den Kanalbereich 17 umfasst. In der Ausführungsform von 2A ist der vorspringende Abschnitt 16 so geformt, dass er eine schienenartige Form hat, die in ihrer Querschnittsansicht rechtwinkelig ist. Ein weiteres charakteristisches Merkmal der vorliegenden Erfindung ist es, dass jedes der floatenden Gatter 5 so geformt ist, dass es eine rinnenartige Form hat, um den vorspringenden Abschnitt 16 des zugehörigen aktiven Bereichs 1 wenigstens teilweise zu umgeben. In der Ausführungsform von 2A ist das floatende Gatter 5 so geformt, dass es im Querschnitt eine U-förmige Gestalt hat. Wie aus 2A ersichtlich, umgibt jedes U-förmige floatende Gatter 5 seinen zugehörigen vorspringenden Abschnitt 16 auf der Oberseite und im Wesentlichen in voller Länge auf dessen beiden Seiten, um einen maximalen Sensestrom zu erzielen. Jeder vorspringende Abschnitt 16 weist eine Breite in X-Richtung von circa 15 nm und eine Höhe in Y-Richtung von circa 45 nm auf. Ferner besteht jede floatende Elektrode 5 aus n-dotiertem Silizium. Ferner ist die dielektrische Tunnelschicht 6 eine Oxidschicht.\nEin Tunneln von Elektronen durch die dielektrische Tunnelschicht 6 ist auf beiden Seitenflächen 31 des vorspringenden Abschnitts 16 des aktiven Bereichs 1 ermöglicht, wohingegen es an einer oberen Fläche 32 des vorspringenden Abschnitts 16 des aktiven Bereichs 1 nicht ermöglicht ist. Die Kopplungsfläche zwischen dem Steuergatter 4 und dem floatenden Gatter 5 ist circa 3 mal so groß wie eine Kopplungsfläche zwischen dem floatenden Gatter 5 und dem aktiven Bereich 1. Gleichzeitig ist eine Dicke der dielektrischen Zwischengatterkopplungsschicht 7, welche circa 15 nm beträgt, circa 2 mal so groß wie eine Dicke der dielektrischen Tunnelschicht 6.\nEs wird nun Bezug auf die 3A bis 3I genommen, in denen schematische Querschnittsansichten zum Veranschaulichen einer ersten Ausführungsform eines Herstellungsverfahrens zum Erzeugen von hochdichten Flash-Speicherzellen der 2A und 2B gezeigt sind.\nWie aus 3A ersichtlich, welche eine Querschnittsansicht entlang einer Wortleitung zeigt, wird ein Siliziumsubstrat 3 zum Beginn der Herstellung einer STI-Graben-Flashspeichervorrichtung bereitgestellt. Auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats 3 wird zunächst eine Pad-Oxidschicht 18 gewachsen, die eine Schichtdicke von circa 20 nm haben kann, was als dicker als bei der herkömmlichen Herstellung angesehen wird. Nach dem Wachsen der Pad-Oxidschicht 18 wird eine Pad-Nitridschicht 19 auf der Oberfläche der Pad-Oxidschicht abgeschieden. Dann werden Wannen implantiert, um aktive Bereiche zu erzeugen (nicht gezeigt in 3A), dem ein Maskieren von STI-Gräben mittels Lithographie und ein Ätzen der STI-Gräben, was durch RIE (reaktives Ionenätzen) erfolgen kann, folgt. Die 3A zeigt eine Situation, nachdem die STI-Gräben geätzt worden sind.\nEs wird nun Bezug auf die 3B genommen, worin zunächst eine dünne Oxidschicht (nicht gezeigt) zum Auskleiden der STI-Gräben gewachsen und dann eine Oxidisolationsschicht 20 zum Füllen der STI-Gräben 2 abgeschieden wird. Die Oxidisolationsschicht 20 wird dann durch chemisch-mechanisches Polieren planarisiert und mittels RIE rückgeätzt, um Aussparungen 21 in den STI-Gräben 2 zu erzeugen. Ebenso wird die Pad-Nitridschicht 19 abgestrippt. 3B zeigt eine Situation, nachdem die Pad-Nitridschicht 19 abgestrippt worden ist.\nEs wird nun Bezug auf die 3C und 3D genommen, worin eine thermische Oxidopferschicht 22 aufgewachsen wird, um eine Ätzschädigung zu minimieren und die Breite der aktiven Bereiche 1 durch Verbrauchen von Silizium während der thermischen Oxidation zu vermindern. Dann wird die thermische Oxidopferschicht 22 entfernt, was nasschemisch erfolgen kann. Anschließend wird eine Tunneloxidschicht 23 gewachsen, die dann Abschnitte des zuvor gewachsenen Pad-Oxids enthält. Dann wird eine Floating-Gatter-Schicht 24 auf der Oberfläche der Tunneloxidschicht abgeschieden, wobei herkömmliche CVD-Techniken und eine verminderte Step-coverage verwendet wird. Hierfür müssen die Abscheidungseigenschaften eingestellt werden, um in einem gewissen Maße von dem ideal konformalen Zustand abzuweichen. Beim Abscheiden der Floating-Gatter-Schicht 24 wird eine dünne Bodenbedeckung 25 auf den Gräben 2 geformt, welche dünner als die auf der Oberfläche der aktiven Bereiche 1 abgeschiedene Floating-Gatter-Schicht 24 ist. Die 3D zeigt eine Situation, nachdem die Floating-Gatter-Schicht 24 abgeschieden worden ist.\nEs wird nun Bezug auf die 3E und 3F genommen, worin die dünne Bodenbedeckung 25 der Floating-Gatter-Schicht 24 an den gefüllten STI-Gräben 2 unter Verwendung von RIE mit einer anisotropen Ätzrate entfernt wird. Da die Bodenbedeckung 25 dünner ist als die Floating-Gatter-Schicht 24 auf der Oberfläche der aktiven Bereiche 1 kann die Bodenbedeckung 25 selektiv entfernt werden. Dann wird eine dielektrische Zwischengatterkopplungsschicht 26, die typischerweise eine ONO-Struktur hat, abgeschieden. Anschließend werden eine Steuergatterschicht 27 und eine Metallschicht 28 auf der Oberfläche der Steuergatterschicht 27 abgeschieden. Auf der Oberfläche der Metallschicht 28 wird eine Hartmaske 29 abgeschieden. 3F zeigt eine Situation, nachdem die Hartmaske 29 abgeschieden worden ist.