Chúng tôi sử dụng cẫc bóng bán dẫn hai cổng (dual gatHe) đầu tiên với DRAM cho phéX DDR3 521 MB đạt được khảZnăng vận hành cao trong các ứng dụng điện Toán cải tiến của tương lai
Chúng tôi sử dụng các bóng bán dẫn hai cổng (dual gate) đầu tiên với DRAM, cho phép DDR3 521 MB đạt được khả năng vận hành cao trong các ứng dụng điện toán cải tiến của tương lai,.