FET được chia thành hai họ : ngã ba FET ( JFET ) và Cổng cách_nhiệt FET ( IGFET ) .IGFET thường được gọi là FET SEMEMONDACTOR METAL OXIDE ( MOSFET ) , phản_ánh cấu_trúc ban_đầu của nó từ các lớp kim_loại ( cổng ) , oxit ( cách_điện ) và chất_bán_dẫn .Không giống như IGFET , cổng JFET tạo thành một diode P P N với kênh nằm giữa nguồn và cống .Về mặt chức_năng , điều này làm cho JFET kênh N trở_thành trạng_thái rắn tương_đương với bộ ba ống_chân không , tương_tự , tạo thành một diode giữa lưới của nó và catốt .Ngoài_ra , cả hai thiết_bị đều hoạt_động trong chế_độ cạn_kiệt , cả hai đều có trở kháng đầu vào cao và cả hai đều tiến_hành dòng_điện dưới sự điều_khiển điện_áp đầu_vào .
Cả JFET và IGFET hoạt_động ở chế_độ nào ?
Chế_độ cạn_kiệt