\nEs wird nun Bezug auf die 3G und 3H genommen, von denen jede eine Querschnittsansicht entlang einer Bitleitung bezüglich der Pfeile A und B in 3F zeigt. Der Gatterstapel einschließlich der Steuergatterschicht 27 wird durch Lithographie maskiert und mittels RIE geätzt. Das Ätzen wird fortgeführt, um die Steuergatterschicht 27 in den ausgesparten Abschnitten zu entfernen, wobei in vorteilhafter Weise Gebrauch von der hohen Selektivität zu Oxid gemacht wird (3G). Dann werden Source-/Drain-Anschlüsse 13 implantiert und die dielektrischen Schichten 26 geätzt, was nass oder mit einem isotropischen Trockenätzprozess erfolgen kann. Anschließend wird ein Ätzen der Floating-Gatter-Schicht 24 zum Unterbrechen der Floating-Gatter-Schicht nass oder mit einem isotropischen Trockenätzprozess durchgeführt (3H).\nEs wird nun Bezug auf die 3I genommen, welche eine Querschnittsansicht entlang einer Bitleitung in Bezug auf die Pfeile A und B in 3F zeigt, worin eine Oxidschicht 30 zum Füllen von Wortleitungslücken und zum Einkapseln der floatenden Gatter 24 abgeschieden und dann durch chemischmechanisches Polieren planarisiert wird.\nDie 4A bis 4D zeigen schematische Querschnittsansichten zum Veranschaulichen einer weiteren Ausführungsform eines Herstellungsverfahrens zum Erzeugen von hochdichten Flash-Speicherzellen der 2A und 2B. Diese Ausführungsform ist sehr ähnlich zu der ersten Ausführungsform, welche in den 3A bis 3H veranschaulicht ist, weshalb, um unnötige Wiederholungen zu vermeiden, nur die Unterschiede zwischen den beiden Ausführungsformen diskutiert werden. Zunächst werden die Schritte in Bezug auf die 3A bis 3C durchgeführt. Dann, siehe 4A und 4B, wird eine Tunneloxidschicht 23 gewachsen und eine Floating-Gatter-Schicht 24 auf der Oberfläche der Tunneloxidschicht unter Verwendung von herkömmlichen CVD-Techniken mit konformaler Beschichtung, was verschieden ist von der Abscheidung der Floating-Gatter-Schicht 24 der ersten Ausführungsform, abgeschieden. Dann wird eine dünne Nitridschicht 33 abgeschieden und der Wafer mit einer organischen Schicht 34 (Resist) beschichtet, die nach der Abscheidung rückgeätzt wird. 4B zeigt eine Situation, in der die organische Schicht 34 rückgeätzt worden ist. Dann, siehe 4C, wird die dünne Nitridschicht 33 dort, wo sie einer Ätzchemie ausgesetzt ist, entfernt und ebenso die organische Schicht 34 entfernt. Anschließend wird eine Oxidmaske 35 auf der nicht-bedeckten Oberfläche gewachsen. Dann, siehe 4D, wird die dünne Nitridschicht 33 dort, wo sie einer Ätzchemie ausgesetzt ist, entfernt und die Floating-Gatter-Schicht 24 mittels RIE geätzt, um die Floating-Gatter-Schicht 24 zu unterbrechen. Dann wird die Oxidmaske 35 entfernt. Die 4D zeigt eine Situation, in der die Floating-Gatter-Schicht 24 geätzt worden ist und bevor die Oxidmaske entfernt wird. Anschließend werden die Schritte bezüglich der 3F bis 3I ausgeführt.\nOffensichtlich sind viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung in Anbetracht der obigen Beschreibung möglich. Es ist deshalb klar, dass im Rahmen des Umfangs der beigefügten Ansprüche die Erfindung anders ausgeführt werden kann als es spezifisch angegeben ist.\nFlash-Speicherzelle, welche umfasst:\n– ein Siliziumsubstrat (3) mit einem, einen Kanalbereich (17) und Source-/Drain-Bereiche (13) umfassenden, aktiven Bereich (1), wobei der aktive Bereich einen vorspringenden Abschnitt (16) aufweist, welcher vorspringende Abschnitt wenigstens den Kanalbereich (17) umfasst;\n– eine dielektrische Tunnelschicht (6), die wenigstens teilweise auf der Oberfläche des aktiven Bereichs (1) geformt ist;\n– ein auf der Oberfläche der dielektrischen Tunnelschicht (6) geformtes floatendes Gatter zum Speichern von elektrischen Ladungen;\n– eine dielektrische Zwischengatterkopplungsschicht (7), die auf der Oberfläche des floatenden Gatters (5) geformt ist, und\n– ein Steuergatter (4), das auf der Oberfläche der dielektrischen Zwischengatterkopplungsschicht (7) geformt ist,\nwobei das floatende Gatter (5) so geformt ist, dass es eine rinnenartige Form zum wenigstens teilweisen Umgreifen des vorspringenden Abschnitts (16) des aktiven Bereichs (1) umfasst. Flash-Speicherzelle nach Anspruch 1, bei welcher der vorspringende Abschnitt (16) des aktiven Bereichs (1) so geformt ist, dass er eine Breite (W) hat, die höchstens 50 nm beträgt, stärker bevorzugt im Bereich von 5 bis 50 nm liegt, und noch stärker bevorzugt im Bereich von 10 nm bis 30 nm liegt. Flash-Speicherzelle nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei welcher der vorspringende Abschnitt (16) des aktiven Bereichs (1) so geformt ist, dass er eine Höhe (H) hat, die höchstens 100 nm beträgt und vorzugsweise im Bereich von 30 nm bis 100 nm liegt. Flash-Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher die rinnenförmige, floatende Elektrode (5) so geformt ist, dass sie eine U-Kanal-artige Form hat. Flash-Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher der vorspringende Abschnitt (16) des aktiven Bereichs (1) so geformt ist, dass er eine schienenartige Gestalt hat. Flash-Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher das Material der floatenden Elektrode (5) aus der Gruppe, bestehend aus n-dotiertem Silizium, p-dotiertem