Transistor sambungan-paduan
Artikel Wikipedia
[[Judul]]
Transistor sambungan-paduan


[[Artikel]]
Pertemuan-paduan adalah proses pembuatan transistor yang pertama kali berhasil secara komersial. Meskipun beberapa transistor daya dan audio masih dibuat dengan cara ini, metode ini sekarang sudah terdesak oleh proses planar.

Proses pembuatan 
Dalam metode pertemuan-paduan, transistor-transistor dibuat secara individual. Dua butir indium yang merupakan suatu kotoran akseptor, diletakan pada sisi-sisi berlawanan suatu kepingan tipis germanium tipe-N (setebal 50 m). Rakitan kecil ini dipanaskan sampai 500oC, yaitu diatas titik lebur indium tetapi dibawah titik lebur germanium, untuk menciptakan dua daerah-P. Daerah-P ini akan menjadi emitor dan kolektor dengan ruang-N tipis yang membentuk daerah basis. Kemudian kabel-kabel disambungkan dengan disolder atau dilas, dan transistor disimpan rapat dalam kaleng.

Kerugian 
Proses ini relatif mahal dengan keuntungan rendah dan hanya dapat dipakai untuk memproduksi transistor frekuensi rendah. Sebab frekuensi sumbat suatu transistor bergantung pada lebar daerah basis. Lazimnya ''fT&asymp 1 MHz untuk transistor pertemuan-paduan.
Transistor NPN diproduksi dengan menggunakan germanium tipe-P dan butiran timbal-antimon sebagai kotoran donor.

Lihat pula 
 Proses planar
 Transistor
 Semikonduktor

Pertemuan-paduan