Một phong_cách mới của các tấm wafer bao_gồm gallium-nitride-on-silicon ( Gan-on-si ) đang được sử_dụng để sản_xuất đèn LED màu trắng bằng cách sử_dụng các tấm silicon 200 mm .Điều này tránh được chất nền sapphire tốn_kém điển_hình với kích_thước wafer 100 hoặc 150 mm tương_đối nhỏ .Thiết_bị sapphire phải được kết_hợp với bộ thu giống như gương để phản_chiếu ánh_sáng mà nếu không sẽ bị lãng_phí .Người ta dự_đoán rằng vào năm 2020 , 40% của tất_cả các đèn LED GAN sẽ được thực_hiện bằng GaN-on-si. Sản_xuất vật_liệu sapphire lớn là khó_khăn , trong khi vật_liệu silicon lớn rẻ hơn và phong_phú hơn .Các công_ty dẫn_đầu chuyển từ sử_dụng sapphire sang silicon nên là một khoản đầu_tư tối_thiểu .
Bằng cách sử_dụng wafer silicon , điều gì đang được tránh ?
Chất nền sapphire tốn_kém