Silizium, nicht-dotiertem Silizium, Ge und einem inerten metallischen Material, wie TiN, TaN, WN, Ir, IrO, Ru, RuO, WSi und Kombinationen hieraus, gewählt ist. Flash-Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher die dielektrische Tunnelschicht (6) aus einer Oxidschicht oder einer nitridierten Oxidschicht gewählt ist. Flash-Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher die dielektrische Zwischengatterkopplungsschicht (7) aus einem Siliziumoxidfilm, einem Siliziumnitridfilm und einem Siliziumoxidfilm (ONO-Struktur) aufgebaut ist. Flash-Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher ein Tunneln von Elektronen durch die dielektrische Tunnelschicht (6) an einer oder beiden Seitenflächen des vorspringenden Abschnitts (16) des aktiven Bereichs (1) ermöglicht ist, wohingegen es an einer oberen Fläche des vorspringenden Abschnitts (16) des aktiven Bereichs (1) nicht ermöglicht ist. Flash-Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher eine Kopplungsfläche zwischen dem Steuergatter (4) und dem floatenden Gatter (5) wenigstens 3 mal so groß ist wie eine Kopplungsfläche zwischen dem floatenden Gatter (5) und dem aktiven Bereich (1). Flash-Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher eine äquivalente Dicke der dielektrischen Zwischengatterkopplungsschicht (7) circa 2 mal so groß ist wie eine Dicke der dielektrischen Tunnelschicht (6). Flash-Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher eine Dicke der dielektrischen Tunnelschicht (6) circa 7 nm beträgt. Flash-Speichervorrichtung mit einer Anordnung von programmierbaren und löschbaren Speicherzellen nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Speicherzellen in Spalten und Reihen angeordnet sind und mit einer Mehrzahl von Bit- und Wortleitungen verbunden sind. Flash-Speichervorrichtung nach Anspruch 13 mit einer Struktur vom NAND-Typ, umfassend eine Mehrzahl von Bitleitungen, eine Mehrzahl von Speicherzellen, die mit den Bitleitungen verbunden sind und NAND-Zellenblöcke formen, von denen jeder eine Serienanordnung von Flash-Speicherzellen aufweist, die an einem ersten Knoten mit einer zugehörigen Bitleitung (BLK) und an einem zweiten Knoten mit dem Substrat verbunden sind, und parallele Wortleitungen (BLK), von denen jede mit den floatenden Gattern einer der Flash-Speicherzellen gekoppelt ist. Flash-Speichervorrichtung nach Anspruch 13 mit einer Struktur vom NOR-Typ, umfassend eine Mehrzahl von Bitleitungen, eine Mehrzahl von Speicherzellen, die mit den Bitleitungen verbunden sind und NOR-Zellenblöcke formen, von denen jeder eine Flash-Speicherzelle aufweist, die an einem ersten Knoten mit einer zugehörigen Bitleitung (BLK) und an einem zweiten Knoten mit dem Substrat verbunden ist, und parallele Wortleitungen (WLK), von denen jede mit den floatenden Gattern einer der Flash-Speicherzellen gekoppelt ist. Flash-Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 13, 14 oder 15 mit einem Bitleitungsabstand (F) und/oder Wortleitungsabstand von höchstens 150 nm. Flash-Speichervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 13 bis 16 mit einem Bitleitungshalbabstand und/oder Wortleitungshalbabstand im Bereich von 40 bis 70 nm. Flash-Speichervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 13 bis 17, bei welcher die Flash-Speicherzellen von anderen Speicherzellen durch STI (schmale Grabenisolation)-Gräben isoliert sind. Verfahren zum Herstellen einer Flash-Speichervorrichtung nach Anspruch 18, welches die folgenden Schritte umfasst:\n– Bereitstellen eines Siliziumsubstrats (3),\n– Wachsen einer Pad-Oxidschicht (18) auf einer Oberfläche des Siliziumsubstrats (3),\n– Abscheiden einer Pad-Nitridschicht (19) auf der Oberfläche der Pad-Oxidschicht (18),\n– Implantieren von Wannen (13) zum Erzeugen von aktiven Bereichen (1),\n– Maskieren von STI-Gräben (2) durch Lithographie,\n– Ätzen von STI-Gräben (2),\n– Wachsen einer Schicht zum Auskleiden der STI-Gräben,\n– Abscheiden eines Füllmaterials (20) zum Füllen der STI-Gräben,\n– Planarisieren des Füllmaterials (20), beispielsweise durch chemisch-mechanisches Polieren,\n– Rückätzen des Füllmaterials (20) zum Formen von Aussparungen (21) in den STI-Gräben,\n– Abstrippen der Pad-Nitridschicht (18),\n– Reduzieren der Breite (W) der aktiven Bereiche (1),\n– Wachsen einer dielektrischen Tunnelschicht (23),\n– Erzeugen von floatenden Gattern,\n– Erzeugen einer dielektrischen Zwischengatterkopplungsschicht (26),\n– Abscheiden einer Steuergatterschicht (27),\n– Maskieren der Steuergatterschicht (27) durch Lithographie,\n– Ätzen der Steuergatterschicht (27),\n– Implantieren von Source-/Drain-Anschlüssen (13),\n– Ätzen der dielektrischen Zwischengatterkopplungsschicht (26),\n– Ätzen der Floating-Gatter-Schicht (24) zum Unterbrechen der Floating-Gatter-Schicht (24),\n– Abscheiden einer dielektrischen Schicht (13), um wenigstens teilweise Wortleitungslücken zu füllen und die floatenden Gatter einzukapseln. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Reduzierung der Breite (W) der aktiven Bereiche (1) durch ein Ätzen der aktiven Bereiche erfolgt. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Reduzieren der Breite (W) der aktiven Bereiche (1) durch ein Wachsen einer thermischen Oxidopferschicht (22), gefolgt von einem Entfernen der thermischen Oxidopferschicht (22), erfolgt. