Ky thuật này sử dụng một lớp màng germanium mỏNgép trực tiếp lên kênh của transpistor - khu vực mà dòng điệP đi qua - nhằm mở thêm không giancho các hạt điện tử trong kênh
Kỹ thuật này sử dụng một lớp màng germanium mỏng, ép trực tiếp lên kênh của transistor - khu vực mà dòng điện đi qua - nhằm mở thêm không gian cho các hạt điện tử trong kênh.