On the Multiplicative Degree-Based Topological Indices of Silicon-Carbon &lt;em&gt;Si&lt;/em&gt;&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;&lt;em&gt;C&lt;/em&gt;&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;&lt;em&gt;-I&lt;/em&gt;[&lt;em&gt;p,q&lt;/em&gt;] and &lt;em&gt;Si&lt;/em&gt;&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;&lt;em&gt;C&lt;/em&gt;&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;&lt;em&gt;-II&lt;/em&gt;[&lt;em&gt;p,q&lt;/em&gt;]