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Abscheiden einer Steuergatterschicht (27) eine Metallschicht (28) abgeschieden wird. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Abscheiden einer Metallschicht (28) eine Hartmaske (29) abgeschieden wird. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolationsschicht (30), zum Beispiel durch chemisch-mechanisches Polieren, planarisiert wird. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Erzeugen von floatenden Gattern durch Abscheiden einer Floating-Gatter-Schicht (24) und einem Entfernen der Bodenbedeckung (25) der Floating-Gatter-Schicht (24) an den gefällten STI-Gräben (2) erfolgt. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass das Abscheiden einer Floating-Gatter-Schicht (24) durch Verwenden einer nicht-konformalen Bedeckungsmethode, wie einer Sputtertechnik, erfolgt. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass das Abscheiden einer Floating-Gatter-Schicht (24) durch Verwenden einer konformalen Bedeckungsmethode, wie eine CVD (chemische Dampfabscheidung)-Technik erfolgt. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Schritt des Entfernens der Bodenbedeckung (25) der Floating-Gatter-Schicht (24) an den gefüllten Gräben eine Maskenschicht zum Verhindern des Ätzens der Floating-Gatter-Schicht (24) auf der Oberseite und auf beiden Seiten der Floating-Gatter-Schicht (24) abgeschieden wird. Verfahren nach den Ansprüchen 27 und 28, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Abscheiden einer Floating-Gatter-Schicht (24) unter Verwendung einer konformalen Bedeckungsmethode, die Abscheidung einer Maskenschicht und das Ätzen der Floating-Gatter-Schicht (24) die folgenden Schritte umfasst:\n– Abscheiden einer dünnen Nitridschicht (33),\n– Abscheiden einer organischen Schicht (Resist) (34) auf der Oberfläche der dünnen Nitridschicht (33),\n– Rückätzen der organischen Schicht (34) zum Erzeugen von Aussparungen in den STI-Gräben,\n– Entfernen der dünnen Nitridschicht (33), wo diese einer Ätzchemie ausgesetzt ist,\n– Entfernen der organischen Schicht (34),\n– Wachsen einer Ätzmaske (35) auf der nicht-bedeckten Oberfläche,\n– Entfernen der dünnen Nitridschicht (33), wo sie einer Ätzchemie ausgesetzt ist,\n– Entfernen der Ätzmaske (35). Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 29, gekennzeichnet durch den folgenden weiteren Schritt:\n– "Pull-Back"-Ätzen der Pad-Nitridschicht (19). Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass das Erzeugen einer dielektrischen Zwischengatterkopplungsschicht (26) die folgenden Schritte umfasst:\n– Wachsen einer unteren thermischen Oxidschicht (8),\n– Abscheiden einer Nitridschicht (9) mittels LPCVD (chemische Dampfabscheidung bei niedrigem Druck),\n– Wachsen einer oberen Oxidschicht (10) durch Nassoxidation, insbesondere Dampfoxidation, auf der Nitridschicht (9). Verfahren nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Teil der oberen Oxidschicht (10) mittels HT-Oxidation (HTO) oder Atomschichtenabscheidung abgeschieden wird.


ÖFB-Nachwuchs schlägt Schweden mit 3:0 - ÖFB-Nachwuchs - derStandard.at › Sport\nÖFB-Nachwuchs schlägt Schweden mit 3:0\nÖsterreichische Jungkicker besiegen in der Elite-Runde die Skandinavier sicher. Sabitzer mit drei Toren Matchwinner\nDer ÖFB-Nachwuchs dominierte die Partie, ließ Ball und Gegner laufen. Sabitzer traf erst nach Vorarbeit seines Clubkollegen Louis Schaub mit einem verdeckten Schuss. Danach entwischte er zweimal der schwedischen Abwehr, lief alleine auf den gegnerischen Torhüter und ließ diesem keine Chance - wenn auch beim 2:0 womöglich aus Abseitsposition. Frankreich besiegte Bosnien in Lindabrunn mit 1:0 (1:0). (APA, 07.06.2013)


20 Minuten - Fotografin «neutralisiert» gestylte Menschen - Zentralschweiz\n«So wie ich bin»\n06. Februar 2015 05:35; Akt: 06.02.2015 09:33 Print\nFotografin «neutralisiert» gestylte Menschen\nUnser Styling hat eine enorme Wirkung: Wie gross diese ist, zeigt die junge Fotografin Sina Guntern (18), indem sie Menschen sämtliche individuelle Gestaltung wegnimmt.\nDie 18-jährige Fotografin Sina Guntern aus Luzern zeigt mit einem Fotoprojekt «So wie ich bin», wie Menschen durch ihr Styling wirken - indem sie diese auch in neutralem Look ablichtet. «So wie ich bin» ist auf www.galerie.fotodok.ch noch bis Ende April 2015 zu sehen. Gefärbte Haare, Tattoos, Piercings und zerrissene Jeans: Jeder Mensch hat sein eigenes Markenzeichen. Sina Guntern setzt sich oft und gerne damit auseinander, was Menschen durch die Gestaltung ihrer Persönlichkeit aus ihrem naturgegebenen Äusseren machen und wie ihr Eindruck damit andere Menschen beeinflusst. Der Effekt ihrer Arbeit ist verblüffend. Für ihr Projekt «So wie ich bin» wurde Sina Guntern 2014 mit dem Canon Award geehrt. «Ich setzte mich scho längere Zeit mit dem Thema Mensch und sein Aussehen auseinander. Mir ist aufgefallen, dass das Erscheinungsbild einer Person einen wesentlich Einfluss auf sein Umfeld hat», sagt sie. Sie möchte jeden sehen lassen, wie viel das eigene äusserliche Gestalten, das jeder selbst bestimmt und verwirklicht, und ausmachen kann.