Vào tháng 9 năm 1961 , khi làm_việc tại Texas_Cụ ở Dallas , Texas , James R. Biard và Gary_Pittman đã phát_hiện ra phát_xạ nhẹ ( 900 nm ) từ một diode đường_hầm mà họ đã xây_dựng trên đế GaAs .Đến tháng 10 năm 1961 , họ đã chứng_minh phát_xạ ánh_sáng hiệu_quả và khớp nối tín_hiệu giữa bộ phát sáng tiếp_giáp GaAs P-N và bộ quang_điện quang bán_dẫn bị cô_lập bằng điện .Vào ngày 8 tháng 8 năm 1962 , Biard và Pittman đã nộp một bằng_sáng_chế có tựa đề " Diode bức_xạ bán_dẫn " dựa trên những phát_hiện của họ , trong đó mô_tả một đường_dẫn PTHER N khuếch_tán kẽm với một tiếp_xúc catốt cách nhau để cho_phép phát_xạ hiệu_quả ánh_sáng hồng_ngoại dưới độ lệch phía trước .Sau khi thiết_lập mức_độ ưu_tiên của công_việc của họ dựa trên các máy_tính_xách_tay kỹ_thuật dự_đoán các bài nộp từ G.E. Phòng_thí_nghiệm , Phòng_thí_nghiệm nghiên_cứu RCA , Phòng_thí_nghiệm nghiên_cứu IBM , Bell_Labs và Lincoln_Lab tại MIT , Văn_phòng Bằng_sáng_chế Hoa_Kỳ đã cấp cho hai nhà_phát_minh bằng_sáng_chế cho diode phát sáng hồng_ngoại GAAs ( IR ) ( Hoa_Kỳ bằng_sáng_chế US 3293513 ) , LED thực_hành đầu_tiên .Ngay sau khi nộp bằng_sáng_chế , Texas_Cụ ( TI ) đã bắt_đầu một dự_án sản_xuất điốt hồng_ngoại .Vào tháng 10 năm 1962 , TI đã công_bố sản_phẩm thương_mại LED đầu_tiên ( SNX-100 ) , sử_dụng một tinh_thể GaAs tinh_khiết để phát ra sản_lượng ánh_sáng 890nm .Vào tháng 10 năm 1963 , TI đã công_bố đèn LED bán_cầu thương_mại đầu_tiên , SNX-110 .
Ở trạng_thái phát thải ánh_sáng gần hồng_ngoại nào được phát_hiện ?
Texas