Do tính di_động của electron cao hơn tính di_động của lỗ đối_với tất_cả các vật_liệu bán_dẫn , nên một bóng_bán_dẫn lưỡng_cực đã cho N N N P P N có xu_hướng Swifter hơn so với bóng_bán_dẫn P P P N P tương_đương .GaAs có tính di_động điện_tử cao nhất của ba chất_bán_dẫn .Chính vì lý_do này mà GaAs được sử_dụng trong các ứng_dụng tần_số cao .Sự phát_triển FET tương_đối gần đây , bóng_bán_dẫn di_động điện_tử cao ( HEMT ) , có cấu_trúc dị thể ( ngã ba giữa các vật_liệu bán_dẫn khác nhau ) của nhôm gallium arsenide ( algaas ) - gallium arsenide ( GAA ) ngã ba hàng_rào kim_loại .Do tốc_độ cao và tiếng ồn thấp , HEMT được sử_dụng trong các máy thu vệ_tinh làm_việc ở tần_số khoảng 12 GHz .Hemts dựa trên gallium nitride và nhôm gallium nitride ( Algan / GaN_Hemts ) cung_cấp khả_năng di_động electron cao hơn và đang được phát_triển cho các ứng_dụng khác nhau .
HEMT là viết tắt của gì ?
bóng_bán_dẫn di_động điện_tử cao