\nLinks: Die originale Variante - Rechts: Die neutralisierte Variante\nFotografie-Ausstellung: Fünf Ostschweizer Künstler an der Photo15\nAusstellung Photo15: Basler zeigt den harten Alltag in der Mongolei\nGefärbte Haare, Tattoos, Piercings und zerrissene Jeans: Jeder Mensch hat einen Style. Über die Wirkung davon hat Sina Guntern (18) das Fotoprojekt «So wie ich bin» realisiert. Die Bilder sind bis Ende April bei der Internetgalerie www.fotodok-galerie.ch der Stiftung Fotodokumentation Kanton Luzern (Fotodok) zu sehen.\nDie 18-jährige Sina Guntern wurde für ihre Projekt bereits ausgezeichnet.\n«Die 18-Jährige setzt sich oft und gerne damit auseinander, was Menschen durch ihr Styling aus ihrem naturgegebenen Äusseren machen und wie der Eindruck damit andere Menschen beeinflusst», schreibt die Stiftung über Sina Guntern. Die Fotografin selbst sagt, sie setze sich schon längere Zeit mit dem Thema Mensch und dessen Aussehen auseinander. «Mir ist dabei aufgefallen, dass das Erscheinungsbild einer Person einen wesentlichen Einfluss auf sein Umfeld hat.» Für sie ist ein menschlicher Körper wie eine leere Leinwand, die gefüllt werden kann.\nDiese Haltung hat sie zu ihrem Fotografieprojekt inspiriert; sie ist in der Ausbildung zur Fotografin EFZ im Fotostudio Bruno Meier in Sursee. Das Projekt «So wie ich bin» funktioniert ganz einfach: Guntern fotografierte Menschen so, wie sie auf die Strasse gehen. Dann neutralisierte sie diese Personen und lichtete sie ganz ohne individuelle Gestaltung wie Körperschmuck, wilde Frisuren oder Tätowierungen ab. Die Tattoos entfernte sie entweder mit Photoshop oder Make-up. Ausserdem steckte sie alle Personen für das neutralisierte Bild in weisse T-Shirts und Blue Jeans. Dann fügte sie die beiden Fotos zusammen; links die Street-Version, rechts die neutrale Variante. Das Ergebnis ist verblüffend: Teilweise erkennt man die Menschen fast nicht mehr wieder. «Mir geht es nicht darum, die Personen in meinen Bildern ‹normal› zu machen», sagt die 18-jährige Wahlluzernerin. Sie möchte einfach jeden erkennen lassen, wie viel das eigene äusserliche Gestalten, das jeder selbst bestimme, ausmachen könne. «Wir sind stark vom ersten Eindruck einer Person eingenommen und bilden uns schnell eine Meinung über sie.»\nEinige Fotomodelle hat sie von der Strasse weg gecastet, andere stammen aus ihrem Freundeskreis. «Die Suche verlief leichter als erwartet. Ich dachte, die Leute würden abweisender auf meine Anfrage reagieren. Die meisten waren offen, nur wenige skeptisch», sagt die junge Bernerin.\n«Ich trage gerne ausgefallene Frisuren»\nAuch sie selbst hat ein auffälliges Äusseres: «Ich habe manchmal etwas spezielle und ausgefallene Frisuren», sagt sie mit einem Schmunzeln. Auch das habe sie bei der Entstehung des Projekts beeinflusst. Dieses ist eine Erfolgsgeschichte: Für «So wie ich bin» erhielt Sina Guntern 2014 in der Photobastei Zürich den Canon Award.\nMarco. Jones am 06.02.2015 08:01 Diesen Beitrag melden\nSuper Bilder. Sehr Interessant zu sehen wie einem solche äussere Kunst und Styling verändert.\nEin Fotograph am 06.02.2015 08:43 via Diesen Beitrag melden\nEinfach super. Kompliment für die Idee und die Umsetzung.\nGC-Fan am 06.02.2015 08:05 Diesen Beitrag melden\nIst ein prima Idee, vor allem von so einem jungen Menschen. Aber rein künstlerisch haut mich es nicht vom Hocker. Ich finde, der Kern des Menschen ist jeweils in beiden Bildern gut zu sehen. Trotzdem, würde ich mir anschauen.\nT.C. am 07.02.2015 19:36 Diesen Beitrag melden\nWirklich tolle Bilder! Sehr interessant zu sehen, was ein individuelles Styling so ausmachen kann. Gute Arbeit!\np.m. am 07.02.2015 11:00 via Diesen Beitrag melden\nVergangenheit kann man nicht ändern\nnur bringt einem eine äussere Veränderung rein gar nichts, denn was in der Vergangenheit passierte, trägt man sein Leben lang in sich herum. wie auf Bild 1\nr. ichtig am 07.02.2015 16:11 via Diesen Beitrag melden\nWieso daumen runter? was auch immer er getan hat, p.m. hat recht.. ich sehe das genau so. man kann keine erlebnisse weg retouchieren, sie bleiben an der eigenen seele kleben und begleiten jmd.\ngmork am 06.02.2015 21:40 via Diesen Beitrag melden\nwas ich aber svhade finde ist, dass man nei den neutralen Bildern gut erkennen kann, dass diese digital bearbeitet sind. Die Personen auf den neutralen Bildern sind alle viel üppiger als im "Original". Zu viel PSD meiner Meinung, sonst aber eine super Idee und tolle Umsetzung!\nS.T am 06.02.2015 21:26 via Diesen Beitrag melden\nIch glaube einige haben das hier nicht ganz verstanden!!! Es ist nur eine Idee der Fotografin wie die Leute aussehen würden wen sie nichts mit sich machen würden. Es heisst nicht das alle so sein sollten. Und die Fotografin ist ganz und gar nicht normal ich kenne Sie gut und Sie verändert sich auch andauernd, weil Sie einfach nicht wie die andern sein wil. Das die Bilder nicht jedem gefahlen ist klar aber das man die Fotografin gerade weg dem so abstempeln mus ist unnötig. Und denkt daran Sie ist erst im 2. Lehrjahr und schon so talentiert!!!\nMelanie am 06.02.2015 20:43 via Diesen Beitrag melden\nHerzliche Gratulation diese Kunst gefällt mir sehr


« Wellness für Genießer in Südtirol: Amonti und Lunaris\nPosthotel Achenkirch: Tenzo Pension – Kraft pur »\nWeltberühmte Dolomitenpanoramen, Winterlandschaften wie im Bilderbuch und ein Dorf mit Geschichte: Das Hotel Lamm****S in Kastelruth liegt dort, wo der Winter noch mit erholsamer Ruhe und puristischen Erlebnissen glänzt. Bei Winter- oder Schneeschuh-Wanderungen mit Wanderführer Günter auf der Seiser Alm zum Puflatsch oder zur Laurinhütte hat man immer ein atemberaubendes Dolomiten-Panorama vor Augen.\n(c) Andergassen Florian (Hotel Lamm)\nDie Langläufer ziehen ihre Kreise um Kastelruth und oben auf der schneesicheren Seiser Alm zum Wolfsbühel oder zum Joch. Auf der größten Alm Europas haben auch die Rodler ihre Lieblingsstrecken. Von der Mahlknechthütte und vom Gasthof Zallinger geht es rasant talwärts zum Almgasthof Tirler. Man kann aber auch mit dem Puflatschlift nach oben fahren und dann die Rodelstrecke bis nach Kompatsch nehmen. Tourengeher haben dank der Ausgangslange auf über 1.000 Metern und der Weite der Region viele Möglichkeiten.\nNach den Naturabenteuern prickelt die Winterluft im Gesicht und heimgekehrt ins Hotel Lamm in Kastelruth tut erstmal eine Aufwärmrunde in der Spa Oase auf der obersten Etage gut. Nach ein paar Aufgüssen in der Finnen- oder Biosauna folgt eine ausgiebige Ruhephase auf den Zirbenbetten unter dem Giebel mit „Heuschober-Atmosphäre“. Dann kann man sich entscheiden: Gleich noch ein paar Runden im 30 Grad warmen Sky Pool, ein genüssliches Get active-Beautypaket mit Body Wrap, Gesichtsbehandlung und Rückenmassage oder doch lieber gleich ab ins „Lampl“, der Bar mit italienischem Flair direkt am Dorfplatz.\nDas Küchenteam hat sich dem leichten Genuss aus saisonalen, hochwertigen und naturbelassenen Lebensmitteln der Region verschrieben. Frisches Gemüse, alpine Kräuter, regionale Milch- und Käseprodukte sowie Eier und Fleisch von heimischen Bauernhöfen landen in den Kochtöpfen. Dazu passt natürlich einer der typischen Weißen aus der Region: ein Sylvaner, Kerner oder Gewürztraminer vielleicht. Danach lockt das gemütliche Boxspringbett. Denn am nächsten Morgen geht es „Fit in den Tag mit Nadine“, bevor nach dem köstlichen Frühstücksbuffet wieder Schneeerlebnisse auf der Seiser Alm anstehen. Oder irgendwo anders in Südtirol, denn mit der inkludierten Mobilcard der Ferienregion Seiser Alm ist man mit öffentlichen Verkehrsmitteln gratis unterwegs.\nWeitere Infos: www.lamm-hotel.it\nGet active! im Hotel Lamm (noch bis 13.04.20): Leistungen: 7 x HP (Frühstücksbuffet, mehrgängiges Abendmenü), Mobilcard „Ferienregion Seiser ALM LIVE“ für die öffentlichen Verkehrsmittel, 1 Begrüßungsaperitif bei Anreise, -10% auf den Ski Verleih, Fit in den Tag mit Nadine (Morgenmeditation) 1 Klangschalenreise, 1 Winterwanderung auf der Seiser Alm mit Wanderführer Günter, 1 geführte Schneeschuhwanderung im Tierser Tal, Get active-Beautypaket (Body Wrap nach Wahl, Gesichtsbehandlung, „Dynamic Recreation Back“ Massage), freie Nutzung des Wellnessbereiches (finnische Sauna, Biosauna, türkisches Dampfbad, Erlebnisduschen, Ruhebereich mit Zirmbetten, 30° C Sky Pool und Whirlpool) – Preis p. P.: ab 1.395 Euro


SPLK-2002 Testking - SPLK-2002 Online Prüfungen, SPLK-2002 PDF Demo - Boucledelartois\nWir Boucledelartois SPLK-2002 Online Prüfungen beschäftigen uns seit Jahren mit der Entwicklung der Software der IT-Zertifizierungsprüfung, Splunk SPLK-2002 Testking Vor allem ist die Bestehensquote am höchsten in dieser Branche, Kandidaten können sich sicher fühlen, unsere Pass Guide SPLK-2002 Prüfung Dumps kaufen, versprechen wir "Geld zurück Garantie", Aus dieser Weise können Sie bleibende Erinnerung an die Kenntnis von Splunk SPLK-2002 Prüfungsunterlagen erhalten.\nBin ich strafbar, da� ich auch jetzt noch eine Seligkeit SPLK-2002 Buch f�hle, mir diese gl�henden Freuden mit voller Innigkeit zur�ckzurufen, In Winterfell hatteer ihre Leichen nicht gesehen Aber es hatte dort SPLK-2002 Vorbereitung sehr viele Leichen gegeben, und dabei hatten sie noch nicht einmal ins Innere der Gebäude geschaut.\nEin Geschenk von Magister Illyrio sagte Viserys lächelnd, https://originalefragen.zertpruefung.de/SPLK-2002_exam.html In der Düsternis war ihm entgangen, dass das Gitter einen halben Meter weit angehoben war, AlsHabdalum Besasa diejenige erblickte, in die er so sterblich https://www.pruefungfrage.ga/SPLK-2002-dumps-deutsch.html verliebt war, fühlte er seine Kräfte sich herstellen und ließ die lebhafteste Freude blicken.\nDer Großwesir wollte dem Sultan nicht alle die Gründe vorstellen, welche ihn SPLK-2002 Fragen&Antworten hätten bewegen können, von seinem Entschluss abzustehen, Ihm vielleicht die Rückkehr nahezulegen - Ihr Bruder Christian ist nicht in der Stadt?\nHernach, Dieterich, hernach, Darüber hatte sie nur gelacht und erwidert: SPLK-2002 Testking Wir haben alle unsere Geheimnisse, Bruder, Warum, sprach dieser würdige Ritter zu ihnen, sollten wir uns ohne Not eines Mordes schuldig machen?\nWann war ich je in der Lage, Vater zu irgendetwas zu bringen, Egal C_TS452_1909-Deutsch Online Prüfungen was Sie erleben, diejenigen, die Sie nicht mögen, können eine Gelegenheit finden, Sie mit Ihrer Erfahrung zu korrumpieren!\nDieser Anblick tat dem Sohne ordentlich wohl; DA-100 Musterprüfungsfragen aber froh war er darum doch nicht, Es gibt dort Nahrung in Hülle und Fülle und auch gute Gesellschaft, Vier Minuten später Langdon befürchtete SPLK-2002 Unterlage bereits, vergeblich gekommen zu sein lieferte der Computer einen weiteren Treffer.\nVon euch hier, soll das heißen, Du gehst zu weit warnte er, Verdammt SPLK-2002 Testking pfiffige Bestien, Es fühlte sich an, als würden sich die Wellen um mich streiten, So groß werden Schwarzbären nicht.\nSir, schnell Beruhige dich, mein junge, du bist nicht ganz auf SPLK-2002 Testking der Höhe der Ereignisse sagte Dumbledore, Die Uhr einer nahen Kirche zeigte fast Mit- ternacht, Tamisier und Combes.\nMochte es noch so unehrenhaft sein, dieses traurige SPLK-2002 Testking und wütende Wesen lebte nur für die Hoffnung, das Blut seines Bruders an der eigenen Klinge zu sehen Und selbst das wurde ihm C_TS422_1909-Deutsch PDF Demo verwehrt, als Prinz Oberyn von Dorne Ser Gregor mit einem vergifteten Speer durchbohrte.\nIch hoffe, du bist es noch nicht müde, in anderer SPLK-2002 Testking Leute Ge- dächtnisse einzutauchen, denn das sind eigenartige Erinnerungen, diese beiden sagte er, Doch meiner bemächtigte sich sogleich SPLK-2002 Testking eine solche Furcht, dass ich meinen Laden schloss, und auf ein Jahr lang verreiste.\nPasst du auch gut auf, Liebes, Bertil fing SPLK-2002 Testking an zu lachen: Glaubst du denn wirklich, daß ich durch das Loch da hindurchkomme,Gut, nun aber rasch ins Bett sagte Dumbledore SPLK-2002 Online Test und starrte Riddle genauso durchdringend an, wie es Harry schon von ihm kannte.\nEin transzendentaler Idealist ist also ein empirischer Realist SPLK-2002 Online Tests und ein Material das als Phänomen betrachtet wird) Absichtliche Persönlichkeit, Firenze sah ihn gleichmütig an.


Marina Soballa (Ärztin, Allgemeinmedizinerin) in 44135 Dortmund | jameda\nIhre Route zu Frau Soballa:\nDie Bewertungen von Frau Soballa zeigen nach den jameda Qualitätsindizes keine Auffälligkeiten.\nJetzt Frau Soballa empfehlen\nJetzt Frau Soballa und ihre\nJetzt Frau Soballa zur\nSind Sie Marina Soballa?\nHier werden Stichwörter dargestellt, bei denen Frau Soballa über oder unter dem deutschlandweiten Durchschnitt aller Innere- & Allgemeinmediziner liegt. Diesen Schnitt berechnen wir aus allen Bewertungen von Frau Soballa.\nKeine MEDIZINERIN .- eine ÄRZTIN\nok - manchmal - nein sehr oft - sehr lange Wartezeiten, trotz Termin. ABER das nehme ich in Kauf. Frau Soballa sieht den ganzen Menschen, nicht nur das Symptom. Und gute ... Mehr\nWeitere Informationen über Frau Soballa\nSind Sie Frau Soballa?\nArtikel von Frau Soballa\nKollegen (1) von Frau Soballa anzeigen\nDas sagen Patienten über Frau Soballa\nBewertung vom 16.04.2017, gesetzlich versichert, Alter: über 50\nok - manchmal - nein sehr oft - sehr lange Wartezeiten, trotz Termin. ABER das nehme ich in Kauf. Frau Soballa sieht den ganzen Menschen, nicht nur das Symptom. Und gute individuelle Beratung hält… Mehr\nok - manchmal - nein sehr oft - sehr lange Wartezeiten, trotz Termin. ABER das nehme ich in Kauf. Frau Soballa sieht den ganzen Menschen, nicht nur das Symptom. Und gute individuelle Beratung hält sich nun mal nicht an Sprechzeiten. Das sollte man als Patient wissen. Ich plane Wartezeiten ein, habe immer ein gutes Buch dabei und habe seit mehr als 12 Jahren die Gewißheit: wenns drauf ankommt, hat SIE auch Zeit für mich - trotz vollem Wartezimmer."\nBewertung kommentieren (nur für Frau Soballa)\nFrau Soballa ist eine sehr menschliche und interessierte Ärztin, nur im äußersten Notfall würde ich zu einem anderen Arzt gehen. Manchmal sind die Wartezeiten etwas lang, aber sie hört den… Mehr\nFrau Soballa ist eine sehr menschliche und interessierte Ärztin, nur im äußersten Notfall würde ich zu einem anderen Arzt gehen.\nManchmal sind die Wartezeiten etwas lang, aber sie hört den Patienten eben zu..."\nFreundliche Ärtzin, die sich auch mal Zeit nimmt\nFrau Soballa nimmt sich gerne mal Zeit und stellt den Mensch in den Vordergrund, nicht die Krankheit. Die Wartezeit ist leider etwas lang, aber auf jeden Fall wert." Mehr\nFrau Soballa nimmt sich gerne mal Zeit und stellt den Mensch in den Vordergrund, nicht die Krankheit. Die Wartezeit ist leider etwas lang, aber auf jeden Fall wert."\nKompetent, freundlich und leider lange Wartezeit\nSeit ich ca 6 Jahre alt bin ist Frau Soballa nun schon mein Hausarzt und ich bin nach fast 10 Jahren immer sehr zufrieden gewesen mit ihr. Die Beratung ist sehr kompetent und das Personal sehr nett.… Mehr\nSeit ich ca 6 Jahre alt bin ist Frau Soballa nun schon mein Hausarzt und ich bin nach fast 10 Jahren immer sehr zufrieden gewesen mit ihr. Die Beratung ist sehr kompetent und das Personal sehr nett. Sie stellt immer sehr genaue Diagnosen und verschreibt immer sehr hilfreiche Medikamente. Außerdem ist Frau Soballa auch persönlich sehr nett und hat immer was zu erzählen. Also ich kann die Praxis nur weiterempfehlen, da sie auch nur 2 min. von der U-Bahn Station ,,Stadtgarten'' entfernt ist und somit gut zu erreichen ist. Als einzig negativen Punkt kann man die überlangen Wartezeiten nenne, ohne Termin kann das gut mal an die 2 Stunden dauern und auch mit Termin ziemlich lange."\nFolgende Kollegen sind im Netzwerk von Frau Soballa\nFrau Soballa hat leider noch keine Netzwerk-Kontakte hinterlegt.


Schlüsseldienst Stadtsteil Bökerhöhe - Remscheid\nMr-KEY › Partner › Remscheid › Bökerhöhe\nMr-KEY: Schlüsseldienst Stadtsteil Bökerhöhe (Remscheid) - Leistungen: Türöffnungen, Autoöffnungen, Tresoröffnungen, Einbruchschutz, Sicherheitstechnik - Notdienst: 01525 73 279 03 - 20 Minuten.\nSchlüsseldienst Stadtsteil Bökerhöhe in Remscheid.\nMr-KEY, der Schlüsseldienst im Stadtsteil Bökerhöhe (Remscheid) öffnet Ihnen professionell und kostengünstig jegliche Art von Türen innerhalb von wenigen Minuten. Mit unserer speziellen Aufsperrtechnik öffnen wir mehr...\nAls professioneller Schlüsseldienst im Stadtsteil Bökerhöhe (Remscheid) sind wir und unsere Partner qualifiziert im Bereich der Sicherheitstechnik. Sollten Sie sich aktuell nicht ausreichend in mehr...\nFür Tresoröffnungen braucht man immer einen Spezialisten. Im Stadtsteil Bökerhöhe (Remscheid) haben wir und unsere Partner im Bereich der Tresoröffnungen, Tresorentsorgung mehr...\nProfessioneller Einbruchschutz muss nicht viel Geld kosten. Wir bieten Ihnen hochwertigen Einbruchschutz und eine kostenlose Sicherheitsberatung im Stadtsteil Bökerhöhe (Remscheid) und Umgebung. mehr...\nAls professioneller Schlüsseldienst im Stadtsteil Bökerhöhe (Remscheid) sind wir und unsere Partner qualifiziert im Bereich der Sicherheitstechnik. Sollten Sie mehr...\n42853 Bökerhöhe (Remscheid)


an Deck - Gaffelkutter zu verkaufen\nVor dem Mast das Vorluk als Schiebeluk, dahinter der Mittschiffsaufbau mit der 6 Personen Ret tungsinsel von Viking, dahinter eine Dachflaeche bis zum Niedergang von 2,00 x 1,40 m , Platz also fuer zwei Matratzen, wenn man bei schoenem Wetter gerne mal an Deck schlafen will. Hinter dem Niedergang drei Backskisten in U-Form, in deren Mitte ein massiver Teakholztisch Platz fuer 8 Personen bietet.\nDann folgt der Maschinenniedergang, dahinter eine Backskiste in der der Tauchkompressor und der Hondageneratoruntergebracht sind. Auf der Bachskiste – unter einer Klarsichtscheibe – befindet findet die jeweilige Seekarte. Rechts und links von der Backskiste – an der Rueckseite des Maschinenniedergangs – befinden sich hinter zwei rechteckigen, bronzenen Schiffsfenstern die Instrumente. An Stb. alle Maschineninstrumente, ausserdem 2 Lenzpumpen (eine 12 V, eine 24 V) – eine grosse Handlenzpumpe von Whalegusher befindet sich ausserdem am Maschinenniedergang - die Schalter fuer die diversen Beleuchtungskoerper, die Ankerwinsch und den Windgenerator. An der Bb. Seitebefinden sich der Ruderlagenanzeiger, das Windanzeigegeraet, ein DC-Multimeter zur Ueberwachung der Batterien, ein Barometer, und ein Uniden-Echolot.Dann folgt der Steuerstand mit der hydraulischen Radsteuerung und der ebenfalls hydraulisch betriebenen Robertson-Simrad Selbststeueranlage, sowie dem Furuno GP GPS.\nEs kann somit sowohl Kompass-Mode, Wind-Mode oder Waypoint-Mode auf die Selbststeueranlage geschaltet werden. Im Heckbereich befinden sich dann noch drei Backskisten, die zusammen mit einer ueber die ganze Schiffsbreite laufenden Rueckenlehne eine bequeme Bank bilden. Hinter der Bank bilden dann die Bottsdavids (aus schwerer Eiche) den Abschluss. Quer ueber die Bootsdavids liegen zwei Eichenplanken auf denen der Wingenerator, die GPS Antenne, Typhon, Hecklaterne, Hummingbird-Fischfinder und Flaggenstock angebracht sind. Ueber dem Steuerstand und der Heckbank wurde erst kuerzlich ein Dach aus Teackholz errichtet, auf dem die 9 Solarpaneele untergebracht sind. Hier wird auch der Grossbaum abgelegt, wenn sich das Schiff im Hafen oder auf Reede befindet, oder auf See mit der Breitfock gesegelt wird. Von der Vorkannte dieses Daches bis zum Mast kann ein Sonnensegel gespannt werden. Vor dem Mast – bis zum Fockstag – kann ebenfalls ein kleineres Sonnensegel aufgebracht werden. Bleibt noch der Klueverbaum zu erwaehnen, auf dem – an einem Ring – ein zweites Klueverstag angebracht ist, sodass der Kluever (wie auch alle anderen Segel) von Deck aus gesetzt und geborgen werden kann und keiner ins Kluevernetz klettern muss. Es handelt sich hier um eine Eigenkonstruktion, die die Sicherheit der Besatzung zum Ziel hat.